Скачать PDF

ГОСТ Р 70999-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров

Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии · № ГОСТ Р 70999-2023Действующий акт

Актуально на 02.11.2026.

Как цитировать: "ГОСТ Р 70999-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Диоды полупроводниковые импульсные. Система параметров". ГОСТ Р 70999-2023. https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-70999-2023

(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 11.10.2023 № 1109-ст)

Примечание

Документ введен в действие с 01.03.2024.

Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 11 октября 2023 г. № 1109-ст

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ

СИСТЕМА ПАРАМЕТРОВ

Semiconductor diodes. Parameters system

ГОСТ Р 70999-2023

ОКС 31.080

Дата введения 1 марта 2024 года

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт „Электронстандарт“ (АО „РНИИ „Электронстандарт“)»

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 11 октября 2023 г. № 1109-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые импульсные полупроводниковые диоды (далее — диоды) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в общие технические условия (ОТУ) и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре.

Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством.

2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю «Национальные стандарты», который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты» за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

3 Термины и определения

В настоящем стандарте применены термины по ГОСТ Р 57436 и ГОСТ 25529, а также следующий термин с соответствующим определением:

3.1 нестабильность обратного тока импульсного диода \Delta I_{\text{обр}} : Относительное изменение обратного тока за время, заданное в ТУ на диоды конкретных типов.

4 Классификация

Диоды подразделяют на классификационные группы в соответствии с таблицей 1.

Таблица 1

Наименование группыОбозначение
Диоды с эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда до 1 нс включительно [или зарядом восстановления до 10 пКл включительно (диоды Шоттки)]1
Диоды с временем обратного восстановления связи от 1 до 5 нс включительно
(или зарядом восстановления связи от 10 до 150 пКл включительно)		2
Диоды с временем обратного восстановления связи от 5 до 30 нс включительно
(или зарядом восстановления связи от 150 до 1000 пКл включительно)		3
Диоды с временем обратного восстановления связи от 30 до 150 нс включительно
(или зарядом восстановления связи от 1000 до 10000 пКл включительно)		4
Диоды с временем обратного восстановления связи от 150 до 500 нс включительно
(или зарядом восстановления связи свыше 10 000 пКл)		5
Диоды с временем обратного восстановления связи 500 нс6
Диоды с накоплением заряда7
Примечание — Классификацию диодов на группы подразделяют по одному из указанных параметров, т.е. при классификации по времени обратного восстановления значения заряда восстановления не устанавливают.

5 Система параметров

5.1 Состав параметров диодов и способы задания норм на них приведены в таблице 2.

Таблица 2

Наименование параметраБуквенное обозначение параметраПараметры, подлежащие обязательному включению в ТУСпособ задания нормыОбозначение классификационной группыПункт примечания таблицы
1 Параметры диодов
1.1 Постоянный обратный ток диодаIобр+ОП1 — 6-
1.2 Постоянное прямое напряжение диодаUпр+ОП, Р1 — 7-
1.3 Импульсное прямое напряжение диодаUпр.и+ОП2 — 6-
1.4 Пробивное напряжение диодаUпроб+ОП7-
1.5 Время обратного восстановления диодаtвос.обр+ОП2 — 61
1.6 Заряд восстановления диодаQвос+ОП1 — 5, 71, 2
1.7 Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода\tau_{\text{эфф}}+ОП1, 72
1.8 Время выключения диодаtвыкл+ОП7-
1.9 Общая емкость диодаCд+ОП1 — 7
1.10 Индуктивность диодаLпоОП1 — 73
1.11 Время прямого восстановления диодаtвос.пр+ОП2 — 63
1.12 Динамическое сопротивление диодаrдин+ОП1 — 73
1.13 Нестабильность обратного тока диода\Delta I_{\text{обр}}оОП1 — 63
1.14 Тепловое сопротивление структура — окружающая средаR_{\theta\text{стр} - \text{окр}}оОП2 — 73
1.15 Тепловое сопротивление корпус — окружающая средаR_{\theta\text{кор} - \text{окр}}оОП2 — 73
2 Параметры режима эксплуатации
2.1 Максимально допустимый прямой токIпрmax+ОП1 — 7-
2.2 Максимально допустимый импульсный прямой токIпр.иmax+ОП1 — 7-
2.3 Максимально допустимый импульсный обратный токIобр.иmax+ОП1 — 7-
2.4 Максимально допустимое постоянное обратное напряжениеUобр.max+ОП1 — 7-
2.5 Максимально допустимое постоянное импульсное напряжениеUобр.иmax+ОП1 — 7-
2.6 Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощностьPсрmaxоОП1 — 73
Примечания
1 В ТУ на конкретные типы диодов указывают один из параметров: время обратного восстановления tвос.обр или заряд восстановления Qвос.
2 Для диодов классификационных групп 1 и 7 в ТУ указывают один из параметров: эффективное время жизни неравновесных носителей заряда \tau_{\text{эфф}} или заряд восстановления Qвос.
3 Параметры 1.9 - 1.15 и 2.6 являются справочными.
4 В графе «Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ» обозначены:
- знаком «+» — параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ на диоды категорий качества ВП, ОС, ОСМ и ОТК;
- буквой «о» — параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ на диоды категорий качества ВП, ОС и ОСМ.
5 Для указания способа задания норм на параметры применены следующие обозначения:
- ОП — односторонний предел значения параметра, без указания номинального значения;
- Р — двухсторонние границы значений параметра (разброс) без указания номинального значения.

5.2 Основные параметры диодов приведены в таблице 3.

Таблица 3

Наименование параметра Обозначение классификационной группы
Время обратного восстановления диода 2 — 6
Заряд восстановления диода 1 — 5, 7
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода 1 — 7
Постоянное прямое напряжение диода 1 — 7
Общая емкость диода 1 — 7
Время выключения диода 7

Примечание - Основные параметры подлежат обязательному включению в раздел «Технические требования» ТУ на диоды конкретных типов.

5.3 Важнейшие параметры диодов приведены в таблице 4.

Таблица 4

Наименование параметраОбозначение классификационной группы
Время обратного восстановления диода2 — 6
Заряд восстановления диода1 — 5, 7
Постоянный обратный ток диода1 — 7
Постоянное прямое напряжение диода2 — 7
Примечания
1 В ТУ на конкретные типы диодов указывают один из параметров: время обратного восстановления tвос.обр или заряд восстановления Qвос.
2 Для важнейших параметров в стандартах вида ОТУ или ТУ полной характеристики должны быть предусмотрены более жесткие планы контроля.

5.4 Типовые характеристики диодов приведены в таблице 5.

Таблица 5

Наименование типовой характеристикиОбозначение характеристикиХарактеристика, подлежащая обязательному включению в ТУОбозначение классификационной группы
Прямая и обратная вольтамперные характеристики при нормальных климатических условиях и при крайних температурахIпр = f(Uпр)
Iпр = f(Uобр)		+1 — 7
Зависимость общей емкости диода от обратного напряженияCд = f(Uобр)+1 — 7
Зависимость времени обратного восстановления диода от прямого тока и обратного напряженияtвос.обр = f(Iпр)
tвос.обр = f(Uобр)		+2 — 6
Зависимость заряда восстановления диода от прямого тока и обратного напряженияQвос = f(Iпр)
Qвос = f(Uобр)		+2 — 5, 7
Зависимость амплитуды максимального импульса прямого тока от температуры окружающей среды или температуры корпусаIпр.иmax = f(Tокр, Tк)о1 — 7
Зависимость максимального постоянного прямого тока от температуры окружающей среды или температуры корпусаIпрmax = f(Tокр, Tк)о1 — 7
Зависимость обратного тока от температуры окружающей средыIобр = f(Tокр)о1 — 7
Зависимость максимально допустимого импульсного прямого тока от частоты и длительности импульсов (или скважности)Iпр.иmax = f(f, tи)о1 — 7
Примечание — В графе «Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ» обозначены:
- знаком «+» — параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ на диоды категорий качества ВП, ОС, ОСМ и ОТК;
- буквой «о» — параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ на диоды категорий качества ВП, ОС и ОСМ.

5.5 Параметры-критерии годности импульсных диодов при различных видах испытаний приведены в таблице 6.

Таблица 6

Наименование параметра-критерия годностиКонтроль на соответствие требованиям
к конструкциипо стойкости к внешним воздействующим факторам
Виды испытаний
на механическую прочность выводовна способность в пайкена теплостойкость при пайкена виброустойчивостьна вибропрочностьна ударную устойчивостьна ударную прочностьна воздействие одиночных ударовна воздействие линейного ускоренияна воздействие изменению температуры окружающей средына воздействие повышенной температуры среды при транспортировании и хранениина воздействие пониженной температуры среды при транспортировании и хранении
Постоянное прямое напряжение диода1 — 61 — 61 — 61 — 61 — 6(1 — 6)о1 — 61 — 61 — 61 — 61 — 61 — 6
Постоянный обратный ток диода1 — 61 — 61 — 61 — 61 — 6(1 — 6)о1 — 61 — 61 — 61 — 61 — 6
Пробивное напряжение диода----77о7--777
Время обратного восстановления диода------------
Заряд восстановления диода----------2 — 52 — 5
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода------------
Время включения диода------------
Общая емкость диода------------

Окончание таблицы 6

Наименование параметра-критерия годностиКонтроль на соответствие требованиямк воздействию специальных факторовк упаковке на прочность
по стойкости к внешним воздействующим факторампо надежности
Виды испытаний
на воздействие повышенной влажности воздухана воздействие атмосферного пониженного давленияна воздействие повышенного давленияна герметичностьна воздействие атмосферных конденсированных осадковна воздействие плесневых грибовна воздействие соляного туманана воздействие акустического шумана безотказностьна сохраняемость
Постоянное прямое напряжение диода1 — 61 — 61 — 61 — 6(1 — 6)о(1 — 6)о(1 — 6)о(1 — 6)о1 — 61 — 6(1 — 6)о1 — 6
Постоянный обратный ток диода1 — 61 — 61 — 61 — 6(1 — 6)о(1 — 6)о(1 — 6)о(1 — 6)о1 — 61 — 6(1 — 6)о1 — 6
Пробивное напряжение диода7--7----777о-
Время обратного восстановления диода--------2 — 62 — 6(2 — 6)о-
Заряд восстановления диода2 — 5--2 — 5----2 — 52 — 5(2 — 5)о-
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода7-------1,71,7(1,7)о-
Время включения диода--------777о-
Общая емкость диода1 — 7-------1 — 71 — 7(1 — 7)о-
Примечания
1 Принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний указана сочетанием обозначений соответствующих классификационных групп и буквы «о» для диодов категорий качества ВП, ОС и ОСМ.
2 Допускается не проводить контроль параметров-критериев годности для отдельных видов испытаний, если для диодов конкретных типов эти параметры проверяют на последнем виде испытаний.

5.6 В технически обоснованных случаях по согласованию с заказчиком состав параметров и типовых характеристик диодов, регламентированный настоящим стандартом, при составлении конкретных документов на диоды допускается расширять или сокращать.

УДК 621.382.2:006.354ОКС 31.080
Ключевые слова: диоды полупроводниковые импульсные, система параметров