ГОСТ Р 57436-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Приборы полупроводниковые. Термины и определения
Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии · № ГОСТ Р 57436-2017Действующий акт
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 04.04.2017 № 249-ст)
Примечание
Документ введен в действие с 01.08.2017.
Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 249-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Semiconductor devices. Terms and definitions
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт „Электронстандарт“ (АО „РНИИ „Электронстандарт“) совместно с Акционерным обществом „Центральное конструкторское бюро „Дейтон“ (АО „ЦКБ „Дейтон“)»
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 249-ст
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой «Нрк».
Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.
В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.
Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым, синонимы — курсивом.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
| Виды полупроводниковых приборов | ||
| 1 | ||
| полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов. ГОСТ IEC 60050-151-2014, [статья 151-13-63] | de | halbleiterbauelement |
| en | semiconductor device | |
| fr | dispositif \text{а} semiconducteurs | |
| 2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт. | de | halbleiter — power — gerät |
| en | semiconductor power device | |
| fr | semiconducteurs d'alimentation de l'appareil | |
| 3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов. | de | halbleiter-einheit |
| en | semiconductor assembly | |
| fr | bloc de semiconducteur | |
| 4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам. | de | satz von halbleiterbauelementen |
| en | semiconductor assembly set | |
| fr | série de dispositifs semiconducteurs | |
| 5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для выполнения элементарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты. | de | diskretes halbleiterbauelement |
| en | discrete semiconductor device; discrete device | |
| fr | discret dispositif \text{а} semiconducteurs | |
| 6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт-амперную характеристику. Примечание — Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного p-n перехода. | de | halbleiterdiode; diode |
| en | semiconductor diode; diode | |
| fr | diode \text{а} semiconducteurs; diode | |
| 7 смесительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования входящих высокочастотных сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты входящих сигналов. | de | mischerdiode |
| en | mixer diode | |
| fr | diode mélangeuse | |
| 8 детекторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала. | de | halbleiter-detektordiode; detektordiode |
| en | detector diode | |
| fr | diode détectrice | |
| 9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока. | de | halbleiter-gleichter diode |
| en | semiconductor rectifier diode; rectifier diode | |
| fr | diode de redressement \text{а} semiconducteurs; diode de redressement | |
| 10 лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики. | de | lawinen gleichrichter diode |
| en | avalanche rectifier diode | |
| fr | diode de redressement \text{а} avalanche | |
| 11 выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя p-n перехода, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя p-n перехода обратной ветви вольт-амперной характеристики. | de | halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch |
| en | controlled-avalanche rectifier diode | |
| fr | diode de redressement \text{а} semiconducteurs de rupture en avalanche controlee; diode de redressement de rupture en avalanche controlee | |
| 12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода. | de | halbeiter-gleichrichterbaugruppe |
| en | semiconductor rectifier stack; rectifier stack | |
| fr | bloc de redressement semiconducteur; bloc de redressement | |
| 13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полупроводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов. | de | gleichrichter halbleiter block; gleichrichter block |
| en | semiconductor rectifier assembly | |
| fr | assemblage de edressement \text{а} semiconducteurs; assemblage de edressement | |
| 14 ограничитель (полупроводниковый) напряжения; ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для ограничения амплитуды импульсов перенапряжения. | de | begrenzerdiode |
| en | limiting diode | |
| fr | diode de limitation | |
| 15 умножительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты входного сигнала. | de | frequenzvervielfacherdiode |
| en | frequency-multiplication diode | |
| fr | diode pour multiplication de fréquence | |
| 16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования энергии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний. | de | produzent halbleiterdiode |
| en | generation semiconductor diode; generation diode | |
| fr | producteur diode \text{а} semiconducteurs; producteur diode | |
| 17 импульсный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для применения в импульсных режимах работы. | de | halbleiterimpulsdiode |
| en | pulse semiconductor diode; pulse diode | |
| fr | diode d'impulsion | |
| 18 коммутационный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей. | de | shalten halbleiterdiode |
| en | switching semiconductor diode; switching diode | |
| fr | commutation diode \text{а} semiconducteurs; commutation diode | |
| 19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого обоснованы созданием выпрямляющего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника. | de | Schottky-diode |
| en | Schottky barrier diode | |
| fr | diode \text{а} barriére Schottky; diode Schottky | |
| 20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого основано на зависимости емкости его p-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. | de | kapazitätsdiode ; kapazitätsvariationsdiode |
| en | variable-capacitance diode | |
| fr | diode \text{а} capacité variable | |
| 21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. варактор): Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях. | de | parametrischer halbleiterdiode |
| en | parametric semiconductor diode; parametric diode | |
| fr | paramétrique diode \text{а} semiconducteurs; paramétrique diode | |
| 22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот. | de | stichhaltiger diode |
| en | noise diode | |
| fr | diode bruit | |
| 23 туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий p-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики. | de | tunneldiode |
| en | tunnel diode | |
| fr | diode tunnel | |
| 24 обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны. | de | unitunneldiode |
| en | unitunnel diode; backward diode | |
| fr | diode inversé | |
| 25 сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов. Примечание — СВЧ-сигнал — сигнал с частотой более 300 МГц. | de | UHF-halbeiteriode |
| en | microwave diode | |
| fr | diode en hyperfréquences | |
| 26 переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения. | de | halbeitererschaltdiode |
| en | gating diode | |
| fr | diode de commutation | |
| 27 точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным p-n переходом. | de | halbeiterspitzediode |
| en | point contact diode | |
| fr | diode \text{а} pointe | |
| 28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным p-n переходом. | de | halbeiterflächendiode |
| en | junction diode | |
| fr | diode \text{а} jonction | |
| 29 диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения. | de | gespeicherte ladung diode |
| en | snap-off diode | |
| fr | diode charge | |
| 30 лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний. | de | lawinenlaufzeitdiode |
| en | impact avalanche-transit time diode | |
| fr | diode \text{а} avalanche \text{а} temps de transit | |
| 31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний. | de | BARITT-diode |
| en | barrier-injection and transit-time diode | |
| fr | diode f \text{а} temps de transit injecteé barriére \text{а} | |
| 32 сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым. | de | signal diode |
| en | signal diode | |
| fr | signal diode | |
| 33 диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний. | de | Gunn diode |
| en | Gunn diode | |
| fr | diode Gunn | |
| 34 диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс. | de | hochwiederkehiend diode |
| en | fast-recovery diode | |
| fr | diode \text{а} rétablissement rapide | |
| 35 модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов. | de | halbleitermodulatordiode |
| en | modulator diode | |
| fr | diode modulatrice | |
| 36 обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения. Примечание — Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами. | de | rücken diode |
| en | reverse diode | |
| fr | inverse diode | |
| 37 СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности. Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию. | de | mikrowelle begrenzung diode |
| en | microwave limiting diode | |
| fr | micro-ondes diode limiteuse | |
| 38 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод. Примечание — При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание. | de | mikrowelle schaltdioden |
| en | microwave switching diode | |
| fr | micro-ondes diode de commutation | |
| 39 (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения. | de | halbeiter-Z-diode |
| en | voltage reference diode | |
| fr | diode de tension de référence | |
| 40 диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый диод, на выводах которого возникает практически постоянное напряжение в заданном диапазоне токов. | de | voltage-regulator diode |
| en | voltage-regulator diode | |
| fr | la tension régulateur \text{а} diode | |
| 41 транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода. | de | transistor |
| en | transistor | |
| fr | transistor | |
| 42 биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Примечание — Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей. | de | bipolarer transistor |
| en | bipolar junction transistor | |
| fr | transistor bipolaire | |
| 43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии. | de | diffusiontransistor |
| en | diffusion transistor | |
| fr | transistor \text{а} diffusion | |
| 44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа. | de | drifttransistor |
| en | drift transistor | |
| fr | transistor en dérive | |
| 45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами. | de | flächentransistor |
| en | junction transistor | |
| fr | transistor \text{а} jonctions | |
| 46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе. | de | lawinentransistor |
| en | avalance transistor | |
| fr | transistor \text{а} avalanche | |
| 47 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник. | de | bipolartransistor gatedielektrikum |
| en | insulated-gate bipolar transistor | |
| fr | bipolaire diélectrique | |
| 48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности. | de | unipolarer transistor |
| en | unipolar transistor | |
| fr | transistor unipolaire | |
| 49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем. Примечание — Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности. | de | feldeffekttransistor |
| en | field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ | |
| 50 полевой транзистор с управляющим p-n переходом: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении. | de | sperrschicht-feldeffekttransistor |
| en | junction-gate field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} junction de grille | |
| 51 полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала. | de | isolierschicht-feldeffekttransistor; IGFET |
| en | insulated-gate field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} grille isolé | |
| 52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа. | de | N-kanal-feldeffekttranssistor |
| en | N-channel field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} canal N | |
| 53 P-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа. | de | P-kanal-feldeffekttranssistor |
| en | P-channel field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} canal P | |
| 54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид. | de | feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter |
| en | metal-oxide-semiconductor field effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs | |
| 55 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик. | de | feldeffekttransistor mit metall-halbleiter |
| en | MIS-transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ metal-semiconducteurs | |
| 56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки. | de | feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere |
| en | field-effect transistor with Schottky barrier | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} barrière de Schottky | |
| 57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины. | de | feldeffekttransistor vom verarmungstyp |
| en | depletion type field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} appauvrissement | |
| 58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности. | de | feldeffekttransistor vom anreicherungstyp |
| en | enhancement type field-effect transistor | |
| fr | transistor \text{а} effet de champ \text{а} enrichissement | |
| 59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока. | de | zweirichtungstransistor; bidirektionaler transistor |
| en | bidirectional transistor | |
| fr | transistor bidirectionnel | |
| 60 переключательный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным — в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени. | de | feldeffekt bipolarer-schalttransistor; feldeffekt-schalttransistor |
| en | field-effect bipolar switching transistor; field-effect switching transistor | |
| fr | transistor \text{а} commutation bipolaire \text{а} effet de champ; transistor \text{а} commutation bipolaire | |
| 61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода. | de | transistortetrode |
| en | tetrode transistor | |
| fr | transistor tétrode | |
| 62 тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот. | de | thyristor |
| en | thyristor | |
| fr | thyristor | |
| 63 диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления. | de | thyristordiode |
| en | diode thyristor | |
| fr | thyristor diode | |
| 64 диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. | de | rückwärts sperrende thyristordiode |
| en | reverse blocking diode thyristor | |
| fr | thyristor diode bloqué en inverse | |
| 65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии. | de | rückwärts leitende thyristordiode |
| en | reverse conducting diode thyristor | |
| fr | thyristor diode passant en inverse | |
| 66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях. | de | zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode; diac |
| en | bidirectional diode thyristor; diac | |
| fr | thyristor diode bidirectionnel; diac | |
| 67 триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий три вывода: два основных и один управляющий. | de | thyristortriode |
| en | triode thyristor | |
| fr | thyristor triode | |
| 68 триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии. | de | rückwärts sperrende thyristortriode |
| en | reverse blocking triode thyristor | |
| fr | thyristor triode bloqué en inverse | |
| 69 триодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии. | de | rückwärts leitende thyristortriode |
| en | reverse conducting triode thyristor | |
| fr | thyristor triode passant en inverse | |
| 70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях. | de | zweirichtungs-thyristortriode; triac |
| en | bidirectional triode thyristor; triac | |
| fr | thyristor triode bidirectionnel; triac | |
| 71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и, наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности. | de | ausschaltthyristor; GTO-thyristor |
| en | turn-off thyristor | |
| fr | thyristor blocable | |
| 72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала. | de | kathodenseitig steuerbarer thyristor |
| en | P-gate thyristor | |
| fr | thyristor P | |
| 73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала. | de | anodenseitig steuerbarer thyristor |
| en | N-gate thyristor | |
| fr | thyristor N | |
| 74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния. | de | lawine reverse rückwärts |
| en | avalanche reverse blocking triode thyristor | |
| fr | thyristor triode \text{а} avalanche bloqué en inverse | |
| 75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии. | de | asymmetrischer thyristor |
| en | asymmetrical thyristor | |
| fr | thyristor asymétrique | |
| 76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения. | de | gemischte-ausschalten thyristor |
| en | mixed-off thyristor | |
| fr | thyristor mixte — arrêt | |
| 77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы. | de | impuls thyristor |
| en | pulsed thyristor | |
| fr | thyristor signal | |
| 78 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов. | de | optoelektronisches halbleiterbauelement |
| en | optoelectronic device | |
| fr | dispositif optoélectronique | |
| 79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения. | de | halbleiterstrahler |
| en | semiconductor photocoupler radiator | |
| fr | radiator \text{а} semiconducteurs | |
| 80 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации. | de | optoelektronische displays |
| en | optoelectronic display | |
| fr | photoélectrique affichage | |
| 81 | ||
| полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции. [ГОСТ 25066-91, статья 15] | de | halbleiter-zeichen-display |
| en | semiconductor character display | |
| fr | semiconducteurs de caractères d'affichage | |
| 82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним. | de | der empfänger strahlung optokoppler |
| en | receiver radiation photocoupler | |
| fr | le récepteur radiation optocoupler | |
| 83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок. | de | lichtemittierende diode; LED |
| en | light-emitting diode; LED | |
| fr | diode électroluminescente ; DEL | |
| 84 полупроводниковый экран: Полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали экрана. | de | halbleiter-analoge anzeige |
| en | semiconductor analog indicator | |
| fr | semiconducteurs analogiques en dicator | |
| 85 инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлучающий диод, который испускает инфракрасное излучение. | de | infrarotemittierende diode; IRED |
| en | infrared-emitting diode | |
| fr | diode infrarouge | |
| 86 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый прибор, который излучает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок. | de | halbleiter-laser |
| en | semiconductor laser | |
| fr | laser \text{а} semiconducteurs | |
| 87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который излучает когерентное оптическое излучение, являющееся результатом рекомбинации проводящих электронов и дырок при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода. | de | lazerdiode |
| en | laser diode | |
| fr | diode laser | |
| 88 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду с лазерным диодом средства для автоматической оптической и (или) тепловой стабилизации выходного источника излучения. | de | laser-dioden modul |
| en | laser-diode module | |
| fr | laser \text{а} diode module | |
| 89 фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра. [ГОСТ 21934-83, статья 1] | ||
| de lichtempfindliche gerät halbleiterdiode | en | semiconductor photosensitive device |
| fr | photosensible appareil semiconducteurs | |
| 90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении. | de | |
| photoelektrischer halbleiterempfànger | en | semiconductor photoelectric detector; |
| photoelectric detector | fr récepteur photoélectrique \text{а} semiconducteur; | |
| photoélectrique récepteur | 91 фоторезистор: Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости. | |
| [ГОСТ 21934-83, статья 10] de photowiderstand; | ||
| photoleitfähige halbleiterzelle en | photoresistor | fr photorésistance |
| 92 | фотодиод: Полупроводниковый диод с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект. | |
| [ГОСТ 21934-83, статья 11] | de | |
| photodiode | ||
| en photodiode | fr | photodiode |
| 93 | лавинный фотодиод: Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле. | |
| [ГОСТ 21934-83, статья 15] | de | |
| lawinen-photodiode | ||
| en avalance photodiode | fr | photodiode \text{а} avalanche |
| 94 | фототранзистор: Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект. | |
| [ГОСТ 21934-83, статья 17] | de | |
| phototransistor | ||
| en phototransistor | fr | phototransistor |
| 95 фототиристор: Тиристор, предназначенный для переключения посредством воздействия оптическим излучением. | de | |
| photothyristor | en | |
| photothyristor | fr | photothyristor |
| 96 фотопроводящая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется эффект фотопроводимости. | de | |
| photoleitfähiger zelle | en | |
| photoconucting cell | fr | cellule photoconducteur |
| 97 фотовольтовая ячейка: Полупроводниковый прибор, в котором используется фотовольтовый эффект. | de | |
| photoelement; photovoltaische zelle | en | |
| photovaltic cell | fr | cellule \text{а} effet photovoltaïque |
| 98 оптопара: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и приемника излучения, между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция. | de | |
| optokoppler | en | |
| photocoupler; optocoupler | fr | photocoupleur; optocoupleur |
| 99 резисторная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фоторезистора. | de | |
| widerstandoptokoppler | en | |
| resistive optocoupler | fr | optocoupleur résistif |
| 100 диодная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фотодиода. | de | |
| diode optokoppler | en | |
| diode photocoupler | fr | optocoupleur diode |
| 101 дифференциальная диодная оптопара: Диодная оптопара, в которой два близких по определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного излучателя. | de | |
| differenz diode optokoppler | en | |
| difference diode photocoupler | fr | optocoupleur diode différentiel |
| 102 транзисторная оптопара: Оптопара с полупроводниковым приемником излучения, выполненным на основе фототранзистора. | de | |
| transistor optokoppler | en | |
| transistoroptocoupler | fr | optocoupleur transistor |
| 103 тиристорная оптопара: Оптопара с приемником излучения, выполненным на основе фототиристора. | de | |
| thyristoroptokoppler | en | |
| thyristor optocoupler | fr | optocoupleur thyristor |
| 104 оптопреобразователь: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами, работающими в режиме передачи и (или) приема оптического излучения. | de | |
| optische wandler | en | |
| optoconverter | fr | optoconvertisseur |
| 105 прибор на эффекте Холла: Полупроводниковый прибор, работающий на основе физического явления возникновения разности потенциалов между краями проводящей пластинки, помещенной перпендикулярно линиям внешнего магнитного поля, и протекании вдоль указанной пластинки тока. | de | |
| halleffekt-bauelement | en | |
| hall effect device | fr | dispositif \text{а} effet hall |
| 106 преобразователь Холла: Прибор на эффекте Холла, преобразующий индукцию внешнего магнитного поля в электрическое напряжение. | de | |
| Hall-sensor | en | |
| Hall effect sensor | fr | transducteur \text{а} effet Hall |
| 107 преобразователь Холла измерительный: Преобразователь Холла, предназначенный для измерения физических величин, однозначно зависящих от магнитного поля. | de | |
| Hall transducer | en | |
| Hall probe | fr | transducteur de mesure \text{а} effet Hall |
| 108 преобразователь Холла индикаторный: Преобразователь Холла, предназначенный для обнаружения магнитного поля в данной точке пространства. | de | |
| Hall anzeigetnansducer | en | |
| Hall effect indicator | fr | transducteur de mesure \text{а} effet Hall |
| 109 зонд Холла: Прибор на эффекте Холла для измерения плотности магнитного потока. | de | |
| der hall-sonde | en | |
| hall probe | fr | sonde \text{а} effet hall |
| 110 магниторезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление под действием магнитного поля. | de | |
| magnetowiderstand | en | |
| magnetoresistor | fr | magnétorésistance |
| 111 терморезистор: Полупроводниковый прибор, обладающий способностью изменять свое электрическое сопротивление при изменении его температуры. | de | |
| thermistor | en | |
| thermistor | fr | thermistance |
| 112 позистор: Терморезистор с положительным ТКС. | Примечание — ТКС — температурный коэффициент сопротивления. | |
| de | posister | |
| en posistor | fr | frigistance |
| 113 термистор: Терморезистор с отрицательным ТКС. | de | |
| thermister | en | |
| thermistor | fr | thermistance |
| Элементы конструкции | 114 вывод (полупроводникового прибора): Элемент конструкции корпуса полупроводникового прибора, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью. | |
| de | anschluss; anschluss-punkt | |
| en | ||
| terminal of a semiconductor device; | terminal | fr |
| borne d'un dispositif \text{а} semiconducteurs; | borne 115 основной вывод полупроводникового прибора: Вывод полупроводникового прибора, через который протекает основной ток. | |
| de | hauptanschluss en | |
| main terminal | fr | borne maîtresse |
| 116 катодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает во внешнюю электрическую цепь. | de | |
| thyristor dioden Katodenenanschluss | en | |
| cathode leed of thyristor diode | fr | borne cathodique de thyristor |
| 117 анодный вывод диода [тиристора]: Вывод диода [тиристора], через который прямой ток протекает из внешней электрической цепи. | de | |
| thyristor dioden anodenauschluss | en | |
| anode leed of thyristor diode | fr | borne anodique de thyristor |
| 118 управляющий вывод тиристора: Вывод тиристора, через который протекает только ток управления. | de | |
| thyristor steuerausgang | en | |
| control lead of thyristor | fr | borne commande de thyristor |
| 119 подложка: Материал, в объеме или на поверхности которого формируют или монтируют полупроводниковый прибор. | de | |
| substrat | en | |
| substrate | fr | substrat |
| 120 пластина: Тонкая пластина из полупроводникового материала, на поверхности которой с помощью технологических операций формируется массив дискретных полупроводниковых структур. | de | |
| wafer | en | |
| wafer | fr | plaquette; wafer |
| 121 кристалл: Часть пластины, в объеме или на поверхности которой сформированы элементы, межэлементные соединения и контактные площадки полупроводникового прибора. | de | |
| chip | en | |
| chip die | fr | puce; pastille |
| 122 корпус (полупроводникового прибора): Элемент конструкции полупроводникового прибора, предназначенный для установки в него кристалла с подключением контактных площадок к внешним выводам, с целью обеспечения эксплуатационных характеристик полупроводникового прибора и применения его по назначению. | de | |
| gehäuse | en | |
| package | fr | boîtier |
| 123 бескорпусной полупроводниковый прибор (Нрк. полупроводниковая структура): Полупроводниковый прибор, не защищенный корпусом и предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах, герметизируемых блоках и аппаратуре. | de | |
| gehäuseloses halbleiterbauelement | en | |
| beam lead semiconductor device | fr | dispositif semiconducteur sans boitier |
| 124 контактная площадка (полупроводникового прибора): Металлизированный участок на подложке, кристалле или корпусе полупроводникового прибора, служащий для присоединения выводов компонентов и кристаллов, перемычек, а также для контроля его электрических параметров и режимов. | de | |
| Boudstelle | en | |
| bond pad | fr | plot de soudure |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
| блок выпрямительный | 13 |
|---|---|
| блок выпрямительный полупроводниковый | 13 |
| блок полупроводниковый | 3 |
| варактор | 21 |
| варикап | 20 |
| вывод | 114 |
| вывод диода анодный | 117 |
| вывод диода катодный | 116 |
| вывод полупроводникового прибора основной | 115 |
| вывод прибора полупроводникового | 114 |
| вывод тиристора анодный | 117 |
| вывод тиристора катодный | 116 |
| вывод тиристора управляющий | 118 |
| детектор фотоэлектрический | 90 |
| детектор фотоэлектрический полупроводниковый | 90 |
| диак | 66 |
| динистор | 63 |
| диод | 6 |
| диод быстровосстанавливающий | 34 |
| диод выпрямительный | 9 |
| диод выпрямительный полупроводниковый | 9 |
| диод Ганна | 33 |
| диод генераторный | 16 |
| диод генераторный полупроводниковый | 16 |
| диод детекторный | 8 |
| диод детекторный полупроводниковый | 8 |
| диод Зенеровский | 39 |
| диод импульсный | 17 |
| диод импульсный полупроводниковый | 17 |
| диод инжекционно-пролетный | 31 |
| диод инфракрасный излучающий | 85 |
| диод коммутационный | 18 |
| диод коммутационный полупроводниковый | 18 |
| диод лавинно-пролетный | 30 |
| диод лавинный выпрямительный | 10 |
| диод лазерный | 87 |
| диод модуляторный | 35 |
| диод обратный | 36 |
| диод обращенный | 24 |
| диод параметрический | 21 |
| диод параметрический полупроводниковый | 21 |
| диод переключательный | 26 |
| диод плоскостной | 28 |
| диод полупроводниковый | 6 |
| диод полупроводниковый выпрямительный с контролируемым лавинным пробоем | 11 |
| диод с накоплением заряда | 29 |
| диод сверхвысокочастотный полупроводниковый | 25 |
| диод светоизлучающий | 83 |
| диод СВЧ ограничительный | 37 |
| диод СВЧ переключательный | 38 |
| диод сигнальный | 32 |
| диод смесительный | 7 |
| диод точечно-контактный | 27 |
| диод точечный | 27 |
| диод туннельный | 23 |
| диод умножительный | 15 |
| диод Шоттки | 19 |
| диод шумовой | 22 |
| дисплей оптоэлектронный | 80 |
| зонд Холла | 109 |
| излучатель | 79 |
| излучатель полупроводниковый | 79 |
| ИК-диод | 85 |
| индикатор знакосинтезирующий полупроводниковый | 81 |
| индикатор полупроводниковый | 81 |
| корпус | 122 |
| корпус прибора полупроводникового | 122 |
| кристалл | 121 |
| лазер полупроводниковый | 86 |
| магниторезистор | 110 |
| МДП-транзистор | 55 |
| модуль лазерно-диодный | 88 |
| МОП-транзистор | 54 |
| набор приборов полупроводниковых | 4 |
| ограничитель напряжения | 14 |
| ограничитель напряжения полупроводниковый | 14 |
| оптопара | 98 |
| оптопара диодная | 100 |
| оптопара дифференциальная диодная | 101 |
| оптопара резисторная | 99 |
| оптопара тиристорная | 103 |
| оптопара транзисторная | 102 |
| оптопреобразователь | 104 |
| пластина | 120 |
| площадка контактная | 124 |
| площадка прибора полупроводникового контактная | 124 |
| подложка | 119 |
| позистор | 112 |
| ПОН | 14 |
| преобразователь Холла | 106 |
| преобразователь Холла измерительный | 107 |
| преобразователь Холла индикаторный | 108 |
| прибор бескорпусной полупроводниковый | 123 |
| прибор дискретный | 5 |
| прибор дискретный полупроводниковый | 5 |
| прибор мощный полупроводниковый | 2 |
| прибор на эффекте Холла | 105 |
| прибор оптоэлектронный полупроводниковый | 78 |
| прибор полупроводниковый | 1 |
| прибор фоточувствительный полупроводниковый | 89 |
| приемник излучения | 82 |
| приемник излучения полупроводниковый | 82 |
| регулятор напряжения диодный | 40 |
| СВЧ-диод | 25 |
| СИД | 83 |
| стабилитрон | 39 |
| стабилитрон полупроводниковый | 39 |
| столб выпрямительный | 12 |
| столб полупроводниковый выпрямительный | 12 |
| структура полупроводниковая | 123 |
| термистор | 113 |
| терморезистор | 111 |
| тиристор | 62 |
| тиристор диодный | 63 |
| тиристор запираемый | 71 |
| тиристор импульсный | 77 |
| тиристор комбинированно-выключаемый | 76 |
| тиристор лавинный | 74 |
| тиристор несимметричный | 75 |
| тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа | 73 |
| тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа | 72 |
| тиристор симметричный триодный | 70 |
| тиристор симметричный диодный | 66 |
| тиристор триодный | 67 |
| тиристор, не проводящий в обратном направлении диодный | 64 |
| тиристор, не проводящий в обратном направлении лавинный триодный | 74 |
| тиристор, не проводящий в обратном направлении триодный | 68 |
| тиристор, проводящий в обратном направлении диодный | 65 |
| тиристор, проводящий в обратном направлении триодный | 69 |
| транзистор | 41 |
| транзистор IGBT | 47 |
| транзистор N-канальный полевой | 52 |
| транзистор P-канальный полевой | 53 |
| транзистор бездрейфовый | 43 |
| транзистор БИМОП | 47 |
| транзистор биполярный | 42 |
| транзистор дрейфовый | 44 |
| транзистор канальный | 49 |
| транзистор лавинный | 46 |
| транзистор обедненного типа полевой | 57 |
| транзистор обогащенного типа полевой | 58 |
| транзистор переключательный биполярный | 60 |
| транзистор переключательный полевой | 60 |
| транзистор плоскостной | 45 |
| транзистор полевой | 49 |
| транзистор с барьером Шоттки полевой | 56 |
| транзистор с изолированным затвором биполярный | 47 |
| транзистор с изолированным затвором полевой | 51 |
| транзистор с управляющим p-n переходом полевой | 50 |
| транзистор симметричный биполярный | 59 |
| транзистор симметричный полевой | 59 |
| транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник полевой | 55 |
| транзистор тетродный | 61 |
| транзистор типа металл-оксид-полупроводник полевой | 54 |
| транзистор униполярный | 48 |
| триак | 70 |
| тринистор | 67 |
| фотодиод | 92 |
| фотодиод лавинный | 93 |
| фоторезистор | 91 |
| фототиристор | 95 |
| фототранзистор | 94 |
| экран полупроводниковый | 84 |
| ячейка фотовольтовая | 97 |
| ячейка фотопроводящая | 96 |
Алфавитный указатель терминов на немецком языке
| anodenseitig steuerbarer thyristor | 73 |
|---|---|
| anschluss | 114 |
| anschluss-punkt | 114 |
| asymmetrischer thyristor | 75 |
| ausschaltthyristor | 71 |
| BARITT-diode | 31 |
| begrenzerdiode | 14 |
| bidirektionaler transistor | 59 |
| bipolarer transistor | 42 |
| bipolartransistor gatedielektrikum | 47 |
| Boudstelle | 124 |
| chip | 121 |
| der empfänger strahlung optokoppler | 82 |
| der hall-sonde | 109 |
| detektordiode | 8 |
| diac | 66 |
| differenz diode optokoppler | 101 |
| diffusiontransistor | 43 |
| diode | 6 |
| diode optokoppler | 100 |
| diskretes halbleiterbauelement | 5 |
| doppeltgerichtete thyristordiode | 66 |
| drifttransistor | 44 |
| feldeffekt bipolarertransistor | 60 |
| feldeffekt schalttransistor | 60 |
| feldeffekttransistor | 49 |
| feldeffekttransistor mit metall-halbleiter | 55 |
| feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter | 54 |
| feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere | 56 |
| feldeffekttransistor vom anreicherungstyp | 58 |
| feldeffekttransistor vom verarmungstyp | 57 |
| flächentransistor | 45 |
| frequenzvervielfacherdiode | 15 |
| gehäuse | 122 |
| gehäuseloses halbleiterbauelement | 123 |
| gemischte-ausschalten thyristor | 76 |
| gespeicherte ladung diode | 29 |
| gleichrichter block | 13 |
| gleichrichter halbleiter block | 13 |
| GTO-thyristor | 71 |
| Gunn diode | 33 |
| halbeitererschaltdiode | 26 |
| halbeiterflächendiode | 28 |
| halbeiter-gleichrichterbaugruppe | 12 |
| halbeiterspitzediode | 27 |
| halbeiter-Z-diode | 39 |
| halbleiter-analoge anzeige | 84 |
| halbleiterbauelement | 1 |
| halbleiter-detektordiode | 8 |
| halbleiterdiode | 6 |
| halbleiter-einheit | 3 |
| halbleiter-gleichrichter diode | 9 |
| halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanchedurchbruch | 11 |
| halbleiterimpulsdiode | 17 |
| halbleiter-laser | 86 |
| halbleitermodulatordiode | 35 |
| halbleiter — power — gerät | 2 |
| halbleiterstrahler | 79 |
| halbleiter-zeichen-display | 81 |
| Hall anzeigetnansducer | 108 |
| Hall transducer | 107 |
| halleffekt-bauelement | 105 |
| Hall-sensor | 106 |
| hauptanschluss | 115 |
| hochwiederkehiend diode | 34 |
| IGFET | 51 |
| impuls thyristor | 77 |
| infrarotemittierende diode | 85 |
| IRED | 85 |
| isolierschicht-feldeffekt-transistor | 51 |
| kapazitätsdiode | 20 |
| kapazitätsvariationsdiode | 20 |
| kathodenseitig steuerbarer thyristor | 72 |
| laser-dioden modul | 88 |
| lawine reverse rückwärts | 74 |
| lawinen gleichrichter diode | 10 |
| lawinenlaufzeitdiode | 30 |
| lawinen-photodiode | 93 |
| lawinentransistor | 46 |
| lazerdiode | 87 |
| LED | 83 |
| lichtemittierende diode | 83 |
| lichtempfindliche gerät halbleiterdiode | 89 |
| magnetowiderstand | 110 |
| mikrowelle begrenzung diode | 37 |
| mikrowelle schaltdioden | 38 |
| mischerdiode | 7 |
| N-kanal-feldeffekttranssistor | 52 |
| optische wandler | 104 |
| optoelektronische displays | 80 |
| optoelektronisches halbleiterbauelement | 78 |
| optokoppler | 98 |
| parametrischer halbleiterdiode | 21 |
| photodiode | 92 |
| photoelektrischer halbleiterempfànger | 90 |
| photoelement | 97 |
| photoleitfähige halbleiterzelle | 91 |
| photoleitfähiger zelle | 96 |
| photothyristor | 95 |
| phototransistor | 94 |
| photovoltaische zelle | 97 |
| photowiderstand | 91 |
| P-kanal-feldeffekttranssistor | 53 |
| posister | 112 |
| produzent halbleiterdiode | 16 |
| rücken diode | 36 |
| rückwärts leitende thyristordiode | 65 |
| rückwärts leitende thyristortriode | 69 |
| rückwärts sperrende thyristordiode | 64 |
| rückwärts sperrende thyristortriode | 68 |
| satz von halbleiterbauelementen | 4 |
| Schottky-diode | 19 |
| shalten halbleiterdiode | 18 |
| signal diode | 32 |
| sperrschicht-feldeffekttransistor | 50 |
| stichhaltiger diode | 22 |
| substrat | 119 |
| thermister | 113 |
| thermistor | 111 |
| thyristor | 62 |
| thyristor dioden anodenauschluss | 117 |
| thyristor dioden Katodenenanschluss | 116 |
| thyristor steuerausgang | 118 |
| thyristordiode | 63 |
| thyristoroptokoppler | 103 |
| thyristortriode | 67 |
| transistor | 41 |
| transistor optokoppler | 102 |
| transistortetrode | 61 |
| triac | 70 |
| tunneldiode | 23 |
| UHF-halbeiteriode | 25 |
| unipolarer transistor | 48 |
| unitunneldiode | 24 |
| voltage-regulator diode | 40 |
| wafer | 120 |
| widerstandoptokoppler | 99 |
| zweirichtungs-thyristor-diode | 66 |
| zweirichtungs-thyristortriode | 70 |
| zweirichtungstransistor | 59 |
Алфавитный указатель терминов на английском языке
| anode leed of thyristor diode | 117 |
|---|---|
| asymmetrical thyristor | 75 |
| avalance photodiode | 93 |
| avalance transistor | 46 |
| avalanche rectifier diode | 10 |
| avalanche reverse blocking triode thyristor | 74 |
| backward diode | 24 |
| barrier-injection and transit-time diode | 31 |
| beam lead semiconductor device | 123 |
| bidirectional diode thyristor | 66 |
| bidirectional transistor | 59 |
| bidirectional triode thyristor | 70 |
| bipolar junction transistor | 42 |
| bond pad | 124 |
| cathode leed of thyristor diode | 116 |
| chip die | 121 |
| control lead of thyristor | 118 |
| controlled-avalanche rectifier diode | 11 |
| depletion type field-effect transistor | 57 |
| detector diode | 8 |
| diac | 66 |
| difference diode photocoupler | 101 |
| diffusion transistor | 43 |
| diode | 6 |
| diode photocoupler | 100 |
| diode thyristor | 63 |
| discrete device | 5 |
| discrete semiconductor device | 5 |
| drift transistor | 44 |
| enhancement type field-effect transistor | 58 |
| fast-recovery diode | 34 |
| field-effect bipolar switching transistor | 60 |
| field-effect switching transistor | 60 |
| field-effect transistor | 49 |
| field-effect transistor with Schottky barrier | 56 |
| frequency-multiplication diode | 15 |
| gating diode | 26 |
| generation diode | 16 |
| generation semiconductor diode | 16 |
| Gunn diode | 33 |
| hall effect device | 105 |
| Hall effect indicator | 108 |
| Hall effect sensor | 106 |
| Hall probe | 107 |
| hall probe | 109 |
| impact avalanche-transit time diode | 30 |
| infrared-emitting diode | 85 |
| insulated-gate bipolar transistor | 47 |
| insulated-gate field-effect transistor | 51 |
| junction diode | 28 |
| junction transistor | 45 |
| junction-gate field-effect transistor | 50 |
| laser diode | 87 |
| laser-diode module | 88 |
| LED | 83 |
| light-emitting diode | 83 |
| limiting diode | 14 |
| magnetoresistor | 110 |
| main terminal | 115 |
| metal-oxide-semiconductor field effect transistor | 54 |
| microwave diode | 25 |
| microwave limiting diode | 37 |
| microwave switching diode | 38 |
| MIS-transistor | 55 |
| mixed-off thyristor | 76 |
| mixer diode | 7 |
| modulator diode | 35 |
| N-channel field-effect transistor | 52 |
| N-gate thyristor | 73 |
| noise diode | 22 |
| optoconverter | 104 |
| optocoupler | 98 |
| optoelectronic device | 78 |
| optoelectronic display | 80 |
| package | 122 |
| parametric diode | 21 |
| parametric semiconductor diode | 21 |
| P-channel field-effect transistor | 53 |
| P-gate thyristor | 72 |
| photoconucting cell | 96 |
| photocoupler | 98 |
| photodiode | 92 |
| photoelectric detector | 90 |
| photoresistor | 91 |
| photothyristor | 95 |
| phototransistor | 94 |
| photovaltic cell | 97 |
| point contact diode | 27 |
| posistor | 112 |
| pulse diode | 17 |
| pulse semiconductor diode | 17 |
| pulsed thyristor | 77 |
| receiver radiation photocoupler | 82 |
| rectifier diode | 9 |
| rectifier stack | 12 |
| resistive optocoupler | 99 |
| reverse blocking diode thyristor | 64 |
| reverse blocking triode thyristor | 68 |
| reverse conducting diode thyristor | 65 |
| reverse conducting triode thyristor | 69 |
| reverse diode | 36 |
| Schottky barrier diode | 19 |
| semiconductor photocoupler radiator | 79 |
| semiconductor assembly | 3 |
| semiconductor assembly set | 4 |
| semiconductor power device | 2 |
| semiconductor analog indicator | 84 |
| semiconductor character display | 81 |
| semiconductor device | 1 |
| semiconductor diode | 6 |
| semiconductor laser | 86 |
| semiconductor photoelectric detector | 90 |
| semiconductor photosensitive device | 89 |
| semiconductor rectifier assembly | 13 |
| semiconductor rectifier diode | 9 |
| semiconductor rectifier stack | 12 |
| signal diode | 32 |
| snap-off diode | 29 |
| substrate | 119 |
| switching diode | 18 |
| switching semiconductor diode | 18 |
| terminal | 114 |
| terminal of a semiconductor device | 114 |
| tetrode transistor | 61 |
| thermistor | 111 |
| thermistor | 113 |
| thyristor | 62 |
| thyristor optocoupler | 103 |
| transistor | 41 |
| transistoroptocoupler | 102 |
| triac | 70 |
| triode thyristor | 67 |
| tunnel diode | 23 |
| turn-off thyristor | 71 |
| unipolar transistor | 48 |
| unitunnel diode | 24 |
| variable-capacitance diode | 20 |
| voltage reference diode | 39 |
| voltage-regulator diode | 40 |
| wafer | 120 |
Алфавитный указатель терминов на французском языке
| assemblage de redressement | 13 |
|---|---|
| assemblage de redressement \text{а} semiconducteurs | 13 |
| bipolaire diélectrique | 47 |
| bloc de redressement | 12 |
| bloc de redressement semiconducteur | 12 |
| bloc de semiconducteur | 3 |
| boîtier | 122 |
| borne | 114 |
| borne anodique de thyristor | 117 |
| borne cathodique de thyristor | 116 |
| borne commande de thyristor | 118 |
| borne d'un dispositif \text{а} semiconducteurs | 114 |
| borne maîtresse | 115 |
| cellule \text{а} effet photovoltaïque | 97 |
| cellule photoconducteur | 96 |
| commutation diode | 18 |
| commutation diode \text{а} semiconducteurs | 18 |
| DEL | 83 |
| diac | 66 |
| diode | 6 |
| diode \text{а} avalanche \text{а} temps de transit | 30 |
| diode \text{а} barriére Schottky | 19 |
| diode \text{а} capacité variable | 20 |
| diode \text{а} jonction | 28 |
| diode \text{а} pointe | 27 |
| diode \text{а} rétablissement rapide | 34 |
| diode \text{а} semiconducteurs | 6 |
| diode bruit | 22 |
| diode charge | 29 |
| diode d'impulsion | 17 |
| diode de commutation | 26 |
| diode de limitation | 14 |
| diode de redressement | 9 |
| diode de redressement \text{а} avalanche | 10 |
| diode de redressement \text{а} semiconducteurs | 9 |
| diode de redressement \text{а} semiconducteurs de rupture en avalanche controlee | 11 |
| diode de redressement de rupture en avalanche controlee | 11 |
| diode de tension de référence | 39 |
| diode détectrice | 8 |
| diode électroluminescente | 83 |
| diode en hyperfréquences | 25 |
| diode f \text{а} temps de transit injecteé barriére \text{а} | 31 |
| diode Gunn | 33 |
| diode infrarouge | 85 |
| diode inversé | 24 |
| diode laser | 87 |
| diode mélangeuse | 7 |
| diode modulatrice | 35 |
| diode pour multiplication de fréquence | 15 |
| diode Schottky | 19 |
| diode tunnel | 23 |
| discret dispositif \text{а} semiconducteurs | 5 |
| dispositif \text{а} effet hall | 105 |
| dispositif \text{а} semiconducteurs | 1 |
| dispositif optoélectronique | 78 |
| dispositif semiconducteur sans boitier | 123 |
| frigistance | 112 |
| inverse diode | 36 |
| la tension régulateur \text{а} diode | 40 |
| laser \text{а} diode module | 88 |
| laser \text{а} semiconducteurs | 86 |
| le récepteur radiation optocoupler | 82 |
| magnétorésistance | 110 |
| micro-ondes diode de commutation | 38 |
| micro-ondes diode limiteuse | 37 |
| optoconvertisseur | 104 |
| optocoupleur | 98 |
| optocoupleur diode | 100 |
| optocoupleur diode différentiel | 101 |
| optocoupleur résistif | 99 |
| optocoupleur thyristor | 103 |
| optocoupleur transistor | 102 |
| paramétrique diode | 21 |
| paramétrique diode \text{а} semiconducteurs | 21 |
| pastille | 121 |
| photocoupleur | 98 |
| photodiode | 92 |
| photodiode \text{а} avalanche | 93 |
| photoélectrique affichage | 80 |
| photorésistance | 91 |
| photosensible appareil semiconducteurs | 89 |
| photothyristor | 95 |
| phototransistor | 94 |
| plaquette | 120 |
| plot de soudure | 124 |
| producteur diode | 16 |
| producteur diode \text{а} semiconducteurs | 16 |
| puce | 121 |
| radiator \text{а} semiconducteurs | 79 |
| photoélectrique récepteur | 90 |
| récepteur photoélectrique \text{а} semiconducteur | 90 |
| semiconducteurs analogiques en dicator | 84 |
| semiconducteurs d'alimentation de l'appareil | 2 |
| semiconducteurs de caractères d'affichage | 81 |
| série de dispositifs semiconducteurs | 4 |
| signal diode | 32 |
| sonde \text{а} effet hall | 109 |
| substrat | 119 |
| thermistance | 111 |
| thermistance | 113 |
| thyristor | 62 |
| thyristor asymétrique | 75 |
| thyristor blocable | 71 |
| thyristor diode | 63 |
| thyristor diode bidirectionnel | 66 |
| thyristor diode bloqué en inverse | 64 |
| thyristor diode passant en inverse | 65 |
| thyristor mixte — arrêt | 76 |
| thyristor N | 73 |
| thyristor P | 72 |
| thyristor signal | 77 |
| thyristor triode | 67 |
| thyristor triode \text{а} avalanche bloqué en inverse | 74 |
| thyristor triode bidirectionnel | 70 |
| thyristor triode bloqué en inverse | 68 |
| thyristor triode passant en inverse | 69 |
| transducteur \text{а} effet Hall | 106 |
| transducteur de mesure \text{а} effet Hall | 107 |
| transducteur de mesure \text{а} effet Hall | 108 |
| transistor | 41 |
| transistor \text{а} avalanche | 46 |
| transistor \text{а} commutation \text{а} effet de champ | 60 |
| transistor \text{а} commutation bipolaire | 60 |
| transistor \text{а} diffusion | 43 |
| transistor \text{а} effet de champ | 49 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} barrière de Schottky | 56 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} appauvrissement | 57 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} canal N | 52 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} canal P | 53 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} enrichissement | 58 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} grille isolé | 51 |
| transistor \text{а} effet de champ \text{а} junction de grille | 50 |
| transistor \text{а} effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs | 54 |
| transistor \text{а} effet de champ metal-semiconducteurs | 55 |
| transistor \text{а} jonctions | 45 |
| transistor bidirectionnel | 59 |
| transistor bipolaire | 42 |
| transistor en dérive | 44 |
| transistor tétrode | 61 |
| transistor unipolaire | 48 |
| triac | 70 |
| wafer | 120 |
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ПОНЯТИЙ
| Физические элементы полупроводниковых приборов | ||
| 1 электрический переход: Переходный слой в полупроводнике между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями электрической проводимости. Примечание — Одна из областей может быть металлом. | de | Übergang |
| en | junction | |
| fr | jonction | |
| 2 p-n переход (Нрк. электронно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника (или металла и полупроводника), одна из которых имеет электропроводность n-типа, а другая p-типа. | de | PN — Übergang |
| en | PN junction | |
| fr | jonction PN | |
| 3 прямое направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление. | de | vorwärtsrichtung eines PN — Übergangs ; vorwärtsrichtung |
| en | forward direction of a PN junction; forward direction | |
| fr | sens direct d'une jonction PN; sens direct | |
| 4 обратное направление (для p-n перехода): Направление тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление. | de | rückwärtsrichtung eines PN — Übergangs ; rückwärtsrichtung |
| en | reverse direction of a PN junction; reverse direction | |
| fr | sens inverse d'une jonction PN; sens inverse | |
| 5 n-n+ переход (Нрк. электронно-электронный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника n-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости. | de | NN^{+} - Übergang |
| en | NN+ junction | |
| fr | jonction NN+ | |
| 6 p-p+ переход (Нрк. дырочно-дырочный переход): Электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями электрической проводимости. Примечание к терминам 5 и 6 - Знак «+» условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью. | de | PP^{+} - Übergang |
| en | PP+ junction | |
| fr | jonction PP+ | |
| 7 резкий переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. Примечание — Толщиной области считают ее размер в направлении градиента концентрации примеси. | de | abrupter Übergang |
| en | abrupt junction | |
| fr | jonction abrupte | |
| 8 плавный переход: P-n переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда. | de | Übergang allmählicher |
| en | progressive junction | |
| fr | jonction progressive | |
| 9 плоскостной переход: P-n переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины. | de | halbleiter-gleichrichter diode |
| en | rectifier diode | |
| fr | diode de redressement | |
| 10 точечный переход: P-n переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях. Примечание — Характеристической длиной может быть толщина области пространственного заряда, диффузионная длина и т.д. | de | Spitzenübergang |
| en | point-contact junction | |
| fr | jonction ponctuelle | |
| 11 диффузионный переход: P-n переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике. | de | diffundierter Übergang |
| en | diffused junction | |
| fr | jonction par diffusion | |
| 12 планарный переход: P-n переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь открытую область в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. | de | Planarübergang |
| en | planar junction | |
| fr | jonction planar | |
| 13 конверсионный переход: P-n переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область или активацией атомов примеси. | de | konversionsübergang |
| en | conversion junction | |
| fr | jonction de conversion | |
| 14 сплавной переход (Нрк. вплавной переход): P-n переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси. | de | legierter Übergang |
| en | alloyed junction | |
| fr | jonction par alliage | |
| 15 микросплавной переход (Нрк. микровплавной переход): Сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника. | de | mikrolegieiter Übergang |
| en | microalloy junction | |
| fr | microjonction par alliage | |
| 16 выращенный переход (Нрк. тянутый переход): P-n переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава. | de | gezogener Übergang |
| en | grown junction | |
| fr | jonction par tirage | |
| 17 эпитаксиальный переход: P-n переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Примечание — Эпитаксиальное наращивание — создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки. | de | Epitaxialübergang |
| en | epitaxial junction | |
| fr | jonction épitaxiale | |
| 18 гетерогенный переход; гетеропереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. | de | Heteroübergang |
| en | heterogeneous junction | |
| fr | jonction hétérogène ; hétérojonction | |
| 19 гомогенный переход; гомопереход: Электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны. | de | Homoübergang |
| en | homogeneous junction | |
| fr | jonction homogène | |
| 20 переход Шоттки: P-n переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником. | de | Schottky — Übergang |
| en | Schottky junction | |
| fr | Schottky jonction | |
| 21 выпрямляющий переход: P-n переход, электрическое сопротивление которого при прямом направлении тока значительно больше, чем при обратном. | de | gleichrichtender Übergang |
| en | rectifying junction | |
| fr | jonction rèctifiante | |
| 22 эмиттерный переход: P-n переход между областями эмиттера и базы транзистора. | de | emitterübergang ; emitter — basis — zonenübergang |
| en | emitter junction | |
| fr | jonction émetteur | |
| 23 коллекторный переход: P-n переход между базой и коллектором транзистора. | de | kollektorübergang ; kollektor — basis — zonenübergang |
| en | collector junction | |
| jonction collecteur | ||
| 24 полупроводник: Материал, величина электропроводности которого, обусловленная носителями заряда обоих знаков, обычно находится в диапазоне между электропроводностью металлов и изоляторов, а концентрация носителей заряда может изменяться под воздействием внешних факторов. | de | halbleiter |
| en | semiconductor | |
| fr | semiconducteur | |
| 25 полупроводник n-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью n-типа. | de | N-halbleiter |
| en | N-type semiconductor | |
| fr | semiconducteur type N | |
| 26 полупроводник p-типа: Полупроводник с преобладающей электропроводностью p-типа. | de | P-halbleiter |
| en | P-type semiconductor | |
| fr | semiconducteur type P | |
| 27 база (Нрк. базовая область): Область транзистора между эмиттерным и коллекторным переходами. | de | basis; basiszone |
| en | base | |
| fr | base | |
| 28 эмиттер (Нрк. эмиттерная область): Область транзистора между эмиттерным переходом и эмиттерным электродом. | de | emitter; emitterzone |
| en | emitter | |
| fr | émetteur | |
| 29 коллектор (Нрк. коллекторная область): Область транзистора между коллекторным переходом и коллекторным электродом. | de | kollektor; kollektorzone |
| en | collector | |
| fr | collecteur | |
| 30 активная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. | de | Aktivteil der Basis |
| en | active part of the base | |
| fr | partie de base actif | |
| 31 пассивная часть базы: Часть базы биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время больше, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу. | de | Passivteil der Basis |
| en | passive part of the base | |
| fr | partie de base passif | |
| 32 канал (полевого транзистора): Область полевого транзистора, в которой происходит перенос основных носителей заряда. Примечания 1 Данное понятие не следует смешивать с «каналом утечки», возникающим в месте выхода p-n перехода на поверхность кристалла. 2 Канал может быть n или p-типа, в зависимости от типа электропроводности полупроводника. | de | kanal eines feldeffekttransistors; kanal |
| en | channel of a field-effect transistor; channel | |
| fr | canal d'un transistor \text{а} effet de champ; canal | |
| 33 исток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители заряда. | de | source eines feldeffekttransistors; source |
| en | source of a field-effect transistor; source | |
| fr | source d'un transistor \text{а} effet de champ; source | |
| 34 сток (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, через который из канала вытекают носители заряда. | de | drain eines feldeffekttransistors; drain |
| en | drain of a field-effect transistor; drain | |
| fr | drain d'un transistor \text{а} effet de champ; drain | |
| 35 затвор (полевого транзистора): Электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал. | de | gate eines feldeffekttransistors; gate |
| en | gate of a field-effect transistor; gate | |
| fr | grille d'un transistor \text{а} effet de champ; grille | |
| 36 структура (полупроводникового прибора): Последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника с различными типами электропроводности или значениями электрической проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций. Примечания 1 Примеры структур полупроводниковых приборов: p-n; n-p-n; p-n-p; p-i-n; p-n-p-n и др. 2 В качестве областей могут быть использованы металл и диэлектрик. | de | Aufbau der Halbleiterbauelement |
| en | structure of a semiconductor device; structure | |
| fr | structure de dispositif semiconducteur | |
| 37 структура металл-диэлектрик-полупроводник; структура МДП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника. | de | Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur; MIH-Struktur |
| en | metal-insulator-semiconductor structure; | |
| fr | MIH structure; structure metal — diélectrique — semiconducteur | |
| 38 структура металл-окисел-полупроводник; структура МОП: Структура, состоящая из последовательного сочетания металла и окисла (на поверхности полупроводника), и полупроводника. | de | Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur; MOH-Struktur |
| en | metal-oxide-semiconductor structure; MOS structure; | |
| fr | structure metal-oxyde-semiconducteur; MOS | |
| 39 мезаструктура: Структура, имеющая форму выступа, образованного удалением периферийных участков кристалла полупроводника, либо наращиванием полупроводникового материала. | de | Mesastruktur |
| en | mesastructure | |
| fr | structure mésa | |
| 40 обедненный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда меньше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. | de | verarmungsschicht |
| en | depletion layer | |
| fr | couche d'appauvrisse-ment; couche de déplétion | |
| 41 запирающий слой (Нрк. запорный слой): Обедненный слой между двумя областями полупроводника с различными типами электропроводности или между полупроводником и металлом. | de | Sperrschlicht |
| en | barrier layer | |
| fr | couche barrière | |
| 42 обогащенный слой: Слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентраций ионизованных доноров и акцепторов. | de | Anreicherungsschlicht |
| en | enriched layer | |
| fr | couche enrichie | |
| 43 инверсный слой: Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактной разности потенциалов. | de | Inversionsschlicht |
| en | Inversion layer | |
| fr | couche d'inversion | |
| Явления в полупроводниковых приборах | ||
| 44 пробой p-n перехода: Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижении обратным напряжением или током критического значения для данного полупроводникового прибора. Примечание — Необратимые изменения в p-n переходе не являются необходимым следствием пробоя. | de | durchbruch eines PN — Übergangs ; durchbruch |
| en | breakdown of a PN junction; breakdown | |
| fr | claquage d'une jonction PN; claquage | |
| 45 электрический пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или их переносом под действием приложенного напряжения. | de | elektrischer Durchbruch eines PN — Übergangs ; elektrischer Durchbruch |
| en | p-n junction electrical breakdown | |
| fr | claquage d'une jonction PN; claquage | |
| 46 лавинный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда в запрещенной зоне p-n перехода (запирающем слое) под действием электрического поля. | de | lawinendurchbruch eines PN — Übergangs ; lawinendurchbruch |
| en | avalanche breakdown of a PN junction; avalanche breakdown | |
| fr | claquage par avalanche d'une jonction PN; claquage par avalanche | |
| 47 туннельный пробой p-n перехода: Электрический пробой p-n перехода, вызванный переносом носителей заряда. | de | zener-durchbruch eines PN — Übergangs ; zener-durchbruch |
| en | zener breakdown of a PN junction; zener breakdown | |
| fr | claquage par effet zener d'une jonction PN; claquage par effet zener | |
| 48 тепловой пробой p-n перехода: Пробой p-n перехода, вызванный резким ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом. | de | thermischer durchbruch eines PN — Übergangs ; thermischer durchbruch |
| en | thermal breakdown of a PN junction; thermal breakdown | |
| fr | claquage par effet thermique d'une jonction PN; claquage par effet thermique | |
| 49 модуляция толщины базы: Изменение толщины базы, вызванное изменением толщины запирающего слоя при неоднократном во времени изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. | de | Modulation der Basisdicke |
| en | base thickness modulation | |
| fr | effet Early | |
| 50 эффект смыкания (Нрк. прокол базы): Смыкание обедненного слоя коллекторного перехода с обедненным слоем эмиттерного перехода в результате расширения слоя коллекторного перехода на всю толщину базы. | de | durchgriff |
| en | punch-through | |
| fr | pénétration | |
| 51 накопление (неравновесных носителей) заряда в базе: Увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда. | de | Nichtgleichgewichtsladungsträger speicherung der Basis |
| en | nonequilibrium charge carrier storage in the base | |
| fr | accumulation (de porteur d'exces) dans la base | |
| 52 рассасывание (неравновесных носителей) заряда в базе: Уменьшение концентрации и величин зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе, в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации. | de | Nichtgleichgewichtsladungsträger Ausräumen der Basis |
| en | nonequilibrium charge carrier resorption in the base | |
| fr | résorption (de porteur d'exces) dans la base | |
| 53 закрытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольт-амперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения. | de | vorwärts — sperrzustand eines thyristors |
| en | off-state of a thyristor | |
| fr | état bloqué de thyristor | |
| 54 открытое состояние тиристора: Состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участкам прямой ветви вольт-амперной характеристики. | de | durchlasszustand eines thyristors |
| en | on-state of a thyristor | |
| fr | état passant de thyristor | |
| 55 непроводящее состояние тиристора в обратном направлении: Состояние тиристора, соответствующее участку вольт-амперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя. | de | sperrzustand eines thyristors |
| en | reverse blocking state of a thyristor | |
| fr | état bloqué en inverse de thyristor | |
| 56 переключение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое, вызванный воздействием электрических сигналов между его анодным и катодным выводами при отсутствии сигнала в цепи управляющего вывода. | de | Thyristorunchaltung |
| en | thyristor switching | |
| fr | commutation de thyristor | |
| 57 включение тиристора: Переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче сигнала управления. | de | Thyristorchaltung |
| en | turn-on of a thyristor | |
| fr | enclenchement de thyristor | |
| 58 выключение тиристора: Переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения и (или) изменении сигнала управления. | de | Thyristorausschalten |
| en | turn-off of a thyristor | |
| fr | déclenchement de thyristor | |
| 59 эффект Холла: Создание в проводнике или полупроводнике электрического поля, пропорционального векторному произведению плотности тока на магнитную индукцию. | de | halleeffekt |
| en | hall effect | |
| fr | effet hall | |
| УДК 001.4:621.382:006.354 | ОКС 01.040.31, 31.080 |
| Ключевые слова: полупроводниковые приборы, термины, определения | |