ОСТ 11 073.062-2001. Стандарт отрасли. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества при разработке, производстве и применении

(принят и введен в действие ТК № 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование» 01.10.2001)

(ред. от 01.01.2003)

Принят и введен в действие ТК № 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование» 1 октября 2001 г.

СТАНДАРТ ОТРАСЛИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ И ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

ТРЕБОВАНИЯ И МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ОТ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА ПРИ РАЗРАБОТКЕ, ПРОИЗВОДСТВЕ И ПРИМЕНЕНИИ

ОСТ 11 073.062-2001

Дата введения 1 октября 2001 года

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН ФГУП «ЦКБ Дейтон» согласно плана стандартизации оборонной продукции на 1999 г.

2 ПРИНЯТ И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ ТК № 303 «Изделия электронной техники, материалы и оборудование» и согласован с в/ч 25580

3 ВЗАМЕН ОСТ 11 073.062-84

1. Область применения

Настоящий стандарт распространяется на микросхемы интегральные (ИС) и приборы полупроводниковые (ПП), воздействие статического электричества на которые может привести к выходу их параметров за нормы ТУ или к их разрушению на этапах разработки, производства, испытаний, применения.

Стандарт устанавливает требования по стойкости и методы защиты приборов (ИС и ПП) от воздействия статического электричества в процессе их разработки, производства, испытаний, транспортирования, хранения, входного контроля, а также при монтаже, эксплуатации и ремонте радиоэлектронной аппаратуры.

Стандарт обязателен для предприятий-разработчиков, изготовителей, потребителей и заказчиков ИС и ПП всех ведомств и организаций, для новых разработок.

2. Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 12.1.030-81 ССБТ. Электробезопасность. Защитное заземление, зануление

ГОСТ 12.2.007.0-75 ССБТ. Изделия электротехнические. Общие требования безопасности

ГОСТ 17021-88 Микросхемы интегральные. Термины и определения

ГОСТ РВ 20.57.416-98 Комплексная система контроля качества (КСКК). Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Методы испытаний

ОСТ 11 073.013-83 Микросхемы интегральные. Методы испытаний

ОСТ 11 14.3302-87 ИЭТ. Общие технические требования электронной гигиены к чистым помещениям

РД 11 0719-89 Изделия электронной техники. Организация и проведение анализа отказавших и забракованных изделий.

3. Определения, обозначения и сокращения

3.1 В настоящем стандарте применяются следующие термины с соответствующими определениями:

• статическое электричество (СЭ) — совокупность явлений, связанных с возникновением, сохранением и релаксацией свободного электрического заряда на поверхности, в объеме диэлектрических и полупроводниковых веществ, на теле человека или на изолированных проводниках, характеризуется величиной потенциала и запасенной энергией;
• воздействие статического электричества — процесс уравнивания зарядов (разряд-заряд), характеризуется максимальным током и временем действия (разряда-заряда);
• стойкость к воздействию статического электричества — способность p-n переходов и других компонентов приборов не снижать уровень надежности после воздействия статического электричества, включая сохранение структуры компонентов и неизменность параметров до и после воздействия (значения параметров, измеренные до и после воздействия, должны находиться в интервале, определяемом двойной погрешностью измерения);
• опасное (критическое) значение потенциала — величина потенциала, при воздействии которого происходит разрушение прибора, включая разрушение структуры компонентов и изменение параметров (значения параметров, измеренные до и после воздействия, выходят за пределы интервала, определяемого двойной погрешностью измерения), оно равно потенциалу на конденсаторе емкостью 200 пФ, заряженному до напряжения, приведенного в таблице 1 для соответствующей степени жесткости, который разряжается через наиболее опасные выводы (или между выводом и корпусом) и последовательное сопротивление 1 кОм;
• поверхностная плотность электрических зарядов (\sigma) — значение величины заряда на единицу поверхности заряженного диэлектрика (А.с.м-2);
• электрическая емкость объекта — отношение изменения величины заряда к изменению напряжения;
• закорачивающее приспособление — съемное приспособление, замыкающее все выводы и корпус прибора.

3.2 В настоящем стандарте применяются следующие сокращения:

ВАХ — вольтамперные характеристики,

изделия — узлы и блоки, содержащие микросхемы и полупроводниковые приборы,

ИС — интегральные микросхемы,

НД — нормативные документы,

ОКР — опытно-конструкторская работа,

ОТУ — общие технические условия,

ПИ — производственная инструкция,

ПП — приборы полупроводниковые,

приборы — полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы,

РЭА — радиоэлектронная аппаратура,

РМ — руководящие материалы по применению на конкретные серии (типы) приборов,

СЭ — статическое электричество,

ССБТ — система стандартов безопасности труда,

СВЧ ПП — сверхвысокочастотные ПП,

СТП — стандарты предприятий,

ТУ — технические условия на конкретные серии (типы) приборов,

ТТП — типовые технологические процессы.

4. Технические требования

4.1 Требования при разработке приборов

4.1.1 Работа с приборами и изделиями должна проводиться в строгом соответствии с требованиями НД на соответствующие серии (типы) приборов, требованиями настоящего стандарта или отраслевых стандартов, согласованных с Центральной организацией по применению приборов. На основе указанных документов должны быть разработаны стандарты предприятий (СТП) по обеспечению защиты приборов от повреждения СЭ, учитывающие особенности и специфику производства.

4.1.2 Предприятия, разрабатывающие и изготавливающие приборы и изделия, должны руководствоваться настоящим стандартом при разработке НД в части внесения в нее конкретных методов защиты приборов от СЭ при изготовлении и эксплуатации в зависимости от установленной степени жесткости.

Обеспечение допустимого значения потенциала СЭ осуществляется в процессе проектирования прибора за счет принятия конструктивно-технологических решений и установления требований к элементам конструкции и технологическим операциям и методам их контроля.

В НД, действующей на предприятии, должно быть указано, с какой операции необходимо применять защиту приборов от воздействия СЭ, а также методические указания по анализу поврежденных приборов (Приложение А).

4.1.3 В типовых технологических процессах (ТТП), отраслевых стандартах, СТП, производственных инструкциях (ПИ), предусматривающих выполнение работ с приборами, должен быть приведен перечень мер по защите приборов от воздействия СЭ в соответствии с настоящим стандартом, а также учитывающих специфику отраслевого производства.

4.2 Требования при производстве приборов

4.2.1 Приборы после воздействия допустимого значения потенциала СЭ должны сохранять свои параметры неизменными в пределах норм, указанных в ТУ.

4.2.2 Допустимое значение потенциала СЭ определяется и подтверждается изготовителем ИС и ПП по методу 502-1 ОСТ 11 073.013 — для ИС, и по методу, изложенному в Приложении Б - для ПП. Допускается определять и подтверждать допустимое значение потенциала СЭ для ПП по методу 502-1а ОСТ 11 073.013. Допустимое значение потенциала СЭ указывается в ТУ на ИС и ПП и должно соответствовать одному из значений таблицы 1.

В таблице 1 приведены значения допустимых величин СЭ и соответствующие им степени жесткости:

Таблица 1

Степень жесткости	Потенциал +/- В
I	30
II	100
III	200
IV	500
V	1000
VI	2000
VII	4000

Примечания

1 Величины допустимых значений статического потенциала I и II степеней жесткости применять только для полупроводниковых приборов.

2 В технически обоснованных случаях для высокочувствительных сверхвысокочастотных ПП по согласованию с заказчиком допускается устанавливать допустимую величину потенциала статического электричества менее 30 В.

4.2.3 Приборы, чувствительные к СЭ (I — V степеней жесткости) должны иметь специальный знак на корпусе, этикетке или упаковке.

4.3 Требования к производственному персоналу

4.3.1 К работе с приборами допускаются лица, прошедшие специальный инструктаж и аттестацию на право выполнения работ (с учетом необходимых мер защиты от воздействия СЭ). Инструктаж и проверка знаний по защите от СЭ должны проводиться в соответствии с действующим на предприятии положением.

4.3.2 Производственный персонал должен быть обеспечен верхней спецодеждой, изготовленной из материалов с удельным сопротивлением не более 107 Ом, шапочкой или косынкой, тапочками на кожаной подошве.

Электрическое сопротивление между подпятниками и ходовой частью обуви должно быть не более 108 Ом.

4.4 Требования к производственным помещениям

4.4.1 Полы помещений, в которых проводятся работы с приборами, рекомендуется выполнять из материалов, имеющих удельное поверхностное сопротивление не более 106 \text{Ом}/\square или сопротивление утечки не более 106 Ом.

4.4.2 Относительная влажность воздуха в помещениях, в которых проводятся работы с приборами, должна быть 50 — 75%.

4.4.3 При работе с бескорпусными и негерметичными приборами условия производства должны соответствовать ОСТ 11 14.3302-87.

4.5 Требования к рабочим местам

4.5.1 Покрытия столов для работы с приборами рекомендуется выполнять из материалов, имеющих удельное поверхностное сопротивление не более 106 \text{Ом}/\square .

4.5.2 На рабочих местах необходимо устанавливать металлический лист размером 200x300 мм для размещения инструмента, не имеющего питания от сети, подключенный электрооборудования.

4.5.3 Рабочие места должны быть оборудованы антистатическими браслетами или кольцами, подключаемыми к заземленной шине через резистор с сопротивлением 1 МОм +/- 20 посредством многопроволочного или многожильного, обладающего достаточной прочностью, изолированного проводника. Резистор может быть встроен в браслет или последовательно соединяться с браслетом. Сочленение проводника с браслетом должно быть разъемным и исключать возможность случайного разъединения. Порядок обращения, хранения, учета и периодичность проверки браслетов указываются в НД предприятия.

4.5.4 Оборудование, оснастка и инструмент, необходимые для работы с приборами, не имеющие питания от сети, должны подключаться через резистор с сопротивлением 1 МОм +/- 20% к заземленной шине, изолированной от контура заземления электрооборудования, или находиться на металлическом листе, указанном в 4.5.2.

4.5.5 Проверку величины потенциалов СЭ на рабочих местах, таре, выполненной из непроводящих материалов, и производственном персонале, выполняющем работы с приборами и изделиями, следует проводить периодически (не реже одного раза в квартал), согласно графикам, утвержденным главным инженером предприятия. В случае повреждения приборов в результате воздействия СЭ проверка проводится незамедлительно.

4.5.6 Проверку рабочих мест, производственного персонала на наличие СЭ необходимо проводить по методам, приведенным в разделе 6 настоящего стандарта и в соответствии с НД, действующей на предприятии.

4.5.7 Значение потенциалов СЭ на различном оборудовании, аппаратуре, рабочих местах, обслуживающем персонале не должны превышать установленного в НД на прибор допустимого значения потенциала СЭ для самого чувствительного к воздействию СЭ изготавливаемого или применяемого прибора. Перечень рабочих мест для обязательного контроля статпотенциала должен быть определен в СТП.

4.6 Требования к хранению и транспортированию

4.6.1 Хранение и транспортирование приборов до выдачи их в производство должны проводиться в соответствии с техническими требованиями, изложенными в ТУ.

4.6.2 Полученные с завода-изготовителя приборы (с незакороченными выводами) непосредственно после распаковки и до начала работы с ними должны укладываться в один слой в предназначенную для этих целей тару.

4.6.3 При хранении и транспортировании приборов, поступающих с закороченными выводами, закорачивающие перемычки должны сохраняться на выводах. Требования к закорачиванию выводов приборов в процессе их применения в изделии — согласно ТУ на приборы.

4.6.4 Технологическая тара для внутрипроизводственного транспортирования приборов и изделий должна быть изготовлена из материалов, имеющих удельное поверхностное сопротивление не более 106 \text{Ом}/\square .

4.6.5 Тару с приборами и изделиями следует хранить на заземленных стеллажах или шкафах, выполненных из материалов, имеющих удельное поверхностное сопротивление не более 106 \text{Ом}/\square .

4.6.6 Тара, предназначенная для транспортирования приборов потребителям, должна соответствовать требованиям настоящего стандарта и ОТУ на приборы.

5. Методы защиты от СЭ

5.1 Общие положения

5.1.1 В производстве необходимо применять комплекс мероприятий, устраняющих и (или) ограничивающих опасное воздействие СЭ на приборы и изделия.

5.2 Устранение основных причин электризации

5.2.1 Для устранения причин возникновения СЭ необходимо использовать различные материалы, покрытия, а также обувь, одежду производственного персонала из материалов, обладающих достаточно большой проводимостью для снижения накапливаемого потенциала СЭ ниже допустимого. Вопросы их выбора решаются совместно с головными технологическими предприятиями с учетом особенностей специфики отраслевого производства.

5.2.2 При входе в производственное помещение в тамбурах или в проходных камерах рекомендуется настилать поролоновый лист толщиной не менее 10 мм, пропитанный раствором антистатического препарата и покрытый хлопчатобумажной тканью. Расположение листа должно обеспечивать при входе не менее одного контактирования каждой из ступней проходящего.

5.2.3 Не допускается прикасаться к приборам и изделиям одеждой, руками без надетого антистатического браслета, инструментом и приспособлениями, не имеющими заземления. Рекомендуется использовать магнитные и (или) вакуумные пинцеты.

5.2.4 Допускается переносить приборы и изделия в технологической таре или хлопчатобумажных перчатках.

5.2.5 Не допускается загрязнение проводящих покрытий полов и столов веществами, повышающими их сопротивление.

5.2.6 Независимо от применения других средств и методов защиты от воздействия СЭ необходимо заземление всех электропроводных элементов технологического оборудования и других объектов, на которых возможно возникновение или накопление СЭ. Выполнение заземляющих устройств должно соответствовать ГОСТ 12.2.007.0 и ГОСТ 12.1.030.

5.3 Методы снижения степени электризации

5.3.1 Для снижения степени электризации и ускорения стекания зарядов рекомендуется применять следующие методы:

• физические (заземление, регулирование влажности);
• химические (нанесение специальных поверхностных пленок, применение антистатических веществ).

5.3.2 Для снижения степени электризации относительную влажность воздуха в помещениях, предназначенных для работы с приборами и изделиями, рекомендуется поддерживать на уровне максимально допустимого значения, указанного в 4.4.2 настоящего стандарта. Если высокая влажность влияет на качество приборов, то рекомендуется применять местное увлажнение.

5.3.3 Для повышения проводимости диэлектрических покрытий столов, полов, а также диэлектрических частей оборудования и приспособлений рекомендуется создание временных или постоянных поверхностных пленок на них с удельным поверхностным сопротивлением менее 105 \text{Ом}/\square .

Электропроводные пленки наносятся путем разбрызгивания, распыления или испарения металла в вакууме.

Рекомендуется также применять электропроводящие эмали, краски и лаки.

Рекомендуется окантовывать столы токопроводящей контактной планкой, которая должна быть заземлена.

5.3.4 Для снижения удельного поверхностного сопротивления диэлектриков до требуемых в разделе 4 величин рекомендуется проводить поверхностное нанесение различных антистатических веществ с гигроскопическими и поверхностно-активными свойствами.

Антистатическую обработку одежды рекомендуется проводить в виде обычной чистки или полоскания в воде с добавлением антистатиков.

5.3.5 При лакировке методом распыления и заливке пеноматериалами изделий приспособления для лакирования и заливки должны быть заземлены. Изделия с приборами в процессе сушки следует заземлять на корпус сушильного шкафа. Корпус сушильного шкафа, краскораспылитель, камера для нанесения лака должны иметь одинаковый потенциал.

5.4 Конструктивные методы защиты

5.4.1 Для повышения стойкости ИС и ПП к воздействию СЭ необходимо применять схемы защиты наиболее чувствительных к электростатическому разряду целей (выводов).

5.4.2 Схема защиты выбирается разработчиком ИС или ПП с учетом их функционального назначения и конструктивно-технологического исполнения.

5.4.3 На входном каскаде радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) рекомендуется использовать устройства, ограничивающие энергетические воздействия СЭ до уровня, допустимого по ТУ. Такими устройствами могут быть защитные диоды, резисторы и т.д.

5.4.4 Конструкция РЭА должна обеспечивать предварительное уравнивание электростатических потенциалов стыкующих узлов, блоков, изделий.

6. Методы измерения потенциалов СЭ

6.1 Метод измерения потенциалов СЭ электростатическими вольтметрами

6.1.1 Метод применяется для измерения потенциалов СЭ на токопроводящих изолированных от «земли» частях оборудования, рабочих местах, узлах РЭА и т.д., имеющих емкость более 200 пФ. Для измерения рекомендуется применять электростатический вольтметр С502 или другой прибор с аналогичными или лучшими параметрами (входное сопротивление, входная емкость и погрешность измерения).

Потенциал СЭ измеряемого объекта Vоб В определяется по формуле:

Vоб = Vв(1 + Cвх/Cоб), (1)

где Vв — показания вольтметра, В;

Cвх — входная емкость вольтметра, пФ;

Cоб — емкость измеряемого объекта, пФ;

т.к. Cвх/Cоб = 0,1, то формула (1) с погрешностью не более 10% имеет вид:

Vоб = Vв (2),

т.е. потенциал СЭ на измеряемом объекте равен показанию вольтметра. Перед измерением следует заземлять один вывод входа вольтметра. Подключить ко второму выводу входа вольтметра изолированный проводник (без экрана), оборудованный штырем. Прижать штырь к поверхности измеряемого объекта и произвести отсчет показания вольтметра.

6.2 Метод измерения потенциалов СЭ бесконтактным способом измерителями напряженности электростатического поля

6.2.1 Метод предназначен для измерения потенциалов СЭ как на токопроводящих металлических изолированных, так и на нетокопроводящих (диэлектрических) объектах и производственном персонале, при условии, что площадь поверхности измеряемого объекта не менее площади насадки измерительного зонда.

6.2.2 Для измерения следует применять измерители электростатических зарядов ИЭЗ-П, ПК2-3А или другие аналогичные приборы, позволяющие измерять напряженность электростатического поля вблизи плоских заряженных поверхностей в интервале от 40 до 50000 В/см с погрешностью не более +/- 20%.

Измерители напряженности электростатического поля комплектуются набором насадок к измерительному зонду, регламентирующих расстояние от измерительного зонда прибора до поверхности измеряемого объекта.

6.2.3 Перед измерением величины СЭ измеритель (оператор) должен прикоснуться к заземленному предмету. Взять измеритель напряженности электростатического поля, держа его на вытянутой руке, прижать насадку прибора к поверхности измеряемого объекта. Проделать манипуляции с прибором в соответствии с инструкцией по эксплуатации и провести отсчет показаний. При насадке длиною в 1 см измеритель напряженности электростатического поля дает показания величины СЭ на поверхности измеряемого объекта в вольтах.

7. Требования безопасности

7.1 Вся техническая документация на устройства для снятия зарядов СЭ с рабочих мест, производственного персонала подлежит согласованию с отделом техники безопасности на предприятии. Исправность и периодичность проверки устройств для снятия зарядов СЭ следует указывать в инструкциях по технике безопасности.

7.2 Категорически запрещается применение браслетов на рабочих местах, где используется напряжение свыше 1000 В, или имеется оборудование, корпус которого не заземлен, а также перемещение с браслетом на руке вне зоны рабочего места.

7.3 При работе с устройствами для снятия зарядов СЭ должны выполняться требования «Правил технической эксплуатации электроустановок потребителей и правил техники безопасности при эксплуатации электроустановок потребителей», «Правил устройства электроустановок».

7.4 На рабочих местах при работе с приборами и изделиями должны вывешиваться предупредительные таблички: «Без браслета не работать».

7.5 Запрещается использование антистатических браслетов персоналу, занятому ремонтом электрооборудования.

7.6 Конструкция штыря антистатического браслета должна исключать возможность включения его в сеть электропитания.

7.7 Элементы конструкции электропаяльников и оборудования, не имеющие питания от сети, а также браслеты, металлические листы, токопроводящая окантовка столов и др. должны подключаться к заземленной шине, изолированной от контура заземления электрооборудования.

Приложение А (обязательное)

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО АНАЛИЗУ ПРИБОРОВ, ПРЕДПОЛОЖИТЕЛЬНО ПОВРЕЖДЕННЫХ В РЕЗУЛЬТАТЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СЭ

А.1 Анализ поврежденных приборов следует проводить в соответствии с требованиями СТП, разработанного в развитие РД 11 0719.

А.2 СТП разрабатывается для отдельных типов (серий) приборов. В отдельных случаях (для больших интегральных схем) СТП разрабатывают для конкретных типономиналов приборов.

А.3 СТП должен содержать:

• оперативный алгоритм локализации и идентификации поврежденных цепей и элементов прибора;
• методики исследований (измерений электрических параметров прибора и его элементов, вскрытия корпусов, физико-химического анализа и т.д.);
• алгоритм выдвижения гипотез о механизмах и причинах повреждений, связанных с воздействием СЭ;
• требования к точности метрологического обеспечения контрольно-измерительного оборудования;
• требования по защите рабочих мест от воздействия СЭ и промышленных электромагнитных полей, которые могут являться источником разрушения приборов в процессе анализа;
• альбом с фотографиями типовых проявлений повреждений из-за воздействия СЭ;
• алгоритм моделирования отказов, характерных для воздействия СЭ;
• алгоритм и математический аппарат обработки результатов исследований;
• рекомендации и предосторожности, направленные на исключение дополнительных дефектов, вводимых в процессе анализа;
• требования к технике безопасности;
• форму протокола анализа поврежденных приборов.

А.4 Наиболее чувствительными к воздействию СЭ областями являются входные цепи и элементы приборов. В ряде случаев изменения ВАХ (вольтамперные характеристики) позволяют судить о характере повреждения. Признаками повреждения приборов СЭ являются:

• увеличение токов утечки;
• короткое замыкание;
• обрыв;
• пробой p-n-перехода и тонкого окисла в МДП-транзисторе;
• полное разрушение прибора (постоянный «0» или «1» на выходе схемы) и т.д.

А.5 Характерными по внешнему проявлению дефектами, обусловленными воздействием СЭ, являются:

• «взрывное» выгорание металлизации;
• пробой тонкого окисла в МДП-транзисторе по большой площади с «разводами»;
• следы каналов замыкания между металлизацией (в двухслойной металлизации) в местах пересечения;
• пробой пленочных конденсаторов с выгоранием металлической обкладки на значительной площади и т.д.

Приложение Б (обязательное)

МЕТОД ИСПЫТАНИЙ ПП, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ К ВОЗДЕЙСТВИЮ СЭ

Б.1 Метод применяется для определения допустимого значения статического потенциала ПП и для проверки соответствия ПП установленному в ТУ требованию по СЭ (соответствия установленной в ТУ степени жесткости).

Б.2 Электрическая принципиальная схема устройства для проведения испытаний приведена на рисунке Б1

G — регулируемый источник постоянного напряжения;

V — испытуемый ПП;

R1 — резистор 10 кОм +/- 10%;

R2 — резистор 1 кОм +/- 5%;

C — конденсатор 200 пФ +/- 5%;

S₁, S₂ - переключатели.

Рисунок Б1

Б.2.1 Все элементы устройства (включая монтажные и соединительные провода, клеммы и т.д.) должны иметь допустимое рабочее напряжение не менее удвоенного максимального напряжения на выходе G.

Б.2.2 Источник постоянного напряжения G должен обеспечивать потенциал соответствующий одной или нескольким степеням жесткости положительной и отрицательной полярности.

Б.2.3 Сопротивление изоляции конденсатора C должно быть более 1 ГОм.

Б.2.4 Время переключения S1 должно быть много меньше постоянной времени утечки конденсатора C.

Б.2.5 Паразитная емкость схемы устройства проведения испытаний не должна превышать 5% значения C.

Б.3 Испытание ПП на соответствие заданной степени жесткости по СЭ.

Б.3.1 Испытания проводят при нормальных климатических условиях в соответствии с требованиями ГОСТ РВ 20.57.416, для бескорпусных ПП учитываются требования ОСТ 11 14.3302.

Б.3.2 Перед испытанием проводят проверку электрических параметров ПП на соответствие требованиям ТУ.

Б.3.3 Замыкают переключатель S2 и подключают испытуемый ПП к выходу устройства.

Б.3.4 Устанавливают переключатель S1 в положение 1, при этом через резистор R1 конденсатор C заряжается до величины, оговоренной в НД и соответствующей конкретной группе жесткости.

Б.3.5 Переводят переключатель S1 из положения 1 в положение 2 при разомкнутом переключателе S2. При этом конденсатор C разряжается на испытуемый ПП через резистор R2. Эпюра тока разряда конденсатора должна удовлетворять следующим требованиям: время нарастания — не более 20 нс, время спада — 200 +/- 20 нс, пиковый ток Ip = U/R2 +/- 10% А.

Б.3.6 Подвергают каждый вывод по отношению к корпусу и каждую пару выводов ПП воздействию пяти разрядов положительной и пяти разрядов отрицательной полярности напряжения, заданной ТУ на ПП степени жесткости с интервалами между разрядами от 100 до 5000 мс при условии, что все остальные выводы разомкнуты.

Б.3.7 Измеряют электрические параметры ПП на соответствие требованиям ТУ. ПП соответствует заданной степени жесткости, если после испытаний ПП все его электрические параметры соответствуют требованиям ТУ.

Б.3.8 При испытаниях необходимо соблюдать меры защиты испытуемых ПП от случайного, не нормированного воздействия СЭ.

Б.4 Определение допустимого значения СЭ (степени жесткости) для приборов.

Б.4.1 По методике Б.3 ПП подвергается испытаниям на соответствие I степени жесткости к СЭ.

При отрицательных результатах следует считать, что ПП не соответствует требованиям по защите от СЭ.

Б.4.2 При положительных результатах испытаний ПП на соответствие I степени жесткости к СЭ, ПП подвергают испытаниям на соответствие последующим степеням жесткости до тех пор, пока не будет найдена степень, которой не соответствует ПП. Допустимой степенью жесткости считается степень на одну ниже, которой не соответствует прибор. Эта степень устанавливается в ТУ на ПП.

Б.4.3 Если при испытаниях на соответствие VII степени жесткости получают положительный результат, испытания прекращают, а ПП считают соответствующим VII степени жесткости.

Б.4.4 Определение допустимого электростатического потенциала ПП возможно проводить на типовых представителях групп ПП на стадии ОКР.

Б.4.5 Типовые представители групп ПП выбираются с учетом основных критериев, заложенных в основу классификации: электрических параметров, технологии изготовления, исходного материала, особенностей конструкции, функционального назначения, схемотехнических особенностей, характеризующих устойчивость ПП к воздействию СЭ.

Б.4.6 Типовые представители и соответствующая им группа ПП рассматриваются ежегодно предприятием-изготовителем и представителем заказчика.

Б.4.7 В технически обоснованных случаях допустимый электростатический потенциал ПП должен быть установлен дополнительно по указанию председателя Госкомиссии.

Б.4.8 Результаты определения допустимого электростатического потенциала ПП на типовых представителях группы распространяются на всю группу ПП.

Б.4.9 В случае изменения конструкции и для ПП с низким значением допустимого электростатического потенциала предприятие-изготовитель ПП по согласованию с представителем заказчика проводит определение и контроль допустимого электростатического потенциала.

Приложение В

ПЕРЕЧЕНЬ ДОКУМЕНТОВ, ПРИМЕНЯЕМЫХ СОВМЕСТНО С НАСТОЯЩИМ СТАНДАРТОМ

ГОСТ В 22468-77 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

ГОСТ В 28146-89 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия

ГОСТ 6433.2-71 Материалы электроизоляционные твердые. Методы определения электрического сопротивления при постоянном напряжении

ОСТ В 11.0398-2000 Микросхемы интегральные. Общие технические условия

ОСТ В 11 073.012-87 Микросхемы интегральные. Специальные общие технические условия

ОСТ В 11 073.041-82 Микросхемы интегральные. Общие технические условия

ОСТ В 11 073.067-82 Микросхемы интегральные бескорпусные. Общие технические условия

ОСТ В 11 0998-99 Микросхемы интегральные. Общие технические условия

ОСТ В 11 336.018-82 Приборы полупроводниковые бескорпусные. Общие технические условия

---