--- title: "\"ГОСТ Р 71074-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах. Термины, определения и буквенные обозначения параметров\"" number: "ГОСТ Р 71074-2023" issuer: "Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии" status: действует canonical: "https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-71074-2023" --- ## "ГОСТ Р 71074-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах. Термины, определения и буквенные обозначения параметров" # "ГОСТ Р 71074-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах. Термины, определения и буквенные обозначения параметров" (утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 31.10.2023 N 1312-ст) > [!IMPORTANT] > Документ [введен](#p100008) в действие с 01.03.2024. Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1312-ст НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ Integrated circuits. Magnetic bubble integrated circuits
memory. Terms, definitions and letter
symbols characteristics ГОСТ Р 71074-2023
ОКС 31.200 Дата введения 1 марта 2024 года ### Предисловие 1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")
**2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"**
**3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 31 октября 2023 г. N 1312-ст**
**4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ**
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru) ### Введение
**Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах.**
**Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.**
**Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.**
**Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина в документах по стандартизации.**
**Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.**
**Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой - светлым, синонимы - курсивом.**
**В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.**
**В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском (en) языке.**
**Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в [приложении А](#p100369).**
### 1 Область применения Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения параметров интегральных микросхем запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (далее - микросхемы ЗУ ЦМД), применяемых в радиоэлектронной аппаратуре. Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем ЗУ ЦМД, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ. Термины и определения общих понятий, а также буквенные обозначения основных сигналов для микросхем ЗУ ЦМД приведены в [приложении А](#p100369). Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем ЗУ ЦМД в соответствии с действующим законодательством. ### 2 Термины и определения Параметры микросхем ЗУ ЦМД | 1 | | | --- | --- | | (информационная) емкость (микросхемы ЗУ ЦМД) Qинф: Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве.
[Адаптировано из ГОСТ 25492-82, [статья 26](https://bukva.ai/docs/gost-25492-82#p100089)] | data capacity Q | | 2 скорость передачи (данных микросхемы ЗУ ЦМД) Vинф: Количество бит информации, передаваемой в единицу времени. | data transfer-rate V | | 3 выходное напряжение высокого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) Uвых.в: Значение напряжения высокого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | high-level output voltage UOH | | 4 выходное напряжение низкого уровня (сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД) Uвых.н: Значение напряжения низкого уровня на информационном выходе микросхемы ЗУ ЦМД при считывании информации. | low-level output voltage UOL | | 5 среднее время выборки (микросхемы ЗУ ЦМД) tв.ср: Время выборки среднего разряда средней страницы. | average access time tA(av) | | 6 рабочая частота (микросхемы ЗУ ЦМД) fраб: Частота переменного или импульсного тока управления микросхемы ЗУ ЦМД. | drive frequency foper | | 7 | | | потребляемая мощность (интегральной микросхемы ЗУ ЦМД) Pпот: Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.
[Адаптировано из ГОСТ Р 57441-2017, [статья 66](https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-57441-2017#p100101)] | power consumption PCC | | 8 рабочий диапазон температур (микросхемы ЗУ ЦМД) $\Delta T_{\text{раб}}$ : - | operating temperature range $\Delta\text{Т}_{oper}$ | | 9 диапазон температур хранения информации (микросхемы ЗУ ЦМД) $\Delta T_{\text{хр}}$ : - | non-volatility storage temperature range $\Delta\text{Т}_{stor}$ | | 10 | | | отношение сигнал - помеха (микросхемы ЗУ ЦМД) Uс/Uп: Отношение величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи.
Примечание - В качестве величин, характеризующих интенсивности сигнала и помехи, берут их средние мощности, среднеквадратические значения, пиковые отклонения, энергии и т.п. Способ определения этих величин должен всегда оговариваться особо.
Адаптировано ГОСТ 16465-70, [статья 27] | signal-to-noise ratio Us/Un | Параметры режима эксплуатации и (или) измерений микросхем ЗУ ЦМД | 11 ток управления (микросхемы ЗУ ЦМД) Ix, Iy: Амплитуда переменного (или импульсного) тока определенной частоты через узел управления микросхемы ЗУ ЦМД (электромагнитные катушки, специальные токопроводящие слои и др.), который обеспечивает работоспособность микросхемы в режиме записи и считывания информации. | control current Ix, Iy | | --- | --- | | 12 ток генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) IГ: Амплитуда импульса тока через генератор микросхемы ЗУ ЦМД, который необходим для образования ЦМД при записи информации, представленной логической единицей. | generate current IG | | 13 ток ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IВв: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию ввода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистра ввода в регистры хранения информации. | transfer-in current ID | | 14 ток вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IВ: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию вывода информации, который необходим для перевода ЦМД из регистров хранения в регистр вывода информации. | transfer-out current IQ | | 15 ток обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) IОБ: Амплитуда импульса тока через переключатель микросхемы ЗУ ЦМД, выполняющий функцию обмена информации, который необходим для одновременного перевода ЦМД из регистра ввода-вывода информации в регистры хранения и из регистров хранения - в регистр ввода-вывода информации. | swap current IS | | 16 ток репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) IР: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для осуществления операции деления ЦМД. | replication current IR | | 17 ток вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) IР-В: Амплитуда импульса тока через переключатель, выполняющий функцию деления ЦМД с последующим выводом информации, который необходим для перевода ЦМД в регистр вывода информации непосредственно после операции деления. | transfer-out current in replication mode IR-Q | | 18 ток детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) IД: Рабочий (постоянный или импульсный) ток через детектор микросхем ЗУ ЦМД. | detector current Id | | 19 длительность импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{Г}}$ : - | generator width $\tau_{WG}$ | | 20 длительность импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{Вв}}$ : - | transfer-in width $\tau_{WD}$ | | 21 длительность импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{В}}$ : - | transfer-out width $\tau_{WQ}$ | | 22 длительность импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{ОБ}}$ : - | swap width $\tau_{WS}$ | | 23 длительность импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{Р}}$ : - | replication width $\tau_{WR}$ | | 24 длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) $\tau_{\text{Р} - \text{В}}$ : - | transfer-out width in replication mode $\tau_{WQR}$ | | 25 время задержки импульса тока генерации (микросхемы ЗУ ЦМД [<*>](#p100121)) tзд.Г: - | generator length tDG | | 26 время задержки импульса тока ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.Вв: - | transfer-in length tDD | | 27 время задержки импульса тока вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.В: - | transfer-out length tDQ | | 28 время задержки импульса тока обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.ОБ: - | swap length tDS | | 29 время задержки импульса тока репликации (микросхемы ЗУ ЦМД) tзд.Р: - | replication length tDR | | 30 сопротивление генератора (микросхемы ЗУ ЦМД) RГ: - | bubble generator resistance RG | | 31 сопротивление переключателя ввода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВв: - | transfer in gate resistance RTD | | 32 сопротивление переключателя вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВ: - | transfer out gate resistance RQ | | 33 сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода (микросхемы ЗУ ЦМД) RВв-В: - | transfer gate resistance RTG | | 34 сопротивление переключателя-репликатора (микросхемы ЗУ ЦМД) RР: - | replicate gate resistance RTR | | 35 сопротивление переключателя обмена (микросхемы ЗУ ЦМД) RОБ: - | swap gate resistance RTS | | 36 сопротивление комбинированного переключателя (микросхемы ЗУ ЦМД) RКОМ: - | combined gate resistance RTCOM | | 37 сопротивление детектора (микросхемы ЗУ ЦМД) RД: - | detector resistance Rd | | 38 разность сопротивлений (детекторов микросхемы ЗУ ЦМД) $\Delta R_{\text{Д}}$ : Разность сопротивлений рабочего и компенсационного детекторов узла регистрации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД. | resistance difference $\Delta R_{d}$ | | 39 сопротивление узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) RX, RY: - | control scheme resistance RX, RY | | 40 индуктивность узла управления (микросхемы ЗУ ЦМД) LX, LY: - | control scheme inductance LX, LY | --- <*> Задержка определяется как интервал времени между началом периода работы микросхемы ЗУ ЦМД (нулевая фаза) и передним фронтом импульса. Допускается использовать термин "фаза" (пояснение относится к [статьям 19](#p100076) - [29](#p100096)). ## АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ | время выборки микросхемы ЗУ ЦМД среднее | [5](#p100042) | | --- | --- | | время выборки среднее | [5](#p100042) | | время задержки импульса тока ввода | [26](#p100090) | | время задержки импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [26](#p100090) | | время задержки импульса тока вывода | [27](#p100092) | | время задержки импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [27](#p100092) | | время задержки импульса тока генерации | [25](#p100088) | | время задержки импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | [25](#p100088) | | время задержки импульса тока обмена | [28](#p100094) | | время задержки импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | [28](#p100094) | | время задержки импульса тока репликации | [29](#p100096) | | время задержки импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | [29](#p100096) | | диапазон температур микросхемы ЗУ ЦМД рабочий | [8](#p100050) | | диапазон температур рабочий | [8](#p100050) | | диапазон температур хранения информации | [9](#p100052) | | диапазон температур хранения информации микросхемы ЗУ ЦМД | [9](#p100052) | | длительность импульса тока ввода | [20](#p100078) | | длительность импульса тока ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [20](#p100078) | | длительность импульса тока вывода | [21](#p100080) | | длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации | [24](#p100086) | | длительность импульса тока вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | [24](#p100086) | | длительность импульса тока вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [21](#p100080) | | длительность импульса тока генерации | [19](#p100076) | | длительность импульса тока генерации микросхемы ЗУ ЦМД | [19](#p100076) | | длительность импульса тока обмена | [22](#p100082) | | длительность импульса тока обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | [22](#p100082) | | длительность импульса тока репликации | [23](#p100084) | | длительность импульса тока репликации микросхемы ЗУ ЦМД | [23](#p100084) | | емкость | [1](#p100032) | | емкость информационная | [1](#p100032) | | емкость микросхемы ЗУ ЦМД | [1](#p100032) | | емкость микросхемы ЗУ ЦМД информационная | [1](#p100032) | | индуктивность узла управления | [40](#p100118) | | индуктивность узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | [40](#p100118) | | мощность интегральной микросхемы ЗУ ЦМД потребляемая | [7](#p100046) | | мощность потребляемая | [7](#p100046) | | напряжение высокого уровня выходное | [3](#p100038) | | напряжение высокого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | [3](#p100038) | | напряжение низкого уровня выходное | [4](#p100040) | | напряжение низкого уровня сигнала выходной информации микросхемы ЗУ ЦМД выходное | [4](#p100040) | | отношение сигнал - помеха | [10](#p100054) | | отношение сигнал - помеха микросхемы ЗУ ЦМД | [10](#p100054) | | разность сопротивлений | [38](#p100114) | | разность сопротивлений детекторов микросхемы ЗУ ЦМД | [38](#p100114) | | скорость передачи | [2](#p100036) | | скорость передачи данных микросхемы ЗУ ЦМД | [2](#p100036) | | сопротивление генератора | [30](#p100098) | | сопротивление генератора микросхемы ЗУ ЦМД | [30](#p100098) | | сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода | [33](#p100104) | | сопротивление двунаправленного переключателя ввода-вывода микросхемы ЗУ ЦМД | [33](#p100104) | | сопротивление детектора | [37](#p100112) | | сопротивление детектора микросхемы ЗУ ЦМД | [37](#p100112) | | сопротивление комбинированного переключателя | [36](#p100110) | | сопротивление комбинированного переключателя микросхемы ЗУ ЦМД | [36](#p100110) | | сопротивление переключателя ввода | [31](#p100100) | | сопротивление переключателя ввода микросхемы ЗУ ЦМД | [31](#p100100) | | сопротивление переключателя вывода | [32](#p100102) | | сопротивление переключателя вывода микросхемы ЗУ ЦМД | [32](#p100102) | | сопротивление переключателя обмена | [35](#p100108) | | сопротивление переключателя обмена микросхемы ЗУ ЦМД | [35](#p100108) | | сопротивление переключателя-репликатора | [34](#p100106) | | сопротивление переключателя-репликатора микросхемы ЗУ ЦМД | [34](#p100106) | | сопротивление узла управления | [39](#p100116) | | сопротивление узла управления микросхемы ЗУ ЦМД | [39](#p100116) | | ток ввода | [13](#p100064) | | ток ввода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [13](#p100064) | | ток вывода | [14](#p100066) | | ток вывода информации в режиме репликации | [17](#p100072) | | ток вывода информации в режиме репликации микросхемы ЗУ ЦМД | [17](#p100072) | | ток вывода информации микросхемы ЗУ ЦМД | [14](#p100066) | | ток генерации | [12](#p100062) | | ток генерации микросхемы ЗУ ЦМД | [12](#p100062) | | ток детектора | [18](#p100074) | | ток детектора микросхемы ЗУ ЦМД | [18](#p100074) | | ток обмена | [15](#p100068) | | ток обмена информации микросхемы ЗУ ЦМД | [15](#p100068) | | ток репликации | [16](#p100070) | | ток репликации микросхемы ЗУ ЦМД | [16](#p100070) | | ток управления | [11](#p100060) | | ток управления микросхемы ЗУ ЦМД | [11](#p100060) | | частота микросхемы ЗУ ЦМД рабочая | [6](#p100044) | | частота рабочая | [6](#p100044) | ## АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ | average access time | [5](#p100042) | | --- | --- | | bubble generator resistance | [30](#p100098) | | combined gate resistance | [36](#p100110) | | control current | [11](#p100060) | | control scheme inductance | [40](#p100118) | | control scheme resistance | [39](#p100116) | | data capacity | [1](#p100032) | | data transfer-rate | [2](#p100036) | | detector current | [18](#p100074) | | detector resistance | [37](#p100112) | | drive frequency | [6](#p100044) | | generate current | [12](#p100062) | | generator length | [25](#p100088) | | generator width | [19](#p100076) | | high-level output voltage | [3](#p100038) | | low-level output voltage | [4](#p100040) | | non-volatility storage temperature range | [9](#p100052) | | operating temperature range | [8](#p100050) | | power consumption | [7](#p100046) | | replicate gate resistance | [34](#p100106) | | replication current | [16](#p100070) | | replication length | [29](#p100096) | | replication width | [23](#p100084) | | resistance difference | [38](#p100114) | | signal-to-noise ratio | [10](#p100054) | | swap current | [15](#p100068) | | swap gate resistance | [35](#p100108) | | swap length | [28](#p100094) | | swap width | [22](#p100082) | | transfer gate resistance | [33](#p100104) | | transfer in gate resistance | [31](#p100100) | | transfer out gate resistance | [32](#p100102) | | transfer-in current | [13](#p100064) | | transfer-in length | [26](#p100090) | | transfer-in width | [20](#p100078) | | transfer-out current | [14](#p100066) | | transfer-out current in replication mode | [17](#p100072) | | transfer-out length | [27](#p100092) | | transfer-out width | [21](#p100080) | | transfer-out width in replication mode | [24](#p100086) | Приложение А (справочное) ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЩИХ ПОНЯТИЙ, БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ОСНОВНЫХ СИГНАЛОВ ДЛЯ МИКРОСХЕМ ЗУ ЦМД Общие понятия | А.1 интегральная микросхема запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах; микросхема ЗУ ЦМД: Интегральная микросхема с функциональными узлами, обеспечивающими передачу и хранение информации, представленной ЦМД. | magnetic bubble microcircuit memory | | --- | --- | | А.2 структура управления (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для осуществления операций записи и считывания, а также хранения информации, представленной последовательностью ЦМД. | control structure | | А.3 массив хранения (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть кристалла микросхемы ЗУ ЦМД, содержащая совокупность информационных регистров, служащих для хранения и перемещения информации, представленной последовательностью ЦМД. | storage array | | А.4 функциональный элемент (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть микросхемы ЗУ ЦМД, которая выполняет определенную функцию и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. | functional element | | А.5 функциональный узел (микросхемы ЗУ ЦМД): Совокупность функциональных элементов микросхемы ЗУ ЦМД, обеспечивающая выполнение определенной операции. | functional scheme | | А.6 информационный регистр (микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для хранения информации. | minor loop | | А.7 регистр ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам при записи информации и от информационных регистров к детектору при считывании информации. | input loop | | А.8 регистр ввода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от генератора к информационным регистрам. | input register | | А.9 регистр вывода (информации кристалла микросхемы ЗУ ЦМД): Часть структуры управления микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенная для перемещения ЦМД от информационных регистров к детектору при считывании информации. | output register | | А.10 генератор ЦМД зарождающего типа микросхемы ЗУ ЦМД; зарождающий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем их контролируемого зарождения | nucleate generator | | А.11 генератор ЦМД репликаторного типа микросхемы ЗУ ЦМД; реплицирующий генератор: Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для создания информационной последовательности ЦМД путем реплицирования базового домена. | replicating generator | | А.12 переключатель ввода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет ввод информации из регистра ввода в регистры хранения. | transfer-in gate | | А.13 переключатель вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет вывод информации из регистров хранения в регистр вывода. | transfer-out gate | | А.14 переключатель ввода-вывода (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции переключателя ввода и (или) переключателя вывода. | transfer gate | | А.15 переключатель обмена (информации микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет одновременный ввод и вывод информации. | swap gate | | А.16 переключатель-репликатор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функцию деления ЦМД и вывода информации. | replicate gate | | А.17 комбинированный переключатель (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, который осуществляет функции ввода информации, вывода информации, обмена информации, деления ЦМД и вывода информации. | combined gate | | А.18 узел детектирования (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный узел микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для регистрации ЦМД. | detector scheme | | А.19 рабочий детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для выделения сигнала от ЦМД. | active detector | | А.20 компенсационный детектор (микросхемы ЗУ ЦМД): Функциональный элемент узла детектирования микросхемы ЗУ ЦМД, предназначенный для компенсации сигналов помех. | dummy detector | Типы организации микросхем ЗУ ЦМД | А.21 последовательная организация: Организация микросхемы в виде одного автономного информационного регистра. | major loop organisation | | --- | --- | | А.22 последовательно-параллельная организация: Организация микросхемы в виде некоторой совокупности информационных регистров, объединенных регистром (или регистрами) ввода и вывода информации. | major-minor loop organisation | | А.23 организация с замкнутым регистром ввода-вывода информации: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены одним замкнутым регистром ввода-вывода информации. | closed Input loop organisation | | А.24 организация с раздельными регистрами ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой информационные регистры объединены раздельными регистрами ввода-вывода информации. | separate Input loops organisation | | А.25 организация с обменным переключателем: Последовательно-параллельная организация микросхемы с раздельными регистрами ввода и вывода и с переключателем обменного типа в регистре ввода информации. | swap gate organisation | | А.26 организация с разомкнутым регистром ввода-вывода: Последовательно-параллельная организация микросхемы с одним разомкнутым регистром ввода-вывода и переключателем комбинированного типа. | open Input loop organisation | | А.27 организация блочным реплицированием: Последовательно-параллельная организация микросхемы, в которой совокупность информационных регистров разделена на определенное число блоков. | block replicate organisation | Основные сигналы для микросхем ЗУ ЦМД | А.28 X-сигнал управления продвижением доменов X: - | X-domain progress control signal X | | --- | --- | | А.29 Y-сигнал управления продвижением доменов Y: - | Y-domain progress control signal Y | | А.30 сигнал выходной информации С: - | transfer-out signal O | | А.31 импульс генератора Г: - | generator pulse G | | А.32 импульс ввода информации Вв: - | transfer-in pulse D | | А.33 импульс вывода информации В: - | transfer-out pulse Q | | А.34 импульс обмена информации ОБ: - | swap pulse S | | А.35 импульс тока репликации Р: - | replication current pulse R | | А.36 импульс тока вывода в режиме репликации Р-В: - | transfer out pulse in replication mode RQ |
УДК 621.38:006.354ОКС 31.200
Ключевые слова: микросхемы интегральные, запоминающие устройства, цилиндрические магнитные домены, термины, определения, буквенные обозначения
---