ГОСТ Р 70969-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные на основе базовых кристаллов. Термины и определения

(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 05.10.2023 № 1061-ст)

1 марта 2024 года

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт „Электронстандарт“ (АО „РНИИ „Электронстандарт“)»

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 5 октября 2023 г. № 1061-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

Введение

В настоящем стандарте термины и определения расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.

Приведенные определения допускается, при необходимости, изменять введением в них производных признаков, раскрывая значения используемых в них терминов с указанием объектов, входящих в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.

Термины-синонимы приведены в качестве справочных данных и не являются стандартизованными.

В стандарте приведен алфавитный указатель терминов на русском языке.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, — светлым, синонимы — курсивом.

1 Область применения

Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы на основе базовых кристаллов, применяемые в радиоэлектронной аппаратуре, и устанавливает термины и определения понятий в области интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, предназначены для применения во всех видах документации и литературы в области интегральных микросхем на основе базовых кристаллов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации интегральных микросхем в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

1

базовый кристалл (микросхемы); БК: Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных электрически соединенных или не соединенных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления межэлементных соединений. [ГОСТ Р 57435-2017, статья 16]

2

базовый матричный кристалл (микросхемы); БМК: Базовый кристалл с регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов. [ГОСТ Р 57435-2017, статья 17]

3 полузаказная микросхема: Микросхема, разрабатываемая на основе базового кристалла, программируемой логической матрицы, масочного постоянного запоминающего устройства.

4 (полузаказная) матричная микросхема: Микросхема, разрабатываемая на основе базового матричного кристалла.

5 эквивалентный логический элемент базового кристалла (эквивалентный вентиль; ЭВ): Совокупность элементов базового кристалла, эквивалентных по логической функции вентилю 2И-НЕ (2ИЛИ-НЕ) и предназначенных для характеристики его логической сложности.

6 базовая ячейка (базового матричного кристалла); БЯ: Совокупность не соединенных и (или) соединенных между собой элементов, регулярно повторяющихся в пределах базового матричного кристалла.

7 функциональная ячейка (базового матричного кристалла): Функционально законченная электрическая схема, реализуемая посредством соединения элементов базового матричного кристалла в пределах одной или нескольких базовых ячеек.

8 библиотека функциональных ячеек (базового матричного кристалла); БФЯ: Совокупность функциональных ячеек базового матричного кристалла, используемых при проектировании полузаказных матричных микросхем.

АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ

библиотека функциональных ячеек	8
библиотека функциональных ячеек базового матричного кристалла	8
БК	1
БМК	2
БФЯ	8
БЯ	6
вентиль эквивалентный	5
кристалл базовый	1
кристалл матричный базовый	2
кристалл микросхемы базовый	1
кристалл микросхемы матричный базовый	2
микросхема матричная	4
микросхема матричная полузаказная	4
микросхема полузаказная	3
ЭВ	5
элемент базового кристалла логический эквивалентный	5
ячейка базовая	6
ячейка базового матричного кристалла базовая	6
ячейка базового матричного кристалла функциональная	7
ячейка функциональная	7

УДК 621.3.049.774:006.354	ОКС 31.200
Ключевые слова: микросхемы интегральные, базовые кристаллы, термины, определения

---