---
title: "\"ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения\""
number: "ГОСТ Р 70942-2023"
issuer: "Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии"
status: действует
canonical: "https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-70942-2023"
---

## "ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения"

# "ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения"

(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 29.09.2023 N 1015-ст)

> [!IMPORTANT]
> Документ [введен](#p100008) в действие с 01.01.2024.

> [!NOTE]
> ИСТОРИЯ ИЗМЕНЕНИЙ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИХ АКТОВ

```mermaid
flowchart LR
  n0["ГОСТ 25492-82"]:::rst
  click n0 "https://bukva.ai/docs/gost-25492-82" "ГОСТ 25492-82. Межгосударственный стандарт. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения (утв. и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР "
  n1["ГОСТ Р 70942-2023"]:::doc
  click n1 "https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-70942-2023" "ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения (утв. и введен в действие Приказом Росст"
  n0 --> n1
classDef rst fill:#FFEBEB,stroke:#8B0000,color:#000;
classDef doc fill:#EBFFEB,stroke:#006400,color:#000;
classDef notEnt fill:#FFFFEB,stroke:#FF8C00,color:#000;
```


<a id="p100001"></a>Утвержден и введен в действие
Приказом Федерального
агентства по техническому
регулированию и метрологии
от 29 сентября 2023 г. N 1015-ст

<div align="right">

<a id="p100002"></a>НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

<a id="p100003"></a>УСТРОЙСТВА ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН ЗАПОМИНАЮЩИЕ

<a id="p100004"></a>ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

</div>


<div align="center">

<a id="p100005"></a>**Storage devices for digital computers.**<br>
**Terms and definitions**

</div>


<a id="p100006"></a>**ГОСТ Р 70942-2023**

<div align="center">

<a id="p100007"></a>**ОКС 35.220**

</div>


<a id="p100008"></a>**Дата введения**
**1 января 2024 года**


### <a id="p100009"></a>Предисловие


<a id="p100010"></a>**1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным бюджетным учреждением "Российский институт стандартизации" (ФГБУ "Институт стандартизации"), Федеральным государственным бюджетным учреждением "27 центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации (ФГБУ "27 ЦНИИ" Минобороны России) и Акционерным обществом "Крафтвэй корпорэйшн ПЛС" (Крафтвэй)**
<a id="p100011"></a>**2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 166 "Вычислительная техника"**
<a id="p100012"></a>**3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 29 сентября 2023 г. N 1015-ст**

<div align="center">

<a id="p100013"></a>**4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ**

</div>


<a id="p100014"></a>**Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)**


### <a id="p100015"></a>Введение


<div align="right">

<a id="p100016"></a>Запоминающие устройства являются ключевым по значимости компонентом в вычислительных системах наряду с центральным процессором (ЦП). Они предназначены для записи, хранения и считывания данных для ЦП и других блоков системы.<br>
<a id="p100017"></a>В основе работы запоминающего устройства могут лежать различные физические эффекты, определяющие его параметры. Виды запоминающих устройств имеют иерархическую структуру и классифицируются по ряду признаков.<br>
<a id="p100018"></a>Обычно в вычислительных системах предполагается использование нескольких запоминающих устройств, имеющих различные характеристики.

</div>

<a id="p100019"></a>Учитывая неоднородность задач по хранению данных применяются различные технические решения, имеющие отличные характеристики, как технические, так и ценовые и массогабаритные.
<a id="p100020"></a>Цель настоящего стандарта - установление однозначно понимаемой и непротиворечивой терминологии в области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин в соответствующих документах, в которых рассмотрены вопросы, касающиеся стандартизации или использования данной терминологии.
<a id="p100021"></a>Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий данной области знания.

<div align="center">

<a id="p100022"></a>**Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.**<br>
<a id="p100023"></a>**В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.**

</div>

<a id="p100024"></a>Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
<a id="p100025"></a>Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, - светлым.
<a id="p100026"></a>Сокращения, используемые для основных видов современной оперативной памяти, приведены в [приложении А](#p100248).
<a id="p100027"></a>Интерфейсы и форм-факторы современных твердотельных накопителей приведены в [приложении Б](#p100317).


### <a id="p100028"></a>1 Область применения


<a id="p100029"></a>Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.
<a id="p100030"></a>Настоящий стандарт предназначен для заказчиков, разработчиков, поставщиков, потребителей, а также персонала сопровождения устройств хранения данных.
<a id="p100031"></a>Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.


### <a id="p100032"></a>2 Термины и определения


<div align="center">

<a id="p100033"></a>**Общие понятия**

</div>



| <a id="p100034"></a>1 запоминающее устройство; ЗУ: Носитель информации, предназначенный для записи и хранения данных. | <a id="p100035"></a>storage unit |
| --- | --- |
| <a id="p100036"></a>2 запоминающий элемент: Часть ЗУ, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных. | <a id="p100037"></a>storage element |
| <a id="p100038"></a>3 ячейка запоминающего устройства; ячейка ЗУ: Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти. | <a id="p100039"></a>storage cell |
| <a id="p100040"></a>4 содержимое запоминающего устройства; содержимое ЗУ: Данные, хранящиеся в ЗУ. | <a id="p100041"></a>storage content |
| <a id="p100042"></a>5 носитель информации: Совокупность ячеек запоминающего устройства, обеспечивающая хранение данных, любой материальный объект или среда, используемые человеком, способные достаточно длительное время сохранять в своей структуре занесенную на них информацию без использования дополнительных устройств. | <a id="p100043"></a>data carrier |
| <a id="p100044"></a>6 считывающее устройство: Устройство, выполняющее считывание информации с носителя. | <a id="p100045"></a>reading device |
| <a id="p100046"></a>7 записывающее устройство: Устройство, выполняющее запись информации на носитель. | <a id="p100047"></a>recording device |
| <a id="p100048"></a>8 накопитель информации: Устройство, состоящее из носителя информации, считывающего и записывающего устройств и устройства управления. | <a id="p100049"></a>storage device |


<a id="p100050"></a>Виды запоминающих устройств


| <a id="p100051"></a>9 оперативное запоминающее устройство; ОЗУ: ЗУ, хранение данных в котором осуществляется при наличии внешнего источника энергии, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций. | <a id="p100052"></a>random access memory; RAM |
| --- | --- |
| <a id="p100053"></a>10 постоянное запоминающее устройство; ПЗУ: ЗУ однократной записи, из которого может производиться считывание данных. | <a id="p100054"></a>read-only memory; ROM |
| <a id="p100055"></a>11 программируемое постоянное запоминающее устройство; ППЗУ: ПЗУ, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного, светового, ультрафиолетового или иного воздействия на запоминающие элементы по заданной программе. | <a id="p100056"></a>programmed read-only memory; PROM |
| <a id="p100057"></a>12 внешнее запоминающее устройство; ВЗУ: ЗУ, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения данных. | <a id="p100058"></a>external storage |
| <a id="p100059"></a>13 статическое запоминающее устройство: ЗУ без регенерации данных при хранении. | <a id="p100060"></a>static memory |
| <a id="p100061"></a>14 динамическое запоминающее устройство: ЗУ с возможностью изменения данных. | <a id="p100062"></a>dynamic memory |
| <a id="p100063"></a>15 энергонезависимое запоминающее устройство: ЗУ, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании. | <a id="p100064"></a>nonvolatile memory |


<a id="p100065"></a>Способы доступа к данным, записанным в запоминающих устройствах


| <a id="p100066"></a>16 произвольный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в любой последовательности. | <a id="p100067"></a>random access |
| --- | --- |
| <a id="p100068"></a>17 последовательный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в определенной последовательности. | <a id="p100069"></a>sequential access |
| <a id="p100070"></a>18 ассоциативный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в соответствии с признаками хранимых в них данных. | <a id="p100071"></a>associative access |


<a id="p100072"></a>Основные параметры запоминающих устройств


| <a id="p100073"></a>19 информационная емкость запоминающего устройства: Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в ЗУ. | <a id="p100074"></a>storage volume |
| --- | --- |
| <a id="p100075"></a>20 цикл обращения к запоминающему устройству; цикл обращения к ЗУ: Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства. | <a id="p100076"></a>access cycle |
| <a id="p100077"></a>21 время выборки данных: Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из ЗУ. | <a id="p100078"></a>access time |
| <a id="p100079"></a>22 расчетное время хранения данных в ячейках: Интервал времени, в течение которого ЗУ в заданном режиме сохраняет данные без регенерации. | <a id="p100080"></a>storage time |
| <a id="p100081"></a>23 суммарный объем информации, который гарантированно можно записать на накопитель: Суммарный объем информации, которая может быть за один раз записана на накопитель в течение гарантированного срока эксплуатации устройства. | <a id="p100082"></a>total byte written; TBW |
| <a id="p100083"></a>24 допустимое количество перезаписей всего объема накопителя в день в течение гарантийного срока: Отношение TBW накопителя к его емкости и гарантийному сроку. | <a id="p100084"></a>disk write per day; DWPD |
| <a id="p100085"></a>25 количество циклов перезаписи: Количество циклов "запись - чтение" до деградации (разрушения) запоминающих элементов. | <a id="p100086"></a>program/erase cycles |
| <a id="p100087"></a>26 количество операций ввода/вывода в секунду:<br>Один из ключевых параметров при измерении производительности запоминающих устройств. | <a id="p100088"></a>input/output operations per second; IOPS |
| <a id="p100089"></a>27 среднее число операций произвольного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольного чтения в секунду. | <a id="p100090"></a>IOPS Random Read |
| <a id="p100091"></a>28 среднее число операций произвольной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольной записи в секунду. | <a id="p100092"></a>IOPS Random Write |
| <a id="p100093"></a>29 среднее число операций линейного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейного чтения в секунду. | <a id="p100094"></a>IOPS Sequential Read |
| <a id="p100095"></a>30 среднее число операций линейной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейной записи в секунду. | <a id="p100096"></a>IOPS Sequential Write |
| <a id="p100097"></a>31 скорость передачи данных: Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени. | <a id="p100098"></a>data transfer speed |
| <a id="p100099"></a>32 ожидаемое среднее время наработки на отказ: Статистический показатель, представляющий отношение суммарной наработки восстанавливаемого объекта к математическому ожиданию числа его отказов в течение этой наработки. | <a id="p100100"></a>mean time between failures; MTBF |







## <a id="p100101"></a>АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ



| <a id="p100102"></a>ВЗУ | <a id="p100103"></a>[12](#p100057) |
| --- | --- |
| <a id="p100104"></a>время выборки данных | <a id="p100105"></a>[21](#p100077) |
| <a id="p100106"></a>время наработки на отказ среднее ожидаемое | <a id="p100107"></a>[32](#p100099) |
| <a id="p100108"></a>время хранения данных в ячейках расчетное | <a id="p100109"></a>[22](#p100079) |
| <a id="p100110"></a>доступ ассоциативный | <a id="p100111"></a>[18](#p100070) |
| <a id="p100112"></a>доступ последовательный | <a id="p100113"></a>[17](#p100068) |
| <a id="p100114"></a>доступ произвольный | <a id="p100115"></a>[16](#p100066) |
| <a id="p100116"></a>емкость запоминающего устройства информационная | <a id="p100117"></a>[19](#p100073) |
| <a id="p100118"></a>ЗУ | <a id="p100119"></a>[1](#p100034) |
| <a id="p100120"></a>количество операций ввода/вывода в секунду | <a id="p100121"></a>[26](#p100087) |
| <a id="p100122"></a>количество перезаписей всего объема накопителя в день в течение гарантийного срока допустимое | <a id="p100123"></a>[24](#p100083) |
| <a id="p100124"></a>количество циклов перезаписи | <a id="p100125"></a>[25](#p100085) |
| <a id="p100126"></a>накопитель информации | <a id="p100127"></a>[8](#p100048) |
| <a id="p100128"></a>носитель информации | <a id="p100129"></a>[5](#p100042) |
| <a id="p100130"></a>объем информации, который гарантированно можно записать на накопитель, суммарный | <a id="p100131"></a>[23](#p100081) |
| <a id="p100132"></a>ОЗУ | <a id="p100133"></a>[9](#p100051) |
| <a id="p100134"></a>ПЗУ | <a id="p100135"></a>[10](#p100053) |
| <a id="p100136"></a>ППЗУ | <a id="p100137"></a>[11](#p100055) |
| <a id="p100138"></a>скорость передачи данных | <a id="p100139"></a>[31](#p100097) |
| <a id="p100140"></a>содержимое запоминающего устройства | <a id="p100141"></a>[4](#p100040) |
| <a id="p100142"></a>содержимое ЗУ | <a id="p100143"></a>[4](#p100040) |
| <a id="p100144"></a>устройство записывающее | <a id="p100145"></a>[7](#p100046) |
| <a id="p100146"></a>устройство запоминающее | <a id="p100147"></a>[1](#p100034) |
| <a id="p100148"></a>устройство запоминающее внешнее | <a id="p100149"></a>[12](#p100057) |
| <a id="p100150"></a>устройство запоминающее динамическое | <a id="p100151"></a>[14](#p100061) |
| <a id="p100152"></a>устройство запоминающее оперативное | <a id="p100153"></a>[9](#p100051) |
| <a id="p100154"></a>устройство запоминающее постоянное | <a id="p100155"></a>[10](#p100053) |
| <a id="p100156"></a>устройство запоминающее постоянное программируемое | <a id="p100157"></a>[11](#p100055) |
| <a id="p100158"></a>устройство запоминающее статическое | <a id="p100159"></a>[13](#p100059) |
| <a id="p100160"></a>устройство запоминающее энергонезависимое | <a id="p100161"></a>[15](#p100063) |
| <a id="p100162"></a>устройство считывающее | <a id="p100163"></a>[6](#p100044) |
| <a id="p100164"></a>цикл обращения к запоминающему устройству | <a id="p100165"></a>[20](#p100075) |
| <a id="p100166"></a>цикл обращения к ЗУ | <a id="p100167"></a>[20](#p100075) |
| <a id="p100168"></a>число операций линейного чтения в секунду среднее | <a id="p100169"></a>[29](#p100093) |
| <a id="p100170"></a>число операций линейной записи в секунду среднее | <a id="p100171"></a>[30](#p100095) |
| <a id="p100172"></a>число операций произвольного чтения в секунду среднее | <a id="p100173"></a>[27](#p100089) |
| <a id="p100174"></a>число операций произвольной записи в секунду среднее | <a id="p100175"></a>[28](#p100091) |
| <a id="p100176"></a>элемент запоминающий | <a id="p100177"></a>[2](#p100036) |
| <a id="p100178"></a>ячейка запоминающего устройства | <a id="p100179"></a>[3](#p100038) |
| <a id="p100180"></a>ячейка ЗУ | <a id="p100181"></a>[3](#p100038) |







## <a id="p100182"></a>АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ЭКВИВАЛЕНТОВ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ



| <a id="p100183"></a>access cycle | <a id="p100184"></a>[20](#p100075) |
| --- | --- |
| <a id="p100185"></a>access time | <a id="p100186"></a>[21](#p100077) |
| <a id="p100187"></a>associative access | <a id="p100188"></a>[18](#p100070) |
| <a id="p100189"></a>data carrier | <a id="p100190"></a>[5](#p100042) |
| <a id="p100191"></a>data transfer speed | <a id="p100192"></a>[31](#p100097) |
| <a id="p100193"></a>disk write per day | <a id="p100194"></a>[24](#p100083) |
| <a id="p100195"></a>dynamic memory | <a id="p100196"></a>[14](#p100061) |
| <a id="p100197"></a>external storage | <a id="p100198"></a>[12](#p100057) |
| <a id="p100199"></a>input/output operations per second | <a id="p100200"></a>[26](#p100087) |
| <a id="p100201"></a>IOPS Random Read | <a id="p100202"></a>[27](#p100089) |
| <a id="p100203"></a>IOPS Random Write | <a id="p100204"></a>[28](#p100091) |
| <a id="p100205"></a>IOPS Sequential Read | <a id="p100206"></a>[29](#p100093) |
| <a id="p100207"></a>IOPS Sequential Write | <a id="p100208"></a>[30](#p100095) |
| <a id="p100209"></a>mean time between failures | <a id="p100210"></a>[32](#p100099) |
| <a id="p100211"></a>nonvolatile memory | <a id="p100212"></a>[15](#p100063) |
| <a id="p100213"></a>program/erase cycles | <a id="p100214"></a>[25](#p100085) |
| <a id="p100215"></a>programmed read-only memory | <a id="p100216"></a>[11](#p100055) |
| <a id="p100217"></a>random access | <a id="p100218"></a>[16](#p100066) |
| <a id="p100219"></a>random access memory | <a id="p100220"></a>[9](#p100051) |
| <a id="p100221"></a>reading device | <a id="p100222"></a>[6](#p100044) |
| <a id="p100223"></a>read-only memory | <a id="p100224"></a>[10](#p100053) |
| <a id="p100225"></a>recording device | <a id="p100226"></a>[7](#p100046) |
| <a id="p100227"></a>sequential access | <a id="p100228"></a>[17](#p100068) |
| <a id="p100229"></a>static memory | <a id="p100230"></a>[13](#p100059) |
| <a id="p100231"></a>storage cell | <a id="p100232"></a>[3](#p100038) |
| <a id="p100233"></a>storage content | <a id="p100234"></a>[4](#p100040) |
| <a id="p100235"></a>storage device | <a id="p100236"></a>[8](#p100048) |
| <a id="p100237"></a>storage element | <a id="p100238"></a>[2](#p100036) |
| <a id="p100239"></a>storage unit | <a id="p100240"></a>[1](#p100034) |
| <a id="p100241"></a>storage time | <a id="p100242"></a>[22](#p100079) |
| <a id="p100243"></a>storage volume | <a id="p100244"></a>[19](#p100073) |
| <a id="p100245"></a>total byte written | <a id="p100246"></a>[23](#p100081) |






<div align="right">

<a id="p100247"></a>Приложение А<br>
(справочное)

<a id="p100248"></a>СОКРАЩЕНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ОСНОВНЫХ ВИДОВ<br>
СОВРЕМЕННОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

<a id="p100249"></a>Таблица А.1

</div>



<table>
<colgroup><col width="24%"><col width="76%"></colgroup>
<tr><td><a id="p100250"></a>Сокращение</td><td><a id="p100251"></a>Определение</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100252"></a>Основные виды памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100253"></a>RAM</td><td><a id="p100254"></a>Random access memory - память с произвольным доступом</td></tr>
<tr><td><a id="p100255"></a>SRAM</td><td><a id="p100256"></a><a id="p100257"></a>Static random access memory - энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией.<br>Примечание - Типичная ячейка хранения данных - триггер</td></tr>
<tr><td><a id="p100258"></a>DRAM</td><td><a id="p100259"></a>Dynamic Random Access Memory - тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров</td></tr>
<tr><td><a id="p100260"></a>FRAM</td><td><a id="p100261"></a><a id="p100262"></a>Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память.<br>Примечание - Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике</td></tr>
<tr><td><a id="p100263"></a>3D XPoint (Optane)</td><td><a id="p100264"></a><a id="p100265"></a>3D Cross Point - энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron.<br>Примечание - Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100266"></a>Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100267"></a>SDRAM</td><td><a id="p100268"></a>Synchronous Dynamic Random Access Memory - разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных</td></tr>
<tr><td><a id="p100269"></a>SGRAM</td><td><a id="p100270"></a><a id="p100271"></a>Synchronous Graphic Random Access Memory - модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока.<br>Примечание - Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи</td></tr>
<tr><td><a id="p100272"></a><a id="p100273"></a><a id="p100274"></a><a id="p100275"></a>DDR SDRAM,<br>DDR2 SDRAM,<br>DDR4 SDRAM,<br>DDR5 SDRAM</td><td><a id="p100276"></a>Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно</td></tr>
<tr><td><a id="p100277"></a><a id="p100278"></a><a id="p100279"></a>GDDR, GDDR2,<br>GDDR3, GDDR4,<br>GDDR5, GDDR6</td><td><a id="p100280"></a><a id="p100281"></a>Graphics Double Data Rate - Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно.<br>Примечание - GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных</td></tr>
<tr><td><a id="p100282"></a>LPDDR, mDDR, Low Power DDR</td><td><a id="p100283"></a>Low Power DDR - это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств</td></tr>
<tr><td><a id="p100284"></a><a id="p100285"></a><a id="p100286"></a>LPDDR, LPDDR2,<br>LPDDR3, LPDDR4<br>и LPDDR4x, LPDDR5 и LPDDR5x</td><td><a id="p100287"></a>Модификации LPDDR второго и последующих поколений</td></tr>
<tr><td><a id="p100288"></a>VRAM</td><td><a id="p100289"></a><a id="p100290"></a>Video RAM - оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.<br>Примечание - Является двухпортовой памятью - может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране</td></tr>
<tr><td><a id="p100291"></a>WRAM</td><td><a id="p100292"></a>Window RAM - является схемотехническим развитием памяти VRAM - в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции</td></tr>
<tr><td><a id="p100293"></a>MDRAM</td><td><a id="p100294"></a>Multibank DRAM - многобанковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100295"></a>Часто используемые форм-факторы модулей памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100296"></a>DIMM</td><td><a id="p100297"></a><a id="p100298"></a>Dual In-line Memory Module - двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM.<br>Примечание - Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.</td></tr>
<tr><td><a id="p100299"></a>SO-DIMM</td><td><a id="p100300"></a><a id="p100301"></a>Small Outline DIMM - модуль памяти уменьшенного размера.<br>Примечание - Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100302"></a>Модификации DIMM разных поколений памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100303"></a>U-DIMM</td><td><a id="p100304"></a>Unregistered DRAM - нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)</td></tr>
<tr><td><a id="p100305"></a>R-DIMM</td><td><a id="p100306"></a><a id="p100307"></a>Registered DIMM или иногда buffered memory - вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти.<br>Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100308"></a>LR-DIMM</td><td><a id="p100309"></a><a id="p100310"></a>Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) - относительно новый тип памяти для серверов.<br>Примечание - Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon E5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на "обычные" модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается</td></tr>
<tr><td><a id="p100311"></a>FB-DIMM</td><td><a id="p100312"></a><a id="p100313"></a>Fully Buffered DIMM - полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти).<br>Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти</td></tr>
<tr><td><a id="p100314"></a>HDIMM или HCDIMM</td><td><a id="p100315"></a>HyperCloud DIMM - модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы</td></tr>
</table>






<a id="p100316"></a>Приложение Б
(справочное)

<a id="p100317"></a>ИНТЕРФЕЙСЫ И ФОРМ-ФАКТОРЫ СОВРЕМЕННЫХ
ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ НАКОПИТЕЛЕЙ

<a id="p100318"></a>Таблица Б.1


<table>
<colgroup><col width="22%"><col width="78%"></colgroup>
<tr><td><a id="p100319"></a>Интерфейс/форм-фактор</td><td><a id="p100320"></a>Определение</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100321"></a>Часто используемые интерфейсы твердотельных накопителей</td></tr>
<tr><td><a id="p100322"></a>SATA</td><td><a id="p100323"></a><a id="p100324"></a>Serial Advanced Technology Attachment - последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации.<br>Примечание - SATA является развитием параллельного интерфейса ATA (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel ATA)</td></tr>
<tr><td><a id="p100325"></a>PCIe</td><td><a id="p100326"></a>Peripheral Component Interconnect Express - компьютерная шина, использующая программную модель шины PCI и высокопроизводительный физический протокол, основанный на последовательной передаче данных</td></tr>
<tr><td><a id="p100327"></a>SAS</td><td><a id="p100328"></a><a id="p100329"></a>Serial Attached SCSI - последовательный компьютерный интерфейс, разработанный для подключения различных устройств хранения данных, например жестких дисков и ленточных накопителей.<br>Примечание - SAS разработан для замены параллельного интерфейса SCSI и во многом основан на терминологии и наборах команд SCSI</td></tr>
<tr><td><a id="p100330"></a>USB</td><td><a id="p100331"></a>Universal Serial Bus - последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике</td></tr>
<tr><td><a id="p100332"></a>Thunderbolt</td><td><a id="p100333"></a><a id="p100334"></a>Аппаратный интерфейс для изделий под экосистему Apple, ранее известный как Light Peak, разработанный компанией Intel в сотрудничестве с Apple.<br>Примечание - Служит для подключения различных периферийных устройств к компьютеру</td></tr>
<tr><td><a id="p100335"></a>SPI</td><td><a id="p100336"></a>Serial Peripheral Interface - последовательный периферийный интерфейс, шина SPI; последовательный синхронный стандарт передачи данных в режиме полного дуплекса, предназначенный для обеспечения простого и недорогого высокоскоростного сопряжения микроконтроллеров и периферии</td></tr>
<tr><td><a id="p100337"></a>QSPI</td><td><a id="p100338"></a><a id="p100339"></a>Quad Serial Peripheral Interface - последовательный периферийный интерфейс, базовый интерфейс заимствован от шины SPI.<br>Примечание - Для увеличения скорости обмена пересылка информации идет через четыре линии данных в режиме полудуплекса. Обеспечивает кратное снижение времени латентности при чтении информации из энергонезависимых носителей</td></tr>
<tr><td><a id="p100340"></a>I2C</td><td><a id="p100341"></a>Inter-Integrated Circuit - последовательная асимметричная шина для связи между интегральными схемами внутри электронных приборов</td></tr>
<tr><td><a id="p100342"></a>PATA</td><td><a id="p100343"></a>Parallel Advanced Technology Attachment - параллельный интерфейс подключения накопителей (гибких дисков, жестких дисков и оптических дисководов) к компьютеру</td></tr>
<tr><td><a id="p100344"></a>SD</td><td><a id="p100345"></a>Secure Digital - формат карт памяти (флэш-память), разработанный SD Association (SDA) для использования в портативных устройствах</td></tr>
<tr><td><a id="p100346"></a>SD Express</td><td><a id="p100347"></a>Развитие формата SD, использует интерфейс PCI Express 4.0 и протокол NVMe 1.3 через второй ряд контактов для достижения скоростей до 3,94 ГБ/с</td></tr>
<tr><td><a id="p100348"></a>Fibre Channel</td><td><a id="p100349"></a>Семейство протоколов для высокоскоростной передачи данных, используется как стандартный способ подключения к системам хранения данных уровня предприятия</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100350"></a>Часто используемые форм-факторы твердотельных накопителей</td></tr>
<tr><td><a id="p100351"></a>3.5"</td><td><a id="p100352"></a><a id="p100353"></a>HDD [Hard (magnetic) Disk Drive] - ЗУ произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи.<br>Примечание - Основной накопитель данных в большинстве компьютеров. Типовые разъемы: IDE, ATA, SATA, SAS</td></tr>
<tr><td><a id="p100354"></a>2.5"</td><td><a id="p100355"></a>HDD, SSD (Solid-State Drive) - энергонезависимое немеханическое ЗУ на основе микросхем памяти, типовой разъем SATA, SAS</td></tr>
<tr><td><a id="p100356"></a>U.2</td><td><a id="p100357"></a><a id="p100358"></a>Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.<br>Примечание - Геометрия и крепеж 2.5", произвольный разъем SATA, SAS, PCIe и т.д.</td></tr>
<tr><td><a id="p100359"></a>M.2</td><td><a id="p100360"></a><a id="p100361"></a>Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.<br>Примечание - Ламельный разъем как часть монтажной платы (возможны ревизии с различной длиной и ключом разъема)</td></tr>
<tr><td><a id="p100362"></a>EDSFF</td><td><a id="p100363"></a><a id="p100364"></a>Enterprise and Datacenter SSD Form Factor - набор стандартных форм-факторов предприятий и центров обработки данных.<br>Примечание - Включает в себя E1.S, E1.L, E3.S, E3.S 2T, E3.L. Отличаются геометрическими размерами ЗУ. Ламельный разъем - PCIe x4</td></tr>
<tr><td><a id="p100365"></a>MMC</td><td><a id="p100366"></a><a id="p100367"></a>Multi Media Card - портативное твердотельное ЗУ, используемое для многократной записи и хранения информации в портативных электронных устройствах.<br>Примечание - Геометрические размеры - 24 x 32 x 1,5 мм</td></tr>
<tr><td><a id="p100368"></a>RS-MMC</td><td><a id="p100369"></a><a id="p100370"></a>Reduced Size MultiMedia Card - уменьшенная версия MMC.<br>Примечание - Геометрические размеры - 24 x 18 x 1,5 мм</td></tr>
<tr><td><a id="p100371"></a>SD</td><td><a id="p100372"></a>24 x 32 x 2,1 мм</td></tr>
<tr><td><a id="p100373"></a>Mini SD</td><td><a id="p100374"></a>20 x 21,5 x 1,4 мм</td></tr>
<tr><td><a id="p100375"></a>Micro SD</td><td><a id="p100376"></a>11 x 15 x 1 мм</td></tr>
<tr><td><a id="p100377"></a>USB Stick</td><td><a id="p100378"></a>Энергонезависимое портативное твердотельное ЗУ, произвольная геометрия, разъем USB</td></tr>
</table>







<table>
<colgroup><col width="61%"><col width="39%"></colgroup>
<tr><td><a id="p100379"></a>УДК 621.377.6:006.354</td><td><a id="p100380"></a>ОКС 35.220</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100381"></a>Ключевые слова: цифровые вычислительные машины, запоминающие устройства, стандартизация, термины и определения</td></tr>
</table>




<a id="p100382"></a>

---