ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения
Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии · № ГОСТ Р 70942-2023Действующий акт
Актуально на 01.11.2026.
Как цитировать: "ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения". ГОСТ Р 70942-2023. https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-70942-2023
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 29.09.2023 № 1015-ст)
flowchart LR
n0["ГОСТ 25492-82"]:::rst
click n0 "https://bukva.ai/docs/gost-25492-82" "ГОСТ 25492-82. Межгосударственный стандарт. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения (утв. и введен в действие Постановлением Госстандарта СССР "
n1["ГОСТ Р 70942-2023"]:::doc
click n1 "https://bukva.ai/docs/standart-gost-r-70942-2023" "ГОСТ Р 70942-2023. Национальный стандарт Российской Федерации. Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения (утв. и введен в действие Приказом Росст"
n0 --> n1
classDef rst fill:#FFEBEB,stroke:#8B0000,color:#000;
classDef doc fill:#EBFFEB,stroke:#006400,color:#000;
classDef notEnt fill:#FFFFEB,stroke:#FF8C00,color:#000;
Утвержден и введен в действие
Приказом Федерального
агентства по техническому
регулированию и метрологии
от 29 сентября 2023 г. № 1015-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
УСТРОЙСТВА ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН ЗАПОМИНАЮЩИЕ
ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Storage devices for digital computers. Terms and definitions
ГОСТ Р 70942-2023
ОКС 35.220
Дата введения1 января 2024 года
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Федеральным государственным бюджетным учреждением «Российский институт стандартизации» (ФГБУ «Институт стандартизации»), Федеральным государственным бюджетным учреждением «27 центральный научно-исследовательский институт» Министерства обороны Российской Федерации (ФГБУ «27 ЦНИИ» Минобороны России) и Акционерным обществом «Крафтвэй корпорэйшн ПЛС» (Крафтвэй)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 166 «Вычислительная техника»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 29 сентября 2023 г. № 1015-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)
Введение
Запоминающие устройства являются ключевым по значимости компонентом в вычислительных системах наряду с центральным процессором (ЦП). Они предназначены для записи, хранения и считывания данных для ЦП и других блоков системы.
В основе работы запоминающего устройства могут лежать различные физические эффекты, определяющие его параметры. Виды запоминающих устройств имеют иерархическую структуру и классифицируются по ряду признаков.
Обычно в вычислительных системах предполагается использование нескольких запоминающих устройств, имеющих различные характеристики.
Учитывая неоднородность задач по хранению данных применяются различные технические решения, имеющие отличные характеристики, как технические, так и ценовые и массогабаритные.
Цель настоящего стандарта — установление однозначно понимаемой и непротиворечивой терминологии в области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин в соответствующих документах, в которых рассмотрены вопросы, касающиеся стандартизации или использования данной терминологии.
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий данной области знания.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы, представленные аббревиатурой, — светлым.
Сокращения, используемые для основных видов современной оперативной памяти, приведены в приложении А.
Интерфейсы и форм-факторы современных твердотельных накопителей приведены в приложении Б.
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области запоминающих устройств цифровых вычислительных машин.
Настоящий стандарт предназначен для заказчиков, разработчиков, поставщиков, потребителей, а также персонала сопровождения устройств хранения данных.
Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
2 Термины и определения
Общие понятия
1 запоминающее устройство; ЗУ: Носитель информации, предназначенный для записи и хранения данных.
storage unit
2 запоминающий элемент: Часть ЗУ, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных.
4 содержимое запоминающего устройства; содержимое ЗУ: Данные, хранящиеся в ЗУ.
storage content
5 носитель информации: Совокупность ячеек запоминающего устройства, обеспечивающая хранение данных, любой материальный объект или среда, используемые человеком, способные достаточно длительное время сохранять в своей структуре занесенную на них информацию без использования дополнительных устройств.
data carrier
6 считывающее устройство: Устройство, выполняющее считывание информации с носителя.
reading device
7 записывающее устройство: Устройство, выполняющее запись информации на носитель.
recording device
8 накопитель информации: Устройство, состоящее из носителя информации, считывающего и записывающего устройств и устройства управления.
storage device
Виды запоминающих устройств
9 оперативное запоминающее устройство; ОЗУ: ЗУ, хранение данных в котором осуществляется при наличии внешнего источника энергии, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций.
random access memory; RAM
10 постоянное запоминающее устройство; ПЗУ: ЗУ однократной записи, из которого может производиться считывание данных.
read-only memory; ROM
11 программируемое постоянное запоминающее устройство; ППЗУ: ПЗУ, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного, светового, ультрафиолетового или иного воздействия на запоминающие элементы по заданной программе.
programmed read-only memory; PROM
12 внешнее запоминающее устройство; ВЗУ: ЗУ, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения данных.
external storage
13 статическое запоминающее устройство: ЗУ без регенерации данных при хранении.
static memory
14 динамическое запоминающее устройство: ЗУ с возможностью изменения данных.
dynamic memory
15 энергонезависимое запоминающее устройство: ЗУ, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании.
nonvolatile memory
Способы доступа к данным, записанным в запоминающих устройствах
16 произвольный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в любой последовательности.
random access
17 последовательный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в определенной последовательности.
sequential access
18 ассоциативный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в соответствии с признаками хранимых в них данных.
associative access
Основные параметры запоминающих устройств
19 информационная емкость запоминающего устройства: Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в ЗУ.
storage volume
20 цикл обращения к запоминающему устройству; цикл обращения к ЗУ: Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства.
access cycle
21 время выборки данных: Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из ЗУ.
access time
22 расчетное время хранения данных в ячейках: Интервал времени, в течение которого ЗУ в заданном режиме сохраняет данные без регенерации.
storage time
23 суммарный объем информации, который гарантированно можно записать на накопитель: Суммарный объем информации, которая может быть за один раз записана на накопитель в течение гарантированного срока эксплуатации устройства.
total byte written; TBW
24 допустимое количество перезаписей всего объема накопителя в день в течение гарантийного срока: Отношение TBW накопителя к его емкости и гарантийному сроку.
disk write per day; DWPD
25 количество циклов перезаписи: Количество циклов «запись — чтение» до деградации (разрушения) запоминающих элементов.
program/erase cycles
26 количество операций ввода/вывода в секунду: Один из ключевых параметров при измерении производительности запоминающих устройств.
input/output operations per second; IOPS
27 среднее число операций произвольного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольного чтения в секунду.
IOPS Random Read
28 среднее число операций произвольной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольной записи в секунду.
IOPS Random Write
29 среднее число операций линейного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейного чтения в секунду.
IOPS Sequential Read
30 среднее число операций линейной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейной записи в секунду.
IOPS Sequential Write
31 скорость передачи данных: Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени.
data transfer speed
32 ожидаемое среднее время наработки на отказ: Статистический показатель, представляющий отношение суммарной наработки восстанавливаемого объекта к математическому ожиданию числа его отказов в течение этой наработки.
СОКРАЩЕНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ОСНОВНЫХ ВИДОВ
СОВРЕМЕННОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ
Таблица А.1
Сокращение
Определение
Основные виды памяти
RAM
Random access memory — память с произвольным доступом
SRAM
Static random access memory — энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией. Примечание — Типичная ячейка хранения данных — триггер
DRAM
Dynamic Random Access Memory — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров
FRAM
Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память. Примечание — Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике
3D XPoint (Optane)
3D Cross Point — энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron. Примечание — Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала
Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти
SDRAM
Synchronous Dynamic Random Access Memory — разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных
SGRAM
Synchronous Graphic Random Access Memory — модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока. Примечание — Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи
DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR4 SDRAM, DDR5 SDRAM
Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно
GDDR, GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR6
Graphics Double Data Rate — Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно. Примечание — GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных
LPDDR, mDDR, Low Power DDR
Low Power DDR — это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств
LPDDR, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4 и LPDDR4x, LPDDR5 и LPDDR5x
Модификации LPDDR второго и последующих поколений
VRAM
Video RAM — оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор. Примечание — Является двухпортовой памятью — может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране
WRAM
Window RAM — является схемотехническим развитием памяти VRAM — в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции
MDRAM
Multibank DRAM — многобанковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком
Часто используемые форм-факторы модулей памяти
DIMM
Dual In-line Memory Module — двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM. Примечание — Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.
SO-DIMM
Small Outline DIMM — модуль памяти уменьшенного размера. Примечание — Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.
Модификации DIMM разных поколений памяти
U-DIMM
Unregistered DRAM — нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)
R-DIMM
Registered DIMM или иногда buffered memory — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти. Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти
LR-DIMM
Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) — относительно новый тип памяти для серверов. Примечание — Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon E5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на «обычные» модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается
FB-DIMM
Fully Buffered DIMM — полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти). Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти
HDIMM или HCDIMM
HyperCloud DIMM — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы
Приложение Б
(справочное)
ИНТЕРФЕЙСЫ И ФОРМ-ФАКТОРЫ СОВРЕМЕННЫХ
ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ НАКОПИТЕЛЕЙ
Таблица Б.1
Интерфейс/форм-фактор
Определение
Часто используемые интерфейсы твердотельных накопителей
SATA
Serial Advanced Technology Attachment — последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации. Примечание — SATA является развитием параллельного интерфейса ATA (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel ATA)
PCIe
Peripheral Component Interconnect Express — компьютерная шина, использующая программную модель шины PCI и высокопроизводительный физический протокол, основанный на последовательной передаче данных
SAS
Serial Attached SCSI — последовательный компьютерный интерфейс, разработанный для подключения различных устройств хранения данных, например жестких дисков и ленточных накопителей. Примечание — SAS разработан для замены параллельного интерфейса SCSI и во многом основан на терминологии и наборах команд SCSI
USB
Universal Serial Bus — последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике
Thunderbolt
Аппаратный интерфейс для изделий под экосистему Apple, ранее известный как Light Peak, разработанный компанией Intel в сотрудничестве с Apple. Примечание — Служит для подключения различных периферийных устройств к компьютеру
SPI
Serial Peripheral Interface — последовательный периферийный интерфейс, шина SPI; последовательный синхронный стандарт передачи данных в режиме полного дуплекса, предназначенный для обеспечения простого и недорогого высокоскоростного сопряжения микроконтроллеров и периферии
QSPI
Quad Serial Peripheral Interface — последовательный периферийный интерфейс, базовый интерфейс заимствован от шины SPI. Примечание — Для увеличения скорости обмена пересылка информации идет через четыре линии данных в режиме полудуплекса. Обеспечивает кратное снижение времени латентности при чтении информации из энергонезависимых носителей
I2C
Inter-Integrated Circuit — последовательная асимметричная шина для связи между интегральными схемами внутри электронных приборов
PATA
Parallel Advanced Technology Attachment — параллельный интерфейс подключения накопителей (гибких дисков, жестких дисков и оптических дисководов) к компьютеру
SD
Secure Digital — формат карт памяти (флэш-память), разработанный SD Association (SDA) для использования в портативных устройствах
SD Express
Развитие формата SD, использует интерфейс PCI Express 4.0 и протокол NVMe 1.3 через второй ряд контактов для достижения скоростей до 3,94 ГБ/с
Fibre Channel
Семейство протоколов для высокоскоростной передачи данных, используется как стандартный способ подключения к системам хранения данных уровня предприятия
Часто используемые форм-факторы твердотельных накопителей
3.5»
HDD [Hard (magnetic) Disk Drive] — ЗУ произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи. Примечание — Основной накопитель данных в большинстве компьютеров. Типовые разъемы: IDE, ATA, SATA, SAS
2.5»
HDD, SSD (Solid-State Drive) — энергонезависимое немеханическое ЗУ на основе микросхем памяти, типовой разъем SATA, SAS
U.2
Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD. Примечание — Геометрия и крепеж 2.5», произвольный разъем SATA, SAS, PCIe и т.д.
M.2
Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD. Примечание — Ламельный разъем как часть монтажной платы (возможны ревизии с различной длиной и ключом разъема)
EDSFF
Enterprise and Datacenter SSD Form Factor — набор стандартных форм-факторов предприятий и центров обработки данных. Примечание — Включает в себя E1.S, E1.L, E3.S, E3.S 2T, E3.L. Отличаются геометрическими размерами ЗУ. Ламельный разъем — PCIe x4
MMC
Multi Media Card — портативное твердотельное ЗУ, используемое для многократной записи и хранения информации в портативных электронных устройствах. Примечание — Геометрические размеры — 24 x 32 x 1,5 мм
RS-MMC
Reduced Size MultiMedia Card — уменьшенная версия MMC. Примечание — Геометрические размеры — 24 x 18 x 1,5 мм
SD
24 x 32 x 2,1 мм
Mini SD
20 x 21,5 x 1,4 мм
Micro SD
11 x 15 x 1 мм
USB Stick
Энергонезависимое портативное твердотельное ЗУ, произвольная геометрия, разъем USB
УДК 621.377.6:006.354
ОКС 35.220
Ключевые слова: цифровые вычислительные машины, запоминающие устройства, стандартизация, термины и определения