| Д | - | динамический диапазон ФЭПП | 145 |
| Фкрит | - | критическая мощность излучения ФЭПП | 144 |
| Фп | Pmin, $P_{\lambda min}$ | порог чувствительности ФЭПП, ФПУ | 81 |
| Ф*п | NEP* | удельный порог чувствительности ФЭПП | 83 |
| $\text{Ф}_{\text{п}_{\text{рад}}}$ | PBLIP | радиационный порог чувствительности ФЭПП | 87 |
| Фп1 | NEP | порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 82 |
| Фп1(Т) | - | температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП | 190 |
| Фп1(Ф) | - | фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 182 |
| Aэфф | Aeff | эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП | 92 |
| C | C | емкость ФЭПП | 99 |
| D | D | обнаружительная способность ФЭПП | 84 |
| D* | D* | удельная обнаружительная способность ФЭПП | 85 |
| D*(f) | D*(f) | частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 177 |
| D*(Т) | D*(Т) | температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 191 |
| D*(U) | D*(U) | вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 164 |
| D*(Ф) | D*(P) | фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП | 183 |
| f0 | fg | предельная частота ФЭПП | 98 |
| h | p | шаг элементов ФЭПП | 102 |
| h0(t) | - | переходная нормированная характеристика ФЭПП | 193 |
| h0'(t) | - | обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП | 194 |
| $h_{13}^{\text{э}}$ , $h_{13}^{\text{б}}$ , $h_{13}^{\text{к}}$ | - | вольтовая чувствительность фототранзистора | 129 |
| $h_{23}^{\text{э}}$ , $h_{23}^{\text{б}}$ , $h_{23}^{\text{к}}$ | - | токовая чувствительность фототранзистора | 128 |
| Iобщ | Itot | общий ток ФЭПП | 64 |
| Iс | Is | ток фотосигнала ФЭПП | 66 |
| IТ | Id | темновой ток ФЭПП | 62 |
| IT(Т) | Id(T) | температурная характеристика темнового тока ФЭПП | 186 |
| Iф | Ip | фототок ФЭПП | 63 |
| Iш | In | ток шума ФЭПП | 79 |
| $I_{\text{общ к}}^{\text{б}}$ | ICBH | общий ток коллектор - база фототранзистора | 127 |
| $I_{\text{тк}}^{\text{б}}$ | ICBO | темновой ток коллектор - база фототранзистора | 117 |
| $I_{\text{тэ}}^{\text{б}}$ | IEBO | темновой ток эмиттер - база фототранзистора | 118 |
| $I_{\text{тэ}}^{\text{к}}$ | IECO | темновой ток эмиттер - коллектор фототранзистора | 119 |
| $I_{\text{тк}}^{\text{э}}$ | ICEO | темновой ток коллектор - эмиттер фототранзистора | 116 |
| $I_{\text{общ к}}^{\text{э}}$ | ICEH | общий ток коллектор - эмиттер фототранзистора | 126 |
| $I_{\text{общ б}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{общ б}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{общ б}}^{\text{к}}$ | IBE, IBB, IBC | общий ток базы фототранзистора | 125 |
| $I_{\text{общ э}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{общ э}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{общ э}}^{\text{к}}$ | IEE, IEB, IEC | общий ток эмиттера фототранзистора | 124 |
| $I_{\text{тэ}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{тэ}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{тэ}}^{\text{к}}$ | IEEO, IEBO, IECO | темновой ток эмиттера фототранзистора | 114 |
| $I_{\text{фэ}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{фэ}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{фэ}}^{\text{к}}$ | IEEH, IEBH, IECH | фототок эмиттера фототранзистора | 121 |
| $I_{\text{фб}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{фб}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{фб}}^{\text{к}}$ | IBEH, IBBH, IBCH | фототок базы фототранзистора | 122 |
| $I_{\text{тб}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{тб}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{тб}}^{\text{к}}$ | IBEO, IBBH, IBCO | темновой ток базы фототранзистора | 115 |
| $I_{\text{тк}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{тк}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{тк}}^{\text{к}}$ | ICEO, ICBO, ICCO | темновой ток коллектора фототранзистора | 113 |
| $I_{\text{фк}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{фк}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{фк}}^{\text{к}}$ | ICEH, ICBH, ICCH | фототок коллектора фототранзистора | 120 |
| $I_{\text{общ к}}^{\text{э}}$ , $I_{\text{общ к}}^{\text{б}}$ , $I_{\text{общ к}}^{\text{к}}$ | ICE, ICB, ICC | общий ток коллектора фототранзистора | 123 |
| $\frac{\Delta I_{T}}{T}$ | - | нестабильность темнового тока ФЭПП | 148 |
| I(U) | I(U) | вольтамперная характеристика ФЭПП | 158 |
| Iвх(U) | Iin(U) | входная вольтамперная характеристика фототранзистора | 159 |
| Iвых(U) | I0(U) | выходная вольтамперная характеристика фототранзистора | 160 |
| Iвых(Ф) | - | выходная энергетическая характеристика фототранзистора | 172 |
| Iф(E) | Iph(E) | люксамперная характеристика ФЭПП | 170 |
| Iф(Ф) | Iph(P) | энергетическая характеристика фототока ФЭПП | 166 |
| Iш(f) | In(f) | спектр тока шума ФЭПП | 175 |
| Iш(Т) | In(T) | температурная характеристика тока шума ФЭПП | 188 |
| Iш(U) | In(U) | вольтовая характеристика тока шума ФЭПП | 162 |
| Iш(Ф) | In(P) | фоновая характеристика тока шума ФЭПП | 180 |
| K | - | коэффициент усиления инжекционного фотодиода | 140 |
| Kуф | - | коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | 130 |
| Kфс | Kc | коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | 104 |
| Kу | - | коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | 141 |
| $\Delta I$ | $\Delta I$ | межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП | 103 |
| MТ | Md | коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | 136 |
| Mф | Mph | коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | 137 |
| MТ(U), Mф(U) | Md(U), Mph(U) | вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода | 165 |
| N | - | число элементов ФЭПП | 101 |
| P | Ptot | рассеиваемая мощность ФЭПП | 142 |
| Rвых | R0 | выходное сопротивление координатного ФЭПП | 135 |
| RД | Rd | дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП | 57 |
| RЕ | RE, RH | световое сопротивление ФЭПП | 61 |
| RE(E) | RE(E), RH(E) | люксомическая характеристика фоторезистора | 169 |
| RE(Т) | RE(T), RH(T) | температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП | 184 |
| RE(Ф) | RE(P), RH(P) | фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП | 178 |
| Rпосл | RS | последовательное сопротивление фотодиода | 100 |
| RС | Rs | статическое сопротивление ФЭПП | 58 |
| Rс(Ф) | Rs(P) | энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора | 168 |
| RТ | Rd | темновое сопротивление ФЭПП | 59 |
| RT(Т) | - | температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП | 185 |
| Pmax | Pmax | максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП | 143 |
| R0 | R0 | сопротивление фотодиода при нулевом смещении | 60 |
| $\frac{\Delta R(t)}{R}$ | - | нестабильность сопротивления ФЭПП | 147 |
| S | S | чувствительность ФЭПП | 67 |
| $S_{\text{абс}}(\lambda)$ | $S_{abs}(\lambda)$ | абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 156 |
| Sд | Sd | дифференциальная чувствительность ФЭПП | 76 |
| Sдифф | - | дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | 132 |
| SE | $S_{E_{v}}$ | чувствительность ФЭПП к освещенности | 70 |
| SEЭ | $S_{E_{e}}$ | чувствительность ФЭПП к облученности | 70 |
| Sимп | Sp | импульсная чувствительность ФЭПП | 77 |
| Sинт | Sint | интегральная чувствительность ФЭПП | 73 |
| $S_{\text{отн}}(\lambda)$ | $S_{rel}(\lambda)$ | относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 157 |
| Sст | Sst | статическая чувствительность ФЭПП | 75 |
| Sстат | - | статическая крутизна координатной характеристики координатного ФЭПП | 133 |
| SФПУ(tнак) | - | сигнальная характеристика | 173 |
| SФ | $S_{p_{v}}$ | чувствительность ФЭПП к световому потоку | 69 |
| SФЭ | $S_{p_{e}}$ | чувствительность ФЭПП к потоку излучения | 68 |
| SI | SI | токовая чувствительность ФЭПП | 71 |
| SU | Sv | вольтовая чувствительность ФЭПП | 72 |
| $S_{\lambda}$ | $S_{\lambda}$ | монохроматическая чувствительность ФЭПП | 74 |
| S(f) | S(f) | частотная характеристика чувствительности ФЭПП | 174 |
| S(Т) | S(T) | температурная характеристика чувствительности ФЭПП | 187 |
| S(U) | S(U) | вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП | 161 |
| S(x, y) | S(x, y) | распределение чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | 197 |
| $S(!)$ | $S(!)$ | угловая характеристика чувствительности ФЭПП | 198 |
| $S(\lambda)$ | $S(\lambda)$ | спектральная характеристика чувствительности ФЭПП | 155 |
| S(Ф) | S(P) | фоновая характеристика чувствительности ФЭПП | 179 |
| $\frac{\Delta S(x,y)}{S_{\text{ср}}}$ | - | неравномерность чувствительности по фоточувствительному элементу ФЭПП | 146 |
| tвых | tcd | время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | 153 |
| tзадерж | tdelay | время задержки фотоотклика при формировании изображения | 200 |
| tзнак ti | |||
| время накопления [экспозиции] | 199 | $t_{\text{раб}_{\text{авт}}}$ | $t_{in_{d}}$ |
| время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | 154 | Uвх(Ф), Iвх(Ф) | - |
| входная энергетическая характеристика фототранзистора | 171 | Uвых(X) | - |
| координатная характеристика координатного ФЭПП | 195 | Uиз | Ui |
| электрическая прочность изоляции ФЭПП | 56 | Uпр | UBR |
| пробивное напряжение фотодиода | 54 | Uр | Uop |
| рабочее напряжение ФЭПП | 53 | Uс | Us |
| напряжение фотосигнала ФЭПП | 65 | Uс(Ф) | Us(P) |
| энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП | 167 | Uш | Un |
| напряжение шума ФЭПП | 80 | Uш(f) | Un(f) |
| спектр напряжения шума ФЭПП | 176 | Uш(Т) | Un(T) |
| температурная характеристика напряжения шума ФЭПП | 189 | Uш(Ф) | Un(P) |
| фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП | 181 | Umax | Umax |
| максимально допустимое напряжение ФЭПП | 55 | $U_{\text{прк}}^{\text{б}}$ | UBR CDO |
| пробивное напряжение коллектор - база фототранзистора | 110 | $U_{\text{прэ}}^{\text{б}}$ | UBR EBO |
| пробивное напряжение эмиттер - база фототранзистора | 111 | $U_{\text{прэ}}^{\text{к}}$ | UBR ECO |
| пробивное напряжение эмиттер - коллектор фототранзистора | 112 | $U_{\text{прк}}^{\text{э}}$ | UBR CEO |
| пробивное напряжение коллектор - эмиттер фототранзистора | 109 | $U_{\text{к}}^{\text{б}}$ , $U_{\text{к}}^{\text{э}}$ | UCB, UCE |
| напряжение на коллекторе фототранзистора | 106 | $U_{\text{э}}^{\text{б}}$ , $U_{\text{э}}^{\text{к}}$ | UEB, UEC |
| напряжение на эмиттере фототранзистора | 107 | $U_{\text{б}}^{\text{э}}$ , $U_{\text{б}}^{\text{к}}$ | UBE, UBC |
| напряжение на базе фототранзистора | 108 | Uш(U) | Un(U) |
| вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП | 163 | $\frac{\Delta U}{U}$ | $\frac{\Delta U}{U}$ |
| точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | 138 | $\frac{\Delta U_{c}(t)}{U_{c}}$ | - |
| нестабильность чувствительности ФЭПП | 149 | X0 | X0 |
| нулевая точка координатного ФЭПП | 134 | X(Т) | X0(T) |
| температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного ФЭПП 192 | |||
| X0(t) | X0(t) | координатная характеристика координатного ФЭПП | 196 |
| $\alpha_{T}$ | - | температурный коэффициент фототока ФЭПП | 150 |
| $\beta_{U}$ | $\beta_{U}$ | температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода | 139 |
| $\gamma$ | $\gamma$ | наклон люксомической характеристики фоторезистора | 78 |
| $\delta_{x}$ | $\delta_{x}$ | разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | 105 |
| $\lambda_{max}$ | $\lambda_{s}$ | длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | 88 |
| $\lambda\prime$ | $\lambda_{s1}$ | коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | 89 |
| $\lambda\prime\prime$ | $\lambda_{s2}$ | длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП | 90 |
| $\Delta\lambda$ | $\Delta\lambda$ | область спектральной чувствительности ФЭПП | 91 |
| v | - | световая нестабильность ФЭПП | 151 |
| $\tau_{\text{уст}_{k}}$ | - | время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню k | 97 |
| $\tau_{0,1 - 0,9}$ | tr | время нарастания ФЭПП | 95 |
| $\tau_{0,9 - 0,1}$ | tf | время спада ФЭПП | 96 |
| $2\Delta x$ | - | линейная зона координатной характеристики координатного ФЭПП | 131 |
| $2\beta$ | $2\beta$ | плоский угол зрения ФЭПП | 93 |
| $\Omega_{\text{эфф}}$ | $\Omega_{eff}$ | эффективное поле зрения ФЭПП | 94 |
| УДК 535.247.4.089.5:006.354 | ОКС 31.080.01 |
| Ключевые слова: приемники излучения полупроводниковые, фотоэлектрические и фотоприемные устройства, термины и определения | |