ГОСТ Р 57441-2017. Национальный стандарт Российской Федерации. Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров

по техническому регулированию
и метрологии
от 4 апреля 2017 г. № 257-ст

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ

В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приводится и вместо него ставится прочерк.

В пределах одного документа рекомендуется использовать одну систему обозначений — отечественную или международную.

Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем, включая гибридные микросхемы, многокристальные модули и микросборки (далее — микросхемы).

Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

59 ток утечки низкого уровня на входе; Iут. вх. н. (IILL): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

60 ток утечки высокого уровня на входе; Iут. вх. в (IILH): Ток утечки во входной цепи микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

61 ток утечки на выходе; Iут. вых (IOL): Ток в выходной цепи микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах.

62 ток утечки низкого уровня на выходе; Iут. вых. н (IOLL): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

63 ток утечки высокого уровня на выходе; Iут. вых. в (IOLH): Ток утечки при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах.

64 ток автоматической регулировки усиления; IАРУ (IAGC): Ток, протекающий через регулирующий вход микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах.

65 режимный ток; IР (IR): Постоянный ток, устанавливаемый внешним источником в цепи питания для обеспечения заданных параметров.

Параметры мощности

66 потребляемая мощность; Pпот (PCC): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в заданном режиме.

67 входная мощность; Pвх (PI): Мощность, потребляемая микросхемой от источника входного сигнала для обеспечения заданной мощности на нагрузке.

68 выходная мощность; Pвых (PO): Мощность, выделяемая на нагрузке в заданном режиме.

69 рассеиваемая мощность; Pрас (Ptot): Мощность, рассеиваемая микросхемой, работающей в заданном режиме.

70 динамическая потребляемая мощность; Pпот. дин (PCCO): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме переключения с заданной частотой.

71 потребляемая мощность в режиме хранения; Pпот. хр (PCCS): Мощность, потребляемая микросхемой от источника питания в режиме хранения.

Параметры сопротивления

72 входное сопротивление; Rвх (RI): Отношение приращения входного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала.

73 выходное сопротивление; Rвых (RO): Отношение приращения выходного напряжения микросхемы к приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала.

74 сопротивление нагрузки; Rн (RL): Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

75 сопротивление в открытом состоянии; Rотк (RON): Отношение падения напряжения между входом и соответствующим выходом микросхемы к току, протекающему через этот выход, в заданном режиме.

76 сопротивление изоляции; Rиз (RISO): Сопротивление между входной и выходной изолированными цепями микросхемы.

Параметры емкости

77 входная емкость; Cвх (CI): Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты.

78 выходная емкость; Cвых (CO): Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты.

79 емкость нагрузки; Cн (CL): Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу микросхемы.

80 емкость входа/выхода; Cвх/вых (CI/O): Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока микросхемы к произведению круговой частоты и синусоидального входного или выходного напряжения при заданном значении частоты сигнала.

81 емкость аналогового входа; Cвх. ан (CS): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

82 емкость аналогового выхода; Cвых. ан (CD): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

83 емкость управляющего входа; Cвх. упр (CIC): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

84 емкость между аналоговыми выходом и входом; Cвых/вх. ан (CDS): Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах).

Временны́е параметры

85 время включения; tвкл (ton): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения.

86 время выключения; tвыкл (toff): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения.

87 время переключения; tпер (ttran): Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме переключения.

88 время задержки включения; tзд. вкл (tDHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 или на заданном уровне напряжения.

89 время задержки выключения; tзд. выкл (tDLH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,9 или на заданном уровне напряжения.

90 время задержки распространения при включении; tзд. р. вкл (tPHL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

91 время задержки распространения при выключении; tзд. р. выкл (tPLH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданном уровне напряжения.

92 время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние «Выключено»; tзд. р13 (tPHZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии «Выключено», измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

93 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние высокого уровня; tзд. р31 (tPZH): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

94 время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние «Выключено»; tзд. р03 (tPLZ): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии «Выключено», измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

95 время задержки распространения при переходе из состояния «Выключено» в состояние низкого уровня; tзд. р30 (tPZL): Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе микросхемы от напряжения в состоянии «Выключено» к напряжению низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

Примечание - Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе.

96 время нарастания входного сигнала; tнар. вх (tLH): Интервал времени нарастания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до 0,9 от заданного значения.

97 время спада входного сигнала; tсп. вх (tHL): Интервал времени убывания амплитуды входного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

98 время нарастания выходного сигнала; tнар. вых (tr): Интервал времени нарастания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 от заданного значения.

99 время спада выходного сигнала; tсп. вых (tf): Интервал времени убывания амплитуды выходного сигнала микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 от заданного значения.

100 время цикла; tц (tCY): Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которого микросхема выполняет одну из функций.

101 время цикла записи информации; tзп (tCYW): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет запись информации.

102 время цикла считывания информации; tсч (tCYR): Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого микросхема осуществляет считывание информации.

103 время выборки; tв (tA): Интервал времени, измеренный на заданных уровнях, между подачей сигнала на управляющий вход и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.

104 время установления входных сигналов; tуст (tSU): Интервал времени между началом сигнала на заданном входе и последующим активным переходом на другом заданном входе.

105 время удержания; tу (tH): Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном входе после переключения сигнала на другом заданном входе.

106 время восстановления; tвос (tREC): Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе микросхемы и началом заданного сигнала в следующем цикле.

107 время сохранения сигнала; tсх (tV): Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.

108 время хранения информации; tхр (tSG): Интервал времени, в течение которого микросхема в заданном режиме хранит информацию.

109 время установления выходного напряжения; tустU (tS): Интервал времени с момента достижения выходным напряжением уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданной величины.

110 время преобразования; tпрб (tc): Интервал времени от момента заданного изменения сигнала на входе до появления на выходе соответствующего параметра сигнала.

111 время успокоения выходного напряжения; tуспU (ttot): Интервал времени с момента достижения выходным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением микросхемы заданной величины.

112 время регенерации; tрег (tREF): Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической памяти до его первоначального значения.

113 длительность сигнала; \tau (tW): Интервал времени между заданными уровнями при нарастании и спаде импульса.

114 длительность сигнала низкого уровня; \tau_{\text{н}} (tWL): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

115 длительность сигнала высокого уровня; \tau_{\text{в}} (tWH): Интервал времени от момента перехода сигнала из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения.

116 период следования тактовых импульсов; TТ (TC): Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом периодических импульсов, измеренный на заданном уровне напряжения.

Коэффициенты

117 коэффициент усиления напряжения; КуU (AU): Отношение приращения выходного напряжения к приращению входного напряжения.

118 коэффициент усиления тока; КуI (AI): Отношение приращения выходного тока к приращению входного тока.

119 коэффициент усиления мощности; КуP (AP): Отношение приращения выходной мощности к приращению входной мощности.

120 коэффициент усиления синфазных входных напряжений; Ку. сф (AUC): Отношение приращения выходного напряжения к приращению синфазного входного напряжения.

121 коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля; Квл. и. п (KSVR): Отношение приращения напряжения смещения нуля к вызвавшему его приращению напряжения источника питания.

122 коэффициент умножения частоты; Кумнf (KMPYf): Отношение частоты выходного сигнала к частоте входного сигнала.

123 коэффициент деления частоты; Кделf (KDIVf): Отношение частоты входного сигнала к частоте выходного сигнала.

124 коэффициент подавления сигнала между каналами; Кпод (KDon): Отношение переменной составляющей коммутируемого входного напряжения открытого канала к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале.

125 коэффициент ослабления синфазных входных напряжений; Кос. сф (KCMR): Отношение коэффициента усиления напряжения к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.

126 коэффициент гармоник; Кг (Kh): Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник.

127 коэффициент нелинейности амплитудной характеристики; Кнл. А (Anla): Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону.

128 коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики; Кнр. АЧ (AFM): Отношение максимального значения выходного напряжения к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания.

129 коэффициент полезного действия; \eta (\eta) : Отношение выходной мощности микросхемы к потребляемой мощности.

130 коэффициент разделения каналов; Кразд (KdNC): Отношение выходного напряжения активного канала микросхемы (с сигналом на входе) к выходному напряжению пассивного канала микросхемы (при отсутствии входного сигнала).

131 коэффициент передачи; Кпер (KUP): Отношение приращения значения выходного напряжения к приращению значения входного напряжения.

132 коэффициент шума; Кш (Fn): Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот.

133 коэффициент преобразования; Кпрб (G): Отношение приращения параметра выходного сигнала к вызвавшему его приращению параметра входного сигнала.

134 температурный коэффициент входного тока; \alpha\text{Ι}_{\text{вх}} (\alpha\text{Ι}_{\text{Ι}}) : Отношение изменения входного тока к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

135 температурный коэффициент разности входных токов; \alpha\Delta\text{Ι}_{\text{вх}} (\alpha\text{Ι}_{IO}) : Отношение изменения разности входных токов к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

136 температурный коэффициент напряжения смещения нуля; \alpha U_{\text{см}} (\alpha U_{IO}) : Отношение изменения напряжения смещения нуля к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

137 температурный коэффициент опорного напряжения; \alpha U_{\text{оп}} (\alpha U_{REF}) : Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

138 температурный коэффициент выходного напряжения; \alpha U_{\text{вых}} (\alpha U_{O}) : Отношение изменения выходного напряжения к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды (корпуса).

139 коэффициент стоячей волны на входе; Кст. вх (SWRI): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны входного сигнала.

140 коэффициент стоячей волны на выходе; Кст. вых (SWRO): Отношение напряженности электрического поля в максимуме к напряженности электрического поля в минимуме стоячей волны выходного сигнала.

141 коэффициент сглаживания пульсаций; Ксг (KRR): Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты.

Параметры частоты

142 частота входного сигнала; fвх (fI): -

143 частота выходного сигнала; fвых (fO): -

144 частота генерирования; fг (fg): -

145 частота следования импульсов тактовых сигналов; fт (fC): -

146 частота коммутации; fком (fS): -

147 частота единичного усиления; f1 (f1): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения (при разомкнутой цепи обратной связи) равен единице.

148 частота полной мощности; fP (fP): Частота, на которой значение максимального выходного напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

149 полоса пропускания; \Delta f_{\text{пр}} (BW): Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления снижается не более чем на 3 дБ по сравнению с коэффициентом усиления на заданной частоте в пределах заданного диапазона

150 центральная частота полосы пропускания; fц (fc): Частота, равная половине суммы нижней и верхней граничных частот полосы пропускания микросхемы.

151 нижняя граничная частота полосы пропускания; fн (fL): Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

152 верхняя граничная частота полосы пропускания; fв (fH): Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте.

153 частота среза; fсрз (fCO): Частота, на которой коэффициент усиления напряжения при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается от значения на заданной частоте на 3 дБ.

154 диапазон частот; \Delta f (\Delta f) : Диапазон частот, в котором значение коэффициента преобразования остается в пределах, установленных в ТУ.

Прочие параметры

155 динамический диапазон по напряжению; \Delta U_{\text{дин}} (\Delta U_{dyn}) : Отношение максимального значения напряжения к минимальному значению напряжения.

156 дрейф выходного напряжения; \Delta U_{\text{вых}t} (\Delta U_{O(t)}) : Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения в течение заданного интервала времени.

157 дрейф опорного напряжения; \Delta U_{\text{оп}t} (\Delta U_{REF(t)}) : Наибольшее значение относительного изменения опорного напряжения в течение заданного интервала времени.

158 дрейф выходного тока; \Delta I_{\text{вых}t} (\Delta I_{O(t)}) : Наибольшее значение относительного изменения выходного тока в течение заданного интервала времени.

159 скорость нарастания выходного напряжения; VUвых (SR): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы.

160 максимальная скорость нарастания выходного напряжения; VUвых. макс (SRmax): Отношение изменения выходного напряжения от уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения.

161 нормированная электродвижущая сила шума; Eш. н (EnN): Отношение напряжения шума на выходе микросхемы в заданной полосе частот к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы частот измеряемого шума.

162 диапазон автоматической регулировки усиления; UАРУ (AGC): Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения к минимальному его значению при изменении входного управляющего напряжения в заданных пределах.

163 порог чувствительности; S (S): Наименьшее значение входного сигнала, при котором коэффициент преобразования принимает заданное значение.

164 индукция срабатывания; Bср (Bop): Наименьшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

165 индукция отпускания; Bотп (Brp): Наибольшее значение индукции внешнего магнитного поля, при котором происходит переход выходного напряжения от одного устойчивого состояния к другому.

166 крутизна проходной характеристики; Sп (STR): Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного напряжения в заданном электрическом режиме.

167 отношение сигнал/шум; Nс/ш (Nn): Отношение эффективного значения выходного напряжения, содержащего низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот.

168 фазовый сдвиг интегральной микросхемы; \phi_{\text{с}} (\phi_{\text{о}}) : Разность между фазами выходного и входного сигналов микросхемы на заданной частоте.

169 фазовая ошибка; \phi_{\text{ош}} (\phi_{err}) : Среднеквадратическое отклонение фазы выходного напряжения от значения фазы заданного входного сигнала.