ГОСТ Р 55993-2014/IEC/TS 61836:2007. Национальный стандарт Российской Федерации. Системы фотоэлектрические. Термины, определения и символы
(утв. и введен в действие Приказом Росстандарта от 08.04.2014 № 326-ст)
Примечание
Документ введен в действие с 01.01.2015.
Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 8 апреля 2014 г. № 326-ст
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ТЕРМИНЫ, ОПРЕДЕЛЕНИЯ И СИМВОЛЫ
Solar photovoltaic energy systems. Terms, definitions and symbols
IEC/TS 61836:2007 Solar photovoltaic energy systems — Terms, definitions and symbols (IDT)
ГОСТ Р 55993-2014/IEC/TS 61836:2007
Дата введения 1 января 2015 года
1 ПОДГОТОВЛЕН Федеральным государственным унитарным предприятием «Всероссийский научно-исследовательский институт стандартизации и сертификации в машиностроении» (ВНИИНМАШ)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 039 «Энергосбережение, энергетическая эффективность, энергоменеджмент»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 8 апреля 2014 г. № 326-ст
4 Настоящий стандарт идентичен международному документу IEC/TS 61836:2007 «Солнечные фотоэлектрические энергосистемы. Термины, определения и символы» (IEC/TS 61836:2007 «Solar photovoltaic energy systems — Terms, definitions and symbols»).
Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного документа для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5-2012 (пункт 3.5).
При применении настоящего стандарта рекомендуется использовать вместо ссылочных международных стандартов соответствующие им национальные стандарты Российской Федерации сведения о которых приведены в дополнительном приложении ДА
Правила применения настоящего стандарта установлены в ГОСТ Р 1.0-2012 (раздел 8). Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (gost.ru)
Настоящий стандарт распространяется на солнечные фотоэлектрические (ФЭ) системы и устанавливает термины, определения и обозначения, применяемые в международных и национальных документах в области солнечных фотоэлектрических систем.
В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующий стандарт:
МЭК 60904-3:1989 Приборы фотоэлектрические. Часть 3. Принципы измерения параметров наземных фотоэлектрических солнечных приборов со стандартными характеристиками спектральной плотности интенсивности падающего излучения (IEC 60904-3:1989, Photovoltaic devices — Part 3: Measurement principles for terrestrial photovoltaic (PV) solar devices with reference spectral irradiance data)
3 Словарь терминов и определений для солнечных фотоэлектрических энергетических систем
3.1 Солнечные фотоэлектрические элементы и модули
Данный подраздел содержит словарь, относящийся к фотоэлектрическим материалам, фотоэлектрическим элементам и фотоэлектрическим модулям. Другие фотоэлектрические компоненты описаны в 3.2. Фотоэлектрические системы описаны в 3.3.
| 3.1.1 аморфные фотоэлектрические вещества: Твердые вещества в полустабильном состоянии без длительного периода стабильности атомной структуры. | amorphous photovoltaic material |
| 3.1.2 аморфный кремний См. «кремний/аморфный кремний», 3.1.58a). | amorphous silicon |
| 3.1.3 просветляющее покрытие: Слой, которым покрыта поверхность ФЭ элемента для уменьшения потерь при отражении. | anti-reflective coating |
| 3.1.4 эффект поля тыльной поверхности См. «эффект/эффект поля тыльной поверхности», 3.1.25a). | back surface field effect |
| 3.1.5 энергия запрещенной зоны, eV: Количество энергии, необходимое для вывода электрона из состояния валентного электрона в состояние свободного электрона. | band gap energy |
| 3.1.6 энергия барьера, eV: Энергия, выделяемая электроном при проникновении через барьер ФЭ элемента. | barrier energy |
| Примечание — Энергия барьера — значение электростатического потенциала барьера. | |
| 3.1.7 магистраль (шина) См. «линия металлизации/шина (фотоэлектрических элементов)», 3.1.37a). | bus lines |
| 3.1.8 обходной диод (на уровне элемента): Диод, подсоединенный через один или несколько ФЭ элементов по направлению электрического тока, с целью позволить электрическому току ФЭ модуля обойти элементы для предотвращения короткого замыкания или повреждения от перегрева в результате обратного напряжения от других элементов модуля. | bypass diode (on a module level) |
| 3.1.9 элемент См. «фотоэлектрический/фотоэлектричество», 3.1.43a). Для описания структуры ФЭ элементов и веществ использованы следующие термины с соответствующими определениями: | cell |
| a) фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS: ФЭ элемент из диселенида меди и индия (CuInSe2, сокращенно CIS) — главный составляющий материал (тонкая пленка); | CIS photovoltaic cell |
| b) сложный полупроводниковый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из составного полупроводника, содержащего такие разные химические элементы, как GaAs (III — V соединения), CdS/CdTe (II — VI соединения), CdS/CuInSe2 и т.д.; | compound semiconductor photovoltaic cell |
| c) фотоэлектрический элемент с концентратором См. «фотоэлектрический элемент с концентратором», 3.8.5a); | concentrator photovoltaic cell |
| d) цветочувствительный фотоэлектрический элемент: Фотоэлектрохимическое устройство, использующее два электрода, молекулы красителя и электролит; | dye-sensitized photovoltaic cell |
| e) фотоэлектрический элемент интегрированного типа: Несколько ФЭ элементов, объединенных в группу на общей основе таким образом, что они представляют собой один элемент. | integrated type photovoltaic cell |
| Примечание 1 — Фотоэлектрический элемент интегрированного типа может иметь пакетную или параллельную конфигурацию; | |
| f) многопереходный фотоэлектрический элемент См. «элемент/пакетный фотоэлектрический элемент», 3.1.9k); | multijunction photovoltaic cell |
| g) органический фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, изготовленный из органических веществ, а именно: полимеров и/или мономеров (тонкая пленка); | organic photovoltaic cell |
| h) фотоэлектрический элемент с P-N переходом: ФЭ элемент, использующий P-N переход. | PN junction photovoltaic cell |
| Примечание 2 — См. также «P-N переход», 3.1.34f); | |
| i) фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки: ФЭ элемент, использующий переход Шоттки в приконтактном слое металла и полупроводника; | Schottky barrier photovoltaic cell |
| j) кремниевый фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, основную часть которого составляет кремний; | silicon photovoltaic cell |
| k) пакетный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из слоев разных ФЭ ячеек с разными оптическими свойствами, где падающий свет поглощается элементами каждого уровня; | stacked photovoltaic cell |
| l) тандемный фотоэлектрический элемент: Общепринятое наименование для пакета из двух или более ФЭ элементов, расположенных последовательно; | tandem photovoltaic cell |
| m) тонкопленочный фотоэлектрический элемент: ФЭ элемент, состоящий из тонких слоев полупроводникового материала. | thin film photovoltaic cell |
| Примечание 3 — См. также «кремний/поликристаллический кремний», 3.1.58e). | |
| 3.1.10 барьер элемента: Очень тонкий электропотенциальный барьер у области между слоями P-типа и N-типа ФЭ элемента. | cell barrier |
| Примечание 1 — Барьер элемента также может иметь наименование «область обеднения». Примечание 2 — Электропотенциальный барьер — это область, где сильное электрическое поле препятствует прохождению заряженных частиц в направлении, обусловленном знаком их электрического заряда. | |
| 3.1.11 P-N переход элемента См. «P-N переход/P-N переход элемента», 3.1.34a). | cell junction |
| 3.1.12 фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия; CIS См. «элемент/фотоэлектрический элемент из селенида меди и индия (CIS)», 3.1.9a). | CIS photovoltaic cell |
| 3.1.13 составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент См. «элемент/составной полупроводниковый фотоэлектрический элемент», 3.1.9b). | compound semiconductor photovoltaic cell |
| 3.1.14 коэффициент полезного действия, %: Отношение количества электроэнергии, генерируемой ФЭ устройством на единицу рабочей поверхности, к значению освещенности, полученному при измерении в стандартных условиях испытаний (СУИ). | conversion efficiency |
| Примечание — См. также «условия/стандартные тестовые условия», 3.4.16e). | |
| 3.1.15 кристаллический кремний См. «кремний/кристаллический кремний», 3.1.58b). | crystalline silicon |
| 3.1.16 ток Для ФЭ устройств и соответствующих статей см. «фотоэлектрический/фотоэлектрический ток», 3.1.43b). | current |
| Примечание — Электрический термин «ток» — понятие многозначное. | |
| 3.1.17 метод Чохральского См. «процесс выращивания кристалла/метод Чохральского», 3.1.32a). | Czochralski process |
| 3.1.18 темновой ток, А: Электрический ток, остающийся в ФЭ устройстве, когда входящее излучение равно нулю. | dark current |
| 3.1.19 устройство См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическое устройство», 3.1.43c). | device |
| 3.1.20 диффузионный слой: Часть P-слоя или N-слоя, возникшего из-за диффузии примеси для образования P-N перехода. | diffusion layer |
| 3.1.21 направленная кристаллизация См. «процесс выращивания кристалла/направленная кристаллизация», 3.1.32b). | directional solidification |
| 3.1.22 донор (в фотоэлектрических элементах): Примесь (например, фосфор в случае кремния), которая поставляет дополнительный электрон в сбалансированную без нее кристаллическую структуру. | donor (in photovoltaic cells) |
| 3.1.23 примесь (в фотоэлектрических элементах): Химический элемент, в небольших количествах добавляемый к полупроводнику для изменения его электрических свойств. | dopant (in photovoltaic cells) |
| Примечание 1 — N-примесь добавляет больше электронов, чем требуется для структуры вещества (например, для этого добавляют фосфор к кремнию). Примечание 2 — P-примесь создает нехватку электронов в структуре вещества (например, для этого добавляют бор к кремнию). | |
| 3.1.24 цветочувствительный фотоэлектрический элемент См. «элемент/цветочувствительный фотоэлектрический элемент», 3.1.9d). | dye-sensitized photovoltaic cell |
| 3.1.25 эффект См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический эффект», 3.1.43d). | effect |
| a) эффект поля тыльной поверхности: Эффект, при котором носители заряда, сгенерированные у тыльной поверхности ФЭ элемента, эффективно собираются внутренним электрическим полем, образованным сильно легированной зоной у тыльного электрода. | back-surface field effect |
| b) эффект удержания света: Эффект, при котором увеличивается сила электрического тока в замкнутом контуре за счет улавливания падающего света внутри ФЭ элемента с помощью текстурированных поверхностей, структур и т.д. | light-confinement effect |
| 3.1.26 электромагнитное литье См. «процесс выращивания кристалла/электромагнитное литье», 1.3.32c). | |
| electromagnetic casting 3.1.27 запрещенная зона, eV: Область значений энергии, которыми не может обладать электрон в идеальном (бездефектном) кристалле. | [IEV 111-14-37] |
| energy gap Примечание — См. также «энергетическая щель». | 3.1.28 зонная плавка |
| См. «процесс выращивания кристалла/зонная плавка», 3.1.32d). | |
| float zone melting 3.1.29 линии сети | См. «линии металлизации/линии сети», 3.1.37b). |
| grid lines 3.1.30 гетеропереход | См. «P-N переход/гетеропереход», 3.1.34b). |
| heterojunction 3.1.31 местный перегрев: Интенсивное локальное повышение температуры, происходящее в ФЭ модуле, когда значение силы его рабочего тока превышает значение ограниченной силы тока короткого замыкания неисправного ФЭ элемента или группы ячеек внутри него. | hot spot |
| Примечание — При местном перегреве, подвергшийся его воздействию элемент или группа ячеек переходит в реверсивный режим и начинает отдавать энергию, что приводит к перегреву. Напряжения смещения или повреждение вызывают создание локального шунта, который проводит значительную часть тока ФЭ модуля. | 3.1.32 процесс выращивания кристалла: Процесс, посредством которого выращивается кристалл. |
| ingot manufacturing process | |
| a) метод Чохральского: Процесс выращивания совершенного крупного монокристалла посредством медленного вытягивания вверх вращающегося затравочного кристалла от вращающейся в противоположную сторону расплавленной кремниевой основы. | Czochralski process |
| Примечание 1 — Метод Чохральского позволяет производить цилиндрические слитки кремния, которые могут быть разрезаны на пластины круглого или псевдоквадратного сечения; | b) направленная кристаллизация: Метод создания крупнозернистых слитков поликристаллического кремния путем контроля скорости охлаждения расплавленного кремния в тигле квадратного сечения. |
| directional solidification | |
| Примечание 2 — Направленная кристаллизация позволяет производить слитки кремния квадратного сечения, которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения; | c) электромагнитное литье: Метод производства слитков поликристаллического кремния, при котором находящийся под напряжением холодный тигель квадратного сечения с открытым дном постоянно протягивается вниз сквозь электромагнитное поле. |
| electromagnetic casting | |
| Примечание 3 — Электромагнитное литье позволяет производить слитки кремния квадратного сечения, которые могут быть разрезаны на пластины квадратного или прямоугольного сечения; | d) метод зонной плавки: Метод выращивания и очищения высококачественных монокристаллических слитков. |
| float zone melting | |
| 3.1.33 фотоэлектрический элемент интегрированного типа | См. «элемент/элемент интегрированного типа», 3.1.9e). |
| integrated type photovoltaic cell 3.1.34 переход (полупроводниковый): Переходный слой между полупроводниковыми областями с разными электрическими свойствами или между полупроводником и слоем другого типа, характеризующийся потенциальным барьером, препятствующим проникновению носителей заряда из одной области в другую. | junction (of semiconductors) |
| a) P-N переход в солнечном элементе: Переход между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа в ФЭ элементе. | cell junction |
| Примечание 1 — P-N переход в солнечном элементе расположен в пределах барьера или бедной носителями области перехода; | b) гетеропереход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок и по атомному составу; |
| heterojunction | |
| c) однородный переход: P-N переход, в котором две области различаются по проводимостям добавок, но не по атомному составу; | homojunction |
| d) барьер Шоттки [переход Шоттки]: Переход между металлом и полупроводником, где область перехода, формирующаяся у поверхности полупроводника, действует в качестве выпрямляющего барьера; | Schottky barrier, Schottky junction |
| e) PIN переход: Переход, состоящий из внутреннего полупроводника между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа, предназначенный для ограничения рекомбинации носителей заряда. | PIN junction |
| Примечание 2 — PIN переход широко используется в тонкопленочных ФЭ элементах из аморфного кремния. | f) P-N переход: Переход между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа. |
| P-N junction | |
| 3.1.35 эффект удержания света | См. «эффект/эффект удержания света», 3.1.25b). |
| light confinement effect 3.1.36 материал | См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический материал», 3.1.43e) |
| material 3.1.37 линия металлизации: Металлический проводник на фронтальной или в тыльной части ФЭ элемента, предназначенный для отвода электрического тока, вырабатываемого ФЭ элементом. | metallisation line |
| Примечание 1 — Линия металлизации может быть создана различными способами. | Линии металлизации бывают двух типов: |
| a) шина (фотоэлектрических элементов): Линия металлизации с площадью поперечного сечения большей, чем у линий сетки, подсоединенная к линиям сетки и предназначенная для передачи их электрического тока к проводам или ленточным кабелям, соединяющим один ФЭ элемент с другими. | |
| bus bar (of photovoltaic cells) | |
| Примечание 2 — Соединительные кабели соединяются с шиной пайкой или электросваркой. | b) линия сетки: Линия металлизации, предназначенная для сбора электрического тока с поверхности полупроводника ФЭ элемента. |
| grid line | |
| 3.1.38 микрокристаллический кремний | См. «кремний/микрокристаллический кремний», 3.1.58c). |
| microcrystalline silicon 3.1.39 модуль | См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический модуль», 3.1.43f). |
| module 3.1.40 мультикристаллический кремний | См. «кремний/мультикристаллический кремний», 3.1.58d). |
| multicrystalline silicon 3.1.41 многопереходный фотоэлектрический элемент | См. «элемент/многопереходный фотоэлектрический элемент», 3.1.9f). |
| multijunction photovoltaic cell 3.1.42 органический фотоэлектрический элемент | См. «элемент/органический фотоэлектрический элемент», 3.1.9g). |
| organic photovoltaic cell 3.1.43 фотоэлектрический, фотоэлектричество (ФЭ): Электрические явления, вызванные фотоэлектрическим эффектом. См. также «фотоэлектрический», 3.2.21 и 3.3.56. | photovoltaic, photovoltaics PV |
| a) фотоэлектрический элемент: Наиболее элементарное фотоэлектрическое устройство. | photovoltaic cell |
| Примечание 1 — В солнечных ФЭ энергетических системах «фотоэлектрический элемент» может иметь наименование также «солнечный фотоэлектрический элемент», в разговорной речи допускается наименование «солнечный элемент»; | b) фотоэлектрический ток, А: Постоянный электрический ток, вырабатываемый фотоэлектрическим устройством. |
| photovoltaic current | |
| Примечание 2 — См. также «темновой ток», 3.1.18; | c) фотоэлектрическое устройство: Компонент, который демонстрирует фотоэлектрический эффект. |
| photovoltaic device | |
| Примечание 3 — Примеры фотоэлектрических устройств включают в себя фотоэлектрический элемент, модуль или установку; | d) фотоэлектрический эффект: Выбивание электронов из атомов и выработка напряжения постоянного тока путем поглощения фотонов. |
| photovoltaic effect | |
| Примечание 4 — В настоящее время фотоэлектрический эффект производится специально созданными полупроводниками в результате прямого нетермического преобразования солнечной лучистой энергии в электрическую энергию; | e) фотоэлектрический материал: Материал, который демонстрирует фотоэлектрический эффект; |
| photovoltaic material | |
| f) фотоэлектрический модуль: Полная и защищенная от воздействий внешней среды совокупность взаимосвязанных фотоэлектрических элементов. | photovoltaic module |
| Примечание 5 — Фотоэлектрические модули могут быть собраны в фотоэлектрические панели и фотоэлектрические установки. См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическая панель» (3.3.56e) и «фотоэлектрический/фотоэлектрическая установка» (3.3.56a). | 3.1.44 PIN переход |
| См. «переход/PIN переход», 3.1.34e). | |
| PIN junction 3.1.45 P-N переход | См. «переход/P-N переход», 3.1.34f). |
| PN junction 3.1.46 фотоэлектрический элемент с P-N переходом | См. «элемент/элемент с P-N переходом», 3.1.9h). |
| PN junction photovoltaic cell 3.1.47 поликристаллический кремний | См. «кремний/поликристаллический кремний», 3.1.58e). |
| polycrystalline silicon 3.1.48 мощность, Вт: Величина, определяемая значением передачи или преобразования энергии или произведенной работы за единицу времени. | power |
| Примечание — Часто под мощностью неправильно понимают «электричество». | 3.1.49 первичный эталонный фотоэлектрический элемент |
| См. «эталонный фотоэлектрический элемент/первичный эталонный фотоэлектрический элемент», 3.1.50a). | |
| primary reference photovoltaic cell 3.1.50 эталонный фотоэлектрический элемент: Специально калиброванный ФЭ элемент, используемый для измерения освещенности или настройки имитируемых уровней освещенности в целях компенсации неэталонного спектрального распределения освещенности; | reference photovoltaic cell |
| a) первичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калибровка которого проведена с помощью радиометра или стандартного детектора, соответствующего стандарту Мирового радиометрического эталона (МРЭ); | primary reference photovoltaic cell |
| b) вторичный эталонный фотоэлектрический элемент: Эталонный ФЭ элемент, калиброванный при естественном или искусственном солнечном свете относительно первичного эталонного элемента. | secondary reference photovoltaic cell |
| 3.1.51 эталонное фотоэлектрическое устройство: Эталонный ФЭ элемент, представляющий собой совокупность множественных эталонных элементов или эталонный модуль. | reference photovoltaic device |
| 3.1.52 эталонный фотоэлектрический модуль: Специально калиброванный ФЭ модуль, используемый для измерения освещенности или для установки имитационных уровней освещенности в целях измерения эксплуатационных характеристик других модулей с аналогичными спектральной чувствительностью, оптическими характеристиками, размерами и электрической схемой. | reference photovoltaic module |
| 3.1.53 лента: Тонкая полоса из кристаллического или поликристаллического материала, изготовленная непрерывным методом путем вытягивания из расплавленного кремния. | ribbon |
| 3.1.54 фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки | См. «элемент/фотоэлектрический элемент с барьером Шоттки», 3.1.9i). |
| Schottky barrier photovoltaic cell 3.1.55 переход Шоттки | См. «переход, Барьер Шоттки», 3.1.34d) |
| Schottky junction 3.1.56 вторичный эталонный фотоэлектрический элемент | См. «эталонный фотоэлектрический элемент/вторичный эталонный фотоэлектрический элемент», 3.1.50b). |
| secondary reference photovoltaic cell 3.1.57 полупроводниковый материал: Материал, проводимость которого из-за носителей заряда обоих знаков, как правило, находится в области между проводниками и изоляторами и в котором концентрация носителей заряда может изменяться в результате внешних воздействий. | semiconductor material |
| Примечание 1 — Термин «полупроводник», как правило, используют там, где носителями заряда выступают электроны или дырки (атом в отсутствие одного или нескольких электронов). | Примечание 2 — Для увеличения проводимости, значения подаваемой энергии должны превышать значения энергии в запрещенной зоне. См. также «значения энергии в запрещенной зоне», 3.1.5. |
| Примечание 3 — Полупроводники из таких доступных на сегодняшний день материалов, как кремний, арсенид галлия, теллурид кадмия и медно-галлиевый диселенид, хорошо подходят для использования в ФЭ процессах. 3.1.58 кремний, Si: Химический элемент, способный проявлять свойства металлов, с атомным номером 14, широко используемый в качестве полупроводникового материала, как правило, входящий в состав песка и кварца в форме оксида и часто применяемый в ФЭ элементах. silicon | |
| Примечание 1 — Кремний кристаллизуется в гранецентрированную кубическую кристаллическую решетку подобно алмазу. | Примечание 2 — Данные термины относятся к материалам, пластинам, элементам и модулям. |
| a) аморфный кремний; a-Si, a-Si:H: Гидрированный некристаллический кремниевый сплав в полустабильном состоянии, присаженный на чужеродный субстрат толщиной порядка 1 мкм; amorphous silicon | |
| b) кристаллический кремний; c-Si: Общая категория кремниевых материалов с кристаллической структурой, т.е. демонстрирующих порядок решетки, характерный для атомов кремния; | crystalline silicon |
| c) микрокристаллический кремний; \mu c - Si : Гидрированный кремниевый сплав, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка 1 мкм с зернами кристаллической структуры < 1 мкм; | microcrystalline silicon |
| d) мультикристаллический кремний; mc-Si: Кремниевый материал, затвердевший с такой скоростью, что сформировались многочисленные крупные монокристаллы (называемые кристаллитами, размером от 1 до 10 мм). | multicrystalline silicon |
| Примечание 3 — Атомы каждого кристаллита расположены симметрично, однако собственно они размещены беспорядочно. | Примечание 4 — Часто изготавливают в виде отлитой заготовки или тянутой ленты; |
| e) поликристаллический кремний; pc-Si: Кремниевый материал, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка от 10 до 30 мкм с зерном размером от 1 мкм до 1 мм. polycrystalline silicon | |
| Примечание 5 — Поликристаллический кремний известен как тонкопленочный pc-Si. | Примечание 6 — Поликристаллический кремний — это также термин, используемый в процессе производства сырьевого кремния; |
| f) монокристаллический кремний; \mu c - Si : Кремниевый материал, характеризующийся порядком и периодичностью расположения атомов таким образом, что все они имеют лишь одну ориентацию в кристалле, т.е. все атомы симметричны. single crystalline silicon. | |
| Примечание 7 — Монокристаллический кремний известен как монокристаллический проводник. | g) солнечный фотоэлектрический кремний; SPG: Исходный материал высокой химической чистоты, предназначенный для выращивания заготовок из кристаллического кремния. |
| solar photovoltaic grade silicon | |
| 3.1.59 кремниевый фотоэлектрический элемент | См. «элемент/кремниевый фотоэлектрический элемент», 3.1.9j). |
| silicon photovoltaic cell 3.1.60 монокристаллический кремний | См. «кремний/монокристаллический кремний», 3.1.58f). |
| single crystalline silicon 3.1.61 солнечный фотоэлектрический, солнечные фотоэлектрические устройства: Относится к ФЭ устройствам, на которые воздействует солнечный свет. | solar photovoltaic, solar photovoltaics |
| Примечание — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», даны под соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43, 3.2.21, и 3.3.56). | 3.1.62 скомпонованные фотоэлектрические элементы |
| См. «элемент/пакетный фотоэлектрический элемент», 3.1.9k). | |
| stacked photovoltaic cell 3.1.63 фотоэлектрический элемент с несколькими P-N переходами | См. «элемент/тандемный фотоэлектрический элемент, 3.1.9l).» |
| tandem photovoltaic cell 3.1.64 прозрачный проводящий оксидный слой (прозрачный проводящий оксид); TCO: Прозрачный проводящий оксид, используемый в электроде тонкопленочных ФЭ элементов. | transparent conducting oxide layer |
| Примечание — См. также «прозрачный электрод», 3.1.67. | 3.1.65 текстурированная поверхность: Неровная структура, образованная на передней или тыльной поверхности ФЭ элемента для увеличения поглощения света путем снижения потерь отражения от поверхности и использования эффекта удержания света. |
| textured surface | |
| 3.1.66 тонкопленочный фотоэлектрический элемент | См. «элемент/тонкопленочный фотоэлектрический элемент», 3.1.9m). |
| thin film photovoltaic cell 3.1.67 прозрачный электрод: Тонкопленочный электрод с высокой электрической проводимостью и высокой оптической прозрачностью, находящийся на ФЭ элементе. | transparent electrode |
| 3.1.68 пластина: Отрезок полупроводникового материала, формирующий механическую и электрическую основу кристаллического ФЭ элемента. | wafer |
| 3.2 Компоненты солнечных фотоэлектрических систем | |
Данный подраздел включает в себя словарь, относящийся к компонентам фотоэлектрических систем за исключением фотоэлектрических модулей (см. 3.1). Фотоэлектрические системы описаны в подразделе 3.3.
| 3.2.1 установка См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическая установка», 3.3.56a). | array |
| 3.2.2 кабель установки См. «фотоэлектрический/кабель фотоэлектрической установки», 3.2.21a). | array cable |
| 3.2.3 ответвительная коробка установки См. «ответвительная коробка/ответвительная коробка установки», 3.2.16a). | array junction box |
| 3.2.4 автоматический запуск/остановка: Функция для автоматического запуска и/или остановки источника стабилизированного питания в зависимости от выходных параметров ФЭ установки. | automatic start/stop |
| 3.2.5 блокировочный диод: Диод, последовательно подключенный к ФЭ модулю, панели, подсистемам установки или к собственно установке для блокирования обратного электрического тока в этом модуле, панели, подсистеме установки или в собственно установке. | blocking diode |
| 3.2.6 шунтирующий диод (на уровне фотоэлектрической системы): Диод, включенный параллельно одному или нескольким ФЭ модулям по направлению электрического тока, с целью создать контур для тока в обход модулю для предотвращения перегрева и возгорания от возможной переполюсовки и обратного напряжения соседнего модуля в ФЭ установке. | bypass diode (on a PV system level) |
| Примечание — Шунтирующий диод на уровне ФЭ системы известен также как системный шунтирующий диод или обходное устройство. | |
| 3.2.7 коммутация [статические инверторы]: Контроль формы сигнала переменного тока на выходе источника стабилизированного питания. | commutation [static inverters] |
| Условия коммутации для источников стабилизированного питания перечислены ниже: | |
| a) коммутация линии: Тип внешней коммутации, где дополнительное напряжение подается из «линии», которая представляет собой электрическую сеть; | line commutation |
| b) тип коммутации линии: Источник стабилизированного питания, работающий с коммутацией линии; | line commutation type |
| c) самокоммутация: Тип коммутации, при котором дополнительное напряжение подается компонентами внутри конвертора или электронным выключателем; | self-commutation |
| d) тип самокоммутации: Источник стабилизированного питания, работающий с самокоммутацией. | self-commutation type |
| 3.2.8 инвертор типа регулирования источника тока См. «инвертор/инвертор регулирования тока», 3.2.15a). | current control type inverter |
| 3.2.9 инвертор тока жесткого типа См. «инвертор/инвертор тока жесткого типа», 3.2.15b). | current stiff type inverter |
| 3.2.10 преобразователь постоянного тока: Компонент ФЭ системы, преобразующий выходное напряжение ФЭ установки в готовое к использованию напряжение постоянного тока. | DC conditioner |
| 3.2.11 главный кабель постоянного тока См. «фотоэлектрический/главный фотоэлектрический кабель постоянного тока», 3.2.21b). | DC main cable |
| 3.2.12 ответвительная коробка генератора См. «ответвительная коробка/ответвительная коробка генератора», 3.2.16b). | generator junction box |
| 3.2.13 инвертор высокочастотного типа См. «инвертор/инвертор высокочастотного типа», 3.2.15f). | high frequency link type inverter |
| 3.2.14 рабочий диапазон входного напряжения, В: Диапазон значений входного напряжения постоянного тока, при которых источник стабилизированного питания работает стабильно. | input voltage operating range |
| 3.2.15 инвертор: Преобразователь электрической энергии, а именно преобразователь постоянного электрического тока в однофазный или многофазный переменный ток. | inverter |
| Примечание 1 — Инвертор — один из ряда компонентов, которые относятся к термину «источник стабилизированного питания». | |
| a) регулирующий ток инвертор: Инвертор с электрическим током на выходе, график которого имеет вид синусоиды определенной формы в результате воздействия широтно-импульсной модуляции (PWM) или других аналогичных систем регулирования; | current control inverter |
| b) инвертор тока жесткого типа: Инвертор, имеющий на входе непрерывно подаваемый постоянный электрический ток; | current stiff inverter, current stiff type inverter |
| c) подключенный к сети инвертор: Инвертор, который может работать параллельно с системой распределения и передачи по электрической сети. | grid-connected inverter |
| Примечание 2 — Подключенный к сети инвертор также может быть назван взаимодействующим с сетью или сетевым; | |
| d) ведомый сетью инвертор: Подключенный к сети инвертор, который работает только в режиме ведомого сетью; | grid-dependent inverter |
| e) взаимодействующий с сетью инвертор: Подключенный к сети инвертор, который способен работать как в автономном, так и в параллельном режимах. | grid-interactive inverter |
| Примечание 3 — Взаимодействующий с сетью инвертор начинает работу в параллельном сети режиме; | |
| f) инвертор высокочастотного типа: Инвертор с высокочастотным преобразователем для разделения токов на входе и выходе инвертора; | high frequency link inverter, high frequency link type inverter |
| g) инвертор модуля: Инвертор, подключенный к выходу отдельного ФЭ модуля. | module inverter |
| Примечание 4 — Инвертор модуля, как правило, подключен к тыльной части модуля; | |
| h) инвертор с системой защиты от аварийных режимов: Инвертор, который перестает поставлять энергию в систему распределения электричества, если она выходит за пределы рабочих значений по напряжению и/или частоте; | non-islanding inverter |
| i) автономный инвертор: Инвертор, который питает нагрузку, не будучи подключенным к системе распределения или транспортировки энергии по электрической сети. | stand-alone inverter |
| Примечание 5 — Автономный инвертор также известен как «аккумуляторный инвертор»; | |
| j) инвертор для цепи: Инвертор, предназначенный для работы с одной цепью ФЭ устройств. | string inverter |
| Примечание 6 — Выход переменного тока инвертора для цепи может быть параллельно соединен с выходами других инверторов для цепи; | |
| k) инвертор бестрансформаторного типа: Инвертор без разделительного трансформатора; | transformerless inverter, transformerless type inverter |
| l) тип инвертора для тока промышленной частоты: Инвертор с трансформатором для выделения промышленной частоты на выходе; | utility frequency link inverter, utility frequency link type inverter |
| m) общий интерактивный инвертор: Инвертор, используемый параллельно с системой распределения и транспортировки энергии по электрической сети для снабжения потребителя, который может поставлять электроэнергию в данную систему распределения и транспортировки; | utility interactive inverter |
| n) тип инвертора, управляемого напряжением: Инвертор, график напряжения на выходе которого имеет вид синусоиды особой формы, обусловленный широтно-импульсным модулятором (PWM) и т.д.; | voltage control inverter |
| o) инвертор напряжения жесткого типа: Инвертор, имеющий на входе непрерывно подаваемое напряжение постоянного тока. | voltage stiff inverter, voltage stiff type inverter |
| 3.2.16 распределительная коробка: Закрытая или защищенная конструкция, внутри которой находится электрическое соединение схем. | junction box |
| a) распределительная коробка установки: Распределительная коробка, где соединяются последовательности ФЭ элементов; | array junction box |
| b) распределительная коробка генератора: Распределительная коробка, где соединяются ФЭ установки. | generator junction box |
| 3.2.17 кислотно-свинцовая батарея: Вторичная батарея с жидким электролитом на основе разбавленной серной кислоты с анодом из диоксида свинца и катодом из свинца. | lead-acid battery |
| Примечание 1 — Под термином «вторичная» подразумевают подзаряжаемую батарею. Примечание 2 — Кислотно-свинцовые батареи широко используют в автономных ФЭ системах. | |
| a) кислотно-свинцовая батарея для ФЭ систем: Общий термин для кислотно-свинцовых батарей, используемых в автономных ФЭ системах. | lead-acid battery for PV systems |
| Примечание 3 — Под кислотно-свинцовой батареей в ФЭ системах понимают батарею кислотно-свинцовых электрохимических аккумуляторов, созданных для соответствия требованиям к качеству ФЭ системы. Примечание 4 — Кислотно-свинцовую батарею в ФЭ системах нередко называют «ФЭ батареей». | |
| b) кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой: Герметичная кислотно-свинцовая батарея, где кислород, вырабатываемый на аноде, абсорбируется на пластинах катода, подавляя тем самым образование водорода. | valve regulated lead-acid battery |
| Примечание 5 — Кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой оснащена клапаном, чтобы выпускать газ из батареи, когда его давление в электрохимическом аккумуляторе сильно возрастает; | |
| c) кислотно-свинцовая батарея открытого типа: Кислотно-свинцовая батарея с открывающейся крышкой для выпуска газа, вырабатывающегося в процессе зарядки. | vented lead-acid battery |
| 3.2.18 коммутация линии См. «коммутация/коммутация линии», 3.2.7a). | line commutation |
| 3.2.19 тип коммутации линии См. «коммутация/тип коммутации линии», 3.2.7b). | line commutation type |
| 3.2.20 инвертор с системой защиты от аварийных режимов См. «инвертор/инвертор с системой защиты от аварийных режимов», 3.2.15h). | non-islanding inverter |
| 3.2.21 фотоэлектрический: Общепринятые компоненты проводки ФЭ системы, описываемые терминами в 3.1.43 и 3.3.56, а также следующими терминами: | photovoltaic |
| a) кабель фотоэлектрической установки: Электрический кабель, соединяющий ФЭ установки друг с другом; | photovoltaic array cable |
| b) главный фотоэлектрический кабель постоянного тока: Кабель, соединяющий распределительную коробку генератора и инвертор; | photovoltaic DC main cable |
| c) кабель фотоэлектрической последовательности: Кабель, соединяющий вместе ФЭ модули для образования ФЭ последовательности; | photovoltaic string cable |
| d) фотоэлектрический питающий кабель: Кабель, соединяющий инвертор с распределительной схемой электрической установки. | photovoltaic supply cable |
| 3.2.22 источник стабилизированного питания: Оборудование, применяемое для преобразования электрической энергии в форму, пригодную для последующего использования. | power conditioner |
| Примечание 1 — Термин «источник стабилизированного питания» часто используют для обозначения блока оборудования, включающего в себя инвертор в сочетании с прочими электрическими подсистемами регулирования. Примечание 2 — См. также «подсистема/подсистема источника стабилизированного питания» (3.3.75c), и «инвертор» (3.2.15). | |
| 3.2.23 контроль широтно-импульсной модуляции; контроль ШИМ (PWM): Контроль импульсов, при котором ширина или частота импульса (или и то, и другое) модулируется в течение каждого основного периода для создания сигнала определенной формы. [МЭК 551-16-30] | pulse width modulation control |
| 3.2.24 самокоммутация См. «коммутация/самокоммутация», 3.2.7c). | self-commutation |
| 3.2.25 тип самокоммутации См. «коммутация/тип самокоммутации», 3.2.7d). | self-commutation type |
| 3.2.26 мягкий старт: Функция, позволяющая предотвратить посадку напряжения на нагрузке или в электрической энергетической системе, которая может быть вызвана переменным током на выходе запускающегося или перезапускающегося источника стабилизированного питания. | soft-start |
| 3.2.27 солнечный фотоэлектрический См. «фотоэлектрический», 3.1.43. | solar photovoltaic |
| Примечание — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», перечислены под своими соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43, 3.2.21, и 3.3.56). | |
| 3.2.28 автономный инвертор См. «инвертор/автономный инвертор», 3.2.15i). | stand-alone inverter |
| 3.2.29 кабель последовательности См. «фотоэлектрический/кабель фотоэлектрической последовательности», 3.2.21c). | string cable |
| 3.2.30 инвертор для цепи См. «инвертор/инвертор для цепи», 3.2.15j). | string inverter |
| 3.2.31 питающий кабель См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический питающий кабель», 3.2.21d). | supply cable |
| 3.2.32 опорная конструкция: Конструкция, которая поддерживает размещенные на ней ФЭ модули, панели или установки. | support structure |
| 3.2.33 инвертор бестрансформаторного типа См. «инвертор/бестрансформаторный инвертор», 3.2.15k). | transformerless type inverter |
| 3.2.34 тип инвертора для тока промышленной частоты См. «инвертор/инвертор тока промышленной частоты», 3.2.15l). | utility frequency link type inverter |
| 3.2.35 инвертор, подключенный к сети См. «инвертор/инвертор, подключенный к сети», 3.2.15m). | utility interactive inverter |
| 3.2.36 сетевой разъединитель интерфейса: Выключатель интерфейса между ФЭ системой и сетью. | utility interface disconnect switch |
| 3.2.37 кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой См. «кислотно-свинцовая батарея/кислотно-свинцовая батарея с клапанной регулировкой», 3.2.17b). | valve regulated lead-acid battery |
| 3.2.38 кислотно-свинцовая батарея открытого типа См. «кислотно-свинцовая батарея/кислотно-свинцовая батарея открытого типа», 3.2.17c). | vented lead-acid battery |
| 3.2.39 тип инвертора, управляемого напряжением См. «инвертор/инвертор регулирования напряжения», 3.2.15n). | voltage control type inverter |
| 3.2.40 инвертор напряжения жесткого типа См. «инвертор/инвертор напряжения жесткого типа», 3.2.15o). | voltage stiff type inverter |
3.3 Солнечные фотоэлектрические системы
Данный раздел распространяется не на фотоэлектрические системы в целом, а на их отдельные компоненты (см. 3.1 и 3.2).
| 3.3.1 AC/AC интерфейс См. «интерфейс/AC/AC интерфейс», 3.3.33a). | AC/AC interface |
| 3.3.2 фотоэлектрический модуль переменного тока: ФЭ модуль с интегрированным инвертором, контакты которого рассчитаны только на переменный ток. | AC photovoltaic module |
| 3.3.3 сторона переменного тока См. «интерфейс/сторона переменного тока интерфейса», 3.3.33b). | AC side |
| 3.3.4 переключение на сторону переменного тока См. «фотоэлектрическая система/поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система/переключение на сторону переменного тока», 3.3.62e). | AC side switchover |
| 3.3.5 система установок См. «фотоэлектрический/система фотоэлектрических установок», 3.3.56b). | array field |
| 3.3.6 монтаж См. «фотоэлектрический/фотоэлектрический монтаж», 3.3.56c). | assembly |
| 3.3.7 работа в режиме подпитки См. «работа/работа в режиме подпитки», 3.3.52b). | backfeed operation |
| 3.3.8 компоненты равновесия системы; BOS: Части ФЭ системы, не входящие в состав ФЭ системы установок, в том числе выключатели, узлы управления, датчики, оборудование стабилизированного питания, опорная конструкция ФЭ установки и компоненты системы накопления энергии, при наличии. | balance of system |
| 3.3.9 централизованная фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/централизованная фотоэлектрическая система», 3.3.62a). | centralized photovoltaic system |
| 3.3.10 система коллективной электрификации; CES: Система производства электроэнергии и локальная сеть для снабжения электричеством ряда потребителей от одного или нескольких источников энергии. | collective electrification system |
| 3.3.11 DC/DC интерфейс См. «интерфейс/DC/DC интерфейс», 3.3.33d). | DC/DC interface |
| 3.3.12 DC интерфейс См. «интерфейс/DC интерфейс», 3.3.33c). | DC interface |
| 3.3.13 сторона постоянного тока См. «интерфейс/интерфейс стороны постоянного тока», 3.3.33e). | DC side |
| 3.3.14 переключение на сторону постоянного тока См. «фотоэлектрическая система/работающая совместно с сетью фотоэлектрическая система/переключение на сторону постоянного тока», 3.3.62e). | DC side switchover |
| 3.3.15 электрическая система с диспетчерским управлением См. «энергетическая система/энергетическая система с диспетчерским управлением», 3.3.64a). | dispatchable electric system |
| 3.3.16 установка системы распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система распределенной генерации/установка системы распределенной генерации», 3.3.62b). | dispersed array system |
| 3.3.17 фотоэлектрическая система распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система распределенной генерации», 3.3.62b). | dispersed photovoltaic system |
| 3.3.18 ФЭ система распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/ФЭ система распределенной генерации», 3.3.62c). См. также «система распределенной генерации», 3.3.19. | distributed generation PV system |
| 3.3.19 система распределенной генерации: Средства и оборудование, составляющие большое количество систем выработки энергии, которые непосредственно подключены к электрической сети и работают параллельно с системой распределения энергии. | distributed generation system |
| 3.3.20 распределенный генератор; DG: Электрическое генерирующее оборудование, подключенное непосредственно к системе распределенной генерации. | distributed generator |
| Примечание — Распределенный генератор иногда называют внесетевым («NUG» — неподсоединенным к электрической сети генератором электроэнергии). | |
| 3.3.21 система распределения энергии: Электрические устройства и их компоненты, включая опоры, трансформаторы, разъединители, реле, изоляторы и провода, принадлежащие электрической сети, осуществляющей распределение электрической энергии от подстанций к потребителям. | distribution system |
| Примечание — В некоторых регионах система распределения энергии работает при номинальном напряжении 34 500 В. | |
| 3.3.22 фотоэлектрическая система для жилого дома См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система для жилого дома», 3.3.62d). | domestic photovoltaic system |
| 3.3.23 оператор электрической сети: Организация, отвечающая за монтаж, работу, обслуживание одной или нескольких частей крупной электрической системы производства, транспортировки и распределения электрической энергии и управление ими. | electrical utility |
| Примечание — Термин «оператор электрической сети» предпочтительнее, чем «поставщик электроэнергии». | |
| 3.3.24 электрифицировать: 1) Поставлять электроэнергию, электрическую технику и соответствующее оборудование для выработки и транспортировки электрического тока и управления этим процессом. 2) Подавать напряжение или электрический ток в электрическую схему или устройство. | electrify |
| Примечание — Термин «электрификация» связан с термином «электрифицировать». | |
| 3.3.25 генератор: Устройство, преобразующее неэлектрическую энергию в электрическую энергию. | generator |
| Примечание 1 — В понятие генератора не включают накопитель энергии или источники стабилизированного питания. Примечание 2 — См. также «фотоэлектрический/фотоэлектрический генератор», 3.3.56d). | |
| 3.3.26 дженсет: Бензогенерат. Разговорное англоязычное наименование бензогенератора — устройства, представляющего собой комбинацию бензинового двигателя и электрической машины. | genset |
| 3.3.27 сеть: Общепринятое наименование системы распределения и/или передачи электроэнергии. | grid |
| Примечание 1 — «Электрическая сеть» относится к сети. | |
| a) отдельная электросетевая структура: Электрическая сеть, изолированная от прочих электрических сетей и предназначенная только для распределения электроэнергии. | microgrid |
| Примечание 2 — Типичная отдельная электросетевая структура, имеющая нагрузку общим значением менее 100 кВ x А и питающаяся от «микроваттной» системы или «микроваттной» электростанции. Примечание 3 — Отдельная электросетевая структура, как правило, обслуживает поселки и питается от генератора на ископаемом топливе или на возобновляемых источниках энергии; | |
| b) электрическая сеть общего назначения: Электрическая сеть энергоснабжающей организации, предназначенная для передачи электрической энергии различным потребителям (приемникам электрической энергии). | utility grid |
| 3.3.28 поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система», 3.3.62e). | grid backed-up photovoltaic system |
| 3.3.29 работа при подключении к сети См. «работа/работа при подключении к сети», 3.3.52c). | grid-connected operation |
| 3.3.30 фотоэлектрическая система, подключенная к электросети См. «фотоэлектрическая система/ фотоэлектрическая система, подключенная к электросети», 3.3.62f). | grid-connected photovoltaic system |
| 3.3.31 гибридная фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/гибридная фотоэлектрическая система», 3.3.62g). | hybrid photovoltaic system |
| 3.3.32 частная система электрификации; IES: Небольшая электростанция, снабжающая электричеством одного потребителя, например домашнее хозяйство, как правило, от одного источника энергии. | individual electrification system |
| Примечание — См. также «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система для жилого дома» (3.3.62d) и «солнечная домашняя система» (3.3.68). | |
| 3.3.33 интерфейс: Общая физическая и концептуальная граница между двумя системами или между двумя частями одной системы. | interface |
| a) AC/AC интерфейс: Интерфейс между инвертором и его нагрузкой переменного тока. | AC/AC interface |
| Примечание 1 — AC/AC интерфейс может иметь AC/AC преобразователи напряжения, фильтры и устройства для подключения к дополнительным источникам энергии переменного тока; | |
| b) сторона переменного тока интерфейса: Часть подсоединенной к сети установки от контактов переменного тока инвертора к месту соединения с системой распределения энергии; | AC side of the interface |
| c) DC интерфейс, интерфейс стороны постоянного тока: Интерфейс между ФЭ системой установок и входом подсистемы источника стабилизированного питания; | DC interface |
| d) DC/DC интерфейс: Интерфейс между преобразователем постоянного тока на выходе и его нагрузкой постоянного тока. | DC/DC interface |
| Примечание 2 — DC/DC интерфейс может включать в себя аппаратуру распределительных устройств постоянного тока, фильтры и устройства для подключения к дополнительным источникам энергии постоянного тока; | |
| e) интерфейс стороны постоянного тока: Работающая от постоянного тока часть подсоединенной к сети установки от ФЭ модулей до контактов постоянного тока инвертора; | DC side of the interface |
| f) интерфейс поставщика энергии: Интерфейс между подсистемой источника стабилизированного питания, местной нагрузкой переменного тока и сетью. | utility interface |
| Примечание 3 — Интерфейс поставщика энергии может иметь AC/AC преобразователя напряжения и подключенные к сети защитные функции. | |
| 3.3.34 автономный режим: Режим, при котором часть сети с нагрузкой и вырабатываемой электроэнергией продолжает работать автономно от остальной части сети. | island |
| Примечание 1 — Вырабатываемая электроэнергия и нагрузка в автономном режиме могут принадлежать и заказчику, и поставщику энергии в любой пропорции. | |
| a) преднамеренный автономный режим: Автономный режим, созданный преднамеренно, как правило, для восстановления или обслуживания выработки электроэнергии в участке сети, оказавшемся отключенным из-за неисправности. | intentional island |
| Примечание 2 — Преднамеренный автономный режим предусматривает наличие соглашения между поставщиком энергии и оператором вырабатывающей энергию установки; | |
| b) непреднамеренный автономный режим: Автономный режим, в котором выработка электроэнергии предполагается временной до возобновления обычного режима; | unintentional island |
| c) время непреднамеренного автономного режима: Отрезок времени, в течение которого существует непреднамеренный автономный режим. | run-on |
| Примечание 3 — Время непреднамеренного автономного режима определяют как интервал между началом ненормальных условий в системе распределения энергии и временем, когда распределенный генератор прекращает питать систему распределения энергии. Примечание 4 — Время, представленное временем непреднамеренного автономного режима, называют также временем пути (trip time). | |
| 3.3.35 работа в автономном режиме См. «работа/работа в автономном режиме», 3.3.52e). | islanding operation |
| 3.3.36 работа в изолированном режиме См. «работа/работа в изолированном режиме», 3.3.52f). | isolated operation |
| 3.3.37 изолированная фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/изолированная фотоэлектрическая система», 3.3.62h). | isolated photovoltaic system |
| 3.3.38 изолированное местоположение См. «местоположение/изолированное местоположение», 3.3.67a). | isolated site |
| 3.3.39 нагрузка нестандартной системы См. «энергетическая система/нестандартная нагрузка энергетической системы», 3.3.64b). | load offset system |
| 3.3.40 главная подсистема мониторинга и контроля См. «подсистема/подсистема мониторинга и контроля», 3.3.75a). | master control and monitoring sub-system |
| 3.3.41 торговая энергетическая система См. «энергетическая система/торговая энергетическая система», 3.3.64c). | merchant power system |
| 3.3.42 «микроваттная» система См. «энергетическая система/микроваттная система», 3.3.64d). | micropower system |
| 3.3.43 режим: Состояние, в котором работает ФЭ система или инвертор. | mode |
| Примечание — Для определения разных режимов работы см. «эксплуатация», 3.3.52. | |
| 3.3.44 подсистема мониторинга и контроля См. «подсистема/подсистема мониторинга и контроля», 3.3.75a). | monitor and control sub-system |
| 3.3.45 мультифотоэлектрическая система распределенной генерации См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система распределенной генерации/мультифотоэлектрическая система распределенной генерации», 3.3.62b). | multi-dispersed photovoltaic system |
| 3.3.46 многоисточниковая фотоэлектрическая система См. «фотоэлектрическая система/многоисточниковая фотоэлектрическая система», 3.3.62i). | multi-source photovoltaic system |
| 3.3.47 неэнергетическая система с диспетчерским управлением См. «энергетическая система/без диспетчера», 3.3.64e) | |
| non-domestic photovoltaic system 3.3.48 фотоэлектрическая система не для жилого дома | См. «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система не для жилого дома», 3.3.62j). |
| non-domestic photovoltaic system 3.3.49 работа без сети | См. «работа/работа без сети», 3.3.52g) |
| off-grid operation 3.3.50 внесетевая фотоэлектрическая система | См. «фотоэлектрическая система/внесетевая фотоэлектрическая система», 3.3.62k). |
| off-grid photovoltaic system 3.3.51 подключение к сети | См. «работа/работа при подключении к сети», 3.3.52c). |
| on-grid 3.3.52 эксплуатация (фотоэлектрического устройства): Комбинация действий, необходимых для обеспечения функционирования ФЭ системы или ее компонентов. | operation (photovoltaics) |
| Примечание 1 — Эксплуатация предусматривает включение, контроль, мониторинг и обслуживание, а также любые другие рабочие действия. | a) автономная работа: Работа в автономном режиме; |
| autonomous operation | |
| b) работа в режиме подпитки: Режим работы, при котором электроэнергия из генерирующей системы поступает в сеть. | backfeed operation |
| Примечание 2 — Работа в режиме подпитки осуществляется, когда генерирующая система вырабатывает больше электричества, чем используется местной электрической нагрузкой; | c) работа при подключении к сети: Режим работы, при котором ФЭ система подает электроэнергию в нагрузку параллельно с сетью. |
| grid-connected operation | |
| Примечание 3 — В режиме работы при подключении к сети местные нагрузки будут получать энергию либо от поставщика энергии, либо от ФЭ системы, либо от обоих. | Примечание 4 — Электричество может поступать к поставщику энергии, если поставщик энергии допускает работу в режиме подпитки; |
| d) работа в режиме зависимости от сети: Режим работы, при котором начало и продолжение работы подключенного к сети инвертора зависят от сети; grid-dependent operation | |
| e) автономный режим: Работа в автономном режиме. | islanding operation |
| Примечание 5 — Работа в автономном режиме предусматривает поддержание частоты, напряжения, резерва мощности и соблюдение требований к мгновенной активной и реактивной мощности; | f) работа в изолированном режиме: Стабильная и временная работа отдельного участка сети. |
| isolated operation | |
| Примечание 6 — См. также IEV 603-04-33. | g) работа без сети |
| Известна так же как работа в автономном режиме (3.3.52i); | |
| off-grid operation h) работа в параллельном режиме: Режим работы, при котором подключенный к сети генератор подает электроэнергию в сеть или к местной нагрузке одновременно с сетью энергосистемы. | parallel operation |
| Примечание 7 — Работа в параллельном режиме также известна как сетевая работа в параллельном режиме; | i) работа в автономном режиме: Режим работы, при котором нагрузка питается только ФЭ системой, а не параллельно с сетью. |
| stand-alone operation | |
| 3.3.53 панель | См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическая панель», 3.3.56e). |
| panel 3.3.54 схема параллельного соединения модулей: Схема, в которой ФЭ модули соединены параллельно. | parallel circuit of modules |
| 3.3.55 работа в параллельном режиме | См. «работа/работа в параллельном режиме», 3.3.52h). |
| parallel operation 3.3.56 фотоэлектрический: Подузлы системы фотоэлектрических установок, описываемые терминами 3.1.19 и 3.2.10, а также следующими терминами: | photovoltaic |
| a) фотоэлектрическая установка: Совокупность механически интегрированных и электрически связанных ФЭ модулей, ФЭ панелей или ФЭ подсистем и их опорных конструкций. | photovoltaic |
| Примечание 1 — В понятие ФЭ установки не включают ее основание, следящее оборудование, температурные датчики и прочие подобные компоненты; | b) система фотоэлектрических установок: Совокупность всех ФЭ установок в составе данной ФЭ системы необходимых для механической реализации ФЭ технологий; |
| photovoltaic array field | |
| c) фотоэлектрический монтаж: ФЭ компоненты, которые установлены под открытым небом и удалены от своей нагрузки, включая модули, опорную конструкцию, основание, проводку, следящее оборудование и температурные датчики (где указано), а также распределительные коробки, контроллеры заряда и инверторы в зависимости от конфигурации монтажной схемы. | photovoltaic assembly |
| Примечание 2 — Примерами ФЭ монтажа могут служить ФЭ компоненты на крыше или во дворе дома, энергоснабжение которого предусмотрено от источника ФЭ энергии, в отличие от компонентов ФЭ системы, которые установлены внутри дома; | d) фотоэлектрический генератор: Генератор, использующий фотоэлектрический эффект для преобразования солнечного света в электричество. |
| photovoltaic generator | |
| Примечание 3 — ФЭ генератором служит ФЭ установка в ФЭ системе. | Примечание 4 — ФЭ генератор не включает в себя накопители энергии или источники стабилизированного питания; |
| e) фотоэлектрическая панель: Механически интегрированные предварительно собранные и электрически подключенные друг к другу ФЭ модули; photovoltaic panel | |
| f) фотоэлектрическая цепь: Схема из последовательно подключенных ФЭ модулей; | photovoltaic string |
| g) подсистема фотоэлектрической установки: Часть ФЭ установки, которую допускается считать блоком. | photovoltaic sub-array |
| 3.3.57 фотоэлектрические компоненты: Части ФЭ системы. | photovoltaic components |
| Примечание — ФЭ компоненты могут включать в себя, например, модули, инверторы, накопители энергии и другие компоненты системы равновесия. | 3.3.58 фотоэлектрическая установка: Смонтированные компоненты ФЭ системы. |
| photovoltaic installation | |
| 3.3.59 фотоэлектрическая энергетическая система | Другое наименование для ФЭ энергетической системы. |
| photovoltaic energy system 3.3.60 фотоэлектрическая электростанция: Другое наименование для ФЭ системы. | photovoltaic plant |
| Примечание — Как правило, фотоэлектрическая электростанция велика и подключена к электросети. | 3.3.61 фотоэлектрическая энергетическая система; PVPS: Находящееся в данный момент в работе электрооборудование ФЭ энергосистемы и приемников электрической энергии, объединенное общим режимом и рассматриваемое как единое целое в отношении протекающих в нем физических процессов. |
| photovoltaic power system, photovoltaic energy system | |
| 3.3.62 фотоэлектрическая система: Совокупность компонентов, которые производят и передают электроэнергию путем преобразования солнечной энергии. | photovoltaic system |
| Примечание 1 — Список ФЭ компонентов и конфигурация ФЭ системы может изменяться в соответствии с назначением и включать в себя следующие подсистемы: трансформаторы, накопители, системы управления и контроля и интерфейс электросети. | Распространенные конфигурации систем описывают следующие термины: |
| a) централизованная фотоэлектрическая система: Подключенная к сети ФЭ система, вырабатывающая большие объемы электроэнергии; | |
| centralized photovoltaic system | |
| b) фотоэлектрическая система распределенной генерации: ФЭ система, которая состоит из ряда распределенных ФЭ генераторов или ФЭ систем в одиночном режиме работы. | dispersed photovoltaic system |
| Фотоэлектрическая система распределенной генерации может быть классифицирована следующим образом: | - фотоэлектрическая система с распределенными установками: ФЭ система, в которой несколько распределенных ФЭ установок соединены параллельно для питания центрально расположенных инверторов; |
| dispersed-array photovoltaic system | |
| - мультифотоэлектрическая система распределенной генерации: ФЭ система, которая управляет несколькими параллельными распределенными ФЭ системами посредством линий распределения с общей системой контроля; | multi-dispersed photovoltaic system |
| c) ФЭ система распределенной генерации: ФЭ система, используемая также в качестве распределенной генерации; | distributed generation PV system |
| d) ФЭ система для жилого дома: ФЭ система, которая подает электричество к домашней нагрузке. | domestic photovoltaic system |
| Примечание 2 — См. также «солнечная домашняя система», 3.3.68; | e) поддерживаемая сетью фотоэлектрическая система: ФЭ система, подключаемая к поставщику электроэнергии, когда вырабатываемая ФЭ системой мощность недостаточна для удовлетворения потребностей нагрузки. |
| grid backed-up photovoltaic system | |
| Поддерживаемые сетью фотоэлектрические системы могут быть классифицированы следующим образом: | - переключение на сторону переменного тока: ФЭ система, при которой сеть потребителя подключена к стороне переменного тока системы; |
| AC side switchover | |
| - переключение на сторону постоянного тока: ФЭ система, при которой сеть потребителя подключена через выпрямитель к стороне постоянного тока системы; | DC side switchover |
| f) фотоэлектрическая система, подключенная к электросети: ФЭ система, которая функционирует только в режиме подключения к электросети. | grid-connected photovoltaic system |
| Примечание 3 — Известна также как интегрированная с энергосистемой, связанная с энергосистемой, соединенная с энергосистемой; | g) гибридная фотоэлектрическая система |
| См. «многоисточниковая фотоэлектрическая система», 3.3.62i); | |
| hybrid photovoltaic system h) изолированная фотоэлектрическая система: ФЭ система, не имеющая электрических связей для параллельной работы с другими энергосистемами. | isolated photovoltaic system |
| Примечание 4 — Известна также как «автономная фотоэлектрическая система»; | i) многоисточниковая фотоэлектрическая система: ФЭ система, работающая параллельно с другими генераторами электроэнергии; |
| multi-source photovoltaic system | |
| Примечание 5 — Известна также как «фотоэлектрическая гибридная система»; | j) фотоэлектрическая система не для жилого дома: ФЭ система, используемая не для домашних нужд (например, для перекачки воды, удаленной связи, телекоммуникационных станций, устройств безопасности и защиты и т.д.); |
| non-domestic photovoltaic system | |
| k) внесетевая фотоэлектрическая система: ФЭ система, которая функционирует только в режиме отключения от сети. | off-grid photovoltaic system |
| Примечание 6 — Известна также как «автономная фотоэлектрическая система»; | l) внесетевая фотоэлектрическая система для жилого дома: Автономная ФЭ система, установленная для электрификации домашних хозяйств. |
| off-grid domestic photovoltaic system | |
| Примечание 7 — Известна также как солнечная домашняя система; | m) внесетевая фотоэлектрическая система не для жилого дома: Автономная ФЭ система, используемая в ряде случаев, например для перекачки воды, удаленной связи, телекоммуникационных станций, устройств безопасности и защиты и т.д.; |
| off-grid non-domestic photovoltaic system | |
| n) автономная фотоэлектрическая система: ФЭ система, которая функционирует только в автономном режиме работы; | stand-alone photovoltaic system |
| o) подключенная к сети фотоэлектрическая система: Подключенная к сети ФЭ система, которая способна функционировать в изолированном или в параллельном режиме; | utility interactive photovoltaic system |
| p) внесетевая поселковая фотоэлектрическая система: Автономная ФЭ система, снабжающая электричеством поселок. | off-grid village photovoltaic system |
| 3.3.63 подсистема источника стабилизированного питания | power conditioning sub-system |
| См. «подсистема/подсистема источника стабилизированного питания», 3.3.75c). | 3.3.64 энергетическая система: Совокупность электростанций, электрических и тепловых сетей, соединенных между собой и связанных общностью режима в непрерывном процессе производства, преобразования и распределения электрической энергии и тепла при общем управлении этим режимом. |
| power system | |
| Примечание 1 — Энергетическая система также известна как электростанция или электровырабатывающая станция. | a) энергетическая система с диспетчерским управлением: Подключенная к сети вырабатывающая электроэнергию система, которая способна вырабатывать энергию в соответствии с требованиями диспетчера взаимосвязанной с ней электрической системы распределения энергии. |
| dispatchable power system | |
| Примечание 2 — Например, генератор с двигателем на органическом топливе управляется диспетчером; | b) нестандартная нагрузка энергетической системы: Подключенная к сети система, которая только поставляет превышающую местную нагрузку электроэнергию в электрическую систему распределения энергии; |
| load offset power system | |
| c) торговая энергетическая система: Подключенная к сети вырабатывающая электроэнергию система, единственная цель которой — поставлять электричество в электрическую систему распределения энергии, а не в местную нагрузку; | merchant power system |
| d) микроваттная система или микроваттная станция: Вырабатывающая электроэнергию система, которая предназначена для питания электроэнергией только местных нагрузок, отдельных электросетевых структур или поставщиков энергии в систему распределения энергии. | micropower system or micropower station |
| Примечание 3 — Типичная мощность микроваттной системы — менее 100 кВ·А; | e) энергетическая система без диспетчерского управления: Вырабатывающая электроэнергию система, которая не может вырабатывать электричество в соответствии с потребностями нагрузки. |
| non-dispatchable power system | |
| Примечание 4 — Например, генератор, использующий возобновляемую энергию, работает без диспетчера. | 3.3.65 отдаленное местоположение |
| См. «местоположение/отдаленное местоположение», 3.3.67b). | |
| remote site 3.3.66 подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения | safety disconnect control and monitoring sub-system |
| См. «подсистема/подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения», 3.3.75d). | 3.3.67 местоположение: Географическое местоположение системы. |
| site | |
| a) изолированное местоположение: Местоположение, не подключенное к электросети; | isolated site |
| b) отдаленное местоположение: Местоположение, далекое от развитой инфраструктуры, в первую очередь от электросети. | remote site |
| 3.3.68 солнечная домашняя система; SHS: Автономная ФЭ система, установленная в домашнем хозяйстве. | solar home system |
| Примечание — См. также «фотоэлектрическая система/фотоэлектрическая система для жилого дома» (3.3.62d) и «частная система электрификации» (3.3.32). | 3.3.69 солнечный фотоэлектрический |
| solar photovoltaic | |
| Примечание — Все термины, начинающиеся со слов «солнечный фотоэлектрический», перечислены под своими соответствующими «фотоэлектрическими» наименованиями (3.1.43, 3.2.21, и 3.3.56). | 3.3.70 автономная работа |
| См. «работа/работа в автономном режиме», 3.3.52i). | |
| stand-alone operation 3.3.71 автономная фотоэлектрическая система | См. «фотоэлектрическая система/автономная фотоэлектрическая система», 3.3.62n). |
| stand alone photovoltaic system 3.3.72 подсистема накопления энергии | См. «подсистема/подсистема накопления энергии», 3.3.75e). |
| storage sub-system 3.3.73 цепь | См. «фотоэлектрический/фотоэлектрическая цепь», 3.3.56f). |
| string 3.3.74 подсистема установки | См. «фотоэлектрический/подсистема фотоэлектрической установки», 3.3.56g) |
| sub-array 3.3.75 подсистема монтажа компонентов: Общепринятые подсистемы описывают следующие термины: | sub-system |
| a) подсистема мониторинга и контроля; MCM: Логический и контролирующий компонент(ы) для управления работой системы в целом путем контроля взаимодействия между всеми подсистемами; | monitor and control sub-system |
| b) подсистема фотоэлектрического генератора: Компоненты, предназначенные для преобразования энергии света в электрическую посредством фотоэффекта; | photovoltaic generator sub-system |
| c) подсистема источника стабилизированного питания: Компонент, предназначенный для преобразования электричества из одной формы в другую, подходящую для проектного применения. | power conditioning sub-system |
| Примечание — Подсистема источника стабилизированного питания может включать в себя регулятор уровня заряда, который преобразует постоянный ток в постоянный, инвертор для преобразования постоянного тока в переменный или выпрямитель для преобразования переменного тока в постоянный; | d) подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения: Компоненты, предназначенные для мониторинга сетевых условий и обеспечения аварийного отключения при нестандартных условиях; |
| safety disconnect control and monitoring sub-system | |
| e) подсистема накопления энергии: Компоненты, накапливающие энергию. | storage sub-system |
| 3.3.76 система | См. «фотоэлектрическая система», 3.3.62. |
| system 3.3.77 сеть общего пользования | См. «сеть/сеть общего пользования», 3.3.27b). |
| utility grid 3.3.78 подключенная к сети фотоэлектрическая система | См. «фотоэлектрическая система/подключенная к сети фотоэлектрическая система», 3.3.62o). |
| utility interactive photovoltaic system 3.3.79 интерфейс поставщика энергии | См. «интерфейс/интерфейс поставщика энергии», 3.3.33f). |
| utility interface | 3.4 Солнечная фотоэлектрическая система и эксплуатационные параметры компонента |
Данный подраздел распространяется на эксплуатационные параметры различных компонентов ФЭ систем и собственно системы.
| 3.4.1 принятые условия проведения испытаний См. «условия/принятые условия проведения испытаний», 3.4.16a). |
acceptance test conditions |
|---|---|
| 3.4.2 ампер-часовая отдача См. «энергоэффективность/ампер-часовая отдача», 3.4.26a). |
ampere-hour efficiency |
| 3.4.3 площадь апертуры См. «площадь элемента/активная площадь элемента», 3.4.11b) и «площадь модуля/активная площадь модуля» 3.4.46b). |
aperture area |
| 3.4.4 площадь См. «площадь элемента/активная площадь элемента», 3.4.11b) и «площадь модуля/активная площадь модуля» 3.4.46b). |
area |
| 3.4.5 приведенные потери в установке См. «потери/приведенные потери в установке», 3.4.40a). |
array capture losses |
| 3.4.6 эффективность установки См. «энергоэффективность/эффективность установки», 3.4.26b). |
array efficiency |
| 3.4.7 количество часов использования установкой мощности P0 См. «количество часов использования мощности P0/количество часов использования установкой мощности P0», 3.4.96a). |
array yield |
| 3.4.8 принятый период отсутствия освещенности: Период времени, когда автономная ФЭ система, оснащенная накопителем энергии, по решению на стадии проекта не вырабатывает электричество непрерывно. | assumed non-sunshine period |
| 3.4.9 потери на компонентах системы за исключением ФЭ панелей См. «потери/потери на компонентах равновесия системы», 3.4.40b). |
BOS losses |
| 3.4.10 мощность (энергоемкость) | capacity |
| a) мощность установки, Вт: Номинальная мощность вырабатывающей энергию ФЭ установки; | array capacity |
| b) коэффициент использования мощности LSP, %, за период времени, например месяц или год: Отношение энергии на выходе системы WSP к номинальной энергии ФЭ установки на выходе P0 и времени работы; | capacity factor |
| c) установленная энергоемкость См. «номинальная энергоемкость», 3.4.10d). |
installed capacity |
| d) номинальная энергоемкость, А·ч, или Вт·ч: Применительно к накопителям энергии: величина, представляющая собой значение заряда/энергии, которое может быть запасено накопителем энергии при заданных условиях; | rated capacity |
| e) остаточная энергоемкость, А·ч, или Вт·ч: Величина, представляющая собой значение заряда/энергии, оставшееся в накопителе энергии после частичного разряда. | residual capacity |
| 3.4.11 площадь элемента, м2: Общая или активная площадь фотоэлектрического элемента. | cell area |
| a) общая площадь элемента: Площадь фронтальной поверхности фотоэлектрического элемента, образованная его внешними гранями. | total cell area |
| Примечание 1 — Общая площадь элемента включает в себя площадь любой линии металлизации. Примечание 2 — Общая площадь элемента предпочтительна для данных о КПД элемента; |
|
| b) активная площадь элемента: Часть общей площади элемента, предназначенная для получения солнечного излучения в целях выработки электричества. | active cell area |
| Примечание 3 — Активная площадь элемента равна разности между общей площадью элемента и площадью линии металлизации. Примечание 4 — Активную площадь элемента иногда называют апертурной площадью элемента. |
|
| 3.4.12 температура P-N перехода в солнечном элементе Tj, °C: Температура, измеренная с помощью термометра, контактирующего с ФЭ элементом, или выведенная из результатов измерений Voc или вычислений температурного баланса. | cell junction temperature |
| 3.4.13 эффективность зарядки См. «энергоэффективность/эффективность зарядки», 3.4.26c). |
charging efficiency |
| 3.4.14 коэффициент | coefficient |
| a) температурный коэффициент тока; \alpha , А·К-1 (абсолютная величина), К-1 (относительная величина): Изменение тока короткого замыкания ФЭ устройства на единицу изменения температуры. | current-temperature coefficient |
| Примечание 1 — Используют и абсолютные, и относительные величины. Примечание 2 — Необходимо учитывать разницу между единицами измерения абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент в соответствующем уравнении. Примечание 3 — Если температурный коэффициент тока измеряют в А·К-1, то его значение будет зависеть от последовательной или параллельной схемы контура. Например, ФЭ модуль из 36 элементов будет иметь разные коэффициенты в зависимости от того, как они подключены: 36 модулей могут быть включены последовательно или тремя параллельными цепями по 12 последовательно включенных модулей в каждой. Примечание 4 — Значение тока короткого замыкания изменяется в зависимости от освещенности и в меньшей степени — в зависимости от температуры. |
|
| b) коэффициент зависимости напряжения от освещенности; \delta : Отношение напряжений холостого хода Voc1/Voc2 ФЭ устройства как функция натурального логарифма отношения освещенностей, ln G1/G2; | voltage-irradiance coefficient |
| c) температурный коэффициент напряжения; \beta , В·К-1 (абсолютная величина), К-1 (относительная величина): Изменение напряжения холостого хода ФЭ элемента на единицу изменения температуры в P-N переходе в солнечном элементе. | voltage-temperature coefficient |
| Примечание 5 — Необходимо учитывать разницу между единицами измерения абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент в соответствующем уравнении. Примечание 6 — Если температурный коэффициент напряжения измеряются в В·К-1, то его значение будет зависеть от последовательной или параллельной схемы контура. Например, ФЭ модуль из 36 элементов будет иметь разные коэффициенты в зависимости от того, как они подключены: 36 модулей могут быть включены последовательно или тремя параллельными цепями по 12 последовательно включенных модулей в каждой. |
|
| 3.4.15 квантовый выход См. «энергоэффективность/квантовый выход», 3.4.26d). |
collection efficiency |
| 3.4.16 условия: Условия, при которых оценивают ФЭ устройство. | conditions |
| Примечание 1 — Условия, при которых оценивают ФЭ устройство, как правило, включают в себя освещенность, температуру внешней среды, спектральное распределение и/или воздушную массу. | |
| a) принятые условия проведения испытаний; ATC: Эталонные значения температуры внешней среды, освещенности на плоскости и спектрального распределения, заданные для номинальной мощности ФЭ устройства; | acceptance test conditions |
| b) условия эксплуатации: Условия, при которых работает ФЭ устройство; | operating conditions |
| c) дополнительные условия проведения испытаний: Тестовая освещенность, измеренная с помощью эталонного ФЭ устройства при 1000 Вт·м-2 и температуре перехода ФЭ элемента при любых должным образом зафиксированных внешних условиях; | optional test conditions |
| d) стандартные условия эксплуатации; SOC: Рабочие значения освещенности на плоскости (1000 Вт·м-2), температура перехода ФЭ устройства равна номинальной рабочей температуре перехода ФЭ элемента (NOCT), а воздушная масса (AM = 1,5); | standard operating conditions |
| e) стандартные условия проведения испытаний; СУИ: Эталонные значения освещенности на плоскости (GI,ref = 1000 Вт·м-2), температуры перехода ФЭ элемента (25 °C), и воздушной массы (AM = 1,5) должны быть использованы при испытаниях любого ФЭ устройства. | standard test conditions |
| Примечание 2 — Также СУИ могут быть названы стандартными тестовыми условиями (СТУ). | |
| f) условия проведения испытаний: Условия, при которых испытывают устройство. | test conditions |
| 3.4.17 эффективность преобразования энергии См. «энергоэффективность/ФЭ эффективность преобразования энергии», 3.4.26e). |
conversion efficiency |
| 3.4.18 переводной коэффициент, %: Отношение выходной и входной действующей мощности устройства, компонента или системы. | conversion factor |
| 3.4.19 плотность тока (фотоэлектрического элемента) J, Дж, Aqсм-2: Отношение электрического тока на выходе ФЭ элемента к площади элемента (либо к общей площади, либо к активной площади) | current density (photovoltaic cell) |
| 3.4.20 токо-температурный коэффициент См. «коэффициент/токо-температурный коэффициент», 3.4.14a). |
current-temperature coefficient |
| 3.4.21 вольт-амперная характеристика I-V: Электрический ток на выходе ФЭ устройства как функция выходного напряжения при определенной температуре и освещенности. | current-voltage characteristic |
| Вычисляют по формуле I = f(V). (1) Примечание 1 — Правила МЭК/ИСО предусматривают, что напряжение обозначают буквой «U», хотя многие представители электротехнической отрасли употребляют символ «V». Следуя установившейся традиции, ФЭ отрасль также использует обозначение «V», откуда происходит символ «I-V» для обозначения вольт-амперной характеристики. Примечание 2 — Иногда в отрасли используют символ «IV». Использование символа «I-V» ведет к меньшим недоразумениям, так как «IV» можно спутать с римской цифрой IV. |
|
| 3.4.22 коэффициент пульсации постоянного тока, %: Отношение половины разницы между максимальным и минимальным значениями к среднему значению пульсации постоянного электрического тока. | DC ripple factor |
| Примечание — Низкие значения коэффициента пульсации постоянного тока примерно соответствуют отношению разницы между максимальным и минимальным значениями к сумме этих значений. | |
| 3.4.23 зависимость от солнечной энергии; DP, % за период времени, например месяц или год: В случае многоисточниковой ФЭ системы, отношение электроэнергии на выходе системы (WSP) к сумме электроэнергии на выходе системы и любой нефотоэлектрической электроэнергии (WBP). | dependency on solar energy |
| 3.4.24 глубина разряда; DOD, %: Величина, выражающая состояние разряда накопителя энергии. | depth of discharge |
| Примечание — Как правило используют отношение значения электрического разряда к значению номинальной энергоемкости. | |
| 3.4.25 эффективность энергетической отдачи См. «энергоэффективность/эффективность энергетической отдачи», 3.4.26f). |
effective energy efficiency |
| 3.4.26 энергоэффективность \eta , %: Отношение выходной величины к входной. | efficiency |
| Примечание 1 — Величина, подразумеваемая под термином «эффективность» или «КПД», — это, как правило, значение мощности, энергии или электрического заряда, произведенного компонентом или полученного им. | |
| a) ампер-часовая отдача; \eta_{Ah} : Отношение значения электрического заряда, потерянного при условиях разрядки, к значению электрического заряда, накопленного при условиях зарядки в накопителе электроэнергии. | ampere-hour efficiency |
| Вычисляют по формуле \eta_{Ah} = I_{d}T_{d}(I_{c}T_{c}) , (2) где \eta_{Ah} — ампер-часовая отдача; Id — ток разрядки, А; Td — время разрядки, ч; Ic — ток зарядки, А; Tc — время зарядки, ч. |
|
| b) эффективность установки: Эффективность преобразования энергии солнечного света в электричество ФЭ установкой; | array efficiency |
| c) эффективность зарядки: Общий термин для выражения ампер-часовой отдачи (или в некоторых случаях ватт-часовой эффективности в накопителе энергии); | charging efficiency |
| d) квантовый выход: Отношение количества электронов, выходящих из ФЭ элемента при коротком замыкании, к числу попадающих на его поверхность фотонов; | collection efficiency |
| e) фотоэлектрическая эффективность преобразования энергии: Отношение максимальной энергии на выходе ФЭ устройства к единице его площади и освещенности при заданных условиях проведения испытаний, как правило, при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ). | PV conversion efficiency |
| Примечание 2 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e); | |
| f) эффективность энергетической отдачи: Энергетическая отдача во время указанного периода; | effective energy efficiency |
| g) КПД инвертора: Отношение полезной выходной мощности инвертора к его входной мощности, или выходной энергии к его входной энергии; | inverter efficiency |
| h) средняя эффективность установки; \eta_{A\text{средняя}} : Средняя эффективность ФЭ установки. | mean array efficiency |
| Примечание 3 — Среднюю эффективность ФЭ установки полезно знать для сравнения с номинальной эффективностью ФЭ установки. Примечание 4 — Разница между средним и номинальным значениями эффективности обусловлена влиянием диодов, проводки, рассогласования и других потерь во время работы ФЭ системы; |
|
| i) общая эффективность системы; \eta_{tot} : Эффективность всей системы, включая все источники электроэнергии. | overall system efficiency |
| Примечание 5 — Общая эффективность системы складывается из электроэнергии, переданной нагрузке на основе солнечного излучения, и топливных запасов. | |
| j) КПД для частичной мощности: Отношение выходной мощности к входной (или выходной энергии ко входной), когда компонент работает с мощностью ниже расчетной; | partial efficiency |
| k) КПД для частичной нагрузки: Отношение эффективной выходной мощности инвертора к его входной мощности или выходной энергии к входной при заданной нагрузке; | partial load efficiency |
| l) выход по энергии: Отношение активной выходной мощности к активной входной мощности; | power efficiency |
| m) номинальный КПД: Применительно к ФЭ устройству: эффективность устройства при определенных условиях эксплуатации, как правило при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ). |
rated efficiency |
| Примечание 6 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e). Применительно к инвертору: КПД инвертора, когда он работает с номинальной выходной мощностью; |
|
| n) КПД системы; \eta_{SP} , % за период времени, например месяц или год: Отношение выходной энергии ФЭ системы WSP к общей освещенности QASP и площади ФЭ установки AP. | system efficiency |
| Вычисляют по формуле \eta_{SP} = W_{SP}(Q_{ASP}A_{P}) , (3) где \eta_{SP} — КПД системы; WSP — выходная энергия системы, Дж; QASP — общая освещенность, Дж·м-2; AP — площадь установки, м2; |
|
| o) допустимые границы КПД, %: Допускаемая разница между указанным производителем и измеренным КПД; | efficiency tolerance |
| p) эффективная энергоемкость \eta_{Wh} : Отношение значения электрической энергии, потерянной при условиях разрядки, к значению электрической энергии, накопленной при условиях зарядки в накопителе электроэнергии. | watt-hour efficiency |
| Вычисляют по формуле \eta_{Wh} = I_{d}T_{d}V_{dav}(I_{c}T_{c}V_{cav}) = \eta_{Ah}V_{dav}V_{cav} , (4) где \eta_{Wh} — эффективная энергоемкость, Ватт·час; Id — ток разрядки, А; Td — время разрядки, ч; Vdav — среднее напряжение разрядки, В; Ic — ток зарядки, А; Tc — время зарядки, ч; Vcav — среднее напряжение зарядки, В. Примечание 7 — При расчете эффективной энергоемкости вместо напряжения в любое заданное время чаще используют отношение среднего напряжения к определенному окончательному напряжению разрядки, чем значения напряжения в любое заданное время. |
|
| q) метод средневзвешенной энергетической отдачи для расчета эффективной энергетической отдачи | weighted average conversion efficiency |
| Примечание 8 — Средневзвешенную энергетическую отдачу вычисляют как сумму значений для каждого уровня выхода по энергии, и соответствующие весовые коэффициенты зависят от графика длительности местной освещенности. | |
| Если система относится к автономному типу с подсистемой накопления энергии, весовые коэффициенты зависят от графика длительности нагрузки. | |
| 3.4.27 электромагнитные помехи; EMI: Ухудшение рабочих характеристик оборудования, линий электропередачи или системы в результате электромагнитных возмущений. | electromagnetic interference |
| 3.4.28 энергия, Дж, кВт·ч: Способность физической системы совершить работу. | energy |
| a) фотоэлектрическая энергия: Энергия, произведенная путем прямого нетермического преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. | photovoltaic energy |
| 3.4.29 эквивалентная температура P-N перехода в солнечном элементе; ECT, °C: Температура P-N перехода в солнечном элементе, при которой измеренная выходная энергия ФЭ устройства производилась бы таким образом, как если бы все устройство работало равномерно при данной температуре P-N перехода. | equivalent photovoltaic cell temperature |
| 3.4.30 коэффициент заполнения; FF, %: Отношение максимальной выходной мощности ФЭ устройства Pmax к произведению напряжения холостого хода Voc и тока короткого замыкания Isc. | fill factor |
| Вычисляют по формуле FF = Pmax/(Voc Isc). (5) Примечание — Коэффициент заполнения часто используют для демонстрации качества выработки электроэнергии устройством. |
|
| 3.4.31 окончательное ежегодное количество часов использования мощности P0 См. «количество часов использования мощности P0 в день/окончательное ежегодное количество часов использования мощности P0», 3.4.96b) |
final annual yield |
| 3.4.32 окончательное количество часов использования системой мощности P0 См. «количество часов использования мощности P0 в день/окончательное количество часов использования системой мощности P0», 3.4.96c). |
final system yield |
| 3.4.33 работа с фиксированным напряжением: Управляющая стратегия, при которой ФЭ система всегда работает при постоянном напряжении, близком по значению напряжению максимальной мощности ФЭ установки. | fixed voltage operation |
| Примечание — См. также «максимальная мощность/точка поиска максимальной мощности», 3.4.42d). | |
| 3.4.34 установленная энергоемкость [мощность] См. «энергоемкость/установленная мощность», 3.4.10c). |
install capacity |
| 3.4.35 установленная мощность См. «максимальная мощность/максимальная мощность при стандартных условиях проведения испытаний», 3.4.42g). |
install power |
| 3.4.36 КПД инвертора См. «энергоэффективность/КПД инвертора», 3.4.26g) |
inverter efficiency |
| 3.4.37 схемные потери инвертора См. «схемные потери/схемные потери инвертора», 3.4.45a) |
inverter mismatch loss |
| 3.4.38 линейность: Величина, представляющая собой отклонение от прямолинейной функции таких рабочих параметров, как ток короткого замыкания или напряжение холостого хода в зависимости от таких переменных внешних условий, как освещенность или температура. | linearity |
| Примечание 1 — Как правило, линейность выражают в виде приведенного стандартного отклонения от угла наклона. Примечание 2 — Вычисление эксплуатационных характеристик ФЭ элемента, модуля и системы часто состоит в решении линейных уравнений для преобразования эксплуатационных характеристик от одного набора условий освещенности и температуры к другому. Линейность находят методом, при котором наилучшую прямолинейную функцию математически вычисляют из набора заданных точек, а затем отклонения начальных точек от этой прямой используют в вычислениях для определения линейности. |
|
| 3.4.39 нагрузка: Электрический компонент, который преобразует электроэнергию в другой вид энергии для использования и работает только при подаче напряжения. | load |
| Примечание — См. также IEV 151-15-15. | |
| a) ток нагрузки IL, А: Электрический ток, подаваемый к нагрузке ФЭ системой; | load current |
| b) мощность нагрузки PL, Вт: Электрическая мощность, подаваемая к нагрузке ФЭ системой; | load power |
| c) напряжение нагрузки VL, В: Напряжение, подаваемое на контакты нагрузки ФЭ системой; | load voltage |
| d) негативная нагрузка: Для поставщика энергии — это тип нагрузки, при котором вырабатываемая энергетической системой электрическая энергия потребляется системой распределения энергии поставщика энергии. | negative load |
| 3.4.40 потери, Вт, Дж, кВт·ч: Электрическая мощность или энергия, которая не используется по предназначению; | losses |
| Примечание 1 — См. также IEV 151-15-26. | |
| a) приведенные потери установки; Lc: Приведенные потери данной ФЭ системы из-за потерей энергии ФЭ установкой. | array capture losses |
| Примечание 2 — Приведенные потери ФЭ установки находят как разность между эталонной отдачей и количеством часов использования мощности P0 ФЭ установкой в день. Эти потери обусловлены схемными потерями, потерями при преобразовании, загрязнением установки и т.д.; | |
| b) потери на компонентах равновесия системы; LBOS: Приведенные потери данной ФЭ системы из-за потерь энергии на ее компонентах равновесия; | balance of system losses |
| c) приведенные потери, Дж·кВт-1, кВт·ч·кВт-1 за любую удобную единицу времени (как правило вычисляют за день, что дает единицу измерения ч·д-1): Время, которое потребуется ФЭ устройству или ФЭ системе для работы при номинальной мощности с целью компенсировать потери энергии этого ФЭ устройства или ФЭ системы. | normalised losses |
| Примечание 3 — Приведенные потери, как правило, вычисляют из разницы с данным количеством часов использования мощности P0 в день. | |
| 3.4.41 максимальное входное напряжение, В: Максимальное значение напряжения постоянного тока источника стабилизированного питания при таких заданных рабочих условиях, как напряжение холостого хода VOC ФЭ установки. | maximum input voltage |
| 3.4.42 максимальная мощность; Pmax, Pmpp, Вт: Мощность, вырабатываемая в точке максимальной мощности. | maximum power |
| a) ток максимальной мощности; IPmax, А: Электрический ток в условиях максимальной мощности; | maximum power current |
| b) коэффициент освещенности при максимальной мощности; \chi : Коэффициент, связывающий изменение максимальной мощности ФЭ устройства Pmax1/Pmax2 как функцию изменения натурального логарифма освещенности ln(G1/G2) | maximum power irradiance coefficient |
| c) точка максимальной мощности; ТММ: Точка на графике вольт-амперной характеристики ФЭ устройства, где произведение тока и напряжения дает в результате максимальную мощность при определенных условиях эксплуатации; | maximum power point |
| d) точка поиска максимальной мощности; ТПММ: Стратегия управления ФЭ установкой, при которой она все время работает в точке максимальной мощности или около нее. | maximum power point tracking |
| Примечание 1 — См. также «работа с фиксированным напряжением», 3.4.33; | |
| e) температурный коэффициент максимальной мощности; \gamma , Вт·К-1 (абсолютная величина), К-1 (относительная величина): Коэффициент, связывающий изменение максимальной мощности ФЭ устройства Pmax1/Pmax2 как функцию изменения температуры T1/T2. | maximum power temperature coefficient |
| Примечание 2 — Используют и абсолютную, и относительную величины. Примечание 3 — Необходимо учитывать разницу между единицами измерения и значениями абсолютных и относительных величин и использовать соответствующий коэффициент в соответствующем уравнении; |
|
| f) максимальная мощность при стандартных условиях эксплуатации: Максимальная выходная мощность ФЭ устройства при стандартных условиях эксплуатации. | maximum power under standard operating conditions |
| Примечание 4 — См. также «условия/стандартные условия эксплуатации», 3.4.16d); | |
| g) максимальная мощность при стандартных условиях проведения испытаний: Максимальная выходная мощность ФЭ устройства при стандартных условиях проведения испытаний. | maximum power under standard test conditions |
| Примечание 5 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e); | |
| h) напряжение максимальной мощности; VPmax, В: Напряжение при условиях максимальной мощности; | maximum power voltage |
| i) напряжение максимальной мощности при стандартных условиях эксплуатации, В: Напряжение в точке максимальной мощности ФЭ устройства при стандартных рабочих условиях (SOC). | maximum power voltage under standard operating conditions |
| Примечание 6 — См. также «условия/стандартные условия эксплуатации», 3.4.16d); | |
| j) напряжение максимальной мощности при стандартных условиях проведения испытаний, В: Напряжение в точке максимальной мощности ФЭ устройства при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ). | maximum power voltage under standard test conditions |
| Примечание 7 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e). | |
| 3.4.43 средняя эффективность установки См. «энергоэффективность/средняя эффективность установки», 3.4.26h). |
mean array efficiency |
| 3.4.44 ошибка рассогласования См. «спектральная чувствительность/ошибка рассогласования спектральной чувствительности», 3.4.82a). |
mismatch error |
| 3.4.45 схемные потери | mismatch loss |
| a) схемные потери инвертора, Вт, %: Потеря мощности, когда источник стабилизированного питания работает при входном напряжении или электрическом токе, отличающимся от напряжения в точке максимальной мощности или от электрического тока при максимальной мощности; | inverter mismatch loss |
| b) схемные потери модуля, Вт, %: Разница между общей максимальной мощностью ФЭ устройств, соединенных последовательно или параллельно, и суммой значений этих величин для каждого устройства, измеренных по отдельности при тех же условиях. | module mismatch loss |
| Примечание — Схемные потери ФЭ модуля возникают из-за разности вольт-амперных характеристик отдельных устройств. | |
| 3.4.46 площадь модуля, м2: Общая или активная площадь фотоэлектрического модуля: | module area |
| a) общая площадь модуля: Площадь передней поверхности фотоэлектрического модуля, образованная его внешними гранями. | total module area |
| Примечание 1 — Общая площадь модуля включает в себя общую площадь фотоэлектрического элемента плюс площадь, не покрытую элементами. Площадь передней поверхности рамы (при наличии) также включена. Примечание 2 — Общая площадь модуля предпочтительна для данных о КПД модуля; |
|
| b) активная площадь модуля: Часть общей площади модуля, предназначенная для прямого нетермического преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. | active module area |
| Примечание 3 — Активная площадь модуля равна сумме общих площадей элементов в модуле. Примечание 4 — Активную площадь модуля иногда называют апертурной площадью модуля. |
|
| 3.4.47 схемные потери модуля См. «схемные потери/схемные потери модуля», 3.4.45b). |
module mismatch loss |
| 3.4.48 упаковочный множитель модуля, %: Отношение общей площади ФЭ элемента к площади модуля. | module packing factor |
| 3.4.49 температура поверхности модуля, °C: Среднее значение температуры тыльной поверхности ФЭ модуля. | module surface temperature |
| 3.4.50 температура модуля, °C: Среднее значение температуры P-N перехода в ФЭ модуле. | module temperature |
| 3.4.51 безнагрузочные потери, Вт: Мощность на входе источника стабилизированного питания, когда его нагрузка отключена или когда его выходная мощность равна нулю. | no load loss |
| 3.4.52 номинальная рабочая температура фотоэлектрического элемента; NOCT, °C: Среднее равновесное значение температуры P-N перехода ФЭ элемента в модуле при эталонных условиях освещенности 800 Вт·м-2, температуре внешней среды 20 °C, скорости ветра 1 м·с-1, холостом ходе и нормальном угле наклона в солнечный полдень. | nominal operating photovoltaic cell temperature |
| 3.4.53 номинальная мощность системы, Вт: Мощность постоянного тока ФЭ системы, вырабатываемая при стандартных условиях эксплуатации при подключении к нагрузке, предназначенной для данной ФЭ установки. | nominal system power |
| Примечание 1 — При указании условий для номинальной мощности системы номинальное выходное напряжение системы представлено выходным напряжением (В), а номинальный выходной электрический ток представлен выходным током (А). Примечание 2 — См. также «условия/стандартные условия эксплуатации», 3.4.16d). |
|
| 3.4.54 неравномерность, %: Равномерность освещения ФЭ модуля имитатором солнечного излучения во время испытания. | non-uniformity |
| Примечание 1 — Неравномерность вычисляют как отношение разницы между максимальной освещенностью и минимальной освещенностью, измеренными на площади испытаний, к сумме максимальной и минимальной освещенности. Примечание 2 — Площадью, сканированной для определения минимальной и максимальной освещенности, может быть испытательная панель имитатора солнечного излучения или зона модуля. |
|
| 3.4.55 приведенные потери См. «потери/приведенные потери», 3.4.40c). |
normalisated losses |
| 3.4.56 напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств); Voc, В: Напряжение на выходе ФЭ устройства при определенной температуре и освещенности, когда электрический ток на выходе ФЭ устройства равен нулю. | open-circuit voltage (photovoltaic devices) |
| a) напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний; Voc СУИ: Напряжение холостого хода, измеренное при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ). | open-circuit voltage under standard test conditions |
| Примечание — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e). | |
| 3.4.57 условия эксплуатации См. «условия/условия эксплуатации», 3.4.16b). |
operations conditions |
| 3.4.58 дополнительные условия проведения испытаний См. «условия/дополнительные условия проведения испытаний», 3.4.16c). |
optional test conditions |
| 3.4.59 общая эффективность системы См. «энергоэффективность/общая эффективность системы», 3.4.26i). |
overall system efficiency |
| 3.4.60 перегрузочная способность, %, минуты: Уровень выходной мощности, при превышении которого устройство получает повреждение. | overload capability |
| Примечание — Перегрузочная способность есть отношение сверхмощности нагрузки к номинальной мощности нагрузки за период времени. | |
| 3.4.61 КПД для частичной мощности См. «энергоэффективность/КПД для частичной мощности», 3.4.26j). |
partial efficiency |
| 3.4.62 КПД для частичной нагрузки См. «энергоэффективность/КПД для частичной нагрузки», 3.4.26k). |
partial load efficiency |
| 3.4.63 состояние частичной зарядки, PSOC См. «состояние зарядки/состояние частичной зарядки», 3.4.86a). |
partial state of charge |
| 3.4.64 пиковая мощность См. «номинальный/номинальная мощность», 3.4.69f). |
peak power |
| 3.4.65 пиковые солнце-часы См. «номинальный/номинальные солнце-часы», 3.4.69i). |
peak sun hours |
| 3.4.66 коэффициент преобразования энергии, RP, %: Число, которое показывает воздействие потерь ФЭ системы на номинальную мощность ФЭ установки. | performance ratio |
| Примечание 1 — Как правило, потери ФЭ системы возникают из-за несоответствующей температуры ФЭ установки, неполного использования освещенности, недостаточной эффективности и неисправности компонентов ФЭ системы. Примечание 2 — Коэффициент преобразования энергии, как правило, вычисляют через отношение окончательного количества часов использования системой мощности P0 к эталонной отдаче. |
|
| 3.4.67 фотоэлектрическая энергия См. «энергия/фотоэлектрическая энергия», 3.4.28a). |
photovoltaic energy |
| 3.4.68 выход по энергии См. «энергоэффективность/выход по энергии», 3.4.26l). |
power efficiency |
| 3.4.69 номинальный: Предписанная величина, используемая для определения технических условий и указывающая заданные характеристики ФЭ системы или компонента, установленные при определенном наборе условий эксплуатации. | rated |
| Примечание 1 — См. также IEV 151-16-08. | |
| a) номинальная мощность: См. «энергоемкость/номинальная энергоемкость», 3.4.10d); | rated capacity |
| b) номинальные условия: Условия, при которых производитель заявляет определенные рабочие характеристики изделия; | rated condition |
| c) номинальный ток; IR, А: Электрический ток, вырабатываемый ФЭ устройством при номинальном напряжении при определенных условиях эксплуатации; | rated current |
| d) номинальный КПД, %: КПД компонента при определенных условиях эксплуатации; | rated efficiency |
| e) номинальная нагрузка: Электрическая нагрузка, требующаяся для достижения номинальной выходной мощности ФЭ системой или ее ФЭ компонентами; | rated load |
| f) номинальная мощность; PR, Вт: Электрическая мощность, вырабатываемая ФЭ устройством или другим компонентом ФЭ системы при определенных условиях эксплуатации; | rated power |
| g) номинальная мощность при СУИ; PСУИ, Вт: Электрическая мощность, поставляемая ФЭ устройством в его точке максимальной мощности при стандартных условиях испытаний (СУИ). | rated power at STC |
| Примечание 2 — Номинальную мощность при СУИ, как правило, хотя и неточно, называют «пиковой мощностью». Примечание 3 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e); |
|
| h) номинальная мощность при стандартных условиях эксплуатации; Psoc, Вт: Электрическая мощность, поставляемая ФЭ устройством или системой при стандартных условиях эксплуатации; | rated power at SOC |
| i) номинальные солнце-часы, ч: Количество времени, при котором солнечная освещенность находится на эталонном уровне. | rated sun-hours |
| Примечание 4 — Номинальные солнце-часы, как правило, выражают на суточной основе. Примечание 5 — Если GI,ref = 1 кВт·м-2, то номинальные солнце-часы за любой период времени численно равны освещенности за тот же период, выраженной в кВт·ч·м-2. |
|
| j) номинальная мощность системы: Применительно к автономным ФЭ системам: мощность системы, выработанная при подключении к номинальной нагрузке. Применительно к подключенным к сети ФЭ системам: мощность системы, которая может быть выработана при стандартных условиях эксплуатации (SOC). |
rated system power |
| Примечание 6 — См. также «условия/стандартные условия эксплуатации», 3.4.16d); | |
| k) номинальное напряжение; VR, В: Напряжение, при котором генератор должен производить максимальный объем электроэнергии при определенных условиях эксплуатации. | rated voltage |
| 3.4.70 эталонная отдача См. «количество часов использования мощности P0/эталонная отдача», 3.4.96d). |
reference yield |
| 3.4.71 относительная спектральная чувствительность См. «спектральная чувствительность/относительная спектральная чувствительность», 3.4.82b). |
relative spectral response |
| 3.4.72 относительная спектральная чувствительность при нагрузке См. «спектральная чувствительность/относительная спектральная чувствительность при нагрузке», 3.4.82c). |
relative spectral response under load |
| 3.4.73 остаточная энергоемкость См. «энергоемкость/остаточная энергоемкость», 3.4.10e). |
residual capacity |
| 3.4.74 обратный поток мощности: Поток электрической мощности от вырабатывающей системы в сеть распределения поставщика энергии. | reverse power flow |
| Примечание — Обратный поток мощности известен как «подпитка». См. «работа/работа в режиме подпитки», 3.3.52b). | |
| 3.4.75 безопасное сверхнизкое напряжение; SELV, В: Термин, принятый Техническим комитетом 64 МЭК для безопасного низкого напряжения. | safe extra low voltage |
| Примечание — Для систем постоянного тока SELV равен 130 В или менее. | |
| 3.4.76 саморазряд: Потеря полезной энергоемкости накопителя энергии из-за внутренних химических процессов. | self-discharge |
| 3.4.77 последовательное сопротивление, Ом: Сопротивление в последовательной цепи с идеальным ФЭ элементом, которое выражается в падении напряжения на омическом сопротивлении реального элемента. | series resistance |
| 3.4.78 коэффициент затенения; sA, %: Отношение части площади ФЭ установки, эквивалентной площади затененного участка поверхности As к общей площади ФЭ установки A. | shadow cover rate |
| Вычисляют по формуле sA = As/A, (6) где sA — скорость затенения; As — площадь, эквивалентная площади затененного участка, м2; A — общая площадь ФЭ установки, м2. Примечание — Указанная «эквивалентная площадь» — это принятая площадь затенения, рассчитанная с учетом влияния тени на освещенную площадь через ФЭ модули, подсоединенные последовательно или параллельно. |
|
| 3.4.79 сопротивление тонкопленочного материала; Ом на единицу площади: Электрическое сопротивление тонкопленочного материала, измеренное на противоположных сторонах квадратной площади. | sheet resistance |
| 3.4.80 ток короткого замыкания; ISC, А: Электрический ток на выходе ФЭ устройства при определенной температуре и освещенности, когда выходное напряжение устройства равно или близко к нулю. | short-circuit current |
| Примечание 1 — См. также IEV 195-05-18. | |
| a) ток короткого замыкания при стандартных условиях проведения испытаний; ISC СУИ: Ток короткого замыкания, измеренный при стандартных условиях проведения испытаний (СУИ). | short-circuit current under standard test conditions |
| Примечание 2 — См. также «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e). | |
| 3.4.81 шунтирующее сопротивление, Ом: Сопротивление, установленное параллельно с идеальным ФЭ элементом, которое указывает на потери в результате утечки электрического тока в реальном элементе. | shunt resistance |
| 3.4.82 спектральная чувствительность; S(\lambda) , А·Вт1: Электрическая плотность тока короткого замыкания, вырабатываемого единицей освещенности при заданной длине волны в виде функции длины волны. | spectral responsivity |
| Примечание 1 — Термин «реакция» (response) вместо «чувствительность» (responsivity) общепринят и широко используется. Примечание 2 — Для тонкопленочных ФЭ устройств измерение спектральной чувствительности должно быть проведено при напряжении, соответствующем проектному использованию данных спектральной чувствительности. Поэтому такое условие для напряжения должно быть указано вместе с данными. |
|
| a) ошибка рассогласования спектральной чувствительности: Ошибка, возникшая в испытуемых ФЭ устройствах из-за взаимного рассогласования между спектральными чувствительностями испытуемого образца и эталонного устройства и из-за рассогласования между испытуемым спектром и эталонным спектром; | spectral response mismatch error |
| b) относительная спектральная чувствительность; S(\lambda)_{rel} : Спектральная чувствительность, приведенная к длине волны максимальной чувствительности. | relative spectral response |
| Вычисляется по формуле S(\lambda)_{rel} = S(\lambda)S(\lambda)_{max} ; (7) |
|
| c) относительная спектральная чувствительность при нагрузке; S_{V}(\lambda)_{rel} : Спектральная чувствительность при нагрузке, приведенная к длине волны максимальной чувствительности. | relative spectral response under load |
| Вычисляется по формуле S_{V}(\lambda)_{rel} = S_{V}(\lambda)S_{V}(\lambda)_{max} ; (8) |
|
| d) спектральная чувствительность при нагрузке; S_{v}\lambda : Электрическая плотность тока при определенном напряжении нагрузки, вырабатываемом на единицу освещенности при определенной длине волны, представленная в виде функции длины волны. | spectral response under load |
| 3.4.83 стандартные условия эксплуатации См. «условия/стандартные условия эксплуатации», 3.4.16d). |
standard operating conditions |
| 3.4.84 стандартные условия проведения испытаний См. «условия/стандартные условия проведения испытаний», 3.4.16e). |
standard test conditions |
| 3.4.85 потери холостого хода, Вт: В отношении автономного источника стабилизированного питания: входная мощность постоянного тока, когда источник стабилизированного питания находится в ждущем режиме. В отношении взаимодействующего с сетью источника стабилизированного питания: мощность, забираемая из электросети, когда источник стабилизированного питания находится в ждущем режиме. |
standby loss |
| 3.4.86 состояние зарядки, %: Отношение остаточной энергоемкости и номинальной энергоемкости накопителя энергии. | state of charge |
| a) состояние частичной зарядки; PSOC, %: Состояние, показывающее, что накопитель энергии не достиг уровня полной зарядки. | partial state of charge |
| 3.4.87 КПД системы См. «энергоэффективность/КПД системы», 3.4.26n). |
system efficiency |
| 3.4.88 энергия на выходе системы, Дж, кВт·ч: Энергия на выходе системы, выработанная в определенный период времени. | system output energy |
| 3.4.89 мощность системы См. «номинальный/номинальная мощность системы», 3.4.69j). |
system power |
| 3.4.90 условия проведения испытаний См. «условия/условия проведения испытаний», 3.4.16f). |
test conditions |
| 3.4.91 общее гармоническое искажение; ОГИ, %: Отношение среднеквадратичного значения общего содержания гармоник формы сигнала к среднеквадратичному значению базовой частоты сигнала. | total harmonic distortion |
| Примечание — См. также IEV 551-17-06. | |
| 3.4.92 коэффициент зависимости напряжения от освещенности См. «коэффициент/коэффициент зависимости напряжения от освещенности», 3.4.14b). |
voltage-irradiance coefficient |
| 3.4.93 температурный коэффициент напряжения См. «коэффициент/температурный коэффициент напряжения», 3.4.14c). |
voltage-temperature coefficient |
| 3.4.94 эффективная энергоемкость См. «энергоэффективность/эффективная энергоемкость», 3.4.26p). |
watt-hour efficiency |
| 3.4.95 средневзвешенная эффективность преобразования энергии См. «энергоэффективность/средневзвешенная эффективность преобразования энергии», 3.4.26q). |
weighted average conversion efficiency |
| 3.4.96 количество часов использования мощности P0, Дж·кВт-1 (как правило, выражают в кВт·ч·кВт-1 за любую подходящую единицу времени и рассчитывают за день, что дает единицу измерения ч·д-1): Время, которое потребовалось бы ФЭ устройству для работы при его номинальной мощности, чтобы выработать такой же объем энергии, который оно выработало в действительности. | yield |
| Примечание 1 — Количество часов использования мощности P0 в день указывает действительную работу устройства по отношению к его номинальной энергоемкости. Примечание 2 — Количество часов использования мощности P0 в день рассчитывают из отношения выработанной энергии к номинальной мощности устройства. Примечание 3 — Так как количество часов использования мощности P0 может быть рассчитано за любой период времени, эталонные временные интервалы всегда указывают в соответствии с МЭК 61724. |
|
| a) количество часов использования мощности P0 установкой; YA: Энергия, выработанная ФЭ установкой на единицу номинальной мощности ФЭ установки; | array yield |
| b) окончательное ежегодное количество часов использования мощности P0: Общая ФЭ энергия, переданная нагрузке за один год на единицу номинальной мощности ФЭ установки; | final annual yield |
| c) окончательное количество часов использования системой мощности P0; Yf: Часть полезной энергии, вырабатываемой электрической системой и выданной ФЭ установкой на единицу номинальной мощности установки; | final system yield |
| d) эталонная отдача; Yr: Время, которое потребовалось бы освещенности для достижения ее эталонного уровня в целях обеспечения такого же входящего излучения, которое было в действительности. Вычисляют из отношения общей освещенности к эталонной освещенности GI,ref. |
reference yield |
| Примечание 4 — Если GI,ref = 1 кВт·м-2, то освещенность, выраженная в кВт·ч·м-2 за любой период времени, численно равна энергии, выраженной в кВт·ч·кВт-1 за такой же период. Таким образом, Yr означает номинальные солнце-часы за такой же период. |
3.5 Измерительные приборы
| 3.5.1 абсолютный радиометр См. «радиометр/абсолютный радиометр», 3.5.7a). | absolute radiometer |
| 3.5.2 монохроматический источник света: Источник света с узкой полосой излучения. | monochromatic light source |
| Примечание — Для измерения спектральной чувствительности, как правило, используют 1000 Вт вольфрамовую галоидную лампу, управляемую подходящим источником энергии при цветовой температуре 3200 К. | |
| 3.5.3 имитатор фотоэлектрической установки: Имитатор с такими же вольт-амперными характеристиками, как и у ФЭ установки. | photovoltaic array simulator |
| 3.5.4 имитатор солнечного света импульсного типа См. «имитатор солнечного света/имитатор солнечного света импульсного типа», 3.5.8b). | pulse type solar simulator |
| 3.5.5 пиранометр См. «радиометр/пиранометр», 3.5.7b). | pyranometer |
| 3.5.6 пиргелиометр См. «радиометр/пиргелиометр», 3.5.7c). | pyrheliometer |
| 3.5.7 радиометр: Прибор, предназначенный для измерения интенсивности солнечного излучения. | radiometer |
| Примечание 1 — См. также IEV 845-05-06. Примечание 2 — Как правило, радиометр — измерительный тепловой прибор, использующий термопары или термобатареи и не зависящий от длины волны. | |
| a) абсолютный радиометр: Радиометр, который позволяет измерять или вычислять в абсолютной величине световой поток/излучение на основе физических законов и известных физических констант; | absolute radiometer |
| b) пиранометр: Радиометр, как правило, используемый для измерения общей освещенности на плоскости. | pyranometer |
| Примечание 3 — Пиранометр также может быть использован для измерения рассеянного излучения неба при наличии переходного кольца или диска. Примечание 4 — Пиранометр также может быть использован для измерения общей освещенности на наклонной плоскости, включая лучи, отраженные передним планом; | |
| c) пиргелиометр: Радиометр совместно с коллиматором — прибор, используемый для измерения прямой освещенности. | pyrheliometer |
| Примечание 5 — Пиргелиометр иногда называют пиргелиометром прямой освещенности, или NIP; | |
| d) спектрорадиометр: Прибор, используемый для измерения распределения спектральной освещенности от падающих лучей в качестве функции длины волны. | spectroradiometer |
| 3.5.8 имитатор солнечного света: Оборудование, состоящее из стандартного источника света с распределением спектральной освещенности, аналогичным естественному солнечному свету, и предназначенное для определения характеристик ФЭ элементов и модулей. | solar simulator |
| a) класс имитатора солнечного света: Класс распределения, основанный на работе имитатора при обеспечении соответствия спектральной освещенности, неравномерности и временной нестабильности имитатора. | solar simulator class |
| Примечание — Определены три класса имитаторов солнечного света: A, B и C, лучшим из которых считают класс A; | |
| b) имитатор солнечного света импульсного типа: Источник импульсного освещения, состоящий из одной или нескольких импульсных ксеноновых ламп, способных однородно освещать большие площади с незначительным нагреванием испытуемого ФЭ элемента или модуля; | pulse type solar simulator |
| c) имитатор солнечного света в установившемся режиме: Источник непрерывного освещения, использующий ксеноновый, дихроичный фильтр вольфрама или изменения паров ртути с вольфрамовыми электродами в качестве источника света. | steady-state type solar simulator |
| 3.5.9 спектрорадиометр См. «радиометр/спектрорадиометр», 3.5.7d). | |
| spetroradiometer 3.5.10 имитатор солнечного света в установившемся режиме | См. «имитатор солнечного света/имитатор солнечного света в установившемся режиме», 3.5.8c). |
| steady-state type solar simulator 3.5.11 временная нестабильность имитатора, %: Зависящая от времени неоднородность работы имитатора солнечного света при обеспечении освещенности в данной точке ФЭ модуля или испытательной плоскости имитатора во время периода сбора данных. | temporal simulator instability |
| Примечание — Временная нестабильность имитатора — это отношение разности между максимальной освещенностью и минимальной освещенностью во время периода сбора данных к сумме тех же значений максимальной освещенности и минимальной освещенности. | |
| 3.6 Параметры внешней среды | |
| 3.6.1 индекс воздушной массы; AM: Длина пути, который проходит прямой солнечный луч сквозь земную атмосферу, выраженная как кратное к пройденному пути к точке на уровне моря, когда солнце прямо над головой. | air mass index |
| Примечание — Индекс воздушной массы равен 1,0 на уровне моря при безоблачном небе и солнце прямо над головой, и местном давлении, равном P0. Стандартные условия эксплуатации, 3.4.16d), и стандартные условия проведения испытаний, 3.4.16e), используют индекс AM 1,5. | |
| 3.6.2 альбедо, %: Отношение усредненного по всем длинам волны излучения, отраженного поверхностью, к падающему на нее. | albedo |
| Примечание — Термин «альбедо» характеризует отражающую способность поверхности в отношении солнечного излучения. | |
| 3.6.3 температура внешней среды; Tamb, °C: Средняя температура воздуха, окружающего ФЭ устройство. | ambient temperature |
| 3.6.4 угол, градус, радиан: | angle |
| a) угол падения: Угол между нормалью (перпендикуляром) к поверхности и падающим лучом/пучком; | angle of incidence |
| b) апертурный угол: Угол между крайним лучом конического светового пучка на входе (выходе из) оптической системы и ее оптической осью. | aperture angle |
| Примечание 1 — Иногда вместо полуугла используют полный угол. | |
| c) угол к азимуту; \alpha : Проецируемый угол между прямой линией от видимого положения солнца к точке наблюдения и горизонтальной линии, перпендикулярной к экватору. | azimuth angle |
| Примечание 2 — Угол к азимуту измеряют от севера в Южном полушарии и от юга в Северном полушарии. Примечание 3 — Отрицательные значения азимута указывают на восточную ориентацию, а положительные — на западную; | |
| d) угловая высота Солнца; \theta : Угол между прямым солнечным лучом и горизонтальной плоскостью; | solar elevation angle |
| e) угол наклона: Угол между горизонтальной плоскостью и плоскостью поверхности ФЭ модуля. | tilt angle |
| 3.6.5 отожженное состояние См. «выдержка/отожженное состояние», 3.6.9a). | annealing conditioning |
| 3.6.6 апертурный угол См. «угол/апертурный угол», 3.6.4b). | aperture angle |
| 3.6.7 атмосферный | atmospheric |
| a) содержание озона в атмосфере, см: Объем озона при стандартной температуре и давлении в вертикальном столбе атмосферы сечением 1 см2; | atmospheric ozone content |
| b) содержание осаждаемого водяного пара, см: Объем осаждаемого водяного пара в вертикальном столбе атмосферы сечением 1 см2; | precipitable water vapour content |
| c) коэффициент прозрачности атмосферы, %: Отношение интенсивности светового потока к его интенсивности до прохождения через перпендикулярный к плоскости атмосферный столб. | atmospheric transmissivity |
| 3.6.8 угол к азимуту См. «угол/угол к азимуту», 3.6.4c). | azimuth angle |
| 3.6.9 выдержка: Процесс стабилизации работы ФЭ модуля до проведения испытаний в условиях внешних воздействий. | conditioning |
| Примечание 1 — Выдержку иногда называют предварительной выдержкой. Примечание 2 — Выдержка позволяет определить результат испытаний внешними воздействиями без дополнительных корректировок параметров из-за любых воздействий, кроме внешних условий. Как правило, выдержкой считают одно из следующих состояний: | |
| a) отожженное состояние: Выдержка с использованием процесса нагревания; | annealing conditioning |
| b) выдержка для насыщения светом: Выдержка с использованием процесса освещения. | light soaking conditioning |
| 3.6.10 испытание на переносимость влажности и высоких температур См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость влажности и высоких температур», 3.6.15a). | damp heat test |
| 3.6.11 рассеянное излучение неба См. «освещенность/освещенность рассеянного излучения», 3.6.25a). | diffuse irradiance |
| 3.6.12 энергетическая экспозиция рассеянного излучения См. «энергетическая экспозиция/энергетическая экспозиция рассеянного излучения», 3.6.26a). | diffuse irradiation |
| 3.6.13 прямая освещенность См. «освещенность/прямая освещенность», 3.6.25b). | direct irradiance |
| 3.6.14 прямая энергетическая экспозиция См. «энергетическая экспозиция/прямая энергетическая экспозиция», 3.6.26b). | direct irradiation |
| 3.6.15 испытания в условиях внешних воздействий: Испытания, при которых изделие подвергают имитации таких внешних воздействий, как температура, ветер, дождь, снег, град или влажность. | environmental test |
| Примечание — Во время испытания в условиях внешних воздействий имитируемые внешние условия часто более жесткие, чем обычные внешние условия, для ускорения любых разрушительных процессов. Испытания в условиях внешних воздействий, в данное время используемые для ФЭ модулей, включают в себя: | |
| a) испытание на переносимость влажности и высоких температур: Испытание в условиях внешних воздействий, предназначенное для определения способности ФЭ модуля противостоять долговременному проникновению влаги; | damp heat test |
| b) испытание переносимости града: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью убедиться, что ФЭ модуль способен противостоять воздействию градин; | hail test |
| c) испытание на переносимость местного перегрева: Испытание в условиях внешних воздействий, предназначенное для определения способности ФЭ модуля противостоять температурным эффектам местного перегрева, например расплавлению припоя или разгерметизации; | hot-spot endurance test |
| d) испытание на переносимость влажности и низких температур: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность модуля выдерживать воздействия высоких температур и влажности, а затем температуры около нуля; | humidity freeze test |
| e) испытание на удар: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить уязвимость ФЭ модуля к повреждениям от случайного удара; | impact test |
| f) испытание изоляции: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить, достаточно ли надежна изоляция модуля между токопроводящими частями и корпусом; | insulation test |
| g) испытание механической нагрузкой: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность модуля противостоять воздействию ветра, снега, статической нагрузки или снежной нагрузки; | mechanical load test |
| h) испытание в условиях воздействия внешних факторов: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое в целях предварительной оценки способности модуля выдерживать внешние условия и выявления любых синергических разрушительных факторов, которые не могут быть определены в ходе лабораторных испытаний; | outdoor exposure test |
| i) испытание на надежность входов и выходов оборудования: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить, что входы и выходы, а также примыкающие к ним части компонента будут выдерживать воздействия, вероятные в процессе сборки или монтажа; | robustness of terminations test |
| j) испытание на переносимость солевого тумана: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность ФЭ модуля противостоять коррозии от солевого тумана для оценки совместимости материалов, качества и однородности защитных покрытий; | salt mist test |
| k) испытание на переносимость циклических изменений температуры: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность модуля выдерживать температурные несоответствия, усталостную долговечность (выносливость) и другие факторы, вызываемые повторяемыми изменениями температуры; | thermal cycling test |
| l) испытание на изгиб: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое для обнаружения дефектов, которые могут проявиться в ФЭ модуле при монтаже на несовершенную конструкцию; | twist test |
| m) испытание на переносимость ультрафиолетового излучения: Испытание в условиях внешних воздействий, проводимое с целью определить способность ФЭ модуля противостоять воздействию ультрафиолетового (УФ) излучения; | UV test |
| n) испытание на ток утечки в условиях влажности: Испытание в условиях внешних воздействий, выполняемое с целью оценить изоляцию модуля в условиях работы при сырости и удостовериться, что влага от дождя, тумана, росы или растаявшего снега не попадет на токопроводящие части модуля, где она может вызвать коррозию, неисправность заземления или создать угрозу безопасности. | wet leakage current test |
| 3.6.16 суммарная освещенность См. «освещенность/суммарная освещенность», 3.6.25c). | global irradiance |
| 3.6.17 общая энергетическая экспозиция См. «энергетическая экспозиция/общая энергетическая экспозиция», 3.6.26c). | global irradiation |
| 3.6.18 испытание переносимости града См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание переносимости града», 3.6.15b). | hail test |
| 3.6.19 испытание на переносимость местного перегрева См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость местного перегрева», 3.6.15c). | hot-spot endurance test |
| 3.6.20 испытание на переносимость влажности и низких температур См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость влажности и низких температур», 3.6.15d). | humidity freeze test |
| 3.6.21 испытание на удар См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на удар», 3.6.15e). | impact test |
| 3.6.22 освещенность на плоскости См. «освещенность/освещенность на плоскости», 3.6.25d). | in-plane irradiance |
| 3.6.23 испытание на изоляцию См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на изоляцию», 3.6.15f). | insulation test |
| 3.6.24 интегрированная освещенность См. «освещенность/интегрированная освещенность», 3.6.25e). | integrated irradiance |
| 3.6.25 освещенность; G, Вт·м-2: Электромагнитная мощность излучения на единицу площади. | irradiance |
| Примечание 1 — Освещенность, как правило, означает свет от имитатора солнечного света. | |
| a) освещенность рассеянного излучения: Освещенность за исключением той части, которая составляет прямую освещенность; | diffuse irradiance |
| b) прямая освещенность: Освещенность от солнечного диска и околосолнечной зоны неба в границах противолежащего угла в 8,7 x 10-2 радиан (5°); | direct irradiance |
| c) суммарная освещенность: Освещенность на горизонтальной поверхности. | global irradiance |
| Примечание 2 — Общая освещенность равна горизонтальной прямой освещенности плюс горизонтальное рассеянное излучение неба; | |
| d) освещенность на плоскости; GI: Общая освещенность на плоскости ФЭ устройства; | in-plane irradiance |
| e) интегрированная освещенность: Продолжительно интегрированная спектральная освещенность при полном диапазоне длин волны. | integrated irradiance |
| Примечание 3 — Если спектральный диапазон ограничен, то границы должны быть указаны. В противном случае освещенность интегрируют по полному или почти полному диапазону длин волны. Примечание 4 — Интегрированную освещенность измеряют пиранометром, который может точно реагировать на спектральный состав излучения; | |
| f) плоскость освещенности установки: То же, что и освещенность на плоскости. | plane of array irradiance |
| g) спектральная освещенность; E_{\lambda} , Вт·м-2·мкм-1: Освещенность на единицу полосы пропускания при определенной длине волны; | spectral irradiance |
| h) спектральная фотонная освещенность; E_{p\lambda} см-2·с-·мкм-1: Плотность фотонного потока при определенной длине волны E_{p\lambda} = 5,035 \times 1014 \times \lambda \cdot E_{\lambda} , где \lambda измеряют в мкм; | spectral photon irradiance |
| i) испытательная освещенность; Gt: Освещенность, используемая для испытаний и измеренная с помощью эталонного ФЭ устройства; | test irradiance |
| j) суммарная освещенность; GT: Прямая освещенность плюс освещенность рассеянного излучения на наклонной поверхности. | total irradiance |
| 3.6.26 энергетическая экспозиция; H, Дж·м-2: Освещенность, интегрированная по определенному временному интервалу. | irradiation |
| a) энергетическая экспозиция рассеянного излучения: Энергетическая освещенность рассеянного излучения, интегрированная по определенному временному интервалу; | diffuse irradiation |
| b) прямая энергетическая экспозиция: Прямая энергетическая освещенность, интегрированная по определенному временному интервалу; | direct irradiation |
| c) общая энергетическая экспозиция: Общая энергетическая освещенность, интегрированная по определенному временному интервалу; | global irradiation |
| d) полная энергетическая экспозиция; HT: Полная энергетическая освещенность, интегрированная по определенному временному интервалу. | total irradiation |
| 3.6.27 выдержка для насыщения светом См. «выдержка/выдержка для насыщения светом», 3.6.9b). | light soaking conditioning |
| 3.6.28 испытание механической нагрузки См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание механической нагрузки», 3.6.15g). | mechanical load test |
| 3.6.29 испытание в условиях воздействия внешних факторов См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание в условиях воздействия внешних факторов», 3.6.15h). | outdoor exposure test |
| 3.6.30 содержание озона См. «атмосферный/содержание озона в атмосфере», 3.6.7a). | ozone content |
| 3.6.31 плоскость освещенности установки См. «освещенность/плоскость освещенности установки», 3.6.25f). | plane of array irradiance |
| 3.6.32 содержание осаждаемого водяного пара См. «атмосферный/содержание осаждаемого водяного пара», 3.6.7b). | precipitable water vapour content |
| 3.6.33 эталонное распределение спектральной освещенности См. «распределение спектральной освещенности/эталонное распределение спектральной освещенности», 3.6.37a). | reference spectral irradiance distribution |
| 3.6.34 испытание на надежность входов и выходов оборудования См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на надежность входов и выходов оборудования», 3.6.15i). | robustness of terminations test |
| 3.6.35 испытание на переносимость солевого тумана См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость солевого тумана», 3.6.15j). | salt mist test |
| 3.6.36 спектральная освещенность См. «освещенность/спектральная освещенность», 3.6.25g). | spectral irradiance |
| 3.6.37 распределение спектральной освещенности; Вт·м-2·мкм-1: Спектральная освещенность, изображенная в виде функции длины волны. | spectral irradiance distribution |
| a) эталонное распределение спектральной освещенности: Табуляция спектральной освещенности, спектральная фотонная освещенность и кумулятивная интегрированная освещенность в качестве функции длины волны, как определено в таблице 1 МЭК 60904-3. | reference spectral irradiance distribution |
| 3.6.38 спектральная фотонная освещенность См. «освещенность/спектральная фотонная освещенность», 3.6.25h). | spectral photon irradiance |
| 3.6.39 спектр См. «солнечный/солнечный спектр», 3.6.40e). | spectrum |
| 3.6.40 солнечный: Относящийся ко всему, связанному с Солнцем или с его излучением: | solar |
| a) световая солнечная постоянная, Вт·м-2: Освещенность перпендикулярной к потоку площадки, расположенной за пределами атмосферы на среднем расстоянии Земли от Солнца, в видимом диапазоне спектра. | solar constant |
| Примечание — Последнее принятое значение световой солнечной постоянной — 1367 Вт·м-2 по заключению Комиссии по приборам и методам наблюдений в Мировой метеорологической организации в 1981 году; | |
| b) солнечная энергия: Общепринятый термин, обозначающий облученность; | solar energy |
| c) солнечная мощность: Общепринятый термин, обозначающий освещенность; | solar power |
| d) солнечное излучение: Общепринятый термин, обозначающий облученность; | solar radiation |
| e) солнечный спектр; Дж·м-2·мкм-1: Распределение солнечного облучения в качестве функции длины волны. | solar spectrum |
| 3.6.41 угловая высота Солнца См. «угол/угловая высота Солнца», 3.6.4d). | solar elevation angle |
| 3.6.42 испытательная освещенность См. «освещенность/испытательная освещенность», 3.6.25i). | test irradiance |
| 3.6.43 испытание на переносимость циклических изменений температуры См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость циклических изменений температуры», 3.6.15k). | thermal cycling test |
| 3.6.44 угол наклона См. «угол/угол наклона», 3.6.4e). | tilt angle |
| 3.6.45 суммарная облученность См. «освещенность/суммарная облученность», 3.6.25j). | total irradiance |
| 3.6.46 полная энергетическая экспозиция См. «энергетическая экспозиция/полная энергетическая экспозиция», 3.6.26d). | total irradiation |
| 3.6.47 прозрачность См. «атмосферный/коэффициент прозрачности атмосферы», 3.6.7c). | transmissivity |
| 3.6.48 мутность; aD, \lambda , мкм: Ограниченная прозрачность атмосферы, вызванная поглощением и разбросом излучения твердыми и жидкими частицами (не облаками) в подвешенном состоянии. | turbidity |
| 3.6.49 испытание на изгиб См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на изгиб», 3.6.15l). | twist test |
| 3.6.50 испытание на переносимость ультрафиолетового излучения См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на переносимость ультрафиолетового излучения», 3.6.15m). | UV test |
| 3.6.51 испытание на ток утечки в условиях влажности См. «испытания в условиях внешних воздействий/испытание на ток утечки в условиях влажности», 3.6.15n). | wet leakage current test |
| 3.6.52 белая подсветка: Продолжительный белый свет, освещающий ФЭ устройство одновременно с пульсирующим монохроматическим светом для обеспечения работы устройства при нормальных рабочих условиях в процессе измерения спектрального распределения освещенности. | white bias light |
3.7 Качество и испытания
| 3.7.1 приемочные испытания: Контрактные испытания, проводимые с целью доказать пользователю (заказчику), что изделие удовлетворяет определенным условиям своей сертификации. | acceptance tests |
| 3.7.2 заявитель: Организация, подавшая заявку на участие в программе сертификации. | applicant |
| 3.7.3 калибровка: Объем работ, которые посредством сверки со стандартами устанавливают соответствия между показаниями и результатами измерений при определенных условиях. | calibration |
| 3.7.4 производитель элемента См. «производитель/производитель элемента», 3.7.14a). | cell manufacturer |
| 3.7.5 сертификат соответствия: Табличка, ярлык, наклейка или документ определенной формы и содержания, прикрепленный или непосредственно ассоциируемый с товаром или услугой при доставке к покупателю, удостоверяющий, что товар или услуга удовлетворяет требованиям соответствующей программы сертификации. | certificate of conformity |
| 3.7.6 сертификация: Процедура, в ходе которой должно быть представлено письменное подтверждение того, что продукт или услуга соответствует техническим условиям. | certification |
| a) сертификационный орган: Объективное учреждение или организация, обладающая необходимой компетенцией для развития, обнародования, финансирования и ведения программы сертификации и для проведения сертификаций соответствия; | certification body |
| b) знак сертификации: Знак или символ, принадлежащий сертификационному органу, контролируемый им и используемый исключительно ведущим программы сертификации в ранге третьего лица для идентификации товаров или услуг в качестве сертифицированных; | certification mark |
| c) программа сертификации: Система, относящаяся к особым продуктам, процессам или услугам, к которым применяют одинаковые заданные стандарты, правила и методы. | certification programme |
| Примечание — Программа сертификации предусматривает участие третьего лица в качестве органа инспекции/проверки, и программа разрешает использование контролируемого знака сертификации или удостоверяет удовлетворение требованиям соответствующим свидетельством; | |
| d) сертификация третьим лицом: Сертификация, осуществляемая компетентным в технической и иных областях органом, неподконтрольным производителю и покупателю. | third-party certification |
| 3.7.7 сертифицированный эталонный фотоэлектрический материал; CRM: Эталонный ФЭ материал, одна или несколько характеристик которого сертифицированы технически признанным методом и который сопровождается сертификатом или другой документацией, выданной сертифицирующим органом, и отслеживается по этой документации. | certified reference photovoltaic material |
| Примечание — Стандартный эталонный ФЭ элемент служит примером CRM. | |
| 3.7.8 соответствие: Удовлетворение определенным требованиям со стороны продукта, процесса или услуги для определения его соответствия проекту. | conformity |
| a) оценка соответствия: Систематическая проверка параметров для установления степени, в которой продукт, процесс или услуга удовлетворяет определенным требованиям. | conformity evaluation |
| Примечание 1 — Оценка соответствия также известна как оценка удовлетворения требованиям. Примечание 2 — Оценка соответствия должна гарантировать, что качество системы удовлетворяет необходимым требованиям и что изделие и/или конфигурация системы не отличаются от тех, которые были испытаны; | |
| b) надзор за соответствием: Оценка соответствия для установления того, что объект продолжает соответствовать определенным требованиям. | conformity surveillance |
| 3.7.9 проверка: Оценка соответствия путем измерения, наблюдения, испытаний или расчета соответствующих характеристик по требованиям технических условий или стандарта. | inspection |
| a) орган проверки: Организация, которая может быть частью испытательной лаборатории и/или функциональным подразделением сертификационного органа, осуществляющего начальные проверки работы производителя, включая любые последующие процедуры надзора, которые могут потребоваться; | inspection body |
| b) орган проверки [третье лицо]: Проверочная организация, обладающая необходимой технической компетенцией для осуществления начальных проверок и/или аудита и последующих проверок и/или аудита, и неподконтрольная производителю, поставщику или покупателю (пользователю/заказчику) сертифицированного продукта или услуги, т.е. не имеющая организационной, финансовой или коммерческой связи с производителем или покупателем, которая может вызвать потенциальный конфликт интересов. | inspection body [third-party] |
| Примечание — Орган проверки может быть действующим подразделением органа сертификации. | |
| 3.7.10 межлабораторные испытания: Деятельность, включающая в себя организацию, осуществление и оценку испытаний одинаковых или схожих объектов или материалов двумя или несколькими лабораториями в соответствии с предварительно определенными условиями. | interlaboratory testing |
| 3.7.11 лаборатория: | laboratory |
| a) испытательная лаборатория: Орган или организация, осуществляющая испытания и выдающая официальный письменный отчет об их результатах. | testing laboratory |
| Примечание — В случаях, когда лаборатория представляет собой часть организации, деятельность которой выходит за пределы испытаний и калибровки, термин «лаборатория» относится только к тому подразделению этой организации, которое действительно производит испытание ФЭ модулей, компонентов и целых систем. | |
| b) испытательная лаборатория [третье лицо]: Лаборатория испытательного органа, обладающая необходимой технической компетенцией для осуществления начальных проверок и/или аудита и последующих проверок и/или аудита и не подконтрольная производителю, поставщику или покупателю (пользователю/заказчику) сертифицированного продукта или услуги, т.е. не имеющая организационной, финансовой или коммерческой связи с производителем или покупателем, которая может вызвать потенциальный конфликт интересов. | testing laboratory [third-party] |
| 3.7.12 лицензиат (для сертификации): Лицо или производитель, которому сертификационный орган выдал лицензию. | licensee (for certification) |
| 3.7.13 лицензия для сертификации: Документ, изготовленный по правилам программы сертификации, в соответствии с которой сертификационный орган предоставляет лицу или производителю право использовать данные сертификаты и знаки соответствия для своих изделий, методов или услуг в соответствии с правилами данной программы сертификации. | license for certification |
| 3.7.14 производитель: Организация, занимающаяся производством изделия. | manufacturer |
| a) производитель элемента: Организация, занимающаяся производством ФЭ элементов; | cell manufacturer |
| b) производитель модуля: Организация, выполняющая завершающую стадию в процессе изготовления ФЭ модулей. | module manufacturer |
| 3.7.15 меморандум о договоренности; MOU: Соглашение о сотрудничестве и соблюдении определенных правил, установленных одной или несколькими сторонами, заключившими соглашение. | memorandum of understanding |
| 3.7.16 производитель модуля См. «производитель/модуль производитель», 3.7.14b). | module manufacturer |
| 3.7.17 участник: Организация, участвующая в программе сертификации. | participant |
| 3.7.18 фотоэлектрические элементы/оборудование; ФЭО: В обобщенном виде это описываемые ФЭ модули, системы и системные компоненты, например регуляторы заряда, инверторы, устройства хранения энергии и т.д. | photovoltaic elements/equipment |
| 3.7.19 проверка квалификации: Регулярная, периодическая проверка качества тестирования и калибровки новых лабораторий, как правило, путем межлабораторного сравнения. | proficiency testing |
| 3.7.20 приемочные испытания: Испытания, проводимые со случайно выбранными компонентами или образцами полных систем в целях верификации приемлемости базового проекта. | qualification test |
| Примечание 1 — Приемочные испытания могут быть проведены на выдерживание внешних воздействий, верификацию работоспособности и безопасности. Примечание 2 — Методы приемочных испытаний могут включать в себя измерение рабочих параметров и/или применение определенных электрических, механических или температурных нагрузок в предписанном виде и объеме. Примечание 3 — Результаты приемочных испытаний должны удовлетворять списку определенных требований. | |
| 3.7.21 руководство по методам контроля качества: Документ, указывающий направления политики в области качества, систему качества и практику организации в этой области. | quality manual |
| 3.7.22 система качества: Система, имеющая организационную структуру, несущая ответственность, обладающая методами, процессами и ресурсами для осуществления управления качеством. | quality system |
| 3.7.23 эталонный материал: Физический материал или вещество, одно или несколько свойств которого с удовлетворительной степенью установлены для использования при настройке аппаратуры, оценки метода измерений или определения свойств материалов. | reference material |
| 3.7.24 эталонный стандарт: Физический стандарт, как правило высочайшего метрологического качества, доступный испытательной лаборатории, откуда поступают меры, снятые в данном месте. | reference standard |
| 3.7.25 стандарт: Предписанный набор условий и требований, установленных властями или условиями договора для постоянного применения. | standard |
| Примечание 1 — Стандарт имеет форму документа, содержащего набор подлежащих выполнению условий, или объект для сравнения. Примечание 2 — При создании стандарта определяемые и используемые в нем условия и требования должны быть приемлемы и обладать возможностью сертификации. | |
| 3.7.26 производитель системы: Проектировщик, создатель и/или монтажник системы, осуществляющий полное сопровождение системы для покупки и эксплуатации ее заказчиком. | system producer |
| Примечание — Производитель системы несет ответственность за соответствие всех компонентов системы программе сертификации. | |
| 3.7.27 руководство по испытанию и калибровочным процедурам: Письменный документ или документы, содержащие определенные инструкции, предпочтительно изложенные в действительном залоге и повелительном наклонении, для проведения испытаний и настроек. | test and calibration procedures manual |
| 3.7.28 испытания: Действия или процесс проведения одного или нескольких мероприятий по проверке объекта в целях оценки его требуемых качеств. | testing |
| 3.7.29 испытательная лаборатория См. «лаборатория/испытательная лаборатория», 3.7.11a). | testing laboratory |
| 3.7.30 испытательная лаборатория [третье лицо] См. «лаборатория/испытательная лаборатория (третье лицо)», 3.7.11b). | testing laboratory [third party] |
| 3.7.31 метод испытаний: Документированная техническая операция для проведения испытания. | test method |
| Примечание — Метод испытаний может содержаться либо во внутренней документации, либо в опубликованном согласованном стандарте. | |
| 3.7.32 испытание: Техническая операция в рамках испытаний, заключающаяся в определении одной или нескольких характеристик данного изделия, процесса или услуги в соответствии с установленным методом. | test |
| Примечание — Испытание проводят для измерения или классификации характеристик или свойств объекта путем помещения объекта в определенную совокупность условий внешних воздействий и эксплуатации и/или предъявляемых требований. | |
| 3.7.33 последовательность испытаний: Одно или несколько приемочных испытаний, проведенных в определенном порядке с выбранной группой ФЭ модулей, компонентов и полных систем. | test sequence |
| 3.7.34 сертификация третьим лицом См. «сертификация/сертификация третьим лицом», 3.7.6d). | third-party certification |
| 3.7.35 отслеживаемость: Свойство результата измерений, благодаря которому он может быть поставлен в соответствие определенным физическим стандартам, поддерживаемым соответствующей организацией международных стандартов, посредством цельной цепи сравнений. | traceability |
| 3.7.36 утверждение опытного образца: Одобрение изделия или типа системы на основе успешного получения оценки соответствия и прохождения требуемых приемочных испытаний. | type approval |
| 3.7.37 испытание типа: Испытание одного или нескольких устройств определенного проекта для демонстрации того, что данный проект удовлетворяет установленным техническим требованиям. | type test |
| 3.7.38 единообразие: Изделие, которое не отклоняется от требований стандартов. | uniformity |
| 3.7.39 верификация: Подтверждение путем проверки и регистрации физического доказательства того, что предъявленные требования были удовлетворены. | verification |
| 3.7.40 верификационные испытания: Характерные для данного местоположения периодические испытания в целях подтверждения дальнейшей приемлемости эксплуатационных характеристик. | verification testing |
3.8 Фотоэлектрические устройства с концентратором
Данный раздел распространяется на концентраторные фотоэлектрические технологии.
| 3.8.1 активная площадь апертуры, м2: Часть общей площади апертуры концентраторного ФЭ модуля, предназначенная для усиления освещенности, когда Солнце находится во внеосевых точках. | active aperture area |
| 3.8.2 энергоэффективность площади апертуры См. «энергоэффективность/энергоэффективность площади апертуры», 3.8.7a). | aperture area efficiency |
| 3.8.3 элемент См. «концентратор/фотоэлектрический элемент с концентратором», 3.8.5a). | cell |
| 3.8.4 коэффициент использования мощности, %: | concentration ratio |
| a) геометрический коэффициент концентрации: Отношение площади апертуры для сбора света к активной площади приемника; | geometric concentration ratio |
| b) коэффициент концентрации излучения: Отношение излучения концентрированного света к свету, попадающему на концентратор ФЭ элемента. | radiant concentration ratio |
| 3.8.5 концентратор: Оптическое устройство, предназначенное для повышения плотности потока солнечного излучения, основанное на явлениях отражения и преломления лучей. | concentrator, receiver |
| Примечание — Термин ассоциируется с ФЭ устройствами или ФЭ системами, которые используют концентрированное солнечное излучение (например, концентратор ФЭ элемента, концентратор ФЭ модуля/установки, концентратор ФЭ системы, концентратор ФЭ станции); часто применяется вместо его синонима «концентрирующий». | |
| a) фотоэлектрический элемент с концентратором: ФЭ элемент, специально спроектированный для использования при освещении концентрированным солнечным светом; | concentrator photovoltaic cell |
| b) фотоэлектрический модуль с концентратором: Самый малый полный защищенный от внешних воздействий монтаж с приемниками, оптическими частями и такими соответствующими компонентами, как соединители и крепеж, концентрирующий солнечный свет; | concentrator photovoltaic module |
| c) фотоэлектрический приемник с концентратором: Установка, собранная из одного или нескольких концентраторных ФЭ элементов или ФЭ элементов, которые принимают концентрированный солнечный свет и имеют в своем составе средства для удаления температурной и электрической энергии; | concentrator photovoltaic receiver |
| d) концентраторные фотоэлектрические устройства; КФЭ: ФЭ устройства, которые включают в себя концентрирующие устройства для усиления солнечного излучения. | concentrator photovoltaics |
| 3.8.6 двуосный ориентатор См. «ориентатор/двуосный ориентатор», 3.8.15a). | dual-axis tracker |
| 3.8.7 энергоэффективность, %: | efficiency |
| a) энергоэффективность площади апертуры: Отношение активной площади апертуры к общей площади апертуры концентратора ФЭ модуля; | aperture area efficiency |
| b) энергоэффективность линз: Отношение спектрально-взвешенной концентрации облученности к геометрическому коэффициенту концентрации. | lens efficiency |
| 3.8.8 линза Френеля: Оптическое устройство, которое включает в себя мини-призмы для фокусировки света на точке или линии. | fresnel lens |
| Примечание 1 — Мини-призмы могут быть концентрическими кругами для фокусировки на точке или прямоугольными для фокусировки на линии. Примечание 2 — Мини-призмы установлены под разными углами, чтобы свет фокусировался на одной и той же точке или линии. Примечание 3 — Линза Френеля может быть изготовлена в плоской или кривоугольной форме путем штамповки из пластиковых листов. | |
| 3.8.9 геометрический коэффициент концентрации См. «коэффициент концентрации/геометрический коэффициент концентрации», 3.8.4a). | geometric concentration ratio |
| 3.8.10 энергоэффективность линз См. «энергоэффективность/энергоэффективность линз», 3.8.7b). | lens efficiency |
| 3.8.11 ориентирная ось: Эталонная ось для концентратора ФЭ модуля, выбранная в качестве линии, которая позволяет получить максимальную электроэнергию на выходе, когда ось сориентирована по линии лучей от источника света. | pointing axis |
| Примечание — Ориентирная ось для концентраторов аналогична оптической оси воображаемых оптических компонентов. | |
| 3.8.12 коэффициент концентрации излучения См. «коэффициент концентрации/излучатель», 3.8.4b). | radiant concentration ratio |
| 3.8.13 приемник См. «концентратор/концентраторный приемник», 3.8.5c). | receiver |
| 3.8.14 одноосный ориентатор См. «ориентатор/одноосный ориентатор», 3.8.15b). | single-axis tracker |
| 3.8.15 ориентатор: Подвижная механическая конструкция, используемая для установки концентраторных ФЭ модулей, способная точно поддерживать выравнивание по Солнцу в течение светлого времени дня. | tracker |
| a) двуосный ориентатор: Ориентатор, направляемый на Солнце и по вертикальной, и по горизонтальной осям; | dual-axis tracker |
| b) одноосный ориентатор: Ориентатор, направляемый на Солнце либо только по вертикальной, либо только по горизонтальной оси. | single-axis tracker |
3.9 Управление проектом
Применены термины по МЭК 62257.
3.10 Разное
| 1) AC — переменный ток | |
| 2) AM — воздушные массы | 3.6.1 |
| 3) ATC — acceptance test conditions | 3.4.16a) |
| 4) BOS — компоненты равновесия системы | 3.3.8 |
| 5) CES — системы коллективной электрификации | 3.3.10 |
| 6) CФЭ — концентраторные фотоэлектрические устройства 3.8.5d) | |
| 7) CRM — сертифицированный эталонный материал | 3.7.7 |
| 8) DC — постоянный ток | |
| 9) DG — распределенный генератор | 3.3.20 |
| 10) DOD — глубина разряда | 3.4.24 |
| 11) ECT — эквивалентная температура P-N перехода в солнечном элементе | 3.4.29 |
| 12) EMI — электромагнитные помехи | 3.4.27 |
| 13) FF — коэффициент заполнения | 3.4.30 |
| 14) IES — частная система электрификации | 3.3.32 |
| 15) IEV — Международный электротехнический словарь | |
| 16) I-V — вольт-амперная характеристика также обозначается I-U в соответствии с Публикацией МЭК/ИСО | 3.4.21 |
| 17) MCM — главная система мониторинга и контроля | 3.3.75a) |
| 18) MOU — меморандум о договоренности | 3.7.15 |
| 19) ТММ — точка максимальной мощности | 3.4.42c) |
| 20) ТПММ — точка поиска максимальной мощности | 3.4.42d) |
| 21) NOCT — номинальная рабочая температура P-N перехода в солнечном элементе | 3.4.52 |
| 22) NUG — не подсоединенный к электрической сети генератор электроэнергии | 3.3.20 |
| 23) PSOC — состояние частичной зарядки | 3.4.63 |
| 24) ФЭ — фотоэлектрический (при использовании в качестве прилагательного) или фотоэлектрические устройства (при использовании в качестве существительного) | 3.1.42, |
| 3.2.21, 3.3.56 | |
| 25) ФЭО — фотоэлектрические элементы/оборудование | 3.7.18 26) PVPS — фотоэлектрические энергетические системы 3.3.61 |
| 27) PWM — широтно-импульсная модуляция | 3.2.23 |
| 28) SELV — безопасное сверхнизкое напряжение | 3.4.75 |
| 29) SHS — солнечная система для жилого дома | 3.3.68 |
| 30) SOC — стандартные условия эксплуатации | 3.4.16d) |
| 31) SPG — солнечный кремний для фотоэнергетики | 3.1.58g) |
| 32) СУИ — стандартные условия проведения испытаний | 3.4.16e) |
| 33) TCO — прозрачный проводящий оксид | 3.1.64 |
| 34) ОГИ — общее гармоническое искажение | 3.4.91 |
| 35) UV — ультрафиолет | 3.6.50 |
Алфавитный указатель терминов на русском языке
| A | |
|---|---|
| AC/AC интерфейс | 3.3.33a) 3.3.1 |
| D | |
| DC интерфейс | 3.3.12 |
| DC интерфейс, интерфейс стороны постоянного тока | 3.3.33c) |
| DC/DC интерфейс | 3.3.11 3.3.33d) |
| P | |
| PIN переход | 3.1.34e) 3.1.44 |
| P-N переход | 3.1.45 3.1.34f) |
| P-N переход в солнечном элементе | 3.1.34a) |
| P-N переход элемента | 3.1.11 |
| А | |
| альбедо | 3.6.2 |
| атмосферный | 3.6.7 |
| Б | |
| барьер Шоттки (переход Шоттки) | 3.1.34d) |
| барьер элемента | 3.1.10 |
| батарея с клапанной регулировкой кислотно-свинцовая | 3.2.37 |
| батарея для ФЭ систем кислотно-свинцовая | 3.2.17a) |
| батарея кислотно-свинцовая | 3.2.17 |
| батарея открытого типа кислотно-свинцовая | 3.2.17c) 3.2.38 |
| батарея с клапанной регулировкой кислотно-свинцовая | 3.2.17b) |
| В | |
| верификация | 3.7.39 |
| вещества фотоэлектрические аморфные | 3.1.1 |
| время непреднамеренного автономного режима | 3.3.34c) |
| выдержка | 3.6.9 |
| выдержка для насыщения светом | 3.6.9b) 3.6.27 |
| высота Солнца угловая | 3.6.4d) 3.6.41 |
| выход квантовый | 3.4.15 3.4.26d) |
| выход по энергии | 3.4.26l) 3.4.68 |
| Г | |
| генератор | 3.3.25 |
| генератор распределенный | 3.3.20 |
| генератор фотоэлектрический | 3.3.56d) |
| гетеропереход | 3.1.30 3.1.34b) |
| глубина разряда | 3.4.24 |
| границы КПД допустимые | 3.4.26o) |
| Д | |
| демонстрационный проект | 3.10.2 |
| дженсет | 3.3.26 |
| диод (на уровне фотоэлектрической системы) шунтирующий | 3.2.6 |
| диод (на уровне элемента) обходной | 3.1.8 |
| диод блокировочный | 3.2.5 |
| донор (в фотоэлектрических элементах) | 3.1.22 |
| Е | |
| единообразие | 3.7.38 |
| З | |
| зависимость от солнечной энергии за период времени, например месяц или год | 3.4.23 |
| заказчик [пользователь] | 3.9.9 |
| запуск/остановка автоматический | 3.2.4 |
| заявитель | 3.7.2 |
| знак сертификации | 3.7.6b) |
| зона запрещенная | 3.1.27 |
| И | |
| излучение неба рассеянное | 3.6.11 |
| излучение солнечное | 3.6.40d) |
| имитатор солнечного света | 3.5.8 |
| имитатор солнечного света в установившемся режиме | 3.5.8c) 3.5.10 |
| имитатор солнечного света импульсного типа | 3.5.4 3.5.8b) |
| имитатор фотоэлектрической установки | 3.5.3 |
| инвертор | 3.2.15 |
| инвертор автономный | 3.2.15i) 3.2.28 |
| инвертор бестрансформаторного типа | 3.2.15k) 3.2.33 |
| инвертор, ведомый сетью | 3.2.15d) |
| инвертор, взаимодействующий с сетью | 3.2.15e) |
| инвертор высокочастотного типа | 3.2.15f) 3.2.13 |
| инвертор для цепи | 3.2.15j) 3.2.30 |
| инвертор интерактивный общий | 3.2.15m) |
| инвертор модуля | 3.2.15g) |
| инвертор напряжения жесткого типа | 3.2.15o) 3.2.40 |
| инвертор, подключенный к сети | 3.2.15c) 3.2.35 |
| инвертор, регулирующий ток | 3.2.15a) |
| инвертор с системой защиты от аварийных режимов | 3.2.15h) 3.2.20 |
| инвертор типа регулирования источника тока | 3.2.8 |
| инвертор тока жесткого типа | 3.2.15b) 3.2.9 |
| индекс воздушной массы | 3.6.1 |
| инженер-консультант | 3.9.4 |
| инициатива расширения рынка | 3.10.4 |
| интерфейс | 3.3.33 |
| интерфейс поставщика энергии | 3.3.33f) 3.3.79 |
| интерфейс стороны постоянного тока | 3.3.33e) |
| искажение гармоническое общее | 3.4.91 |
| испытание | 3.7.32 |
| испытание в условиях воздействия внешних факторов | 3.6.15h) 3.6.29 |
| испытание изоляции | 3.6.15f) |
| испытание механической нагрузкой | 3.6.28 3.6.15g) |
| испытание на изгиб | 3.6.15l) 3.6.49 |
| испытание на изоляцию | 3.6.23 |
| испытание на надежность входов и выходов оборудования | 3.6.15i) 3.6.34 |
| испытание на переносимость влажности и высоких температур | 3.6.10 3.6.15a) |
| испытание на переносимость влажности и низких температур | 3.6.15d) 3.6.20 |
| испытание на переносимость местного перегрева | 3.6.15c) 3.6.19 |
| испытание на переносимость солевого тумана | 3.6.15j) 3.6.35 |
| испытание на переносимость ультрафиолетового излучения | 3.6.15m) 3.6.50 |
| испытание на переносимость циклических изменений температуры | 3.6.15k) 3.6.43 |
| испытание на ток утечки в условиях влажности | 3.6.15n) 3.6.51 |
| испытание на удар | 3.6.15e) 3.6.21 |
| испытание переносимости града | 3.6.15b) 3.6.18 |
| испытание типа | 3.7.37 |
| испытания | 3.7.28 |
| испытания в условиях внешних воздействий | 3.6.15 |
| испытания верификационные | 3.7.40 |
| испытания межлабораторные | 3.7.10 |
| испытания приемочные | 3.7.1 3.7.20 |
| испытательная лаборатория | 3.7.11a) 3.7.29 |
| источник света монохроматический | 3.5.2 |
| источник стабилизированного питания | 3.2.22 |
| К | |
| кабель питающий | 3.2.31 |
| кабель питающий фотоэлектрический | 3.2.21d) |
| кабель последовательности | 3.2.29 |
| кабель постоянного тока главный | 3.2.11 |
| кабель постоянного тока главный фотоэлектрический | 3.2.21b) |
| кабель установки | 3.2.2 |
| кабель фотоэлектрической последовательности | 3.2.21c) |
| кабель фотоэлектрической установки | 3.2.21a) |
| калибровка | 3.7.3 |
| класс имитатора солнечного света | 3.5.8a) |
| количество часов использования мощности | 3.4.96 |
| количество часов использования мощности ежегодное окончательное | 3.4.31 3.4.96b) |
| количество часов использования мощности установкой | 3.4.96a) |
| количество часов использования системой мощности окончательное | 3.4.32 3.4.96c) |
| количество часов использования установкой мощности | 3.4.7 |
| коммутация (статические инверторы) | 3.2.7 |
| коммутация линии | 3.2.7a) 3.2.18 |
| компоненты равновесия системы | 3.3.8 |
| компоненты фотоэлектрические | 3.3.57 |
| конструкция опорная | 3.2.32 |
| контроль ШИМ (PWM) | 3.2.23 |
| контроль широтно-импульсной модуляции | 3.2.23 |
| концентратор | 3.8.5 |
| координатор проекта и главный подрядчик | 3.9.5 |
| коробка генератора ответвительная | 3.2.12 |
| коробка генератора распределительная | 3.2.16b) |
| коробка распределительная | 3.2.16 |
| коробка установки ответвительная | 3.2.3 |
| коробка установки распределительная | 3.2.16a) |
| коэффициент | 3.4.14 |
| коэффициент зависимости напряжения от освещенности | 3.4.14b) 3.4.92 |
| коэффициент заполнения | 3.4.30 |
| коэффициент затенения | 3.4.78 |
| коэффициент использования мощности за период времени, например месяц или год | 3.4.10b) 3.8.4 |
| коэффициент концентрации геометрический | 3.8.4a) 3.8.9 |
| коэффициент концентрации излучения | 3.8.4b) 3.8.12 |
| коэффициент максимальной мощности температурный | 3.4.42e) |
| коэффициент напряжения температурный | 3.4.93 3.4.14c) |
| коэффициент освещенности при максимальной мощности | 3.4.42b) |
| коэффициент переводной | 3.4.18 |
| коэффициент полезного действия | 3.1.14 |
| коэффициент преобразования энергии | 3.4.66 |
| коэффициент прозрачности атмосферы | 3.6.7c) |
| коэффициент пульсации постоянного тока | 3.4.22 |
| коэффициент тока температурный | 3.4.14a) |
| коэффициент токо-температурный | 3.4.20 |
| КПД для частичной мощности | 3.4.26j) 3.4.61 |
| КПД для частичной нагрузки | 3.4.26k) 3.4.62 |
| КПД инвертора | 3.4.26g) 3.4.36 |
| КПД номинальный | 3.4.26m) 3.4.69d) |
| КПД системы | 3.4.87 |
| КПД системы за период времени, например месяц или год | 3.4.26n) |
| кремний | 3.1.58 |
| кремний sc-Si монокристаллический | 3.1.58f) |
| кремний аморфный | 3.1.2 3.1.58a) |
| кремний кристаллический | 3.1.15 3.1.58b) |
| кремний микрокристаллический | 3.1.38 3.1.58c) |
| кремний монокристаллический | 3.1.60 |
| кремний мультикристаллический | 3.1.40 3.1.58d) |
| кремний поликристаллический | 3.1.47 3.1.58e) |
| кремний фотоэлектрический солнечный | 3.1.58g) |
| кристаллизация направленная | 3.1.21 3.1.32b) |
| Л | |
| лаборатория | 3.7.11 |
| лаборатория испытательная [третье лицо] | 3.7.30 3.7.11b) |
| лента | 3.1.53 |
| линейность | 3.4.38 |
| линза Френеля | 3.8.8 |
| линии сети | 3.1.29 |
| линия металлизации | 3.1.37 |
| линия сетки | 3.1.37b) |
| литье электромагнитное | 3.1.26 3.1.32c) |
| лицензиат (для сертификации) | 3.7.12 |
| лицензия для сертификации | 3.7.13 |
| М | |
| магистраль (шина) | 3.1.7 |
| материал | 3.1.36 |
| материал полупроводниковый | 3.1.57 |
| материал фотоэлектрический | 3.1.43e) |
| материал фотоэлектрический эталонный сертифицированный | 3.7.7 |
| материал эталонный | 3.7.23 |
| меморандум о договоренности | 3.7.15 |
| местоположение | 3.3.67 |
| местоположение изолированное | 3.3.38 3.3.67a) |
| местоположение отдаленное | 3.3.65 3.3.67b) |
| метод зонной плавки | 3.1.32d) |
| метод испытаний | 3.7.31 |
| метод средневзвешенной энергетической отдачи для расчета эффективной энергетической отдачи | 3.4.26q) |
| метод Чохральского | 3.1.17 3.1.32a) |
| множитель модуля упаковочный | 3.4.48 |
| модуль | 3.1.39 |
| модуль переменного тока фотоэлектрический | 3.3.2 |
| модуль с концентратором фотоэлектрический | 3.8.5b) |
| модуль фотоэлектрический | 3.1.43f) |
| модуль фотоэлектрический эталонный | 3.1.52 |
| монтаж | 3.3.6 |
| монтаж фотоэлектрический | 3.3.56c) |
| мощность | 3.1.48 |
| мощность (энергоемкость) | 3.4.10 |
| мощность максимальная | 3.4.42 |
| мощность нагрузки | 3.4.39b) |
| мощность номинальная | 3.4.69a) 3.4.69f) |
| мощность пиковая | 3.4.64 |
| мощность при стандартных условиях проведения испытаний максимальная | 3.4.42g) |
| мощность при стандартных условиях эксплуатации максимальная | 3.4.42f) |
| мощность при стандартных условиях эксплуатации номинальная | 3.4.69h) |
| мощность при СУИ номинальная | 3.4.69g) |
| мощность системы | 3.4.89 |
| мощность системы номинальная | 3.4.53 3.4.69j) |
| мощность солнечная | 3.6.40c) |
| мощность установки | 3.4.10a) |
| мощность установленная | 3.4.35 |
| мутность | 3.6.48 |
| Н | |
| нагрузка | 3.4.39 |
| нагрузка негативная | 3.4.39d) |
| нагрузка нестандартной системы | 3.3.39 |
| нагрузка номинальная | 3.4.69e) |
| нагрузка энергетической системы нестандартная | 3.3.64b) |
| надзор за соответствием | 3.7.8b) |
| напряжение входное максимальное | 3.4.41 |
| напряжение максимальной мощности | 3.4.42h) |
| напряжение максимальной мощности при стандартных условиях проведения испытаний | 3.4.42j) |
| напряжение максимальной мощности при стандартных условиях эксплуатации | 3.4.42i) |
| напряжение нагрузки | 3.4.39c) |
| напряжение номинальное | 3.4.69k) |
| напряжение сверхнизкое безопасное | 3.4.75 |
| напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств) | 3.4.56 |
| напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний | 3.4.56a) |
| неравномерность | 3.4.54 |
| нестабильность имитатора временная | 3.5.11 |
| номинальный | 3.4.69 |
| О | |
| облученность суммарная | 3.6.25j) 3.6.45 |
| оператор | 3.9.7 |
| оператор электрической сети | 3.3.23 |
| орган проверки | 3.7.9a) |
| орган проверки [третье лицо] | 3.7.9b) |
| орган сертификационный | 3.7.6a) |
| организация обслуживающая | 3.9.8 |
| ориентатор | 3.8.15 |
| ориентатор двуосный | 3.8.6 3.8.15a) |
| ориентатор одноосный | 3.8.14 3.8.15b) |
| освещенность | 3.6.25 |
| освещенность интегрированная | 3.6.24 3.6.25e) |
| освещенность испытательная | 3.6.25i) 3.6.42 |
| освещенность на плоскости | 3.6.22 3.6.25d) |
| освещенность прямая | 3.6.13 3.6.25b) |
| освещенность рассеянного излучения | 3.6.25a) |
| освещенность спектральная | 3.6.25g) 3.6.36 |
| освещенность суммарная | 3.6.16 3.6.25c) |
| освещенность фотонная спектральная | 3.6.25h) 3.6.38 |
| ось ориентирная | 3.8.11 |
| отдача ампер-часовая | 3.4.2 3.4.26a) |
| отдача эталонная | 3.4.70 3.4.96d) |
| отслеживаемость | 3.7.35 |
| оценка соответствия | 3.7.8a) |
| ошибка рассогласования | 3.4.44 |
| ошибка рассогласования спектральной чувствительности | 3.4.82a) |
| П | |
| панель | 3.3.53 |
| панель фотоэлектрическая | 3.3.56e) |
| перегрев местный | 3.1.31 |
| переключение на сторону переменного тока | 3.3.4 3.3.62e) |
| переключение на сторону постоянного тока | 3.3.14 3.3.62e) |
| переход (полупроводниковый) | 3.1.34 |
| переход однородный | 3.1.34c) |
| переход Шоттки | 3.1.55 3.1.34d) |
| период отсутствия освещенности принятый | 3.4.8 |
| пиранометр | 3.5.5 3.5.7b) |
| пиргелиометр | 3.5.6 3.5.7c) |
| плавка зонная | 3.1.28 |
| пластина | 3.1.68 |
| плоскость освещенности установки | 3.6.25f) 3.6.31 |
| плотность тока (фотоэлектрического элемента) | 3.4.19 |
| площадь | 3.4.4 |
| площадь апертуры | 3.4.3 |
| площадь апертуры активная | 3.8.1 |
| площадь модуля | 3.4.46 |
| площадь модуля активная | 3.4.46b) |
| площадь модуля общая | 3.4.46a) |
| площадь элемента | 3.4.11 |
| площадь элемента активная | 3.4.11b) |
| площадь элемента общая | 3.4.11a) |
| поверхность текстурированная | 3.1.65 |
| подключение к сети | 3.3.51 |
| подсветка белая | 3.6.52 |
| подсистема источника стабилизированного питания | 3.3.63 3.3.75c) |
| подсистема контроля и мониторинга аварийного отключения | 3.3.66 3.3.75d) |
| подсистема мониторинга и контроля | 3.3.44 3.3.75a) |
| подсистема мониторинга и контроля главная | 3.3.40 |
| подсистема монтажа компонентов | 3.3.75 |
| подсистема накопления энергии | 3.3.72 3.3.75e) |
| подсистема установки | 3.3.74 |
| подсистема фотоэлектрического генератора | 3.3.75b) |
| подсистема фотоэлектрической установки | 3.3.56g) |
| покрытие просветляющее | 3.1.3 |
| полная энергетическая экспозиция | 3.6.26d) 3.6.46 |
| пользователь | 3.9.9 |
| помехи электромагнитные | 3.4.27 |
| последовательность испытаний | 3.7.33 |
| постоянная солнечная световая | 3.6.40a) |
| потери | 3.4.40 |
| потери безнагрузочные | 3.4.51 |
| потери в установке приведенные | 3.4.5 3.4.40a) |
| потери инвертора схемные | 3.4.37 3.4.45a) |
| потери модуля схемные | 3.4.45b) 3.4.47 |
| потери на компонентах равновесия системы | 3.4.40b) |
| потери на компонентах системы за исключением ФЭ панелей | 3.4.9 |
| потери приведенные | 3.4.55 3.4.40c) |
| потери схемные | 3.4.45 |
| потери холостого хода | 3.4.85 |
| поток мощности обратный | 3.4.74 |
| преобразователь постоянного тока | 3.2.10 |
| приемник | 3.8.13 |
| приемник с концентратором фотоэлектрический | 3.8.5c) |
| примесь (в фотоэлектрических элементах) | 3.1.23 |
| проверка | 3.7.9 |
| проверка квалификации | 3.7.19 |
| программа демонстрационная | 3.10.1 |
| программа полевых испытаний | 3.10.3 |
| программа сертификации | 3.7.6c) |
| проектировщик | 3.9.2 |
| прозрачность | 3.6.47 |
| производитель | 3.7.14 |
| производитель модуля | 3.7.14b) 3.7.16 |
| производитель системы | 3.7.26 |
| производитель элемента | 3.7.4 3.7.14a) |
| процесс выращивания кристалла | 3.1.32 |
| Р | |
| работа автономная | 3.3.52a) 3.3.70 |
| работа без сети | 3.3.49 3.3.52g) |
| работа в автономном режиме | 3.3.35 3.3.52i) |
| работа в изолированном режим | 3.3.52f) 3.3.36 |
| работа в параллельном режиме | 3.3.52h) 3.3.55 |
| работа в режиме зависимости от сети | 3.3.52d) |
| работа в режиме подпитки | 3.3.7 3.3.52b) |
| работа при подключении к сети | 3.3.29 3.3.52c) |
| работа с фиксированным напряжением | 3.4.33 |
| рабочий диапазон входного напряжения | 3.2.14 |
| радиометр | 3.5.7 |
| радиометр абсолютный | 3.5.1 3.5.7a) |
| разъединитель интерфейса сетевой | 3.2.36 |
| распределение спектральной освещенности | 3.6.37 |
| распределение спектральной освещенности эталонное | 3.6.33 3.6.37a) |
| режим | 3.3.43 |
| режим автономный | 3.3.34 3.3.52e) |
| режим автономный непреднамеренный | 3.3.34b) |
| режим автономный преднамеренный | 3.3.34a) |
| руководство по испытанию и калибровочным процедурам | 3.7.27 |
| руководство по методам контроля качества | 3.7.21 |
| рынок ФЭ энергетических систем | 3.10.5 |
| С | |
| самокоммутация | 3.2.7c) 3.2.24 |
| саморазряд | 3.4.76 |
| сертификат соответствия | 3.7.5 |
| сертификация | 3.7.6 |
| сертификация третьим лицом | 3.7.6d) 3.7.34 |
| сеть | 3.3.27 |
| сеть общего назначения электрическая | 3.3.27b) |
| сеть общего пользования | 3.3.77 |
| система | 3.3.76 |
| система «микроваттная» | 3.3.42 |
| система «микроваттная» или станция «микроваттная» | 3.3.64d) |
| система без диспетчерского управления энергетическая | 3.3.64e) |
| система для жилого дома внесетевая фотоэлектрическая | 3.3.62l |
| система для жилого дома фотоэлектрическая | 3.3.22 |
| система домашняя солнечная | 3.3.68 |
| система качества | 3.7.22 |
| система коллективной электрификации | 3.3.10 |
| система не для жилого дома внесетевая фотоэлектрическая | 3.3.62m) |
| система не для жилого дома фотоэлектрическая | 3.3.48 3.3.62j) |
| система распределения энергии | 3.3.21 |
| система распределенной генерации | 3.3.19 |
| система распределенной генерации мультифотоэлектрическая | 3.3.45 3.3.62b) |
| система распределенной генерации фотоэлектрическая | 3.3.17 3.3.62b) |
| система с диспетчерским управлением неэнергетическая | 3.3.47 |
| система с диспетчерским управлением электрическая | 3.3.15 |
| система с диспетчерским управлением энергетическая | 3.3.64a) |
| система с распределенными установками фотоэлектрическая | 3.3.62b) |
| система установок | 3.3.5 |
| система фотоэлектрическая | 3.3.62 |
| система фотоэлектрическая автономная | 3.3.71 3.3.62n) |
| система фотоэлектрическая внесетевая | 3.3.50 3.3.62k) |
| система фотоэлектрическая гибридная | 3.3.31 3.3.62g) |
| система фотоэлектрическая изолированная | 3.3.37 3.3.62h) |
| система фотоэлектрическая многоисточниковая | 3.3.46 3.3.62i) |
| система фотоэлектрическая, поддерживаемая сетью | 3.3.28 3.3.62e) |
| система фотоэлектрическая, подключенная к сети | 3.3.62o) 3.3.78 |
| система фотоэлектрическая поселковая внесетевая | 3.3.62p) |
| система фотоэлектрическая централизованная | 3.3.9 3.3.62a) |
| система фотоэлектрическая, подключенная к электросети | 3.3.30 3.3.62f) |
| система фотоэлектрических установок | 3.3.56b) |
| система электрификации частная | 3.3.32 |
| система энергетическая | 3.3.64 |
| система энергетическая торговая | 3.3.41 3.3.64c) |
| система энергетическая фотоэлектрическая | 3.3.59 3.3.61 |
| слой диффузионный | 3.1.20 |
| слой оксидный проводящий прозрачный (оксид прозрачный проводящий) | 3.1.64 |
| содержание озона | 3.6.30 |
| содержание озона в атмосфере | 3.6.7a) |
| содержание осаждаемого водяного пара | 3.6.7b) 3.6.32 |
| солнечный | 3.6.40 |
| солнечный фотоэлектрический | 3.2.27 3.3.69 |
| солнечный фотоэлектрический, устройства фотоэлектрические солнечные | 3.1.61 |
| солнце-часы номинальные | 3.4.69i) |
| солнце-часы пиковые | 3.4.65 |
| соответствие | 3.7.8 |
| сопротивление последовательное | 3.4.77 |
| сопротивление тонкопленочного материала на единицу площади | 3.4.79 |
| сопротивление шунтирующее | 3.4.81 |
| состояние зарядки | 3.4.86 |
| состояние отожженное | 3.6.5 3.6.9a) |
| состояние частичной зарядки | 3.4.63 3.4.86a) |
| спектр | 3.6.39 |
| спектр солнечный | 3.6.40e) |
| спектрорадиометр | 3.5.7d) 3.5.9 |
| способность перегрузочная | 3.4.60 |
| стандарт | 3.7.25 |
| стандарт эталонный | 3.7.24 |
| старт мягкий | 3.2.26 |
| сторона переменного тока | 3.3.3 |
| сторона переменного тока интерфейса | 3.3.33b) |
| сторона постоянного тока | 3.3.13 |
| структура электросетевая отдельная | 3.3.27a) |
| субподрядчик | 3.9.6 |
| схема параллельного соединения модулей | 3.3.54 |
| Т | |
| температура P-N перехода в солнечном элементе | 3.4.12 |
| температура P-N перехода в солнечном элементе эквивалентная | 3.4.29 |
| температура внешней среды | 3.6.3 |
| температура модуля | 3.4.50 |
| температура поверхности модуля | 3.4.49 |
| температура фотоэлектрического элемента рабочая номинальная | 3.4.52 |
| тип инвертора для тока промышленной частоты | 3.2.15l) 3.2.34 |
| тип инвертора, управляемого напряжением | 3.2.39 3.2.15n) |
| тип коммутации линии | 3.2.7b) 3.2.19 |
| тип самокоммутации | 3.2.7d) 3.2.25 |
| ток | 3.1.16 |
| ток короткого замыкания | 3.4.80 |
| ток короткого замыкания при стандартных условиях проведения испытаний | 3.4.80a) |
| ток максимальной мощности | 3.4.42a) |
| ток нагрузки | 3.4.39a) |
| ток номинальный | 3.4.69c) |
| ток темновой | 3.1.18 |
| ток фотоэлектрический | 3.1.43b) |
| точка максимальной мощности | 3.4.42c) |
| точка поиска максимальной мощности | 3.4.42d) |
| У | |
| угол апертурный | 3.6.4b) 3.6.6 |
| угол, градус, радиан | 3.6.4 |
| угол к азимуту | 3.6.4c) 3.6.8 |
| угол наклона | 3.6.4e) 3.6.44 |
| угол падения | 3.6.4a) |
| условия | 3.4.16 |
| условия номинальные | 3.4.69b) |
| условия проведения испытаний | 3.4.16f) 3.4.90 |
| условия проведения испытаний дополнительные | 3.4.16c) 3.4.58 |
| условия проведения испытаний принятые | 3.4.1 3.4.16a) |
| условия проведения испытаний стандартные | 3.4.16e) 3.4.84 |
| условия технические общие | 3.9.3 |
| условия эксплуатации | 3.4.16b) 3.4.57 |
| условия эксплуатации стандартные | 3.4.16d) 3.4.83 |
| установка | 3.2.1 |
| установка системы распределенной генерации | 3.3.16 |
| установка фотоэлектрическая | 3.3.56a) 3.3.58 |
| устройства фотоэлектрические концентраторные | 3.8.5d) |
| устройство | 3.1.19 |
| устройство фотоэлектрическое | 3.1.43c) |
| устройство фотоэлектрическое эталонное | 3.1.51 |
| утверждение опытного образца | 3.7.36 |
| участник | 3.7.17 |
| Ф | |
| фотоэлектрический | 3.2.21 3.3.56 |
| фотоэлектрический, фотоэлектричество | 3.1.43 |
| ФЭ система для жилого дома | 3.3.62d) |
| ФЭ система распределенной генерации | 3.3.18 3.3.62c) |
| Х | |
| характеристика вольт-амперная I-V | 3.4.21 |
| Ц | |
| цена «под ключ» | 3.9.1 |
| цепь | 3.3.73 |
| цепь фотоэлектрическая | 3.3.56f) |
| Ч | |
| чувствительность при нагрузке спектральная | 3.4.82d) |
| чувствительность при нагрузке спектральная относительная | 3.4.72 3.4.82c) |
| чувствительность спектральная | 3.4.82 |
| чувствительность спектральная относительная | 3.4.71 3.4.82b) |
| Ш | |
| шина (фотоэлектрических элементов) | 3.1.37a) |
| Э | |
| эксплуатация (фотоэлектрического устройства) | 3.3.52 |
| экспозиция рассеянного излучения энергетическая | 3.6.12 3.6.26a) |
| экспозиция энергетическая | 3.6.26 |
| экспозиция энергетическая общая | 3.6.17 3.6.26c) |
| экспозиция энергетическая прямая | 3.6.14 3.6.26b) |
| электрифицировать | 3.3.24 |
| электрод прозрачный | 3.1.67 |
| электростанция фотоэлектрическая | 3.3.60 |
| элемент | 3.1.9 3.8.3 |
| элемент из селенида меди и индия фотоэлектрический | 3.1.9a) 3.1.12 |
| элемент интегрированного типа фотоэлектрический | 3.1.9e) 3.1.33 |
| элемент с P-N переходом фотоэлектрический | 3.1.46 3.1.9h) |
| элемент с барьером Шоттки фотоэлектрический | 3.1.9i) 3.1.54 |
| элемент с концентратором фотоэлектрический | 3.1.9c) 3.8.5a) |
| элемент с несколькими P-N переходами фотоэлектрический | 3.1.63 |
| элемент фотоэлектрический | 3.1.43a) |
| элемент фотоэлектрический кремниевый | 3.1.9j) 3.1.59 |
| элемент фотоэлектрический многопереходный | 3.1.9f) 3.1.41 |
| элемент фотоэлектрический органический | 3.1.9g) 3.1.42 |
| элемент фотоэлектрический пакетный | 3.1.9k) |
| элемент фотоэлектрический полупроводниковый сложный | 3.1.9b) |
| элемент фотоэлектрический полупроводниковый составной | 3.1.13 |
| элемент фотоэлектрический тандемный | 3.1.9l) |
| элемент фотоэлектрический тонкопленочный | 3.1.9m) 3.1.66 |
| элемент фотоэлектрический цветочувствительный | 3.1.9d) 3.1.24 |
| элемент фотоэлектрический эталонный | 3.1.50 |
| элемент фотоэлектрический эталонный вторичный | 3.1.50b) 3.1.56 |
| элемент фотоэлектрический эталонный первичный | 3.1.49 3.1.50a) |
| элементы фотоэлектрические скомпонованные | 3.1.62 |
| элементы/оборудование фотоэлектрические | 3.7.18 |
| энергия | 3.4.28 |
| энергия барьера | 3.1.6 |
| энергия запрещенной зоны | 3.1.5 |
| энергия на выходе системы | 3.4.88 |
| энергия солнечная | 3.6.40b) |
| энергия фотоэлектрическая | 3.4.28a) 3.4.67 |
| энергоемкость номинальная | 3.4.10d) |
| энергоемкость остаточная | 3.4.10e) 3.4.73 |
| энергоемкость установленная | 3.4.10c) 3.4.34 |
| энергоемкость эффективная | 3.4.26p) 3.4.94 |
| энергоэффективность | 3.4.26 3.8.7 |
| энергоэффективность линз | 3.8.7b) 3.8.10 |
| энергоэффективность площади апертуры | 3.8.2 3.8.7a) |
| эффект | 3.1.25 |
| эффект поля тыльной поверхности | 3.1.4 3.1.25a) |
| эффект удержания света | 3.1.35 3.1.25b) |
| эффект фотоэлектрический | 3.1.43d) |
| эффективность зарядки | 3.4.13 3.4.26c) |
| эффективность преобразования энергии | 3.4.17 |
| эффективность преобразования энергии средневзвешенная | 3.4.95 |
| эффективность преобразования энергии фотоэлектрическая | 3.4.26e) |
| эффективность системы общая | 3.4.26i) 3.4.59 |
| эффективность установки | 3.4.6 3.4.26b) |
| эффективность установки средняя | 3.4.43 3.4.26h) |
| эффективность энергетической отдачи | 3.4.25 3.4.26f) |
Алфавитный указатель терминов на английском языке
| A | |
|---|---|
| absolute radiometer | 3.5.1 3.5.7a) |
| AC photovoltaic module | 3.3.2 |
| AC side | 3.3.3 |
| AC side of the interface | 3.3.33b) |
| AC side switchover | 3.3.4 3.3.62e) |
| AC/AC interface | 3.3.33a) 3.3.1 |
| acceptance test conditions | 3.4.1 3.4.16a) |
| acceptance tests | 3.7.1 |
| active aperture area | 3.8.1 |
| active cell area | 3.4.11b) |
| active module area | 3.4.46b) |
| air mass index | 3.6.1 |
| albedo | 3.6.2 |
| ambient temperature | 3.6.3 |
| amorphous photovoltaic material | 3.1.1 |
| amorphous silicon | 3.1.2 3.1.58a) |
| ampere-hour efficiency | 3.4.2 3.4.26a) |
| angle | 3.6.4 |
| angle of incidence | 3.6.4a) |
| annealing conditioning | 3.6.5 3.6.9a) |
| anti-reflective coating | 3.1.3 |
| aperture angle | 3.6.4b) 3.6.6 |
| aperture area | 3.4.3 |
| aperture area efficiency | 3.8.2 3.8.7a) |
| applicant | 3.7.2 |
| area | 3.4.4 |
| array | 3.2.1 |
| array cable | 3.2.2 |
| array capacity | 3.4.10a) |
| array capture losses | 3.4.5 3.4.40a) |
| array efficiency | 3.4.6 3.4.26b) |
| array field | 3.3.5 |
| array junction box | 3.2.3 3.2.16a) |
| array yield | 3.4.7 3.4.96a) |
| assembly | 3.3.6 |
| assumed non-sunshine period | 3.4.8 |
| atmospheric | 3.6.7 |
| atmospheric ozone content | 3.6.7a) |
| atmospheric transmissivity | 3.6.7c) |
| automatic start/stop | 3.2.4 |
| autonomous operation | 3.3.52a) |
| azimuth angle | 3.6.4c) 3.6.8 |
| B | |
| back surface field effect | 3.1.4 |
| backfeed operation | 3.3.7 3.3.52b) |
| back-surface field effect | 3.1.25a) |
| balance of system | 3.3.8 |
| balance of system losses | 3.4.40b) |
| band gap energy | 3.1.5 |
| barrier energy | 3.1.6 |
| blocking diode | 3.2.5 |
| BOS losses | 3.4.9 |
| bus bar (of photovoltaic cells) | 3.1.37a) |
| bus lines | 3.1.7 |
| bypass diode (on a module level) | 3.1.8 |
| bypass diode (on a PV system level) | 3.2.6 |
| C | |
| calibration | 3.7.3 |
| capacity | 3.4.10 |
| capacity factor | 3.4.10b) |
| cell | 3.1.9 3.8.3 |
| cell area | 3.4.11 |
| cell barrier | 3.1.10 |
| cell junction | 3.1.11 3.1.34a) |
| cell junction temperature | 3.4.12 |
| cell manufacturer | 3.7.4 3.7.14a) |
| centralized photovoltaic system | 3.3.9 3.3.62a) |
| certificate of conformity | 3.7.5 |
| certification | 3.7.6 |
| certification body | 3.7.6a) |
| certification mark | 3.7.6b) |
| certification programme | 3.7.6c) |
| certified reference photovoltaic material | 3.7.7 |
| charging efficiency | 3.4.13 3.4.26c) |
| CIS photovoltaic cell | 3.1.9a) 3.1.12 |
| coefficient | 3.4.14 |
| collection efficiency | 3.4.15 3.4.26d) |
| collective electrification system | 3.3.10 |
| commutation (static inverters) | 3.2.7 |
| compound semiconductor photovoltaic cell | 3.1.9b) 3.1.13 |
| concentration ratio | 3.8.4 |
| concentrator photovoltaic cell | 3.1.9c) 3.8.5a) |
| concentrator photovoltaic module | 3.8.5b) |
| concentrator photovoltaic receiver | 3.8.5c) |
| concentrator photovoltaics | 3.8.5d) |
| concentrator, receiver | 3.8.5 |
| conditioning | 3.6.9 |
| conditions | 3.4.16 |
| conformity | 3.7.8 |
| conformity evaluation | 3.7.8a |
| conformity surveillance | 3.7.8b) |
| conversion efficiency | 3.1.14 3.4.17 |
| conversion factor | 3.4.18 |
| crystalline silicon | 3.1.15 3.1.58b) |
| current | 3.1.16 |
| current control inverter | 3.2.15a) |
| current control type inverter | 3.2.8 |
| current density (photovoltaic cell) | 3.4.19 |
| current stiff inverter, current stiff type inverter | 3.2.15b) |
| current stiff type inverter | 3.2.9 |
| current-temperature coefficient | 3.4.14a) 3.4.20 |
| current-voltage characteristic | 3.4.21 |
| Czochralski process | 3.1.17 3.1.32a) |
| D | |
| damp heat test | 3.6.10 3.6.15a) |
| dark current | 3.1.18 |
| DC conditioner | 3.2.10 |
| DC interface | 3.3.12 3.3.33c) |
| DC main cable | 3.2.11 |
| DC ripple factor | 3.4.22 |
| DC side | 3.3.13 |
| DC side of the interface | 3.3.33e) |
| DC side switchover | 3.3.14 3.3.62e) |
| DC/DC interface | 3.3.11 3.3.33d) |
| demonstration programme | 3.10.1 |
| demonstration project | 3.10.2 |
| dependency on solar energy | 3.4.23 |
| depth of discharge | 3.4.24 |
| device | 3.1.19 |
| diffuse irradiance | 3.6.11 3.6.25a) |
| diffuse irradiation | 3.6.12 3.6.26a) |
| diffusion layer | 3.1.20 |
| direct irradiance | 3.6.13 3.6.25b) |
| direct irradiation | 3.6.14 3.6.26b) |
| directional solidification | 3.1.21 3.1.32b) |
| dispatchable electric system | 3.3.15 |
| dispatchable power system | 3.3.64a) |
| dispersed array system | 3.3.16 |
| dispersed photovoltaic system | 3.3.17 3.3.62b) |
| dispersed-array photovoltaic system | 3.3.62b) |
| distributed generation PV system | 3.3.18 3.3.62c) |
| distributed generation system | 3.3.19 |
| distributed generator | 3.3.20 |
| distribution system | 3.3.21 |
| domestic photovoltaic system | 3.3.22 3.3.62d) |
| donor (in photovoltaic cells) | 3.1.22 |
| dopant (in photovoltaic cells) | 3.1.23 |
| dual-axis tracker | 3.8.6 3.8.15a) |
| dye-sensitized photovoltaic cell | 3.1.9d) 3.1.24 |
| E | |
| effect | 3.1.25 |
| effective energy efficiency | 3.4.25 3.4.26f) |
| efficiency | 3.4.26 3.8.7 |
| efficiency tolerance | 3.4.26o) |
| electrical utility | 3.3.23 |
| electrify | 3.3.24 |
| electromagnetic casting | 3.1.26 3.1.32c) |
| electromagnetic interference | 3.4.27 |
| energy | 3.4.28 |
| energy gap | 3.1.27 |
| engineering consultant | 3.9.4 |
| environmental test | 3.6.15 |
| equivalent photovoltaic cell temperature | 3.4.29 |
| F | |
| field test programme | 3.10.3 |
| fill factor | 3.4.30 |
| final annual yield | 3.4.31 3.4.96b) |
| final system yield | 3.4.32 3.4.96c) |
| fixed voltage operation | 3.4.33 |
| float zone melting | 3.1.28 3.1.32d) |
| fresnel lens | 3.8.8 |
| G | |
| general specification | 3.9.3 |
| generator | 3.3.25 |
| generator junction box | 3.2.12 3.2.16b) |
| genset | 3.3.26 |
| geometric concentration ratio | 3.8.4a) 3.8.9 |
| global irradiance | 3.6.16 3.6.25c) |
| global irradiation | 3.6.17 3.6.26c) |
| grid | 3.3.27 |
| grid backed-up photovoltaic system | 3.3.28 3.3.62e) |
| grid line | 3.1.37b) |
| grid lines | 3.1.29 |
| grid-connected inverter | 3.2.15c) |
| grid-connected operation | 3.3.29 3.3.52c) |
| grid-connected photovoltaic system | 3.3.30 3.3.62f) |
| grid-dependent inverter | 3.2.15d) |
| grid-dependent operation | 3.3.52d) |
| grid-interactive inverter | 3.2.15e) |
| H | |
| hail test | 3.6.15b) 3.6.18 |
| heterojunction | 3.1.30 3.1.34b) |
| high frequency link inverter, high frequency link type inverter | 3.2.15f) |
| high frequency link type inverter | 3.2.13 |
| homojunction | 3.1.34c) |
| hot spot | 3.1.31 |
| hot-spot endurance test | 3.6.15c) 3.6.19 |
| humidity freeze test | 3.6.15d) 3.6.20 |
| hybrid photovoltaic system | 3.3.31 3.3.62g) |
| I | |
| impact test | 3.6.15e) 3.6.21 |
| individual electrification system | 3.3.32 |
| ingot manufacturing process | 3.1.32 |
| in-plane irradiance | 3.6.22 3.6.25d) |
| input voltage operating range | 3.2.14 |
| inspection | 3.7.9 |
| inspection body | 3.7.9a) |
| inspection body (third-party) | 3.7.9b) |
| install capacity | 3.4.34 |
| install power | 3.4.35 |
| installed capacity | 3.4.10c) |
| insulation test | 3.6.15f) 3.6.23 |
| integrated irradiance | 3.6.24 3.6.25e) |
| integrated type photovoltaic cell | 3.1.9e) 3.1.33 |
| intentional island | 3.3.34a) |
| interface | 3.3.33 |
| interlaboratory testing | 3.7.10 |
| inverter | 3.2.15 |
| inverter efficiency | 3.4.26g) 3.4.36 |
| inverter mismatch loss | 3.4.37 3.4.45a) |
| irradiance | 3.6.25 |
| irradiation | 3.6.26 |
| island | 3.3.34 |
| islanding operation | 3.3.35 3.3.52e) |
| isolated operation | 3.3.36 3.3.52f) |
| isolated photovoltaic system | 3.3.37 3.3.62h) |
| isolated site | 3.3.38 3.3.67a) |
| J | |
| junction (of semiconductors) | 3.1.34 |
| junction box | 3.2.16 |
| L | |
| laboratory | 3.7.11 |
| lead-acid battery | 3.2.17 |
| lead-acid battery for PV systems | 3.2.17a) |
| lens efficiency | 3.8.7b) 3.8.10 |
| license for certification | 3.7.13 |
| licensee (for certification) | 3.7.12 |
| light confinement effect | 3.1.35 |
| light soaking conditioning | 3.6.9b) 3.6.27 |
| light-confinement effect | 3.1.25b) |
| line commutation | 3.2.7a) 3.2.18 |
| line commutation type | 3.2.7b) 3.2.19 |
| linearity | 3.4.38 |
| load | 3.4.39 |
| load current | 3.4.39a) |
| load offset power system | 3.3.64b) |
| load offset system | 3.3.39 |
| load power | 3.4.39b) |
| load voltage | 3.4.39c) |
| losses | 3.4.40 |
| M | |
| maintenance contractor | 3.9.8 |
| manufacturer | 3.7.14 |
| market deployment initiative | 3.10.4 |
| master control and monitoring sub-system | 3.3.40 |
| material | 3.1.36 |
| maximum input voltage | 3.4.41 |
| maximum power | 3.4.42 |
| maximum power current | 3.4.42a) |
| maximum power irradiance coefficient | 3.4.42b) |
| maximum power point | 3.4.42c) |
| maximum power point tracking | 3.4.42d) |
| maximum power temperature coefficient | 3.4.42e) |
| maximum power under standard operating conditions | 3.4.42f) |
| maximum power under standard test conditions | 3.4.42g) |
| maximum power voltage | 3.4.42h) |
| maximum power voltage under standard operating conditions | 3.4.42i) |
| maximum power voltage under standard test conditions | 3.4.42j) |
| mean array efficiency | 3.4.26h) 3.4.43 |
| mechanical load test | 3.6.15g) 3.6.28 |
| memorandum of understanding | 3.7.15 |
| merchant power system | 3.3.41 3.3.64c) |
| metallisation line | 3.1.37 |
| microcrystalline silicon | 3.1.38 3.1.58c) |
| microgrid | 3.3.27a) |
| micropower system | 3.3.42 |
| micropower system or micropower station | 3.3.64d) |
| mismatch error | 3.4.44 |
| mismatch loss | 3.4.45 |
| mode | 3.3.43 |
| module | 3.1.39 |
| module area | 3.4.46 |
| module inverter | 3.2.15g) |
| module manufacturer | 3.7.14b) 3.7.16 |
| module mismatch loss | 3.4.45b) 3.4.47 |
| module packing factor | 3.4.48 |
| module surface temperature | 3.4.49 |
| module temperature | 3.4.50 |
| monitor and control sub-system | 3.3.44 3.3.75a) |
| monochromatic light source | 3.5.2 |
| multicrystalline silicon | 3.1.40 3.1.58d) |
| multi-dispersed photovoltaic system | 3.3.45 3.3.62b) |
| multijunction photovoltaic cell | 3.1.9f) 3.1.41 |
| multi-source photovoltaic system | 3.3.46 3.3.62i) |
| N | |
| negative load | 3.4.39d) |
| no load loss | 3.4.51 |
| nominal operating photovoltaic cell temperature | 3.4.52 |
| nominal system power | 3.4.53 |
| non-dispatchable power system | 3.3.64e) |
| non-domestic photovoltaic system | 3.3.47 3.3.48 3.3.62j) |
| non-islanding inverter | 3.2.15h) 3.2.20 |
| non-uniformity | 3.4.54 |
| normalisated losses | 3.4.55 |
| normalised losses | 3.4.40c) |
| O | |
| off-grid domestic photovoltaic system | 3.3.62l) |
| off-grid non-domestic photovoltaic system | 3.3.62m) |
| off-grid operation | 3.3.49 3.3.52g) |
| off-grid photovoltaic system | 3.3.50 3.3.62k) |
| off-grid village photovoltaic system | 3.3.62p) |
| on-grid | 3.3.51 |
| open-circuit voltage (photovoltaic devices) | 3.4.56 |
| open-circuit voltage under standard test conditions | 3.4.56a) |
| operating conditions | 3.4.16b) |
| operation (photovoltaics) | 3.3.52 |
| operations conditions | 3.4.57 |
| operator | 3.9.7 |
| optional test conditions | 3.4.16c) 3.4.58 |
| organic photovoltaic cell | 3.1.9g) 3.1.42 |
| outdoor exposure test | 3.6.15h) 3.6.29 |
| overall system efficiency | 3.4.26i) 3.4.59 |
| overload capability | 3.4.60 |
| ozone content | 3.6.30 |
| P | |
| panel | 3.3.53 |
| parallel circuit of modules | 3.3.54 |
| parallel operation | 3.3.52h) 3.3.55 |
| partial efficiency | 3.4.26j) 3.4.61 |
| partial load efficiency | 3.4.26k) 3.4.62 |
| partial state of charge | 3.4.63 3.4.86a) |
| participant | 3.7.17 |
| peak power | 3.4.64 |
| peak sun hours | 3.4.65 |
| performance ratio | 3.4.66 |
| photovoltaic | 3.2.21 3.3.56 3.3.56a) |
| photovoltaic array cable | 3.2.21a) |
| photovoltaic array field | 3.3.56b) |
| photovoltaic array simulator | 3.5.3 |
| photovoltaic assembly | 3.3.56c) |
| photovoltaic cell | 3.1.43a) |
| photovoltaic components | 3.3.57 |
| photovoltaic current | 3.1.43b) |
| photovoltaic DC main cable | 3.2.21b) |
| photovoltaic device | 3.1.43c) |
| photovoltaic effect | 3.1.43d) |
| photovoltaic elements/equipment | 3.7.18 |
| photovoltaic energy | 3.4.28a) 3.4.67 |
| photovoltaic energy system | 3.3.59 |
| photovoltaic generator | 3.3.56d) |
| photovoltaic generator sub-system | 3.3.75b) |
| photovoltaic installation | 3.3.58 |
| photovoltaic material | 3.1.43e) |
| photovoltaic module | 3.1.43f) |
| photovoltaic panel | 3.3.56e) |
| photovoltaic plant | 3.3.60 |
| photovoltaic power system, photovoltaic energy system | 3.3.61 |
| photovoltaic string | 3.3.56f) |
| photovoltaic string cable | 3.2.21c) |
| photovoltaic sub-array | 3.3.56g) |
| photovoltaic supply cable | 3.2.21d) |
| photovoltaic system | 3.3.62 |
| photovoltaic, photovoltaics PV | 3.1.43 |
| PIN junction | 3.1.34e) 3.1.44 |
| plane of array irradiance | 3.6.25f) 3.6.31 |
| P-N junction | 3.1.45 3.1.34f) |
| P-N junction photovoltaic cell | 3.1.9h) 3.1.46 |
| pointing axis | 3.8.11 |
| polycrystalline silicon | 3.1.47 3.1.58e) |
| power | 3.1.48 |
| power conditioner | 3.2.22 |
| power conditioning sub-system | 3.3.63 3.3.75c) |
| power efficiency | 3.4.26l) 3.4.68 |
| power system | 3.3.64 |
| precipitable water vapour content | 3.6.7b) 3.6.32 |
| primary reference photovoltaic cell | 3.1.49 3.1.50a) |
| proficiency testing | 3.7.19 |
| project co-ordinator or general contractor | 3.9.5 |
| project developer | 3.9.2 |
| pulse type solar simulator | 3.5.4 3.5.8b) |
| pulse width modulation control | 3.2.23 |
| PV conversion efficiency | 3.4.26e) |
| PV power system market | 3.10.5 |
| pyranometer | 3.5.5 3.5.7b) |
| pyrheliometer | 3.5.6 3.5.7c) |
| Q | |
| qualification test | 3.7.20 |
| quality manual | 3.7.21 |
| quality system | 3.7.22 |
| R | |
| radiant concentration ratio | 3.8.4b) 3.8.12 |
| radiometer | 3.5.7 |
| rated | 3.4.69 |
| rated capacity | 3.4.10d) 3.4.69a) |
| rated condition | 3.4.69b) |
| rated current | 3.4.69c) |
| rated efficiency | 3.4.26m) 3.4.69d) |
| rated load | 3.4.69e) |
| rated power | 3.4.69f) |
| rated power at SOC | 3.4.69h) |
| rated power at STC | 3.4.69g) |
| rated sun-hours | 3.4.69i) |
| rated system power | 3.4.69j) |
| rated voltage | 3.4.69k) |
| receiver | 3.8.13 |
| reference material | 3.7.23 |
| reference photovoltaic cell | 3.1.50 |
| reference photovoltaic device | 3.1.51 |
| reference photovoltaic module | 3.1.52 |
| reference spectral irradiance distribution | 3.6.33 3.6.37a) |
| reference standard | 3.7.24 |
| reference yield | 3.4.70 3.4.96d) |
| relative spectral response | 3.4.71 3.4.82b) |
| relative spectral response under load | 3.4.72 3.4.82c) |
| remote site | 3.3.65 3.3.67b) |
| residual capacity | 3.4.10e) 3.4.73 |
| reverse power flow | 3.4.74 |
| ribbon | 3.1.53 |
| robustness of terminations test | 3.6.15i) 3.6.34 |
| run-on | 3.3.34c) |
| S | |
| safe extra low voltage | 3.4.75 |
| safety disconnect control and monitoring sub-system | 3.3.66 3.3.75d) |
| salt mist test | 3.6.15j) 3.6.35 |
| Schottky barrier photovoltaic cell | 3.1.9i) |
| Schottky barrier, Schottky junction | 3.1.34d) |
| Schottky junction | 3.1.55 |
| secondary reference photovoltaic cell | 3.1.50b) 3.1.56 |
| self-commutation | 3.2.7c) 3.2.24 |
| self-commutation type | 3.2.7d) 3.2.25 |
| self-discharge | 3.4.76 |
| semiconductor material | 3.1.57 |
| series resistance | 3.4.77 |
| shadow cover rate | 3.4.78 |
| sheet resistance | 3.4.79 |
| short-circuit current | 3.4.80 |
| short-circuit current under standard test conditions | 3.4.80a) |
| Schottky barrier photovoltaic cell | 3.1.54 |
| shunt resistance | 3.4.81 |
| silicon | 3.1.58 |
| silicon photovoltaic cell | 3.1.9j) 3.1.59 |
| single crystalline silicon | 3.1.58f) 3.1.60 |
| single-axis tracker | 3.8.14 3.8.15b) |
| site | 3.3.67 |
| soft-start | 3.2.26 |
| solar | 3.6.40 |
| solar constant | 3.6.40a) |
| solar elevation angle | 3.6.4d) 3.6.41 |
| solar energy | 3.6.40b) |
| solar home system | 3.3.68 |
| solar photovoltaic | 3.2.27 3.3.69 |
| solar photovoltaic grade silicon | 3.1.58g) |
| solar photovoltaic, solar photovoltaics | 3.1.61 |
| solar power | 3.6.40c) |
| solar radiation | 3.6.40d) |
| solar simulator | 3.5.8 |
| solar simulator class | 3.5.8a) |
| solar spectrum | 3.6.40e) |
| spectral irradiance | 3.6.25g) 3.6.36 |
| spectral irradiance distribution | 3.6.37 |
| spectral photon irradiance | 3.6.25h) 3.6.38 |
| spectral response mismatch error | 3.4.82a) |
| spectral response under load | 3.4.82d) |
| spectral responsivity | 3.4.82 |
| spectroradiometer | 3.5.7d) |
| spectrum | 3.6.39 |
| spetroradiometer | 3.5.9 |
| stacked photovoltaic cell | 3.1.9k) 3.1.62 |
| stand alone photovoltaic system | 3.3.71 |
| stand-alone inverter | 3.2.15i) 3.2.28 |
| stand-alone operation | 3.3.52i) 3.3.70 |
| stand-alone photovoltaic system | 3.3.62n) |
| standard | 3.7.25 |
| standard operating conditions | 3.4.16d) 3.4.83 |
| standard test conditions | 3.4.16e) 3.4.84 |
| standby loss | 3.4.85 |
| state of charge | 3.4.86 |
| steady-state type solar simulator | 3.5.8c) 3.5.10 |
| storage sub-system | 3.3.72 3.3.75e) |
| string | 3.3.73 |
| string cable | 3.2.29 |
| string inverter | 3.2.15j) 3.2.30 |
| sub-array | 3.3.74 |
| sub-contractor | 3.9.6 |
| sub-system | 3.3.75 |
| supply cable | 3.2.31 |
| support structure | 3.2.32 |
| system | 3.3.76 |
| system efficiency | 3.4.26n) 3.4.87 |
| system output energy | 3.4.88 |
| system power | 3.4.89 |
| system producer | 3.7.26 |
| T | |
| tandem photovoltaic cell | 3.1.9l) 3.1.63 |
| temporal simulator instability | 3.5.11 |
| test | 3.7.32 |
| test and calibration procedures manual | 3.7.27 |
| test conditions | 3.4.16f) 3.4.90 |
| test irradiance | 3.6.25i) 3.6.42 |
| test method | 3.7.31 |
| test sequence | 3.7.33 |
| testing | 3.7.28 |
| testing laboratory | 3.7.11a) 3.7.29 |
| testing laboratory (third party) | 3.7.30 3.7.11b) |
| textured surface | 3.1.65 |
| thermal cycling test | 3.6.15k) 3.6.43 |
| thin film photovoltaic cell | 3.1.9m) 3.1.66 |
| third-party certification | 3.7.6d) 3.7.34 |
| tilt angle | 3.6.4e) 3.6.44 |
| total cell area | 3.4.11a) |
| total harmonic distortion | 3.4.91 |
| total irradiance | 3.6.25j) 3.6.45 |
| total irradiation | 3.6.26d) 3.6.46 |
| total module area | 3.4.46a) |
| traceability | 3.7.35 |
| tracker | 3.8.15 |
| transformerless inverter, transformerless type inverter | 3.2.15k) |
| transformerless type inverter | 3.2.33 |
| transmissivity | 3.6.47 |
| transparent conducting oxide layer | 3.1.64 |
| transparent electrode | 3.1.67 |
| turbidity | 3.6.48 |
| turnkey price | 3.9.1 |
| twist test | 3.6.15l) 3.6.49 |
| type approval | 3.7.36 |
| type test | 3.7.37 |
| U | |
| uniformity | 3.7.38 |
| unintentional island | 3.3.34b) |
| user | 3.9.9 |
| utility frequency link inverter, utility frequency link type inverter | 3.2.15l |
| utility frequency link type inverter | 3.2.34 |
| utility grid | 3.3.27b) 3.3.77 |
| utility interactive inverter | 3.2.15m) 3.2.35 |
| utility interactive photovoltaic system | 3.3.62o) 3.3.78 |
| utility interface | 3.3.33f) 3.3.79 |
| utility interface disconnect switch | 3.2.36 |
| UV test | 3.6.15m) 3.6.50 |
| V | |
| valve regulated lead-acid battery | 3.2.17b) 3.2.37 |
| vented lead-acid battery | 3.2.17c) 3.2.38 |
| verification | 3.7.39 |
| verification testing | 3.7.40 |
| voltage control inverter | 3.2.15n) |
| voltage control type inverter | 3.2.39 |
| voltage stiff inverter, voltage stiff type inverter | 3.2.15o) |
| voltage stiff type inverter | 3.2.40 |
| voltage-irradiance coefficient | 3.4.14b) 3.4.92 |
| voltage-temperature coefficient | 3.4.14c) 3.4.93 |
| W | |
| wafer | 3.1.68 |
| watt-hour efficiency | 3.4.26p) 3.4.94 |
| weighted average conversion efficiency | 3.4.26q) 3.4.95 |
| wet leakage current test | 3.6.15n) 3.6.51 |
| white bias light | 3.6.52 |
| Y | |
| yield | 3.4.96 |
Указатель буквенных обозначений
| \alpha | - угол к азимуту (azimuth angle) | 3.6.4c) |
|---|---|---|
| \eta_{Ah} | - ампер-часовая отдача (ampere-hourefficiency) | 3.4.26a) |
| \eta_{A\text{средняя}} | - средняя эффективность установки (mean array efficiency) | 3.4.26h) |
| \mu c - Si | - микрокристаллический кремний (microcrystalline silicon) | 3.1.58c) |
| \eta_{SP} | - КПД системы (system efficiency) | 3.4.26n) |
| \eta_{tot} | - общая эффективность системы (overall system efficiency) | 3.4.26i) |
| \eta_{Wh} | - эффективная энергоемкость (watt-hour efficiency) | 3.4.26p) |
| aD, \lambda | - мутность (turbidity) | 3.6.48 |
| a-Si | - аморфный кремний (amorphous silicon) | 3.1.58a) |
| a-Si:H | - аморфный кремний (amorphous silicon) | 3.1.58a) |
| c-Si | - кристаллический кремний (crystalline silicon) | 3.1.58b) |
| DP | - зависимость от солнечной энергии (dependency on solar energy) | 3.4.23 |
| E\lambda | - спектральная освещенность (spectral irradiance) | 3.6.25g) |
| Ep\lambda | - спектральная фотонная освещенность (spectral photon irradiance) | 3.6.25h) |
| G | - освещенность (irradiance) | 3.6.25 |
| GI | - освещенность на плоскости (in-plane irradiance) | 3.6.25d) |
| Gt | - испытательная освещенность (test irradiance) | 3.6.25i) |
| GT | - полная освещенность (total irradiance) | 3.6.25j) |
| H | - энергетическая экспозиция (irradiation) | 3.6.26 |
| HT | - полная энергетическая экспозиция (total irradiation) | 3.6.26d) |
| IL | - ток нагрузки (load current) | 3.4.39a) |
| IPmax | - ток максимальной мощности (maximum power current) | 3.4.42a) |
| IR | - номинальный ток (rated current) | 3.4.69c) |
| ISC | - ток короткого замыкания (short-circuit current) | 3.4.80 |
| ISC СУИ | - ток короткого замыкания при стандартных условиях проведения испытаний (short-circuit current under standard test conditions) | 3.4.80a) |
| IV | - вольт-амперная характеристика (current-voltage characteristic) | 3.4.21 |
| I-V | - вольт-амперная характеристика (current-voltage characteristic) | 3.4.21 |
| J | - плотность тока (фотоэлектрического элемента) (current density (photovoltaic cell)) | 3.4.19 |
| LBOS | - потери на компонентах равновесия системы (balance of system losses) | 3.4.40b) |
| Lc | - приведенные потери установки (array capture losses) | 3.4.40a) |
| LSP | - коэффициент концентрации (capacity factor) | 3.4.10b) |
| mc-Si | - мультикристаллический кремний (multicrystalline silicon) | 3.1.58d) |
| pc-Si | - поликристаллический кремний (polycrystalline silicon) | 3.1.58e) |
| PL | - мощность нагрузки (load power) | 3.4.39b) |
| Pmax | - максимальная мощность (maximum power) | 3.4.42 |
| PR | - номинальная мощность (rated power) | 3.4.69f) |
| Psoc | - номинальная мощность при стандартных условиях эксплуатации (rated power at SOC) | 3.4.69h) |
| PСУИ | - номинальная мощность при стандартных условиях испытаний (rated power at STC) | 3.4.69g) |
| RP | - коэффициент преобразования энергии (performance ratio) | 3.4.66 |
| S(\lambda) | - спектральная чувствительность (spectral responsivity) | 3.4.82 |
| S(\lambda)_{rel} | - относительная спектральная чувствительность (relative spectral response) | 3.4.82b) |
| sA | - коэффициент затенения (shadow cover rate) | 3.4.78 |
| sc-Si | - монокристаллический кремний (single crystalline silicon) | 3.1.58f) |
| Si | - кремний (silicon) | 3.1.58 |
| S_{v}\lambda | - спектральная чувствительность при нагрузке (spectral response under load) | 3.4.82d) |
| S_{v}(\lambda)_{rel} | - относительная спектральная чувствительность при нагрузке (relative spectral response under load) | 3.4.82c) |
| Tamb | - температура внешней среды (ambient temperature) | 3.6.3 |
| Tj | - температура P-N перехода в солнечном элементе (cell junction temperature) | 3.4.12 |
| VL | - напряжение нагрузки (load voltage) | 3.4.39c) |
| Voc | - напряжение холостого хода (фотоэлектрических устройств) (open-circuit voltage (photovoltaic devices)) | 3.4.56 |
| Voc СУИ | - напряжение холостого хода при стандартных условиях проведения испытаний (open-circuit voltage under standard test conditions) | 3.4.56a) |
| VPmax | - напряжение максимальной мощности (maximum power voltage) | 3.4.42h) |
| VR | - номинальное напряжение (rated voltage) | 3.4.69k) |
| YA | - количество часов использования мощности P0 установкой (array yield) | 3.4.96a) |
| Yf | - окончательное количество часов использования системой мощности P0 (final system yield) | 3.4.96c) |
| Yr | - эталонная отдача (reference yield) | 3.4.96d) |
СВЕДЕНИЯ О СООТВЕТСТВИИ ССЫЛОЧНЫХ МЕЖДУНАРОДНЫХ СТАНДАРТОВ НАЦИОНАЛЬНЫМ СТАНДАРТАМ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
| Обозначение ссылочного международного стандарта | Степень соответствия | Обозначение и наименование соответствующего национального стандарта |
| МЭК 60904-3:1989 | - | <*> |
| <*> Соответствующий национальный стандарт отсутствует. До его утверждения рекомендуется использовать перевод на русский язык данного международного стандарта. Перевод данного международного стандарта находится в Федеральном информационном фонде технических регламентов и стандартов. | ||
| УДК 697.329:006.354 | ОКС 27.160 | ОКП 34 8730 |
| Ключевые слова: солнечные фотоэлектрические системы, термины, определения и символы | ||