Государственный образовательный стандарт высшего профессионального образования. Направление 550700 — Электроника и микроэлектроника. Степень (квалификация) - магистр техники и технологии. Регистрационный № 22 тех/маг

(утв. Минобразованием РФ 10.03.2000)

Утверждаю Заместитель Министра образования Российской Федерации В. Д. Шадриков 10 марта 2000 года

Регистрационный номер 22 тех/маг

Вводится с момента утверждения

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ СТАНДАРТ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

НАПРАВЛЕНИЕ 550700 — ЭЛЕКТРОНИКА И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

СТЕПЕНЬ (КВАЛИФИКАЦИЯ) — МАГИСТР ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ

1. Общая характеристика направления «Электроника и микроэлектроника»

1.1. Направление утверждено Приказом Министра образования Российской Федерации от 02.03.2000 № 686.

1.2 Степень (квалификация) выпускника — магистр техники и технологии.

Нормативный срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника» при очной форме обучения — 6 лет. Основная образовательная программа подготовки магистра состоит из программы подготовки бакалавра по соответствующему направлению (4 года) и специализированной подготовки магистра (2 года).

1.3 Квалификационная характеристика выпускника.

Магистр по направлению подготовки «Электроника и микроэлектроника» в соответствии с требованиями «Квалификационного справочника должностей руководителей специалистов и других служащих», утвержденного Постановлением Минтруда России от 21.08.98 № 37, может занимать следующие должности: инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-конструктор, инженер-лаборант, младший научный сотрудник, ассистент и прочие.

1.3.1 Область профессиональной деятельности.

Область профессиональной деятельности выпускника включает в себя совокупность средств, способов и методов человеческой деятельности, направленной на исследование, моделирование, разработку, производство и эксплуатацию материалов, компонентов, приборов и устройств различного назначения вакуумной, плазменной, твердотельной, микро- и наноэлектроники.

1.3.2 Объекты профессиональной деятельности.

Объектами профессиональной деятельности выпускника в зависимости от содержания образовательной программы подготовки (магистерской специализации) являются материалы, структуры, элементы, компоненты, приборы и устройства электронной техники, технологические процессы их изготовления, методы исследования, проектирование и конструирование, диагностическое и технологическое оборудование, математические модели процессов и объектов электроники и микроэлектроники, алгоритмы решения типовых задач, относящихся к профессиональной сфере.

1.3.3 Виды профессиональной деятельности.

Магистр подготовлен к деятельности, требующей углубленной фундаментальной и профессиональной подготовки, в том числе к научно-исследовательской работе; при условиии освоения соответствующей образовательно-профессиональной программы педагогического профиля — к педагогической деятельности.

1.3.4 Обобщенные задачи профессиональной деятельности.

Магистр по направлению подготовки «Электроника и микроэлектроника» должен быть подготовлен к решению следующих типовых задач:

• анализ состояния научно-технической проблемы, формулирование технического задания, постановка цели и задач исследования объекта на основе подбора и изучения литературных и патентных источников;
• анализ, систематизация и обобщение научно-технической информации по теме исследований;
• библиографический поиск с использованием современных информационных технологий;
• выбор оптимального метода и программы исследований, модификация существующих и разработка новых методик, исходя из задач конкретного исследования;
• измерение или экспериментальное исследование объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, компонентов, приборов или их технологий;
• математическое моделирование разрабатываемых структур, приборов или технологических процессов с целью оптимизации их параметров;
• использование типовых и разработка новых программных продуктов, ориентированных на решение научных, проектных и технологических задач электроники;
• организация модельных и натурных экспериментов по оптимизации структуры и конструкции исследуемых приборов и устройств, оценка их качества и надежности на стадиях проектирования и эксплуатации;
• анализ научной и практической значимости проводимых исследований, а также оценка технико-экономической эффективности разработки;
• подготовка результатов исследований для опубликования в научной печати, а также составление обзоров, рефератов, отчетов и докладов.

1.3.5 Квалификационные требования.

Для решения профессиональных задач магистр:

• формулирует и решает задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности, и требующие углубленных профессиональных знаний;
• осуществляет сбор, обработку, анализ и систематизацию научно-технической информации по теме исследований;
• изучает специальную литературу и другую научно-техническую информацию, достижения отечественной и зарубежной науки и техники в своей профессиональной сфере;
• выбирает необходимые методы исследования, модифицирует существующие и разрабатывает новые методы, исходя из задач конкретного исследования;
• проводит экспериментальные исследования объектов электроники с целью их модернизации или создания новых материалов, приборов или их технологий;
• разрабатывает физические и математические модели процессов и явлений, относящихся к исследуемому объекту;
• участвует в проектировании, конструировании и модернизации объектов электронной техники;
• составляет описания проводимых исследований, обрабатывает и анализирует полученные результаты, представляет итоги проделанной работы в виде отчетов, обзоров, докладов, рефератов и статей;
• принимает участие в составлении патентных и лицензионных паспортов заявок на изобретения;
• участвует во внедрении разработанных технических решений и проектов, в оказании технической помощи и осуществлении авторского надзора при изготовлении, испытаниях и сдаче в эксплуатацию проектируемых изделий и объектов электронной техники;
• подготавливает рецензии, отзывы и заключения на научно-технические разработки и техническую документацию. Магистр должен знать:
• постановления, распоряжения, приказы, методические и нормативные материалы по своей профессиональной деятельности;
• специальную научно-техническую и патентную литературу по тематике исследований и разработок;
• информационные технологии в научных исследованиях и программные продукты, относящиеся к профессиональной сфере;
• методы исследования и проведение экспериментальных работ;
• методы анализа и обработки экспериментальных данных;
• физические и математические модели основных процессов и явлений, относящихся к исследуемым объектам;
• современные средства вычислительной техники, коммуникации и связи;
• технические характеристики и экономические показатели отечественных и зарубежных разработок в области электронного материаловедения, элементной базы электронной техники и электронного приборостроения;
• порядок и методы проведения патентных исследований;
• методики оценки технико-экономической эффективности научных и технических разработок;
• основы экономики, организации труда и управления коллективом;
• основы трудового законодательства;
• действующие стандарты и технические условия, положения и инструкции по эксплуатации исследовательского оборудования, программам испытаний, оформлению технической документации;
• формы организации образовательной и научной деятельности в высших учебных заведениях.

1.4 Возможности продолжения образования.

Магистр подготовлен к обучению в аспирантуре преимущественно по научным специальностям:

05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах;

05.27.02 Вакуумная и плазменная электроника;

05.27.03 Квантовая электроника;

05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники;

01.04.02 Теоретическая физика;

01.04.03 Радиофизика;

01.04.04 Физическая электроника;

01.04.07 Физика конденсированного состояния;

01.04.10 Физика полупроводников;

01.04.21 Лазерная физика.

1.5 Перечень аннотированных магистерских программ (проблемное поле направления подготовки):

550701 — Вакуумная и плазменная электроника. Электронная и ионная эмиссия. Движение заряженных частиц в статических электрическом и магнитном полях в условиях вакуума и разреженного газа. Формирование потоков заряженных частиц и управление ими. Ускорение заряженных частиц. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом. Физика вакуума. Физика плазмы. Низкотемпературная плазма. Электронно-лучевая и ионно-плазменная технология. Вакуумные и плазменные приборы и устройства. Моделирование процессов в приборах и устройствах вакуумной и плазменной электроники, методы их расчета и проектирования. 550702 — Микроволновая электроника. Электромагнитные поля в волноведущих и колебательных структурах микроволнового и оптического диапазонов. Микроволновые цепи. Потоки заряженных частиц в вакууме, плазме и твердом теле. Взаимодействие потоков заряженных частиц с электромагнитным полем. Микро- и наноструктуры в микроволновой электронике. Релятивистская микроволновая электроника. Микроволновые вакуумные, плазменные и твердотельные приборы. Динамические процессы в микроволновых приборах и устройствах. Взаимодействие микроволнового излучения с веществом. Оптические методы обработки и передачи информации. Микроволновые и оптические телекоммуникационные и технологические системы. 550703 — Твердотельная электроника. Классификация интегральных микросхем (ИМС) по элементной базе, технологии изготовления и схемотопологическим решениям. Активные и пассивные элементы ИМС. ИМС на основе элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ). Инжекционные интегральные логические схемы. ИМС на основе структур металл-оксид-полупроводник (МОП). Комплементарные ИМС. ИМС на основе арсенид-галлиевых транзисторов Шоттки. Технологические схемы производства и ограничения на топологию схем на биполярных транзисторах и транзисторных структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Тенденции совершенствования ИМС и переход на субмикронные размеры. Схемотехника аналоговых ИМС. Особенности схемотехники гибридных интегральных схем (ИС). 550704 — Микро- и наноэлектроника. Современная микроэлектроника: достижения и прогнозы. Технологические ограничения минимальных размеров элементов ИМС. Ограничения, связанные с процессами легирования полупроводников. Физические ограничения топологических размеров, степени и плотности интеграции, быстродействия и параметров элементов ИМС. Особенности процессов электропереноса в квантово-размерных приборах. Баллистические приборы. Приборы на резонансном туннелировании. Функциональная электроника как один из путей дальнейшего развития микроэлектроники. Интеграция физических явлений, принципов, функций и материалов с целью перехода от цифровой последовательной обработки информации к аналоговой в реальном масштабе времени. Акустоэлектроника. Магнитоэлектроника. Молекулярная электроника. Проблемы создания элементной базы, материаловедение и схемотехника. Хранение и передача информации на молекулярном уровне. Принципы функционирования и архитектура молекулярных схем. Молекулярная электроника, как направление функциональной электроники. 550705 — Квантовая и оптическая электроника. Взаимодействие электромагнитного излучения с квантовыми системами. Усиление и генерация электромагнитного излучения. Свойства, распространение и преобразование лазерных пучков. Оптические явления в твердых телах. Оптические и фотоэлектрические явления в неоднородных структурах и на границах раздела. Нелинейные оптические эффекты. Приборы квантовой и оптической электроники. Мазеры. Газовые лазеры. Твердотельные и жидкостные лазеры. Полупроводниковые лазеры и светодиоды. Приборы управления оптическим излучением. Фотоприемники. Оптроны и оптические датчики. Волоконно-оптические элементы и устройства. Полупроводниковая оптоэлектроника. Интегральная оптика. Оптические методы передачи и обработки информации. Голография. Применение приборов и устройств оптической и квантовой электроники. 550706 — Физическая электроника. Физические процессы, лежащие в основе функционирования электронных устройств и современных технологий их изготовления. Физика эмиссии частиц и излучения, их транспортировка в различных полях и взаимодействие со средой. Активные среды вакуумной, плазменной и твердотельной электроники. Физика формирования материалов и изделий с заданными свойствами и управления ими на атомном уровне. 550707 — Материалы и компоненты твердотельной электроники. Процессы получения и модификации кристаллических и некристаллических объемных и пленочных материалов твердотельной электроники. Моделирование процессов получения материалов и гетерокомпозиций. Физико-химические основы технологии полупроводниковых, диэлектрических, металлических, магнитных материалов и структур на их основе. Физические явления и процессы в компонентах, приборах и устройствах электронной аппаратуры. Диагностика материалов, элементов и компонентов твердотельной электроники. Применение материалов и компонентов для создания электронных устройств. 550708 — Физика полупроводников и диэлектриков. Элементы теоретической физики. Симметрия и свойства кристаллов. Динамика решетки. Электронные состояния. Зонная структура идеальных кристаллов. Примеси и дефекты. Твердые растворы и неупорядоченные системы. Явления переноса. Коллективные возбуждения и квазичастицы в кристаллах. Физика поверхности и контактные явления в полупроводниках. Гетероструктуры. Эффекты размерного квантования. Системы низкой размерности. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Физико-химические основы технологии. Полупроводниковые материалы и структуры. Диэлектрики. Металлы. Магнитные материалы. Диагностика и контроль свойств материалов и структур. Применение полупроводников и диэлектриков. 550709 — Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые диоды с p-n-переходом: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны, p-i-n-диоды, варикапы, варакторы. Туннельные диоды. Обращенные диоды. Системы параметров. Биполярные транзисторы. Системы параметров, характеристики. Предельные режимы. Конструкции. Особенности силовых высоковольтных транзисторов. МДП-транзисторы. Параметры и характеристики. Конструктивно-технологические варианты. Специфика мощных МДП-транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и барьером Шоттки. Транзисторы со статической индукцией. Системы параметров. Предельные режимы. Тиристоры и семисторы. Запираемые тиристоры. Комбинированно-выключаемые тиристоры. Новые интегрированные силовые полупроводниковые приборы энергетической электроники. Фотодиоды, фоторезисторы. Светодиоды. Полупроводниковые инжекционные лазеры. Полупроводниковые датчики температуры, давления, скорости, магнитного поля и других физических параметров. 550710 — Полупроводниковые материалы и структуры. Полупроводниковые монокристаллы, аморфные и композиционные материалы. Эпитаксиальные гетероструктуры. Композиционные сверхрешетки, квантовые ямы, нити и точки. Материаловедение приборных структур. Фазовые равновесия, фазовые и структурные превращения. Поведение примесей. Природа примесной неоднородности. Закономерности дефектообразования. Точечные дефекты и их влияние на физические свойства материалов. Напряжения и дислокации. Методы формирования полупроводниковых структур. Математические модели технологических процессов. Методы исследования физических свойств и структурных особенностей полупроводниковых материалов. Диагностика гетероструктур и квантово-размерных объектов. 550711 — Процессы микро- и нанотехнологии. Механическая обработка пластин. Диффузионная технология формирования p-n-переходов. Термическое окисление. Маскирующие свойства оксида и нитрида кремния. Легирование ионным внедрением. Фотолитография. Электронная литография, рентгенолитография. Применение сканирующего туннельного микроскопа для литографии. Получение пленок методом термического испарения в вакууме. Получение эпитаксиальных пленок из расплава, методами молекулярно-лучевой эпитаксии и осаждением из паровой фазы металлоорганических соединений. Получение слоев методами пиролиза и плазмохимии. Химическая обработка полупроводниковых материалов. Электрохимические методы осаждения слоев металлов. Анодные окисные пленки. Создание контактов с высокой электропроводностью. Технология тонкопленочных резисторов. Методы изоляции элементов ИМС. Конденсаторы ИМС. Методы импульсной термообработки. 550712 — Диагностика материалов, структур и приборов электронной техники. Методы исследования состава твердых тел. Рентгеноспектральный микроанализ. Электронная Оже-спектроскопия. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Рентгенофлюоресцентный анализ. Спектроскопия рассеяния ионов высоких и низких энергий. Активационные методы анализа. Вторично-ионная масс-спектрометрия. Лазерная масс-спектрометрия. Методы исследования структуры твердых тел. Рентгеновская дифрактометрия. Дифракция быстрых и медленных электронов. Методы исследования морфологии и измерение геометрических размеров. Растровая и просвечивающая электронная микроскопия. Туннельная и атомно-силовая микроскопия. Эллипсометрия. Методы исследования оптических и электрофизических параметров, материалов и структур. Фотопроводимость. Оптическое поглощение. Люминесценция. Фотоотражение. Электроотражение. Вольт-фарадные методы. Методы измерения основных параметров МДП-структур, барьеров Шоттки, p-n-переходов, гетероструктур, структур с пониженной размерностью и приборов на их основе. 550713 — Физика, химия и технология поверхностей и межфазных границ. Термодинамика поверхности. Уравнения и характеристики межфазных слоев. Процессы на поверхности и в приповерхностных слоях: адсорбция и десорбция, поверхностная сегрегация, поверхностная миграция, смачивание и растекание, капиллярные явления. Поверхностная активность и поверхностно-активные вещества. Адгезия. Теория поверхностных явлений. Модели межфазных границ. Методы получения и консервации атомарно чистых поверхностей. Реконструкция и релаксация поверхностей. Атомная и электронная структуры. Зародышеобразование и формирование тонкопленочных структур. Методы экспериментального исследования поверхности и границ раздела. Поверхность и проблемы технологии интегральных микросхем. 550714 — Электронные приборы и устройства. Моделирование процессов в электронных приборах и устройствах. Проектирование, технология производства, метрология и эксплуатация электронных приборов и устройств, включая приборы микроволнового и оптического диапазонов, а также приборы высокого уровня мощности. Разработка и эксплуатация электронных приборов, устройств и систем для медицины, экологии и бытового назначения. Технологические устройства и установки для электроники и микроэлектроники. Неразрушающий контроль качества изделий электронной техники. 550715 — Технология и проектирование интегральных микросхем. Основы планарной технологии изготовления ИМС. Проектирование технологических маршрутов. Особенности технологии больших и сверхбольших интегральных микросхем. Математическое моделирование технологических процессов полупроводниковых приборов и элементов ИМС. Функциональное, логическое, схемотехническое, топологическое проектирование и конструирование ИМС с использованием ЭВМ. Конструкции, системы параметров, эквивалентные схемы, уравнения моделей, методы расчета элементов ИМС. Особенности проектирования специализированных ИМС. Автоматизированный выпуск конструкторской документации. 550716 — Электронные приборы и устройства сбора, обработки и отображения информации. Физические основы и технология изготовления электронных датчиков для промышленности, мониторинга окружающей среды, биомедицины и т.д. Электронные и микропроцессорные устройства обработки первичной информации. Сигнальные процессоры и специализированные микроконтроллеры для сбора, обработки и передачи информации. Электронные приборы и устройства для хранения информации. Теория, конструирование и технология индикаторных приборов и устройств. Технические средства систем отображения информации. Способы и устройства ввода и редактирования данных. Принципы построения разветвленных систем сбора, обработки и отображения информации. Научно-исследовательская составляющая каждой из аннотированных магистерских программ по решению Ученого совета вуза реализуется через авторские магистерские программы (магистерские специализации), отражающие существующие в данном вузе научно-педагогические школы по конкретным разделам соответствующих наук.

2. Требования к уровню подготовки, необходимой для освоения программы специализированной подготовки магистра, и условия конкурсного отбора

2.1. Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра должны иметь высшее профессиональное образование, подтвержденное документом государственного образца определенной ступени.

2.2. Лица, имеющие диплом бакалавра по направлениям 550700 — Электроника и микроэлектроника, 553100 — Техническая физика, зачисляются на специализированную магистерскую подготовку на конкурсной основе. Условия конкурсного отбора определяются вузом на основе государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования бакалавра по данному направлению.

2.3. Лица, желающие освоить программу специализированной подготовки магистра по данному направлению и имеющие высшее профессиональное образование, профиль которого не указан в п. 2.2, допускаются к конкурсу по результатам сдачи экзаменов по дисциплинам, необходимым для освоения программы подготовки магистра и предусмотренным государственным образовательным стандартом подготовки бакалавра по данному направлению.

3. Общие требования к основной образовательной программе магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника»

3.1. Основная образовательная программа подготовки магистра разрабатывается на основании настоящего государственного образовательного стандарта и включает в себя учебный план, программы учебных дисциплин, программы учебных и производственных (научно-исследовательской и педагогической) практик и программы научно-исследовательской работы.

3.2. Требования к обязательному минимуму содержания основной образовательной программы подготовки магистра, к условиям ее реализации и сроком ее освоения определяются настоящим государственным образовательным стандартом. По направлению разрабатывается, как правило, несколько магистерских программ.

3.3. Основная образовательная программа подготовки магистра (далее — образовательная программа) состоит из основной образовательной программы бакалавра и программы специализированной подготовки, которая, в свою очередь, формируется из дисциплин федерального компонента, дисциплин национально-регионального (вузовского) компонента, дисциплин по выбору студента и научно-исследовательской работы. Дисциплины и курсы по выбору студента в каждом цикле содержательно должны дополнять дисциплины, указанные в федеральном компоненте цикла.

3.4 Основная образовательная программа подготовки магистра должна иметь следующую структуру:

• в соответствии с программой подготовки бакалавра: цикл ГСЭ — общих гуманитарных и социально-экономических дисциплин; цикл ЕН — общих математических и естественнонаучных дисциплин; цикл ОПД — общепрофессиональных дисциплин направления; цикл ФТД — факультативных дисциплин; цикл СД- специальных дисциплин; ИГА — итоговая государственная аттестация бакалавра;
• в соответствии с программой специализированной подготовки: цикл ДНМ — дисциплин направления специализированной подготовки; цикл СДМ — специальных дисциплин магистерской подготовки; НИРМ — научная (научно-исследовательская и (или) педагогическая) работа магистра; ИГАМ — итоговая государственная аттестация магистра.

3.5. Содержание национально-регионального компонента основной образовательной программы подготовки магистра должно обеспечивать подготовку выпускника в соответствии с квалификационной характеристикой, установленной настоящим государственным образовательным стандартом.

4. Требования к обязательному минимуму содержания основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника»

Индекс	Наименования дисциплин и их основные разделы	Всего часов
	Требования к обязательному минимуму содержания основной образовательной программы подготовки бакалавра по данномунаправлению определены в государственном образовательном стандарте высшего профессионального образования подготовки бакалавра по направлению 550700 — Электроника и микроэлектроника
	Итого часов подготовки бакалавра	7344
Требования к обязательному минимуму содержания специализированной подготовки
ДНМ.00	Дисциплины направления	1134
	Федеральный компонент	350
ДНМ.01	Современные проблемы электроники Молекулярно-лучевая эпитаксия, электронно- и ионно-лучевые технологии; проблемы поверхностей и межфазных границ; высокотемпературная полупроводниковая электроника; высокотемпературная сверхпроводимость; полупроводниковые приборы, использующие эффект размерного квантования; инжекционные гетеролазеры; микроволновые и оптоэлектронные системы телекоммуникаций; проблемы современной электроники больших мощностей; микроволновые технологические и энергетические системы	100
ДНМ.02	История и методология науки и техники История развития механики, оптики, термодинамики, электродинамики, релятивистской и квантовой физики; современная физика микромира; космогония и космология; история развития информатики как синтеза логики, математики, электроники, вычислительной техники и телекоммуникационных систем; гуманитарные и социально-экономические аспекты развития современной науки и техники: научные открытия, последствия и ответственность	100
ДНМ.03	Компьютерные технологии в науке и образовании: Локальные компьютерные сети, технологии и организация доступа; глобальные компьютерные сети, принципы построения и организация ресурсов и служб; протоколы коммуникаций; электронная почта и ее компоненты; поиск научно-технической информации в Интернете, информационные ресурсы; гипертекст и гиперссылки; язык HTML; гипермедиа, аудио, видео; распределенные базы данных; технология клиент-сервер; интеграция ресурсов Интернет с распределенными базами данных; дистанционное обучение, технологии и средства; видеоконференции	150
	Национально-региональный (вузовский) компонент	784
ДНМ.04	Дисциплины, устанавливаемые вузом (факультетом)	524
ДНМ.05 и т.д.	Дисциплины по выбору студента	260
СДМ.00	Специальные дисциплины Состав и содержание специальных дисциплин определяется требованиями специализации магистра при реализации конкретной магистерской программы	900
ДВМ	Дисциплины по выбору студента	300
НИРМ.00	Научно-исследовательская работа	1854
НИРМ.01	Научно-исследовательская работа в семестре	774
НИРМ.02	Подготовка магистерской диссертации	1080
	Итого часов специализированной подготовки магистра	3888
	Всего	11232

5. Срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника»

5.1. Срок основной образовательной программы подготовки магистра при очной форме обучения — 312 недель, в том числе:

    образовательная программа подготовки бакалавра   - 208 недель;
    специализированная программа подготовки          - 104 недели,

магистра
из них:
теоретическое обучение, включая
научно-исследовательскую работу студентов,
практикумы, в том числе лабораторные
работы, подготовку выпускной

    квалификационной работы                           - 72 недели;
    экзаменационные сессии                     не менее  2 недель;
    практики                                   не менее 10 недель;

в том числе:

    научно-исследовательская практика        - не менее  6 недель;
    педагогическая практика                  - не менее  4 недель.

Итоговая государственная аттестация,
включая защиту выпускной
квалификационной работы                  - не менее  2 недель.
Каникулы (включая 8 недель
последипломного отпуска)                 - не менее 17 недель.

5.2. Срок освоения основной образовательной программы подготовки магистра по очно-заочной (вечерней) форме обучения увеличивается на полтора года относительно нормативного срока, установленного п. 1.2 настоящего государственного образовательного стандарта, в том числе по программе бакалавра — на один год.

5.3. Максимальный объем учебной нагрузки студента устанавливается 54 часа в неделю, включая все виды его аудиторной и внеаудиторной (самостоятельной) работы.

5.4. Объем аудиторных занятий студента при очной форме обучения не должен превышать в среднем за период теоретического обучения по основной образовательной программе подготовки бакалавра 27 часов в неделю, за период специализированной подготовки магистра — 14 часов в неделю. При этом в указанный объем не входят обязательные практические занятия по физической культуре и занятия по факультативным дисциплинам.

5.5. При очно-заочной (вечерней) форме обучения объем аудиторных занятий должен быть не менее 10 часов в неделю.

5.6. При заочной форме обучения, если указанная форма освоения основной образовательной программы не запрещена соответствующим постановлением Правительства Российской Федерации, студенту должна быть обеспечена возможность занятий с преподавателем не менее 160 часов в год.

5.7. Общий объем каникулярного времени в учебном году должен составлять 7 — 10 недель, в том числе не менее двух недель в зимний период.

6. Требования к разработке и условиям реализации основной образовательной программы подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника»

6.1. Требования к разработке основной образовательной программы подготовки магистра.

6.1.1. Высшее учебное заведение самостоятельно разрабатывает и утверждает основную образовательную программу подготовки магистра, реализуемую вузом на основе настоящего государственного образовательного стандарта магистра. Дисциплины по «выбору» являются обязательными, а факультативные дисциплины, предусматриваемые учебным планом высшего учебного заведения, не являются обязательными для изучения студентом. Курсовые работы (проекты) рассматриваются как вид учебной работы по дисциплине и выполняются в пределах часов, отводимых на ее изучение. По всем дисциплинам федерального компонента и практикам, включенным в учебный план высшего учебного заведения, должна выставляться итоговая оценка (отлично, хорошо, удовлетворительно). В период действия данного документа, перечень магистрических программ может быть изменен и дополнен в установленном порядке.

6.1.2 При реализации основной образовательной программы высшее учебное заведение имеет право:

• изменить объем часов, отводимых на освоение учебного материала для циклов дисциплин — в пределах 5%, для дисциплин, входящих в цикл — в пределах 10% при условии выполнения требований к содержанию, указанных в настоящем стандарте;
• предоставлять студентам-магистрантам возможность для занятий физической культурой в объеме 2 — 4 часа в неделю;
• осуществлять преподавание дисциплин в форме авторских курсов по программам, составленным на основе результатов исследований научных школ вуза, учитывающих региональную и профессиональную специфику при условии реализации содержания дисциплин, определяемых настоящим документом.

6.2. Требования к условиям реализации основной образовательной программы магистра, включая ее научно-исследовательскую часть.

6.2.1 Общие требования.

Обучение в магистратуре осуществляется в соответствии с индивидуальным планом работы студента-магистранта, разработанным с участием научного руководителя магистранта и научного руководителя магистерской программы с учетом пожеланий магистранта. Индивидуальный учебный план магистранта утверждается деканом факультета. В вузе должны существовать условия для продолжения образования студентов-магистрантов в аспирантуре; более 50% магистерских программ для данного направления подготовки магистров должны быть обеспечены однопрофильными специальностями аспирантуры.

6.2.2 Требования к кадровому обеспечению учебного процесса.

Реализация основной образовательной программы подготовки магистров должна обеспечиваться педагогическими кадрами, имеющими, как правило, базовое образование, соответствующее профилю преподаваемой дисциплины и систематически занимающимися научной и/или научно-методической деятельностью. Не менее 70% преподавателей, обеспечивающих учебный процесс по направлению магистратуры, должны иметь ученую степень доктора или кандидата наук. Непосредственное руководство студентами-магистрантами осуществляется научными руководителями, имеющими ученую степень или ученое звание. Один научный руководитель может руководить не более, чем пятью студентами-магистрантами. Общее руководство научным содержанием и образовательной частью магистерской программы должно осуществляться профессором или доктором наук. Один профессор или доктор наук может осуществлять подобное руководство не более, чем двумя магистерскими программами. По решению Ученого совета вуза руководство магистерскими программами может осуществляться и кандидатами наук, имеющими ученое звание доцента, имеющими право на руководство аспирантами. Руководители магистерских программ должны иметь защитившихся аспирантов за последние пять лет. Научные руководители студентов-магистрантов должны вести научные исследования по тематике магистерских программ. По тематике магистерской программы должны быть опубликованы научные статьи в ведущих отечественных и зарубежных журналах, трудах национальных и международных конференций и симпозиумов. Более половины объема научных исследований по направлению магистратуры и тематике магистерских программ должны составлять фундаментальные и поисковые исследования. Образовательная деятельность научных руководителей студентов-магистрантов должна подкрепляться изданием учебников или учебных пособий, подготовленных коллективом преподавателей, осуществляющих учебный процесс по соответствующей программе, а также чтением основных и специальных курсов по каждой магистерской программе каждым научным руководителем.

6.2.3. Требования к учебно-методическому обеспечению учебного процесса. Уровень необходимого лабораторно-практического и информационного обеспечения учебного процесса (в том числе, профессиональные и реферативные журналы, научная литература, информационные базы и доступные сетевые источники информации) должен соответствовать требованиям подготовки высококвалифицированных исследователей и преподавателей. Реализация основной образовательной программы подготовки магистра должна обеспечиваться доступом каждого студента к библиотечным фондам и базам данных, по содержанию соответствующим полному перечню дисциплин основной образовательной программы из расчета обеспеченности учебниками и учебно-методическими пособиями не менее 0,5 экземпляра на одного студента, наличием методических пособий и рекомендаций по всем дисциплинам и по всем видам занятий и практикам, а также наглядными пособиями, аудио-, видео- и мультимедийными материалами. Библиотечный фонд должен содержать в достаточном количестве учебную и научно-техническую литературу, указанную в рабочих программах дисциплин учебного плана высшего учебного заведения, а также реферативные журналы «Физика» и «Электроника».

6.2.4. Требования к материально-техническому обеспечению учебного процесса. Высшее учебное заведение, реализующее основную образовательную программу подготовки магистра, должно располагать материально-технической базой, обеспечивающей проведение всех видов лабораторных, практических занятий, научно-исследовательской работы студентов, предусмотренных учебным планом и соответствующей действующим санитарным и противопожарным нормам и правилам.

6.2.5 Требования к организации практик.

6.2.5.1 Педагогическая практика.

Педагогическая практика студентов имеет целью приобретение практических навыков проведения учебных занятий. Практика, как правило, проводится на выпускающих кафедрах высшего учебного заведения. Руководство педагогической практикой возлагается на научного руководителя магистра. Во время педагогической практики студент должен изучить:

• государственный образовательный стандарт и рабочий учебный план по одной из образовательных программ;
• учебно-методическую литературу, лабораторное и программное обеспечение по рекомендованным дисциплинам учебного плана;
• формы организации образовательной и научной деятельности в вузе; освоить:
• проведение практических и лабораторных занятий со студентами по рекомендованным темам учебных дисциплин;
• проведение пробных лекций в студенческих аудиториях под контролем преподавателя по темам, связанным с научно-исследовательской работой магистранта.

6.2.5.2 Научно-исследовательская практика.

Имеет своей целью систематизацию, расширение и закрепление профессиональных знаний, формирование у студентов навыков ведения самостоятельной научной работы, исследования и экспериментирования. Во время научно-исследовательской практики студент должен изучить:

• патентные и литературные источники по разрабатываемой теме с целью их использования при выполнении выпускной квалификационной работы;
• методы исследования и проведения экспериментальных работ;
• правила эксплуатации исследовательского оборудования;
• методы анализа и обработки экспериментальных данных;
• физические и математические модели процессов и явлений, относящихся к исследуемому объекту;
• информационные технологии в научных исследованиях, программные продукты, относящиеся к профессиональной сфере;
• принципы организации компьютерных сетей и телекоммуникационных систем;
• требования к оформлению научно-технической документации; выполнить:
• анализ, систематизацию и обобщение научно-технической информации по теме исследований;
• теоретическое или экспериментальное исследование в рамках поставленных задач, включая математический (имитационный) эксперимент;
• анализ достоверности полученных результатов;
• сравнение результатов исследования объекта разработки с отечественными и зарубежными аналогами;
• анализ научной и практической значимости проводимых исследований, а также технико-экономической эффективности разработки. За время научно-исследовательской практики студент должен в окончательном виде сформулировать тему магистерской диссертации и обосновать целесообразность ее разработки.

6.2.5.3 Аттестация по итогам практики.

Аттестация по итогам практики проводится на основании оформленного в соответствии с установленными требованиями письменного отчета и отзыва руководителя практики. По итогам аттестации выставляется оценка (отлично, хорошо, удовлетворительно).

7. Требования к уровню подготовки магистра по направлению «Электроника и микроэлектроника»

7.1 Требования к профессиональной подготовленности магистра.

7.1.1. Общие требования к уровню подготовки магистра определяются содержанием аналогичного раздела требований к уровню подготовки бакалавра и требованиями, обусловленными специализированной подготовкой. Требования к уровню подготовки бакалавра изложены в п. 7 государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования бакалавра по направлению 550700 — Электроника и микроэлектроника.

7.1.2 Требования, обусловленные специализированной подготовкой магистра, включают

владение:

• навыками самостоятельной научно-исследовательской и педагогической деятельности;
• методами исследования, проектирования и конструирования объектов электронной техники;
• методами и средствами компьютерного моделирования физических процессов и явлений в материалах, приборах и устройствах электроники;
• информационными и телекоммуникационными технологиями в образовании и науке; умение:
• формулировать и решать задачи, возникающие в ходе научно-исследовательской и педагогической деятельности, и требующие углубленных профессиональных знаний;
• выбирать необходимые методы исследования, расчета и конструирования объектов электроники, исходя из конкретных задач;
• обобщать и отрабатывать полученные результаты, анализировать и осмысливать их с учетом литературных данных;
• вести библиографическую работу с привлечением современных информационных технологий;
• представлять итоги проделанной работы в виде отчетов, обзоров, докладов, рефератов и статей, оформленных в соответствии с общепринятыми нормами, с привлечением современных средств редактирования и печати;
• использовать математический аппарат и численные методы, физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия приборов и устройств электроники и микроэлектроники;
• ориентироваться в современной элементной базе электронной техники и типовых технологических процессах;
• применять типовые программные продукты, ориентированные на решение научных, проектных и технологических задач электроники;
• использовать новые физические явления для создания новых материалов, компонентов, приборов и устройств электроники и микроэлектроники.

7.1.3. Специальные требования к подготовке магистра по научно-исследовательской части программы специализированной подготовки определяются вузом.

7.2 Требования к итоговой государственной аттестации магистра.

7.2.1 Общие требования к итоговой государственной аттестации.

Итоговая государственная аттестация магистра включает в себя защиту выпускной квалификационной работы и государственный экзамен. Итоговые аттестационные испытания предназначены для определения практической и теоретической подготовленности магистра к выполнению профессиональных задач, установленных настоящим государственным образовательным стандартом. Аттестационные испытания, входящие в состав итоговой государственной аттестации выпускника, должны полностью соответствовать основной образовательной программе высшего профессионального образования, которую он освоил за время обучения.

7.2.2 Требования к магистерской диссертации.

Магистерская диссертация представляет собой законченную теоретическую или экспериментальную научно-исследовательскую работу, связанную с решением актуальных задач, определяемых особенностями подготовки по конкретной магистерской программе направления 550700 — Электроника и микроэлектроника. Магистерская диссертация должна быть оформлена в виде рукописи. Требования к структуре, содержанию и объему магистерской диссертации определяются высшим учебным заведением на основании Положения об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений, утвержденного Минобразованием России, государственного образовательного стандарта по направлению «Электроника и микроэлектроника» и методических рекомендаций УМО по образованию в области автоматики, электроники, микроэлектроники и радиотехники. Время, отводимое на подготовку магистерской диссертации, должно составлять не менее 20 недель.

7.2.3 Требования к государственному экзамену магистра.

Порядок проведения и программа государственного экзамена по специальностям, относящимся к направлению подготовки магистров «Электроника и микроэлектроника», определяются вузом на основании методических рекомендаций и соответствующих примерных программ, разработанных УМО по образованию в области автоматики, электроники, микроэлектроники и радиотехники, Положения об итоговой государственной аттестации выпускников высших учебных заведений, утвержденного Минобразованием России, и настоящего государственного образовательного стандарта. Уровень требований, предъявляемых на государственных экзаменах в магистратуре, должен соответствовать уровню требований на вступительных экзаменах в аспирантуру или кандидатских экзаменах по непрофилирующим дисциплинам для научных специальностей, указанных в п. 1.4.

Составители: Учебно-методическое объединение по образованию в области автоматики, электроники, микроэлектроники и радиотехники. Государственный образовательный стандарт высшего профессионального образования одобрен на заседании Учебно-методического совета по направлению «Электроника и микроэлектроника» 26.11.1999.

---