---
title: "\"Соглашение между Правительством Российской Федерации и Правительством Республики Белоруссия о сотрудничестве в области создания оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм\""
status: действует
canonical: "https://bukva.ai/docs/soglashenie-mezhdu-pravitelstvom-rossiyskoy-390/statya-9"
---

# Статья 9

### <a id="p100026"></a>Статья 9


<a id="p100027"></a>Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия Соглашения о своем намерении прекратить его действие.
<a id="p100028"></a>Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого внутригосударственных процедур.

<a id="p100029"></a>Совершено в г. Москве 13 июня 1996 года в двух экземплярах на русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.

<div align="right">

<a id="p100030"></a>(Подписи)

</div>






<div align="right">

<a id="p100255"></a>Приложение<br>
к Соглашению<br>
между Правительством<br>
Российской Федерации и<br>
Правительством Республики<br>
Белоруссия о сотрудничестве<br>
в области создания оптико -<br>
механического и контрольного<br>
оборудования для производства<br>
сверхбольших интегральных<br>
схем с топологическими<br>
элементами 0,8 - 0,5 мкм<br>
от 13 июня 1996 года

</div>


<a id="p100031"></a>**СОВМЕСТНАЯ**
**РОССИЙСКО-БЕЛОРУССКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА**
**"РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО И КОНТРОЛЬНОГО**
**ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ**
**СХЕМ С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 0,8 - 0,5 МКМ"**




<a id="p100033"></a>Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются - СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).
<a id="p100034"></a>Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.




<a id="p100036"></a>Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям "Субмикро". Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны - научно-техническая ассоциация "Субмикро", с Белорусской Стороны - Государственный научно - производственный концерн точного машиностроения "Планар".




<a id="p100038"></a>Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.






<a id="p100041"></a>Прецизионность - +/- 0,15 мкм
<a id="p100042"></a>Погрешность совмещения - не более 0,15 мкм
<a id="p100043"></a>Размер единичного модуля - 20 x 20 мм
<a id="p100044"></a>Диаметр пластин - 150 мм
<a id="p100045"></a>Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
<a id="p100046"></a>Производительность - не менее 40 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля - 400 кв. мм).


<a id="p100048"></a>Прецизионность - +/- 0,1 мкм
<a id="p100049"></a>Погрешность совмещения - не более 0,1 мкм
<a id="p100050"></a>Размер единичного модуля - 15 x 20 мм
<a id="p100051"></a>Диаметр пластин - 150 мм
<a id="p100052"></a>Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
<a id="p100053"></a>Производительность - не менее 30 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля - 300 кв. мм).






<a id="p100056"></a>степперы для СБИС 0,8 мкм;
<a id="p100057"></a>степперы для СБИС 0,6 мкм;
<a id="p100058"></a>степперы для СБИС 0,4 - 0,5 мкм.
<a id="p100059"></a>5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.
<a id="p100060"></a>5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.
<a id="p100061"></a>5.4. Отработка технологических процессов - по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.




<a id="p100063"></a>Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 - 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60 - 200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70 - 80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.
<a id="p100064"></a>Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80 - 100 млрд. рублей в год в ценах мая 1995 г.




<div align="right">

<a id="p100066"></a>(млн. рублей в ценах мая 1995 г.)

</div>


<table>
<colgroup><col width="22%"><col width="20%"><col width="14%"><col width="14%"><col width="15%"><col width="15%"></colgroup>
<tr><td rowspan="2">Стороны</td><td rowspan="2">Затраты - всего</td><td colspan="4">в том числе</td></tr>
<tr><td>1996 г.</td><td>1997 г.</td><td>1998 г.</td><td>1999 г.</td></tr>
<tr><td>Российская Федерация Республика Белоруссия</td><td>24000 24000</td><td>2000 2000</td><td>16000 8000</td><td>6000 10000</td><td>- 4000</td></tr>
</table>

<a id="p100078"></a>Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.
<a id="p100079"></a>Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20 - 25 степперов и 30 - 40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.





<table>
<colgroup><col width="33%"><col width="13%"><col width="6%"><col width="7%"><col width="6%"><col width="7%"><col width="30%"></colgroup>
<tr><td rowspan="2">Наименование оборудования</td><td rowspan="2">Сроки выполнения</td><td colspan="4">Объемы финансирования (млн. рублей в ценах мая 1995 г.)</td><td rowspan="2">Ожидаемые результаты</td></tr>
<tr><td>1996 год</td><td>1997 год</td><td>1998 год</td><td>всего</td></tr>
<tr><td>1. Установка совмещения</td><td>апрель</td><td>650</td><td>2900</td><td>350</td><td>3900</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>и мультипликации для изготовления СБИС</td><td>1996 г. - апрель</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка, изготовление</td></tr>
<tr><td>технологического уровня</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>и испытание двух опытных</td></tr>
<tr><td>0,8 мкм (размер модуля</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>образцов, корректировка</td></tr>
<tr><td>16 x 16 мм с проработкой возможности увеличения до</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>технической документации. Принятие темы,</td></tr>
<tr><td>20 x 20 мм)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>2. Экспериментальная</td><td>апрель</td><td>300</td><td>1700</td><td>1200</td><td>3200</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>установка совмещения и мультипликации для</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка, изготовление</td></tr>
<tr><td>изготовления СБИС технологического уровня</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>и испытание экспериментального</td></tr>
<tr><td>0,6 мкм (размер модуля</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>образца, корректировка</td></tr>
<tr><td>15 x 15 мм и 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>технической документации. Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы</td></tr>
<tr><td>3. Экспериментальная</td><td>октябрь</td><td>50</td><td>2050</td><td>1900</td><td>4000</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>установка совмещения и проекционного глубокого</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка, изготовление</td></tr>
<tr><td>ультрафиолетового экспонирования с мультипликацией для исследования ультрабольших и сверхскоростных интегральных схем технологического уровня</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение порядка</td></tr>
<tr><td>0,5 мкм (разрешение</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>дальнейшей работы</td></tr>
<tr><td>0,35 - 0,45 мкм, размер модуля 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 15 x 20 мм)</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td></tr>
<tr><td>4. Установка лазерного</td><td>июль</td><td>50</td><td>1700</td><td>250</td><td>2000</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>устранения дефектов промежуточных шаблонов</td><td>1996 г. - июнь 1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка базовой установки комбинированной ретуши промежуточных шаблонов, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>5. Доработка и изготовление</td><td>июнь</td><td>200</td><td>900</td><td>100</td><td>1200</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>установки контроля топологии на промежуточных шаблонах</td><td>1996 г. - май</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Доработка установки,</td></tr>
<tr><td>(ЭМ-6029А) с адаптацией к системе автоматизированного проектирования заказчика</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска установок контроля топологического рисунка для СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит</td></tr>
<tr><td>6. Установка</td><td>август</td><td>60</td><td>1115</td><td>525</td><td>1700</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>автоматического контроля привносимых дефектов</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка, изготовление</td></tr>
<tr><td>промежуточных шаблонов</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>и испытание опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>7. Автоматизированный</td><td>июль</td><td>125</td><td>840</td><td>210</td><td>1175</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>микроскоп для оперативного визуального контроля</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка микроскопа для</td></tr>
<tr><td>промежуточных шаблонов с пленочной защитой</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>контроля промежуточных шаблонов с пелликлами, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>8. Доработка опытного</td><td>май</td><td>180</td><td>870</td><td>-</td><td>1050</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>образца установки контроля микродефектов на</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Доработка установки</td></tr>
<tr><td>полупроводниковых пластинах</td><td>1997 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>автоматического контроля</td></tr>
<tr><td>(ЭМ-6069) с автоматизированной загрузкой</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>дефектов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>9. Доработка опытного</td><td>июль</td><td>80</td><td>340</td><td>-</td><td>420</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>образца установки контроля макродефектов (ЭМ-6079)</td><td>1996 г. - декабрь 1997 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Доработка установки контроля дефектов технологической обработки пластин, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>10. Установка измерения</td><td>июль</td><td>75</td><td>975</td><td>125</td><td>1175</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>координат элементов топологии промежуточных</td><td>1996 г. - август</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка установки,</td></tr>
<tr><td>шаблонов с контролем совмещаемости комплекта</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>обеспечивающей контроль промежуточных шаблонов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств 16 - 64 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>11. Установка контроля</td><td>июль</td><td>50</td><td>730</td><td>270</td><td>1050</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>профиля полупроводниковых структур с автоматической</td><td>1996 г. - декабрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка установки</td></tr>
<tr><td>загрузкой</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>контроля технологических структур, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>12. Модернизация установки</td><td>август</td><td>100</td><td>790</td><td>185</td><td>1075</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>измерения микроразмеров</td><td>1996 г. -</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания.</td></tr>
<tr><td>(ЭМ-6059)</td><td>июль 1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>Модернизация установки измерения микроразмеров, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>13. Зондовый автомат для</td><td>июль</td><td>80</td><td>1090</td><td>885</td><td>2055</td><td>Разработка технического</td></tr>
<tr><td>пластин диаметром 200 мм и элементом контактирования</td><td>1996 г. - ноябрь</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>задания. Разработка зондового</td></tr>
<tr><td>1 мкм</td><td>1998 г.</td><td></td><td></td><td></td><td></td><td>автомата, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td>ИТОГО:</td><td></td><td>2000</td><td>16000</td><td>6000</td><td>24000</td><td></td></tr>
</table>

<a id="p100252"></a>*Примечания.* 1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.
2. <a id="p100253"></a>Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным технологиям "Субмикро".



<a id="p100254"></a>

---