Статья 9Соглашение между Правительством Российской Федерации и Правительством Республики Белоруссия о сотрудничестве в области создания оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8 — 0,5 мкм

Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия Соглашения о своем намерении прекратить его действие.

Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого внутригосударственных процедур.

Совершено в г. Москве 13 июня 1996 года в двух экземплярах на русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.

СОВМЕСТНАЯ РОССИЙСКО-БЕЛОРУССКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА «РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО И КОНТРОЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 0,8 — 0,5 МКМ»

Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются — СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).

Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.

Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям «Субмикро». Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны — научно-техническая ассоциация «Субмикро», с Белорусской Стороны — Государственный научно — производственный концерн точного машиностроения «Планар».

Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8 — 0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.

Прецизионность — +/- 0,15 мкм

Погрешность совмещения — не более 0,15 мкм

Размер единичного модуля — 20 x 20 мм

Диаметр пластин — 150 мм

Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) — не более 0,05 дефектов/кв. см на слой

Производительность — не менее 40 пластин/час (диаметр — 150 мм, площадь единичного модуля — 400 кв. мм).

Прецизионность — +/- 0,1 мкм

Погрешность совмещения — не более 0,1 мкм

Размер единичного модуля — 15 x 20 мм

Диаметр пластин — 150 мм

Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) — не более 0,05 дефектов/кв. см на слой

Производительность — не менее 30 пластин/час (диаметр — 150 мм, площадь единичного модуля — 300 кв. мм).

степперы для СБИС 0,8 мкм;

степперы для СБИС 0,6 мкм;

степперы для СБИС 0,4 — 0,5 мкм.

5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.

5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.

5.4. Отработка технологических процессов — по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.

Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 — 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60 — 200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70 — 80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.

Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80 — 100 млрд. рублей в год в ценах мая 1995 г.

Стороны	Затраты — всего	в том числе
		1996 г.	1997 г.	1998 г.	1999 г.
Российская Федерация Республика Белоруссия	24000 24000	2000 2000	16000 8000	6000 10000	- 4000

Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.

Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20 — 25 степперов и 30 — 40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.

Наименование оборудования	Сроки выполнения	Объемы финансирования (млн. рублей в ценах мая 1995 г.)				Ожидаемые результаты
		1996 год	1997 год	1998 год	всего
1. Установка совмещения	апрель	650	2900	350	3900	Разработка технического
и мультипликации для изготовления СБИС	1996 г. — апрель					задания. Разработка, изготовление
технологического уровня	1998 г.					и испытание двух опытных
0,8 мкм (размер модуля						образцов, корректировка
16 x 16 мм с проработкой возможности увеличения до						технической документации. Принятие темы,
20 x 20 мм)						определение объема дальнейшего выпуска
2. Экспериментальная	апрель	300	1700	1200	3200	Разработка технического
установка совмещения и мультипликации для	1996 г. — декабрь					задания. Разработка, изготовление
изготовления СБИС технологического уровня	1998 г.					и испытание экспериментального
0,6 мкм (размер модуля						образца, корректировка
15 x 15 мм и 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм)						технической документации. Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы
3. Экспериментальная	октябрь	50	2050	1900	4000	Разработка технического
установка совмещения и проекционного глубокого	1996 г. — декабрь					задания. Разработка, изготовление
ультрафиолетового экспонирования с мультипликацией для исследования ультрабольших и сверхскоростных интегральных схем технологического уровня	1998 г.					и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение порядка
0,5 мкм (разрешение						дальнейшей работы
0,35 — 0,45 мкм, размер модуля 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 15 x 20 мм)
4. Установка лазерного	июль	50	1700	250	2000	Разработка технического
устранения дефектов промежуточных шаблонов	1996 г. — июнь 1998 г.					задания. Разработка базовой установки комбинированной ретуши промежуточных шаблонов, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
5. Доработка и изготовление	июнь	200	900	100	1200	Разработка технического
установки контроля топологии на промежуточных шаблонах	1996 г. — май					задания. Доработка установки,
(ЭМ-6029А) с адаптацией к системе автоматизированного проектирования заказчика	1998 г.					изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска установок контроля топологического рисунка для СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит
6. Установка	август	60	1115	525	1700	Разработка технического
автоматического контроля привносимых дефектов	1996 г. — декабрь					задания. Разработка, изготовление
промежуточных шаблонов	1998 г.					и испытание опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
7. Автоматизированный	июль	125	840	210	1175	Разработка технического
микроскоп для оперативного визуального контроля	1996 г. — декабрь					задания. Разработка микроскопа для
промежуточных шаблонов с пленочной защитой	1998 г.					контроля промежуточных шаблонов с пелликлами, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
8. Доработка опытного	май	180	870	-	1050	Разработка технического
образца установки контроля микродефектов на	1996 г. — декабрь					задания. Доработка установки
полупроводниковых пластинах	1997 г.					автоматического контроля
(ЭМ-6069) с автоматизированной загрузкой						дефектов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
9. Доработка опытного	июль	80	340	-	420	Разработка технического
образца установки контроля макродефектов (ЭМ-6079)	1996 г. — декабрь 1997 г.					задания. Доработка установки контроля дефектов технологической обработки пластин, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
10. Установка измерения	июль	75	975	125	1175	Разработка технического
координат элементов топологии промежуточных	1996 г. — август					задания. Разработка установки,
шаблонов с контролем совмещаемости комплекта	1998 г.					обеспечивающей контроль промежуточных шаблонов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств 16 — 64 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
11. Установка контроля	июль	50	730	270	1050	Разработка технического
профиля полупроводниковых структур с автоматической	1996 г. — декабрь					задания. Разработка установки
загрузкой	1998 г.					контроля технологических структур, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
12. Модернизация установки	август	100	790	185	1075	Разработка технического
измерения микроразмеров	1996 г. -					задания.
(ЭМ-6059)	июль 1998 г.					Модернизация установки измерения микроразмеров, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
13. Зондовый автомат для	июль	80	1090	885	2055	Разработка технического
пластин диаметром 200 мм и элементом контактирования	1996 г. — ноябрь					задания. Разработка зондового
1 мкм	1998 г.					автомата, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска
ИТОГО:		2000	16000	6000	24000

Примечания. 1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.

2. Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным технологиям «Субмикро».

---