---
title: "Распоряжение Президента РФ от 11.02.1994 N 74-рп"
number: "74-рп"
issuer: "Президент Российской Федерации"
issued_on: 1994-02-11
status: утратил силу
canonical: "https://bukva.ai/docs/rasporyazhenie-74-rp"
---

## Распоряжение Президента РФ от 11.02.1994 N 74-рп

# Распоряжение Президента РФ от 11.02.1994 N 74-рп

"О контроле за экспортом из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно - технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники"

> [!WARNING]
> Утратил силу в связи с изданием [Указа](https://bukva.ai/docs/ukaz-1268#p100010) Президента РФ от 26.08.1996 N 1268.
> Документ утратил силу в связи с изданием [Указа](https://bukva.ai/docs/ukaz-1268#p100010) Президента РФ от 26.08.1996 N 1268.


<a id="p100001"></a>**ПРЕЗИДЕНТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ**


## <a id="p100002"></a>РАСПОРЯЖЕНИЕ

от 11 февраля 1994 г. N 74-рп

<a id="p100003"></a>**О КОНТРОЛЕ ЗА ЭКСПОРТОМ ИЗ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ**
**ОТДЕЛЬНЫХ ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ,**
**ТЕХНОЛОГИЙ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ,**
**КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ПРИ СОЗДАНИИ**
**ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ**

1. <a id="p100004"></a>Утвердить представленный Правительством Российской Федерации Перечень отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены при создании вооружения и военной техники, экспорт которых контролируется и осуществляется по лицензиям (прилагается).
2. <a id="p100005"></a>Правительству Российской Федерации утвердить [Положение](https://bukva.ai/docs/postanovlenie-197-1994#p100010) о порядке контроля за экспортом из Российской Федерации отдельных видов сырья, материалов, оборудования, технологий и научно-технической информации, которые могут быть применены, при создании вооружения и военной техники.
3. <a id="p100006"></a>Установить, что коды товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности, указанные в части 1 прилагаемого к настоящему распоряжению Перечня, в случае необходимости могут уточняться Государственным таможенным комитетом Российской Федерации по согласованию с Комиссией по экспортному контролю Российской Федерации при Правительстве Российской Федерации.
4. <a id="p100007"></a>Признать утратившим силу [распоряжение](https://bukva.ai/docs/rasporyazhenie-408-rp) Президента Российской Федерации от 30 июля 1992 г. N 408-рп.
5. <a id="p100008"></a>Настоящее распоряжение вступает в силу с момента его подписания.

<div align="right">

<a id="p100009"></a>Президент<br>
Российской Федерации<br>
**Б.ЕЛЬЦИН**

</div>







<div align="right">

<a id="p100010"></a>Утвержден<br>
распоряжением Президента<br>
Российской Федерации<br>
от 11 февраля 1994 г. N 74-рп

</div>



## <a id="p100011"></a>ПЕРЕЧЕНЬ ОТДЕЛЬНЫХ ВИДОВ СЫРЬЯ, МАТЕРИАЛОВ, ОБОРУДОВАНИЯ, ТЕХНОЛОГИЙ И НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ ПРИМЕНЕНЫ ПРИ СОЗДАНИИ ВООРУЖЕНИЯ И ВОЕННОЙ ТЕХНИКИ, ЭКСПОРТ КОТОРЫХ КОНТРОЛИРУЕТСЯ И ОСУЩЕСТВЛЯЕТСЯ ПО ЛИЦЕНЗИЯМ



## <a id="p100012"></a>Часть I. Сырье, материалы и оборудование



<a id="p100013"></a><a id="p100021"></a><a id="p100023"></a>

| Номер позиции | Наименование | Код товарной номенклатуры внешнеэкономической деятельности |
| --- | --- | --- |
| 1 | 2 | 3 |



## <a id="p100024"></a>Раздел I.1. Металлические сплавы, порошки для металлических сплавов или сплавленных материалов


<a id="p100026"></a>                      Примечания: 1. К   металлическим
<a id="p100027"></a>                  сплавам   относятся    те,   которые
<a id="p100028"></a>                  содержат больший процент (по  массе)
<a id="p100029"></a>                  указанного металла,  чем      других
<a id="p100030"></a>                  элементов,  за  исключением сплавов,
<a id="p100031"></a>                  содержащих  2  или  более  процентов
<a id="p100032"></a>                  драгоценных металлов

                  2. <a id="p100033"></a>Металлические   сплавы,   порошки
<a id="p100034"></a>                  металлических       сплавов      или
<a id="p100035"></a>                  сплавленные               материалы,
<a id="p100036"></a>                  предназначенные     для    покрытий,
<a id="p100037"></a>                  экспортному контролю не подлежат

<a id="p100038"></a>I.1.1.            Алюминиды никеля  или  титана в виде
<a id="p100039"></a>                  сырья или полуфабрикатов:

<a id="p100040"></a>I.1.1.1.          алюминиды никеля    с    содержанием 750220000
<a id="p100041"></a>                  алюминия 10 или более процентов  (по
<a id="p100042"></a>                  массе);

<a id="p100043"></a>I.1.1.2.          алюминиды титана,  содержащие 12 или 810810100
<a id="p100044"></a>                  более процентов алюминия (по массе)

<a id="p100045"></a>I.1.2.            Металлические сплавы,  изготовленные
<a id="p100046"></a>                  из порошкового металлического сплава
<a id="p100047"></a>                  или  имеющие  вкрапления материалов,
<a id="p100048"></a>                  указанных   в   пунктах   I.1.8.   -
<a id="p100049"></a>                  I.1.8.5.:

<a id="p100050"></a>I.1.2.1.          никелевые сплавы:

<a id="p100051"></a>I.1.2.1.1.        с пределом  длительной прочности 550 750220000
<a id="p100052"></a>                  МПа (55 кгс/кв.  мм) при температуре
<a id="p100053"></a>                  923 К (650 С) за 10000 ч и более;

<a id="p100054"></a>I.1.2.1.2.        с малоцикловой   выносливостью   при 750220000
<a id="p100055"></a>                  максимальном напряжении 700 МПа  (70
<a id="p100056"></a>                  кгс/кв.  мм)  на базе 10000 циклов и
<a id="p100057"></a>                  более при температуре 823 К (550 С)

<a id="p100058"></a>I.1.2.2.          ниобиевые сплавы:

<a id="p100059"></a>I.1.2.2.1.        с пределом длительной прочности  400 811291310;
<a id="p100060"></a>                  МПа (40 кгс/кв.  мм) при температуре 811299300
<a id="p100061"></a>                  1073 К (800 С) за 10000 ч и более;

<a id="p100062"></a>I.1.2.2.2.        с малоцикловой   выносливостью   при 811291310;
<a id="p100063"></a>                  максимальном напряжении 700 МПа  (70 811299300
<a id="p100064"></a>                  кгс/кв.  мм)  на базе 10000 циклов и
<a id="p100065"></a>                  более при температуре 973 К (700 С)

<a id="p100066"></a>I.1.2.3.          титановые сплавы:

<a id="p100067"></a>I.1.2.3.1.        с пределом  длительной прочности 200 810810100
<a id="p100068"></a>                  МПа (20 кгс/кв.  мм) при температуре
<a id="p100069"></a>                  723 К (450 С) за 10000 ч и более;

<a id="p100070"></a>I.1.2.3.2.        с малоцикловой   выносливостью   при 810810100
<a id="p100071"></a>                  максимальном напряжении 400 МПа  (40
<a id="p100072"></a>                  кгс/кв.  мм)  на базе 10000 циклов и
<a id="p100073"></a>                  более при температуре 723 К (450 С)

<a id="p100074"></a>I.1.2.4.          алюминиевые сплавы    с     пределом
<a id="p100075"></a>                  длительной прочности:

<a id="p100076"></a>I.1.2.4.1.        240 МПа (24 кгс/кв.  мм) и более при 760120
<a id="p100077"></a>                  температуре 473 К (200 С);

<a id="p100078"></a>I.1.2.4.2.        415 МПа (41,5 кгс/кв.  мм)  и  более 760120
<a id="p100079"></a>                  при температуре 298 К (25 С);

<a id="p100080"></a>I.1.2.5.          магниевые сплавы      с     пределом 8104
<a id="p100081"></a>                  длительной  прочности  240  МПа  (24
<a id="p100082"></a>                  кгс/кв.  мм)  и  более  и  скоростью
<a id="p100083"></a>                  коррозии  менее  1  мм   в   год   в
<a id="p100084"></a>                  3-процентном водном растворе хлорида
<a id="p100085"></a>                  натрия

<a id="p100086"></a>I.1.3.            Титановые сплавы    (в   том   числе 810810100
<a id="p100087"></a>                  вторичные)  с  пределом   длительной
<a id="p100088"></a>                  прочности   свыше   1200   МПа  (120
<a id="p100089"></a>                  кгс/кв.  мм) и  пределом  ползучести
<a id="p100090"></a>                  свыше  150  МПа (15 кгс/кв.  мм) при
<a id="p100091"></a>                  температуре 873 К (600 С)

<a id="p100092"></a>I.1.4.            Алюминий-литиевые сплавы    (в   том
<a id="p100093"></a>                  числе    содержащие    скандий)    с
<a id="p100094"></a>                  содержанием лития более 6%,  скандия
<a id="p100095"></a>                  более 3%:

<a id="p100096"></a>I.1.4.1.          системы        алюминий-магний-литий 760120;
<a id="p100097"></a>                  (скандий), обладающие в совокупности 760421000;
<a id="p100098"></a>                  следующими         характеристиками: 760429;
<a id="p100099"></a>                  плотностью  менее  2,47  г/куб.  см; 760612;
<a id="p100100"></a>                  модулем  упругости  более  78000 МПа 760692000
<a id="p100101"></a>                  (7800 кгс/кв. мм);
<a id="p100102"></a>                  удельной прочностью более 19 км;

<a id="p100103"></a>I.1.4.2.          системы   алюминий-медь-магний-литий 760120;
<a id="p100104"></a>                  (скандий), обладающие в совокупности 760421000;
<a id="p100105"></a>                  следующими         характеристиками: 760429;
<a id="p100106"></a>                  плотностью  менее  2,56  г/куб.  см; 760612;
<a id="p100107"></a>                  модулем  упругости  более  80000 МПа 760692000
<a id="p100108"></a>                  (8000    кгс/кв.    мм);    удельной
<a id="p100109"></a>                  прочностью более 19 км;

<a id="p100110"></a>I.1.4.3.          системы          алюминий-медь-литий 760120;
<a id="p100111"></a>                  (скандий), обладающие в совокупности 760421000;
<a id="p100112"></a>                  следующими         характеристиками: 760429;
<a id="p100113"></a>                  плотностью  менее  2,6  г/куб.   см; 760612;
<a id="p100114"></a>                  модулем  упругости  более  80000 МПа 760692000
<a id="p100115"></a>                  (8000    кгс/кв.    мм);    удельной
<a id="p100116"></a>                  прочностью более 22 км;

<a id="p100117"></a>I.1.4.4.          системы алюминий-литий    (скандий), 760120;
<a id="p100118"></a>                  обладающие в совокупности следующими 760421000;
<a id="p100119"></a>                  характеристиками:  плотностью  менее 760429;
<a id="p100120"></a>                  2,4  г/куб.  см;  модулем  упругости 760612;
<a id="p100121"></a>                  более  80000 МПа (8000 кгс/кв.  мм); 760692000
<a id="p100122"></a>                  удельной прочностью более 20 км;

<a id="p100123"></a>I.1.5.            Деформируемые магниевые  сплавы   (в 8104
<a id="p100124"></a>                  том    числе    гранулированные)   с
<a id="p100125"></a>                  пределом длительной прочности  более
<a id="p100126"></a>                  350 МПа (35 кгс/кв. мм);

<a id="p100127"></a>I.1.6.            Литейные магниевые сплавы с пределом 8104
<a id="p100128"></a>                  длительной прочности более  280  МПа
<a id="p100129"></a>                  (28   кгс/кв.  мм)  при  температуре
<a id="p100130"></a>                  более 523 К (250 С);

<a id="p100131"></a>I.1.7.            Урано-титановые сплавы           или 284410000;
<a id="p100132"></a>                  вольфрамовые  сплавы  с  матрицей на 810810100;
<a id="p100133"></a>                  основе железа, никеля или меди:      810199000
<a id="p100134"></a>                  с плотностью свыше 17,5 г/куб. см; с
<a id="p100135"></a>                  пределом упругости  свыше  1250  МПа
<a id="p100136"></a>                  (125   кгс/кв.   мм);   с   пределом
<a id="p100137"></a>                  прочности на разрыв более  1270  МПа
<a id="p100138"></a>                  (127  кгс/кв.  мм);  с относительным
<a id="p100139"></a>                  удлинением свыше 8%;
<a id="p100140"></a>                      Примечание. Урано-титановые
<a id="p100141"></a>                  сплавы,    содержащие   более    0,7
<a id="p100142"></a>                  весового     процента        изотопа
<a id="p100143"></a>                  урана-235,  могут рассматриваться  к
<a id="p100144"></a>                  экспорту  при  наличии разрешения на
<a id="p100145"></a>                  деятельность по обращению с ядерными
<a id="p100146"></a>                  материалами     и     радиоактивными
<a id="p100147"></a>                  источниками ионизирующего излучения

<a id="p100148"></a>I.1.8.            Порошки металлических  сплавов   или
<a id="p100149"></a>                  вводимые   гранулы  для  материалов,
<a id="p100150"></a>                  указанных    в    пунктах    I.1.1.-
<a id="p100151"></a>                  I.1.2.5.,        полученные        в
<a id="p100152"></a>                  контролируемой  среде   при   помощи
<a id="p100153"></a>                  одного из нижеследующих процессов:
<a id="p100154"></a>                  распыление в вакууме;
<a id="p100155"></a>                  газоструйное распыление;
<a id="p100156"></a>                  центробежное распыление;
<a id="p100157"></a>                  спиннингование;
<a id="p100158"></a>                  расплавление с      вращением      и
<a id="p100159"></a>                  кристаллизация;
<a id="p100160"></a>                  экстракция расплава;
<a id="p100161"></a>                  механическое легирование           и
<a id="p100162"></a>                  изготовленные  и   любой   следующей
<a id="p100163"></a>                  композиции:

<a id="p100164"></a>I.1.8.1.          никелевые сплавы (Ni-Al-X, Ni-X-Al), 750400000
<a id="p100165"></a>                  предназначенные для использования  в
<a id="p100166"></a>                  составе   частей   или   компонентов
<a id="p100167"></a>                  турбин двигателей,  т.е. с менее чем
<a id="p100168"></a>                  тремя   неметаллическими   частицами

> <a id="p100169"></a>*(введенными в процессе производства)*

<a id="p100170"></a>                  крупнее   100   мкм  в  10  частицах
<a id="p100171"></a>                  сплава;

<a id="p100172"></a>I.1.8.2.          ниобиевые сплавы    (Nb-Al-X     или 811291310;
<a id="p100173"></a>                  Nb-X-Al,    Nb-Si-X   или   Nb-X-Si, 811299300
<a id="p100174"></a>                  Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);

<a id="p100175"></a>I.1.8.3.          титановые сплавы    (Ti-Al-X     или 810810100
<a id="p100176"></a>                  Ti-X-Al);

<a id="p100177"></a>I.1.8.4.          алюминиевые сплавы    (Al-Mg-X   или 7603
<a id="p100178"></a>                  Al-X-Mg,   Al-Zn-X   или    Al-X-Zn,
<a id="p100179"></a>                  Al-Fe-X или Al-X-Fe);

<a id="p100180"></a>I.1.8.5.          магниевые сплавы     (Mg-Al-X    или 810430000
<a id="p100181"></a>                  Mg-X-Al)
<a id="p100182"></a>                      Примечание. X   в     дальнейшем
<a id="p100183"></a>                  служит  показателем        равенства
<a id="p100184"></a>                  содержания    в     сплаве    одного
<a id="p100185"></a>                  или  более  составляющих   элементов
<a id="p100186"></a>                  (примесей)

<a id="p100187"></a>I.1.9.            Сплавленные материалы     в     виде 750300900;
<a id="p100188"></a>                  неизмельченных гранул,  стружки  или 750400000;
<a id="p100189"></a>                  тонких   стержней,  изготовляемых  в 750512000;
<a id="p100190"></a>                  контролируемой     среде     методом 760200100;
<a id="p100191"></a>                  спиннингования,    расплавления    с 760320000;
<a id="p100192"></a>                  вращением или  экстракции  расплава, 760429100;
<a id="p100193"></a>                  используемых     при    производстве 810430000;
<a id="p100194"></a>                  порошка  для  металлических  сплавов 810490100;
<a id="p100195"></a>                  или   вводимых  гранул,  на  которые 810810100;
<a id="p100196"></a>                  наложены    ограничения     пунктами 810810900;
<a id="p100197"></a>                  I.1.8.- I.1.8.5.                     810890300;
<a id="p100198"></a>                                                       811291310;
<a id="p100199"></a>                                                       811291390;
<a id="p100200"></a>                                                       811299300

<a id="p100201"></a>I.1.10.           Магнитные материалы  всех  типов   и
<a id="p100202"></a>                  любой формы:

<a id="p100203"></a>I.1.10.1.         материалы с  начальной относительной 850511000;
<a id="p100204"></a>                  магнитной проницаемостью 120000  или 850519;
<a id="p100205"></a>                  более и толщиной 0,05 мм или менее   850519100;
<a id="p100206"></a>                                                       850519900
<a id="p100207"></a>                      Примечание. Замер      начальной
<a id="p100208"></a>                  относительной  проницаемости  должен
<a id="p100209"></a>                  осуществляться     на      полностью
<a id="p100210"></a>                  отожженных материалах

<a id="p100211"></a>I.1.10.2.         магнитострикционные сплавы:

<a id="p100212"></a>I.1.10.2.1.       с магнитострикционным     насыщением 72069000
<a id="p100213"></a>                  более 5x10Е-4;

<a id="p100214"></a>I.1.10.2.2.       с коэффициентом магнитомеханического 72069000
<a id="p100215"></a>                  сцепления более 0,8

<a id="p100216"></a>I.1.10.3.         аморфная стружка сплава  с  составом 7206;
<a id="p100217"></a>                  минимум   75%   (по  массе)  железа, 750400000;
<a id="p100218"></a>                  кобальта   или   никеля,   магнитной 8105
<a id="p100219"></a>                  индукцией  насыщения не менее 1,6 Т,
<a id="p100220"></a>                  толщиной стружки не более 0,02 мм  и
<a id="p100221"></a>                  удельным               электрическим
<a id="p100222"></a>                  сопротивлением  не   менее   2x10E-4
<a id="p100223"></a>                  Ом/см


## <a id="p100224"></a>Раздел I.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них


<a id="p100226"></a>I.2.1.            Полимерные вещества

<a id="p100227"></a>I.2.1.1.          Бисмалеимид                          292519900

<a id="p100228"></a>I.2.1.2.          Соль                              СГ 292122000
<a id="p100229"></a>                  (гексаметилендиаминсебацинат)

<a id="p100230"></a>I.2.1.3.          Полиамид-12                          390810000

<a id="p100231"></a>I.2.1.4.          Диангидрид                           291739900
<a id="p100232"></a>                  дифенилоксидтетракарбоновой кислоты

<a id="p100233"></a>I.2.1.5.          Арилоксы с  термостойкостью выше 573 390720900
<a id="p100234"></a>                  К (300 С)

<a id="p100235"></a>I.2.1.6.          Полипараксилилен                     391190900

<a id="p100236"></a>I.2.1.7.          Полиимиды, кроме:                    390930000
<a id="p100237"></a>                  смол марок - ПАИС, БФДИ, БПИ;
<a id="p100238"></a>                  лаков марок - АД-9103, АД-9103ПС;
<a id="p100239"></a>                  АД-9103ИС; связующего марки СП-97

<a id="p100240"></a>I.2.1.8.          Ароматические полиамид-имиды         390890000

<a id="p100241"></a>I.2.1.9.          Полибензимидазолы и  материалы на их 391190900
<a id="p100242"></a>                  основе

<a id="p100243"></a>I.2.1.10.         Ароматические полибензотиазолы     и 391190900
<a id="p100244"></a>                  материалы на их основе

<a id="p100245"></a>I.2.1.11.         Ароматические полиоксадиазолы      и 391190900
<a id="p100246"></a>                  материалы    на    их    основе    с
<a id="p100247"></a>                  термостойкостью выше 573 К (300 С)

<a id="p100248"></a>I.2.1.12.         Ароматические полихиноксалины      и 391190900
<a id="p100249"></a>                  материалы на их основе

<a id="p100250"></a>I.2.1.13.         Ароматические полиэфиримиды, имеющие 390720900;
<a id="p100251"></a>                  температуру стеклования более 503  К 390791900
<a id="p100252"></a>                  (230 С)
<a id="p100253"></a>                      Примечание. Неплавкие    порошки
<a id="p100254"></a>                  для  формообразования под  давлением
<a id="p100255"></a>                  или подготовки  форм,  изготовленные
<a id="p100256"></a>                  из материалов, указанных  в  пунктах
<a id="p100257"></a>                  I.2.1.1.,     I.2.1.3.,    I.2.1.7.,
<a id="p100258"></a>                  I.2.1.8.,   I.2.1.13.,   экспортному
<a id="p100259"></a>                  контролю не подлежат

<a id="p100260"></a>I.2.1.14.         Изделия из           нефторированных
<a id="p100261"></a>                  полимерных   веществ,   указанных  в
<a id="p100262"></a>                  пунктах   I.2.1.5.   -    I.2.1.10.,
<a id="p100263"></a>                  I.2.1.13.,  в  виде  пленки,  листа,
<a id="p100264"></a>                  ленты или полосы:

<a id="p100265"></a>I.2.1.14.1.       при толщине свыше 0,254 мм;          391990900

<a id="p100266"></a>I.2.1.14.2.       покрытые углеродом,        графитом, 392099900
<a id="p100267"></a>                  металлами или магнитными веществами

<a id="p100268"></a>I.2.1.15.         Термопластические                    390791900
<a id="p100269"></a>                  жидкокристаллические     сополимеры,
<a id="p100270"></a>                  имеющие     температуру     тепловой
<a id="p100271"></a>                  деформации более  523  К  (250   С),
<a id="p100272"></a>                  измеренную  при  нагрузке 1,82 Н/кв.
<a id="p100273"></a>                  мм, и образованные сочетанием:

<a id="p100274"></a>                  пара-фенилена,  пара-пара-бифенилена
<a id="p100275"></a>                  или 2,6 нафталина;
<a id="p100276"></a>                  метила, третичного    бутила     или
<a id="p100277"></a>                  фенил-замещенного          фенилена,
<a id="p100278"></a>                  бифенилена или нафталина с любой  из
<a id="p100279"></a>                  следующих    кислот:    терефталевой
<a id="p100280"></a>                  кислотой;
<a id="p100281"></a>                  6-гидрокси-2 нафтойной кислотой;
<a id="p100282"></a>                  4-гидроксибензойной кислотой

<a id="p100283"></a>I.2.1.16.         Полиариленовые эфирные кетоны;

<a id="p100284"></a>I.2.1.16.1.       полиэфироэфирокетон (ПЭЭК);          390791900

<a id="p100285"></a>I.2.1.16.2.       полиэфирокетон-кетон (ПЭКК);         390791900

<a id="p100286"></a>I.2.1.16.3.       полиэфирокетон (ПЭК);                390791900

<a id="p100287"></a>I.2.1.16.4.       полиэфирокетон      эфирокетон-кетон 380791900
<a id="p100288"></a>                  (ПЭКЭКК);

<a id="p100289"></a>I.2.1.17.         Полиариленовые кетоны                390799000

<a id="p100290"></a>I.2.1.18.         Полиариленовые сульфиды,         где
<a id="p100291"></a>                  ариленовая группа представляет собой
<a id="p100292"></a>                  бифенилен,   трифенилен    или    их
<a id="p100293"></a>                  комбинации

<a id="p100294"></a>I.2.1.19.         Полибифениленэфирсульфон             391190900

<a id="p100295"></a>I.2.1.20.         Материалы-полуфабрикаты        (т.е.
<a id="p100296"></a>                  полимерные  или  металлоорганические
<a id="p100297"></a>                  материалы        специализированного
<a id="p100298"></a>                  назначения):

<a id="p100299"></a>I.2.1.20.1.       полидиорганосиланы (для производства 391000000
<a id="p100300"></a>                  карбида кремния);

<a id="p100301"></a>I.2.1.20.2.       полисилазаны (для       производства 391000000
<a id="p100302"></a>                  нитрида кремния);

<a id="p100303"></a>I.2.1.20.3.       поликарбосилазаны (для  производства 391000000
<a id="p100304"></a>                  керамики с кремниевыми,  углеродными
<a id="p100305"></a>                  или азотными компонентами)

<a id="p100306"></a>I.2.2.            Фторсодержащие вещества

<a id="p100307"></a>I.2.2.1.          Необработанные соединения фтора:

<a id="p100308"></a>I.2.2.1.1.        сополимеры         винилиденфторида, 390469000
<a id="p100309"></a>                  содержащие     75%     или     более
<a id="p100310"></a>                  бета-кристаллической      структуры,
<a id="p100311"></a>                  полученной без вытягивания;

<a id="p100312"></a>I.2.2.1.2.        фтористые полимииды,  содержащие 30% 390469000
<a id="p100313"></a>                  или более связанного фтора;

<a id="p100314"></a>I.2.2.1.3.        фтористые фосфазеновые   эластомеры, 390469000
<a id="p100315"></a>                  содержащие 30%  или более связанного
<a id="p100316"></a>                  фтора

<a id="p100317"></a>I.2.2.2.          Уплотнения,               прокладки, 391990900
<a id="p100318"></a>                  уплотнительные     материалы     или
<a id="p100319"></a>                  трубчатые  (пустотелые)  уплотнения,
<a id="p100320"></a>                  предназначенные   для  применения  в
<a id="p100321"></a>                  авиационной    промышленности    или
<a id="p100322"></a>                  аэрокосмической       технике      и
<a id="p100323"></a>                  изготовленные более чем  на  50%  из
<a id="p100324"></a>                  любого   материала,   указанного   в
<a id="p100325"></a>                  пунктах I.2.2.1.2. и I.2.2.1.3.

<a id="p100326"></a>I.2.2.3.          Уплотнения, прокладки,         седла 391990900
<a id="p100327"></a>                  клапанов,  трубчатые уплотнения  или
<a id="p100328"></a>                  диафрагмы,      изготовленные     из
<a id="p100329"></a>                  фторэластомеров,    содержащих    по
<a id="p100330"></a>                  крайней мере один виниловый мономер,
<a id="p100331"></a>                  специально    предназначенные    для
<a id="p100332"></a>                  авиационной,    аэрокосмической    и
<a id="p100333"></a>                  ракетной техники

<a id="p100334"></a>I.2.2.4.          Пьезоэлектрические полимеры        и 390799000
<a id="p100335"></a>                  сополимеры,     изготовленные     из
<a id="p100336"></a>                  фтористого  винилидена в виде пленки
<a id="p100337"></a>                  или листа толщиной более 200 мкм

<a id="p100338"></a>I.2.3.            Электропроводные          полимерные
<a id="p100339"></a>                  материалы с  удельной  электрической
<a id="p100340"></a>                  проводимостью  свыше 10 сименс/м или
<a id="p100341"></a>                  поверхностным  сопротивлением  менее
<a id="p100342"></a>                  10 Ом/кв.  м,  выполненные на основе
<a id="p100343"></a>                  следующих полимеров:

<a id="p100344"></a>I.2.3.1.          полианилина;                         390930000

<a id="p100345"></a>I.2.3.2.          полипиррола;                         391190900

<a id="p100346"></a>I.2.3.3.          политиофена;                         391190900

<a id="p100347"></a>I.2.3.4.          полифенилен-винилена;                391190900

<a id="p100348"></a>I.2.3.5.          политиофенилен-винилена              391190900

<a id="p100349"></a>I.2.4.            Материалы углеродные              из 550130000;
<a id="p100350"></a>                  полиакрилонитриловых    волокон    с 551521900
<a id="p100351"></a>                  характеристиками   по  совокупности:
<a id="p100352"></a>                  прочность при растяжении  более  350
<a id="p100353"></a>                  кгс/кв.  мм,  модуль упругости более
<a id="p100354"></a>                  35000 кгс/кв. мм

<a id="p100355"></a>I.2.5.            Волокно, нити,  жгуты   органические 551512900
<a id="p100356"></a>                  типа СВМ, ткани из них               540239900;
<a id="p100357"></a>                                                       550190000;
<a id="p100358"></a>                                                       550251110;
<a id="p100359"></a>                                                       550310110;
<a id="p100360"></a>                                                       550310900

<a id="p100361"></a>I.2.6.            Волокно и нити комплексные "АРИМИД", 540239900;
<a id="p100362"></a>                  ткани из них                         550310110;
<a id="p100363"></a>                                                       551512900

<a id="p100364"></a>I.2.7.            Волокнистые или нитевидные материалы
<a id="p100365"></a>                  на основе:

<a id="p100366"></a>I.2.7.1.          полиэфиримидов, указанных  в  пункте 540249990;
<a id="p100367"></a>                  I.2.1.13.;                           550190000;
<a id="p100368"></a>                                                       550390900

<a id="p100369"></a>I.2.7.2.          материалов, указанных   в    пунктах 540224990;
<a id="p100370"></a>                  I.2.1.- I.2.1.19.                    550190900;
<a id="p100371"></a>                                                       550390900

<a id="p100372"></a>I.2.8.            Каучуки            фторсилоксановые, 400299900
<a id="p100373"></a>                  работоспособные   при   температурах
<a id="p100374"></a>                  ниже 213 К (-60 С) и выше 473 К (200
<a id="p100375"></a>                  С)

<a id="p100376"></a>I.2.9.            Герметики на основе жидкого тиокола, 400299900;
<a id="p100377"></a>                  работоспособные   при   температурах 400599000
<a id="p100378"></a>                  ниже 213 К (-60 С) и выше 423 К (150
<a id="p100379"></a>                  С)

<a id="p100380"></a>I.2.10.           Герметики       кремнийорганические, 400299900;
<a id="p100381"></a>                  работоспособные   при   температурах 400599000
<a id="p100382"></a>                  ниже 213 К (-60 С) и выше 523 К (250
<a id="p100383"></a>                  С)


## <a id="p100384"></a>Раздел I.3. Композиционные и керамические материалы


<a id="p100385"></a>I.3.1.            Нитевидные кристаллы  и  непрерывные 284920000
<a id="p100386"></a>                  волокна карбида кремния

<a id="p100387"></a>I.3.2.            Нитевидные кристаллы  и  непрерывные 281820000
<a id="p100388"></a>                  волокна оксида алюминия

<a id="p100389"></a>I.3.3.            Материалы на  керамической   основе,
<a id="p100390"></a>                  некомпозиционные        керамические
<a id="p100391"></a>                  материалы, материалы типа композит с
<a id="p100392"></a>                  керамической  матрицей,  а  также их
<a id="p100393"></a>                  полуфабрикаты

<a id="p100394"></a>I.3.3.1.          Основные материалы  из  простых  или 285000900
<a id="p100395"></a>                  сложных  боридов   титана,   имеющие
<a id="p100396"></a>                  металлические     примеси     (кроме
<a id="p100397"></a>                  специальных  добавок),   на   уровне
<a id="p100398"></a>                  менее  5000  частиц на миллион,  при
<a id="p100399"></a>                  среднем размере частицы,  равном или
<a id="p100400"></a>                  меньшем 5 мкм (при этом не более 10%
<a id="p100401"></a>                  частиц с размером более 10 мкм)

<a id="p100402"></a>I.3.3.2.          Некомпозиционные        керамические 285000900
<a id="p100403"></a>                  материалы     в      виде      сырых
<a id="p100404"></a>                  полуфабрикатов  (кроме абразивов) на
<a id="p100405"></a>                  основе боридов титана  с  плотностью
<a id="p100406"></a>                  98%   или  более  от  теоретического
<a id="p100407"></a>                  значения

<a id="p100408"></a>I.3.4.            Трехмерно-армированные               380190000
<a id="p100409"></a>                  углерод-углеродные  материалы   типа
<a id="p100410"></a>                  КИМФ    с    повышенной   эрозионной
<a id="p100411"></a>                  стойкостью,        характеризующейся
<a id="p100412"></a>                  скоростью  уноса  массы менее 3 мм/с
<a id="p100413"></a>                  при температуре 3773 К  (3500  С)  и
<a id="p100414"></a>                  выше и давлении 150 атм и выше

<a id="p100415"></a>I.3.5.            Объемно-армированные                 380190000
<a id="p100416"></a>                  углерод-углеродные  материалы   типа
<a id="p100417"></a>                  "ЗАРЯ"   с   повышенной   эрозионной
<a id="p100418"></a>                  стойкостью,        характеризующейся
<a id="p100419"></a>                  скоростью  уноса  массы  менее  0,05
<a id="p100420"></a>                  мм/с  при температуре 3773  К  (3500
<a id="p100421"></a>                  С) и выше и давлении 150 атм и выше

<a id="p100422"></a>I.3.6.            Пенопласт с     микросферами     для 392190900
<a id="p100423"></a>                  применения   под  водой  на  морских
<a id="p100424"></a>                  глубинах более 1000 м  и  плотностью
<a id="p100425"></a>                  менее 561 кг/куб. м
<a id="p100426"></a>                      Примечание.  Пенопласт         с
<a id="p100427"></a>                  микросферами   включает  полые сферы
<a id="p100428"></a>                  из  пластика  или  стекла,   залитые
<a id="p100429"></a>                  резиновой матрицей

<a id="p100430"></a>I.3.7.            Бор кристаллический  и  аморфный   с 280450100
<a id="p100431"></a>                  содержанием  основного  вещества  не
<a id="p100432"></a>                  менее 99,5%


## <a id="p100433"></a>Раздел I.4. Жидкости и смазочные материалы


<a id="p100434"></a>I.4.1.            Гидравлические жидкости,  содержащие
<a id="p100435"></a>                  в  качестве  основных   составляющих
<a id="p100436"></a>                  любые   из   следующих  веществ  или
<a id="p100437"></a>                  материалов:

<a id="p100438"></a>I.4.1.1.          синтетические углеводородные   масла 381900000;
<a id="p100439"></a>                  или кремний-углеводородные масла:    290919000;
<a id="p100440"></a>                  с точкой   возгорания  свыше  477  К 391000000
<a id="p100441"></a>                  (204  С);  с точкой застывания 239 К
<a id="p100442"></a>                  (-34  С) или ниже;
<a id="p100443"></a>                  с коэффициентом  вязкости   75   или
<a id="p100444"></a>                  более;  с термостабильностью при 616
<a id="p100445"></a>                  К (343 С)
<a id="p100446"></a>                      Примечание. Указанные в   пункте
<a id="p100447"></a>                  I.4.1.1.      кремний-углеводородные
<a id="p100448"></a>                  масла      содержат    исключительно
<a id="p100449"></a>                  кремний, водород и углерод

<a id="p100450"></a>I.4.1.2.          хлоро-фторуглероды:                  381900000;
<a id="p100451"></a>                  с температурой     самовоспламенения 382390960
<a id="p100452"></a>                  свыше 977 К (704 С);
<a id="p100453"></a>                  с точкой застывания 219 К (-54 С);
<a id="p100454"></a>                  с коэффициентом  вязкости   80   или
<a id="p100455"></a>                  более;
<a id="p100456"></a>                  с точкой кипения 473 К (200  С)  или
<a id="p100457"></a>                  более
<a id="p100458"></a>                      Примечание. Указанные в   пункте
<a id="p100459"></a>                  I.4.1.2. хлоро-фторуглероды содержат
<a id="p100460"></a>                  исключительно хлор, фтор и углерод

<a id="p100461"></a>I.4.2.            Смазочные материалы,  содержащие   в
<a id="p100462"></a>                  качестве    основных    составляющих
<a id="p100463"></a>                  следующие вещества и материалы:

<a id="p100464"></a>I.4.2.1.          фениленовые или     алкилфениленовые 290930900;
<a id="p100465"></a>                  эфиры  или  тиоэфиры  или  их смеси, 293090800
<a id="p100466"></a>                  содержащие более  двух  эфирных  или
<a id="p100467"></a>                  тиоэфирных функций или смесей;

<a id="p100468"></a>I.4.2.2.          фторированные      кремнийсодержащие 391000000
<a id="p100469"></a>                  жидкости,            характеризуемые
<a id="p100470"></a>                  кинематической вязкостью менее  5000
<a id="p100471"></a>                  кв.  мм/с  (5000  сантистоксов)  при
<a id="p100472"></a>                  температуре 298 К (25 С)

<a id="p100473"></a>I.4.3.            Увлажняющие или флотирующие жидкости
<a id="p100474"></a>                  с показателем чистоты  более  99,8%,
<a id="p100475"></a>                  содержащие  менее 25 частиц размером
<a id="p100476"></a>                  200  мкм  или  более  на  100  мл  и
<a id="p100477"></a>                  изготовленные по меньшей мере на 85%
<a id="p100478"></a>                  из следующих веществ и материалов:

<a id="p100479"></a>I.4.3.1.          дибромтетрафторэтана;                290340800

<a id="p100480"></a>I.4.3.2.          полихлортрифторэтилена       (только 390469000
<a id="p100481"></a>                  маслянистых      и     воскообразных
<a id="p100482"></a>                  модификаций);

<a id="p100483"></a>I.4.3.3.          полибромтрифторэтилена               390469000


## <a id="p100484"></a>Раздел I.5. Фармацевтические препараты


<a id="p100485"></a>I.5.1.            Препараты группы  холинэстераз   для 382200000
<a id="p100486"></a>                  определения фосфорорганических ОВ


## <a id="p100487"></a>Раздел I.6. Сырье, материалы, полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики


<a id="p100489"></a>I.6.1.            Эпитаксиальные структуры  кремния на 38100100
<a id="p100490"></a>                  сапфире (КНС) для КМОП  интегральных
<a id="p100491"></a>                  схем

<a id="p100492"></a>I.6.2.            Арсенид галлия   монокристаллический 284290900;
<a id="p100493"></a>                  нелегированный в слитках и пластинах 381800900
<a id="p100494"></a>                  диаметром 100 мм и более с  удельным
<a id="p100495"></a>                  сопротивлением  более  10E8  Ом/см и
<a id="p100496"></a>                  плотностью     дислокаций      менее
<a id="p100497"></a>                  10E2-10E3 1/кв.  см для производства
<a id="p100498"></a>                  сверхскоростных  интегральных   схем
<a id="p100499"></a>                  (ССИС)

<a id="p100500"></a>I.6.3.            Эпитаксиальные структуры германия на 381800900
<a id="p100501"></a>                  подложке

<a id="p100502"></a>I.6.4.            Эпитаксиальные структуры  соединений 381800900
<a id="p100503"></a>                  А3В5

<a id="p100504"></a>I.6.5.            Монокристаллы тройных     соединений 381800900;
<a id="p100505"></a>                  кадмий-ртуть-теллур   (КРТ)    любой 284290100;
<a id="p100506"></a>                  чистоты,    включая   эпитаксиальные 284290900
<a id="p100507"></a>                  пластины

<a id="p100508"></a>I.6.6.            Порошки ферритовые марганец-цинковые 720529000;
<a id="p100509"></a>                                                       811100110

<a id="p100510"></a>I.6.7.            Горный хрусталь первого сорта        710310000

<a id="p100511"></a>I.6.8.            Материалы для оптических датчиков

<a id="p100512"></a>I.6.8.1.          Элементарный теллур  (Te)  чистотой, 280450900
<a id="p100513"></a>                  равной или более 99,9995%

<a id="p100514"></a>I.6.8.2.          Монокристаллы теллурида       кадмия 381800900
<a id="p100515"></a>                  (CdTe)   любой   чистоты,    включая
<a id="p100516"></a>                  эпитаксиальные пластины

<a id="p100517"></a>I.6.8.3.          Заготовки оптических        волокон, 701990990
<a id="p100518"></a>                  специально    предназначенные    для
<a id="p100519"></a>                  производства   волокон   с   высоким
<a id="p100520"></a>                  двулучепреломлением,  использующихся
<a id="p100521"></a>                  в оптоволоконных датчиках, указанных
<a id="p100522"></a>                  пункте I.12.2.5.2.

<a id="p100523"></a>I.6.9.            Оптические материалы

<a id="p100524"></a>I.6.9.1.          Селенид цинка (ZnSe) и сульфид цинка 284290100;
<a id="p100525"></a>                  (ZnS)   в   виде   пластин-подложек, 283020000
<a id="p100526"></a>                  изготовляемых  химическим осаждением
<a id="p100527"></a>                  паров, объемом более 100 куб. см или
<a id="p100528"></a>                  диаметром  более  80 мм при толщине,
<a id="p100529"></a>                  равной или более 20 мм

<a id="p100530"></a>I.6.9.2.          Слитки следующих   электрооптических
<a id="p100531"></a>                  материалов:

<a id="p100532"></a>I.6.9.2.1.        арсенид титаната калия (КТА);        284290900

<a id="p100533"></a>I.6.9.2.2.        смешанный селенид серебра  и  галлия 284290100
<a id="p100534"></a>                  (Ag aSe2);

<a id="p100535"></a>I.6.9.2.3.        смешанный селенид  таллия  и мышьяка 284290100
<a id="p100536"></a>                  (Tl3AsSl3), также известный как ТАS

<a id="p100537"></a>I.6.9.3.          Нелинейные оптические     материалы, 702000900
<a id="p100538"></a>                  имеющие   восприимчивость   третьего
<a id="p100539"></a>                  порядка (3),  равную или  меньшую  1
<a id="p100540"></a>                  Вт/кв. м, время отклика менее 1 мс

<a id="p100541"></a>I.6.9.4.          Пластинчатые подложки        карбида 284920000;
<a id="p100542"></a>                  кремния  или  осажденных  материалов 811219000
<a id="p100543"></a>                  бериллия/бериллия (Ве/Ве) свыше  300
<a id="p100544"></a>                  мм  в  диаметре или длины наибольшей
<a id="p100545"></a>                  оси

<a id="p100546"></a>I.6.9.5.          Материалы с     малым     оптическим
<a id="p100547"></a>                  поглощением

<a id="p100548"></a>I.6.9.5.1.        сложные соединения фтора, содержащие 282690900;
<a id="p100549"></a>                  ингредиенты с чистотой  99,999%  или 702000900
<a id="p100550"></a>                  более
<a id="p100551"></a>                      Примечание. По пункту I.6.9.5.1.
<a id="p100552"></a>                  подлежат экспортному контролю только
<a id="p100553"></a>                  фториды   циркония  или  алюминия  и
<a id="p100554"></a>                  подобные соединения

<a id="p100555"></a>I.6.9.5.2.        объемные фторсодержащие   стекла  из 700100910;
<a id="p100556"></a>                  соединений,   указанных   в   пункте 700100990;
<a id="p100557"></a>                  I.6.9.5.1.                           702000900

<a id="p100558"></a>I.6.9.6.          Стекло, содержащее расплавы кремния, 700100900;
<a id="p100559"></a>                  стекло  из  фосфатов,  фторфосфатов, 702000900
<a id="p100560"></a>                  фторида  циркония  (Zr4)  и  фторида
<a id="p100561"></a>                  гафния    (Hf4)    с   концентрацией
<a id="p100562"></a>                  гидроксильных ионов  (OH-)  менее  5
<a id="p100563"></a>                  промилле,   интегральными   уровнями
<a id="p100564"></a>                  чистоты металлов менее  1  промилле,
<a id="p100565"></a>                  высокой   однородностью   (вариацией
<a id="p100566"></a>                  показателя     преломления     менее
<a id="p100567"></a>                  5x10E-6)

<a id="p100568"></a>I.6.9.7.          Синтетический алмазный  материал   с 710490000;
<a id="p100569"></a>                  поглощением  менее 10E-5 см на длине 710510000
<a id="p100570"></a>                  волны свыше  200  нм,  но  не  более
<a id="p100571"></a>                  14000 нм

<a id="p100572"></a>I.6.9.8.          Оптоволоконные            заготовки, 701910590
<a id="p100573"></a>                  изготовленные из объемных соединений
<a id="p100574"></a>                  фторидов,  содержащих ингредиенты  с
<a id="p100575"></a>                  чистотой    99,999%    или    более,
<a id="p100576"></a>                  специально     разработанные     для
<a id="p100577"></a>                  производства    фторидных   волокон,
<a id="p100578"></a>                  указанных в пункте I.12.5.4.

<a id="p100579"></a>I.6.10.           Кристаллические основы   лазеров   в
<a id="p100580"></a>                  необработанном виде:

<a id="p100581"></a>I.6.10.1.         сапфир с имплантированным титаном;   710310000

<a id="p100582"></a>I.6.10.2.         александрит                          710310000

<a id="p100583"></a>I.6.11.           Материалы резистов    и    подложки,
<a id="p100584"></a>                  покрытые резистами

<a id="p100585"></a>I.6.11.1.         Позитивные резисты  со  спектральной 854140990
<a id="p100586"></a>                  чувствительностью,  оптимизированной
<a id="p100587"></a>                  на  излучение  с  длиной волны менее
<a id="p100588"></a>                  370 нм

<a id="p100589"></a>I.6.11.2.         Все резисты,     используемые    для 854140990
<a id="p100590"></a>                  экспонирования   электронными    или
<a id="p100591"></a>                  ионными пучками, с чувствительностью
<a id="p100592"></a>                  не хуже 0,01 мкКл/кв. мм

<a id="p100593"></a>I.6.11.3.         Все резисты,    используемые     для 854140990
<a id="p100594"></a>                  экспонирования        рентгеновскими
<a id="p100595"></a>                  лучами,  с чувствительностью не хуже
<a id="p100596"></a>                  2,5 мДж/кв. мм

<a id="p100597"></a>I.6.11.4.         Все резисты,  оптимизированные   под 854140990
<a id="p100598"></a>                  технологию   формирования   рисунка,
<a id="p100599"></a>                  включая силицированные резисты
<a id="p100600"></a>                      Примечание. Методы силицирования
                  - <a id="p100601"></a>это       процессы,     включающие
<a id="p100602"></a>                  оксидирование поверхности    резиста
<a id="p100603"></a>                  для   повышения   качества   мокрого
<a id="p100604"></a>                  и сухого проявления

<a id="p100605"></a>I.6.12.           Металлорганические        соединения 293100900
<a id="p100606"></a>                  алюминия,  галлия или индия, имеющие
<a id="p100607"></a>                  чистоту  металлической  основы более
<a id="p100608"></a>                  99,999%

<a id="p100609"></a>I.6.13.           Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, 285000100
<a id="p100610"></a>                  имеющие чистоту более 99,999%,  даже
<a id="p100611"></a>                  после    разбавления    нейтральными
<a id="p100612"></a>                  газами
<a id="p100613"></a>                      Примечание. Гидриды,  содержащие
<a id="p100614"></a>                  20  и  более     мольных   процентов
<a id="p100615"></a>                  инертных газов или     водорода,  не
<a id="p100616"></a>                  подлежат  экспортному    контролю по
<a id="p100617"></a>                  пункту I.6.13.

<a id="p100618"></a>I.6.14.           Заготовки стекла  или  любых  других 702000900
<a id="p100619"></a>                  материалов,   оптимизированных   для
<a id="p100620"></a>                  производства   оптических   волокон,
<a id="p100621"></a>                  указанных   в    пунктах   I.12.5. -
<a id="p100622"></a>                  I.12.5.4.


## <a id="p100623"></a>Раздел I.7. Электротехнические материалы и изделия


<a id="p100624"></a>I.7.1.            Сверхпроводящие          композитные
<a id="p100625"></a>                  материалы  длиной  более  100  м или
<a id="p100626"></a>                  массой, превышающей 100 г

<a id="p100627"></a>I.7.1.1.          Многожильные         сверхпроводящие
<a id="p100628"></a>                  композитные   материалы,  содержащие
<a id="p100629"></a>                  одну ниобиевую нить или более:

<a id="p100630"></a>I.7.1.1.1.        уложенные в матрицу не из  меди  или 811299300;
<a id="p100631"></a>                  не    на    основе   медьсодержащего 854419900
<a id="p100632"></a>                  материала;

<a id="p100633"></a>I.7.1.1.2.        с площадью поперечного сечения менее 811299300;
<a id="p100634"></a>                  0,28x10E-4 кв.  мм (6 мкм в диаметре 854419900
<a id="p100635"></a>                  в случае нитей круглого сечения)

<a id="p100636"></a>I.7.1.2.          Сверхпроводящие          композитные 811299300;
<a id="p100637"></a>                  материалы   не   из   ниобий-титана, 854419900
<a id="p100638"></a>                  содержащие     одну     или    более
<a id="p100639"></a>                  сверхпроводящих нитей:

<a id="p100640"></a>                  с критической    температурой    при
<a id="p100641"></a>                  нулевой     магнитной      индукции,
<a id="p100642"></a>                  превышающей  9,85 К (-263,31 С),  но
<a id="p100643"></a>                  не ниже 24 К (-249,16 С);

<a id="p100644"></a>                  с площадью поперечного сечения менее
<a id="p100645"></a>                  0,28x10E-4 кв.  мм, которые остаются
<a id="p100646"></a>                  в  состоянии  сверхпроводимости  при
<a id="p100647"></a>                  температуре   4,2   К  (-268,96  С),
<a id="p100648"></a>                  находясь   в   магнитном   поле    с
<a id="p100649"></a>                  магнитной индукцией 12 Т

<a id="p100650"></a>I.7.2.            Батареи
<a id="p100651"></a>                      Примечание. Батареи   с  объемом
<a id="p100652"></a>                  26  куб.  см   и меньше   (например,
<a id="p100653"></a>                  стандартные  угольные   элементы) не
<a id="p100654"></a>                  подлежат экспортному контролю

<a id="p100655"></a>I.7.2.1.          Первичные элементы   и   батареи   с 850619900
<a id="p100656"></a>                  плотностью энергии свыше  350  Вт  х
<a id="p100657"></a>                  ч/кг,   пригодные   по   техническим
<a id="p100658"></a>                  условиям  для  работы  в   диапазоне
<a id="p100659"></a>                  температур  от 243 К (-30 С) и ниже,
<a id="p100660"></a>                  до 343 К (70 С) и выше

<a id="p100661"></a>I.7.2.2.          Подзаряжаемые элементы  и  батареи с 850619900
<a id="p100662"></a>                  плотностью энергии свыше  150  Вт  x
<a id="p100663"></a>                  ч/кг   после   75  циклов  заряда  -
<a id="p100664"></a>                  разряда при токе разряда, равном С/5
<a id="p100665"></a>                  ч (здесь С - это номинальная емкость
<a id="p100666"></a>                  в А x ч),  и при работе в  диапазоне
<a id="p100667"></a>                  температур  от  253 К (-20 С) и ниже
<a id="p100668"></a>                  до 333 К (60 С) и выше
<a id="p100669"></a>                      Примечание.  Плотность   энергии
<a id="p100670"></a>                  рассчитывается    умножением средней
<a id="p100671"></a>                  мощности в ваттах      (произведение
<a id="p100672"></a>                  среднего напряжения в     вольтах на
<a id="p100673"></a>                  средний   ток    в    амперах)    на
<a id="p100674"></a>                  длительность  цикла разряда в часах,
<a id="p100675"></a>                  при    котором     напряжение     на
<a id="p100676"></a>                  разомкнутых клеммах падает до 75% от
<a id="p100677"></a>                  номинала,    и    делением     этого
<a id="p100678"></a>                  произведения на общую массу элемента
<a id="p100679"></a>                  (или батареи) в килограммах

<a id="p100680"></a>I.7.2.3.          Радиационно-стойкие батареи       на 850619900
<a id="p100681"></a>                  фотоэлектрических    элементах     с
<a id="p100682"></a>                  удельной  мощностью свыше 160 Вт/кв.
<a id="p100683"></a>                  м при рабочей температуре 301 К  (28
<a id="p100684"></a>                  С)    и    вольфрамовом   источнике,
<a id="p100685"></a>                  нагретом  до  2800  К  (2527  С)   и
<a id="p100686"></a>                  создающем             энергетическую
<a id="p100687"></a>                  освещенность 1 кВт/кв.  м, пригодные
<a id="p100688"></a>                  по    техническим    условиям    для
<a id="p100689"></a>                  космического применения

<a id="p100690"></a>I.7.3.            Накопители энергии

<a id="p100691"></a>I.7.3.1.          Накопители энергии     с    частотой 850619900;
<a id="p100692"></a>                  повторения менее 10 Гц  (одноразовые 850780900
<a id="p100693"></a>                  накопители,    имеющие   номинальное
<a id="p100694"></a>                  напряжение не менее 5 кВ,  плотность
<a id="p100695"></a>                  энергии  не  менее 250 Дж/кг и общую
<a id="p100696"></a>                  энергию не менее 25 кДж

<a id="p100697"></a>I.7.3.2.          Накопители энергии     с    частотой 850619900;
<a id="p100698"></a>                  повторения   10    Гц    и    больше 850780900
<a id="p100699"></a>                  (многоразовые  накопители),  имеющие
<a id="p100700"></a>                  номинальное напряжение  не  менее  5
<a id="p100701"></a>                  кВ,  плотность  энергии  не менее 50
<a id="p100702"></a>                  Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж
<a id="p100703"></a>                  и  количество  циклов заряда-разряда
<a id="p100704"></a>                  не менее 10000

<a id="p100705"></a>I.7.3.3.          Схемы или   системы  для  накопления 850780900;
<a id="p100706"></a>                  электромагнитной энергии, содержащие 854380900
<a id="p100707"></a>                  компоненты     из    сверхпроводящих
<a id="p100708"></a>                  материалов,               специально
<a id="p100709"></a>                  спроектированных   для   работы  при
<a id="p100710"></a>                  температурах    ниже     критической
<a id="p100711"></a>                  температуры   с  хотя  бы  одной  из
<a id="p100712"></a>                  сверхпроводящих        составляющих,
<a id="p100713"></a>                  имеющие  рабочие резонансные частоты
<a id="p100714"></a>                  свыше 1  МГц,  плотность  запасаемой
<a id="p100715"></a>                  энергии  не  менее  1  МДж/куб.  м и
<a id="p100716"></a>                  время разряда менее 1 мс

<a id="p100717"></a>I.7.4.            Сверхпроводящие электромагниты   или 850519900
<a id="p100718"></a>                  соленоиды,                специально
<a id="p100719"></a>                  спроектированные на полный заряд или
<a id="p100720"></a>                  разряд менее чем за минуту,  имеющие
<a id="p100721"></a>                  максимальную   энергию   в  разряде,
<a id="p100722"></a>                  деленную  на  длительность   разряда
<a id="p100723"></a>                  свыше    500   кДж/мин,   внутренний
<a id="p100724"></a>                  диаметр токопроводящих обмоток свыше
<a id="p100725"></a>                  250   мм   и  номинальную  магнитную
<a id="p100726"></a>                  индукцию свыше  8  Т  или  суммарную
<a id="p100727"></a>                  плотность  тока в обмотке больше 300
<a id="p100728"></a>                  А/кв. мм
<a id="p100729"></a>                      Примечание.      Сверхпроводящие
<a id="p100730"></a>                  электромагниты   или      соленоиды,
<a id="p100731"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p100732"></a>                  медицинской               аппаратуры
<a id="p100733"></a>                  магниторезонансной   томографии,  не
<a id="p100734"></a>                  подлежат экспортному     контролю по
<a id="p100735"></a>                  пункту I.7.4.

<a id="p100736"></a>I.7.5.            Рентгеновские системы              с 902219000
<a id="p100737"></a>                  короткоимпульсным разрядом,  имеющие
<a id="p100738"></a>                  пиковую  мощность,  превышающую  500
<a id="p100739"></a>                  МВт,       выходное      напряжение,
<a id="p100740"></a>                  превышающее   500   кВ,   и   ширину
<a id="p100741"></a>                  импульса менее 0,2 мкс


## <a id="p100742"></a>Раздел I.8. Функциональное оборудование, узлы и детали


<a id="p100743"></a>I.8.1.            Антифрикционные подшипники       или
<a id="p100744"></a>                  системы подшипников и их компоненты
<a id="p100745"></a>                      Примечание.   Шарикоподшипники с
<a id="p100746"></a>                  допусками,          устанавливаемыми
<a id="p100747"></a>                  производителями  в   соответствии со
<a id="p100748"></a>                  стандартом ИСО  3290 класс   5   или
<a id="p100749"></a>                  хуже,   экспортному    контролю   не
<a id="p100750"></a>                  подлежат

<a id="p100751"></a>I.8.1.1.          Шариковые или        твердороликовые
<a id="p100752"></a>                  подшипники     (кроме     конических
<a id="p100753"></a>                  роликовых    подшипников),   имеющие
<a id="p100754"></a>                  допуски,             устанавливаемые
<a id="p100755"></a>                  производителем   в  соответствии  со
<a id="p100756"></a>                  стандартом ИСО класс 4 или  лучше  и
<a id="p100757"></a>                  любую из следующих характеристик:

<a id="p100758"></a>I.8.1.1.1.        кольца, шарики   или    ролики    из 848210900;
<a id="p100759"></a>                  медно-никелевого      сплава     или 848250000
<a id="p100760"></a>                  бериллия;

<a id="p100761"></a>I.8.1.1.2.        изготовленные для   применения   при 848210900;
<a id="p100762"></a>                  рабочих  температурах  выше  573   К 848250000
<a id="p100763"></a>                  (300     С)   либо   с   применением
<a id="p100764"></a>                  специальных      материалов      или
<a id="p100765"></a>                  специальной тепловой обработки;

<a id="p100766"></a>I.8.1.1.3.        с элементом смазки или  компонентом, 848210900;
<a id="p100767"></a>                  модифицирующим этот элемент, который 848250000
<a id="p100768"></a>                  в  соответствии   со   спецификацией
<a id="p100769"></a>                  изготовителя              специально
<a id="p100770"></a>                  спроектирован    для    подшипников,
<a id="p100771"></a>                  работающих       при      скоростях,
<a id="p100772"></a>                  соответствующих значению  КСВ  более
<a id="p100773"></a>                  2,3x10E6
<a id="p100774"></a>                      Примечания: 1. КСВ - это
<a id="p100775"></a>                  произведение внутреннего    диаметра
<a id="p100776"></a>                  (калибра) подшипника,    измеряемого
<a id="p100777"></a>                  в миллиметрах,  на   скорость    его
<a id="p100778"></a>                  вращения,  измеряемую  в  оборотах в
<a id="p100779"></a>                  минуту
                  2. <a id="p100780"></a>Рабочие температуры соответствуют
<a id="p100781"></a>                  температурам     после     остановки
<a id="p100782"></a>                  газотурбинного двигателя

<a id="p100783"></a>I.8.1.2.          Другие шариковые    или    роликовые 848280000
<a id="p100784"></a>                  подшипники     (кроме     конических
<a id="p100785"></a>                  роликовых   подшипников),    имеющие
<a id="p100786"></a>                  допуски,             устанавливаемые
<a id="p100787"></a>                  производителем  в  соответствии   со
<a id="p100788"></a>                  стандартом ИСО класс 2 или лучше

<a id="p100789"></a>I.8.1.3.          Конические роликовые     подшипники,
<a id="p100790"></a>                  имеющие     любую    из    следующих
<a id="p100791"></a>                  характеристик:

<a id="p100792"></a>I.8.1.3.1.        с элементом  смазки или компонентом, 848220000
<a id="p100793"></a>                  модифицирующим этот элемент, который
<a id="p100794"></a>                  в   соответствии   со  спецификацией
<a id="p100795"></a>                  изготовителя              специально
<a id="p100796"></a>                  спроектирован    для    подшипников,
<a id="p100797"></a>                  работающих      при       скоростях,
<a id="p100798"></a>                  соответствующих  значению  КСВ более
<a id="p100799"></a>                  2,3x10E6;

<a id="p100800"></a>I.8.1.3.2.        изготовленные для   применения   при 848220000
<a id="p100801"></a>                  рабочих температурах ниже 219 К (-54
<a id="p100802"></a>                  С) или выше 423 К (150 С)

<a id="p100803"></a>I.8.1.4.          Тонкостенные подшипники  с   газовой 848330900
<a id="p100804"></a>                  смазкой,      изготовленные      для
<a id="p100805"></a>                  применения при рабочих  температурах
<a id="p100806"></a>                  561   К  (288   С)  или  выше  и  со
<a id="p100807"></a>                  способностью  выдерживать  единичную
<a id="p100808"></a>                  нагрузку, превышающую 1 МПа

<a id="p100809"></a>I.8.1.5.          Активные магнитные     подшипниковые 848330100
<a id="p100810"></a>                  системы

<a id="p100811"></a>I.8.1.6.          Серийно              изготавливаемые 848330900
<a id="p100812"></a>                  самоцентрирующиеся    или    серийно
<a id="p100813"></a>                  изготавливаемые и устанавливаемые на
<a id="p100814"></a>                  шейку  вала  подшипники  скольжения,
<a id="p100815"></a>                  изготовленные  для использования при
<a id="p100816"></a>                  рабочих  температурах  ниже  219   К
<a id="p100817"></a>                  (-54 С) или выше 423 К (150 С)


## <a id="p100818"></a>Раздел I.9. Производственное оборудование, оснастка и приспособления


<a id="p100820"></a>I.9.1.            Инструмент, пресс-формы, матрицы или
<a id="p100821"></a>                  арматура    для   сверхпластического
<a id="p100822"></a>                  деформирования       (СД)        или
<a id="p100823"></a>                  термодиффузионного сращивания (ДС) и
<a id="p100824"></a>                  совмещенного метода обработки (СДДС)
<a id="p100825"></a>                  титана,  алюминия  или  их  сплавов,
<a id="p100826"></a>                  специально    предназначенных    для
<a id="p100827"></a>                  производства:

<a id="p100828"></a>I.9.1.1.          корпусов самолетов               или 820730100
<a id="p100829"></a>                  аэрокосмических конструкций;

<a id="p100830"></a>I.9.1.2.          двигателей для     самолетов     или 820730100
<a id="p100831"></a>                  аэрокосмических аппаратов;

<a id="p100832"></a>I.9.1.3.          компонентов,              специально 820730100
<a id="p100833"></a>                  предназначенных       для      таких
<a id="p100834"></a>                  конструкций или двигателей

<a id="p100835"></a>I.9.2.            Универсальные станки            (без
<a id="p100836"></a>                  программного     управления)     для
<a id="p100837"></a>                  получения   оптически   качественных
<a id="p100838"></a>                  поверхностей:

<a id="p100839"></a>I.9.2.1.          токарные станки,        использующие 845899900
<a id="p100840"></a>                  единственную  точку  фрезерования  и
<a id="p100841"></a>                  обладающие   всеми    нижеследующими
<a id="p100842"></a>                  характеристиками:

<a id="p100843"></a>                  точность положения  суппорта  меньше
<a id="p100844"></a>                  (лучше)  чем  0,0005  мм  на  300 мм
<a id="p100845"></a>                  перемещения;

<a id="p100846"></a>                  повторяемость       двунаправленного
<a id="p100847"></a>                  положения  суппорта  меньше  (лучше)
<a id="p100848"></a>                  чем    0,00025    мм   на   300   мм
<a id="p100849"></a>                  перемещения;

<a id="p100850"></a>                  биение и   эксцентриситет   шпинделя
<a id="p100851"></a>                  меньше  (лучше)  чем  0,0004  мм  по
<a id="p100852"></a>                  индикатору общего считывания;

<a id="p100853"></a>                  угловая девиация  движения  суппорта
<a id="p100854"></a>                  (рыскание,  тангаж и вращение вокруг
<a id="p100855"></a>                  продольной оси) меньше (лучше) чем 2
<a id="p100856"></a>                  дуговые секунды по индикатору общего
<a id="p100857"></a>                  считывания на полном перемещении;

<a id="p100858"></a>                  перпендикулярность суппорта   меньше
<a id="p100859"></a>                  (лучше)  чем  0,001  мм  на  300  мм
<a id="p100860"></a>                  перемещения;

<a id="p100861"></a>I.9.2.2.          станки с   летучей  фрезой,  имеющие 845969
<a id="p100862"></a>                  биение   и   эксцентриситет   меньше
<a id="p100863"></a>                  (лучше)  чем 0,0004 мм по индикатору
<a id="p100864"></a>                  общего считывания,  угловую девиацию
<a id="p100865"></a>                  движения суппорта (рыскание,  тангаж
<a id="p100866"></a>                  и вращение  вокруг  продольной  оси)
<a id="p100867"></a>                  меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды
<a id="p100868"></a>                  по индикатору общего  считывания  на
<a id="p100869"></a>                  полном перемещении

<a id="p100870"></a>I.9.3.            Станки с ЧПУ  или  станки  с  ручным
<a id="p100871"></a>                  управлением,    включая   специально
<a id="p100872"></a>                  спроектированные         компоненты,
<a id="p100873"></a>                  элементы управления и приспособления
<a id="p100874"></a>                  для них, специально спроектированные
<a id="p100875"></a>                  для      фрезерования,      финишной
<a id="p100876"></a>                  обработки,      полирования      или
<a id="p100877"></a>                  хонингования  закаленных  (Rc=40 или
<a id="p100878"></a>                  более) конических или цилиндрических
<a id="p100879"></a>                  шестерен, а именно:

<a id="p100880"></a>I.9.3.1.          закаленных конических   шестерен   с 846140310;
<a id="p100881"></a>                  качеством  после  финишной обработки 846140390
<a id="p100882"></a>                  лучшим, чем класс 4 по стандарту ИСО
<a id="p100883"></a>                  1328;

<a id="p100884"></a>I.9.3.2.          закаленных цилиндрических или одно - 846140710;
<a id="p100885"></a>                  или  двухзаходных червячных шестерен 846140790
<a id="p100886"></a>                  с модулем более 1,250 мм и с лицевой
<a id="p100887"></a>                  шириной,  равной  15%  от модуля или
<a id="p100888"></a>                  более,  с качеством  после  финишной
<a id="p100889"></a>                  обработки  лучше,  чем  класс  3  по
<a id="p100890"></a>                  стандарту ИСО 1328

<a id="p100891"></a>I.9.4.            Оборудование,             специально
<a id="p100892"></a>                  спроектированное   для    реализации
<a id="p100893"></a>                  процесса   и   управления  процессом
<a id="p100894"></a>                  нанесения  неорганических  покрытий,
<a id="p100895"></a>                  защитных   слоев   и  поверхностного
<a id="p100896"></a>                  модифицирования,  а также специально
<a id="p100897"></a>                  спроектированные           средства,
<a id="p100898"></a>                  автоматизированного   регулирования,
<a id="p100899"></a>                  манипуляторы и компоненты управления

<a id="p100900"></a>I.9.4.1.          Снабженные    программно-управляемым 845690000
<a id="p100901"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100902"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100903"></a>                  нанесения   твердого   покрытия   из
<a id="p100904"></a>                  парообразных химических соединений с
<a id="p100905"></a>                  двумя следующими характеристиками:

<a id="p100906"></a>                  процесс модифицирован для одного  из
<a id="p100907"></a>                  следующих методов:

<a id="p100908"></a>                  пульсирующего осаждения;
<a id="p100909"></a>                  управляемого           термоядерного
<a id="p100910"></a>                  разложения;
<a id="p100911"></a>                  осаждения, усиленного плазмой или  с
<a id="p100912"></a>                  помощью плазмы;

<a id="p100913"></a>                  используется какой-либо из следующих
<a id="p100914"></a>                  способов:

<a id="p100915"></a>                  с внедрением    высокого     вакуума
<a id="p100916"></a>                  (равным   или  менее  0,01  Па)  для
<a id="p100917"></a>                  уплотнения вращением;  с  внедрением
<a id="p100918"></a>                  средств    контроля   толщины   слоя
<a id="p100919"></a>                  покрытия

<a id="p100920"></a>I.9.4.2.          Снабженные    программно-управляемым 845610000
<a id="p100921"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100922"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100923"></a>                  ионной имплантации,  имеющие хотя бы
<a id="p100924"></a>                  одну из следующих характеристик:

<a id="p100925"></a>                  сила тока луча 5 мА и более;

<a id="p100926"></a>                  ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ;

<a id="p100927"></a>                  специально спроектированные        и
<a id="p100928"></a>                  оптимизированные    для   работы   с
<a id="p100929"></a>                  ускоряющими  напряжениями  ниже   10
<a id="p100930"></a>                  кэВ;

<a id="p100931"></a>                  обладающие способностью  управляемой
<a id="p100932"></a>                  записи    (имплантации    в   рамках
<a id="p100933"></a>                  заданной области);

<a id="p100934"></a>                  пригодные для            имплантации
<a id="p100935"></a>                  высокоэнергетического   кислорода  в
<a id="p100936"></a>                  нагретый материал  полупроводниковой
<a id="p100937"></a>                  подложки

<a id="p100938"></a>I.9.4.3.          Снабженные    программно-управляемым 845610000
<a id="p100939"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100940"></a>                  производственные  электронно-лучевые
<a id="p100941"></a>                  установки   для  нанесения  покрытий
<a id="p100942"></a>                  методом физического осаждения паров,
<a id="p100943"></a>                  включающие:

<a id="p100944"></a>                  системы электропитания  с  расчетной
<a id="p100945"></a>                  мощностью свыше 80 кВт;

<a id="p100946"></a>                  лазерную систему  управления уровнем
<a id="p100947"></a>                  жидкости  в  ванне,  которая   точно
<a id="p100948"></a>                  регулирует скорость подачи исходного
<a id="p100949"></a>                  вещества;

<a id="p100950"></a>                  управляемый компьютером    указатель
<a id="p100951"></a>                  (монитор)  скорости,  работающий  на
<a id="p100952"></a>                  принципе           фотолюминесценции
<a id="p100953"></a>                  ионизированных атомов в потоке пара,
<a id="p100954"></a>                  необходимый     для     нормирования
<a id="p100955"></a>                  скорости     осаждения     покрытия,
<a id="p100956"></a>                  содержащего два или более элементов

<a id="p100957"></a>I.9.4.4.          Снабженные    программно-управляемым
<a id="p100958"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100959"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100960"></a>                  плазменного  напыления,   обладающие
<a id="p100961"></a>                  одной из следующих характеристик:

<a id="p100962"></a>                  давлении  контролируемой   атмосферы
<a id="p100963"></a>                  (равной или менее 10 кПа, измеряемой
<a id="p100964"></a>                  выше  и  внутри  300  мм   выходного
<a id="p100965"></a>                  сечения  сопла плазменной горелки) в
<a id="p100966"></a>                  вакуумной     камере,      способной
<a id="p100967"></a>                  обеспечивать  снижение  давления  до
<a id="p100968"></a>                  0,01   Па,   предшествующее   началу
<a id="p100969"></a>                  процесса напыления;

<a id="p100970"></a>I.9.4.4.2.        имеющие в  своем  составе   средства 845690000
<a id="p100971"></a>                  контроля толщины слоя покрытия

<a id="p100972"></a>I.9.4.5.          Снабженные    программно-управляемым 845690000
<a id="p100973"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100974"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100975"></a>                  металлизации  напылением,  способные
<a id="p100976"></a>                  обеспечить плотность тока 0,1 мА/кв.
<a id="p100977"></a>                  мм или более  с  производительностью
<a id="p100978"></a>                  напыления 15 мкм/ч или более

<a id="p100979"></a>I.9.4.6.          Снабженные    программно-управляемым 851580900
<a id="p100980"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100981"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100982"></a>                  катодно-дугового          напыления,
<a id="p100983"></a>                  включающие  систему  электромагнитов
<a id="p100984"></a>                  для  управления плотностью тока дуги
<a id="p100985"></a>                  на катоде

<a id="p100986"></a>I.9.4.7.          Снабженные    программно-управляемым 845610000
<a id="p100987"></a>                  запоминающим             устройством
<a id="p100988"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p100989"></a>                  ионной   металлизации,   позволяющие
<a id="p100990"></a>                  проводить  измерения толщины подслоя
<a id="p100991"></a>                  покрытия        и         управление
<a id="p100992"></a>                  производительностью  или  оптических
<a id="p100993"></a>                  характеристик
<a id="p100994"></a>                      Примечание.  Пункт I.9.4.7.  не
<a id="p100995"></a>                  распространяется   на    стандартные
<a id="p100996"></a>                  производственные      установки  для
<a id="p100997"></a>                  покрытий,  наносимых          ионной
<a id="p100998"></a>                  металлизацией      на        режущий
<a id="p100999"></a>                  инструмент     металлообрабатывающих
<a id="p101000"></a>                  станков

<a id="p101001"></a>I.9.4.8.          Снабженные   программно-управляемыми
<a id="p101002"></a>                  запоминающими           устройствами
<a id="p101003"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p101004"></a>                  сухого     травления    анизотропной
<a id="p101005"></a>                  плазмой:

<a id="p101006"></a>I.9.4.8.1.        с покассетной обработкой  пластин  и 845690000
<a id="p101007"></a>                  загрузкой через шлюзы,  имеющие хотя
<a id="p101008"></a>                  бы один из следующих признаков:

<a id="p101009"></a>                  магнитную защиту;

<a id="p101010"></a>                  электронно-циклотронный     резонанс
<a id="p101011"></a>                  (ЭЦР)

<a id="p101012"></a>I.9.4.8.2.        специально спроектированные      для 845690000
<a id="p101013"></a>                  оборудования,  указанного  в  пункте
<a id="p101014"></a>                  I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из
<a id="p101015"></a>                  следующих признаков:

<a id="p101016"></a>                  магнитную защиту;

<a id="p101017"></a>                  электронно-циклотронный     резонанс
<a id="p101018"></a>                  (ЭЦР)

<a id="p101019"></a>I.9.4.9.          Снабженные   программно-управляемыми
<a id="p101020"></a>                  запоминающими           устройствами
<a id="p101021"></a>                  производственные    установки    для
<a id="p101022"></a>                  химического  парофазового  осаждения
<a id="p101023"></a>                  покрытий плазменной стимуляцией:

<a id="p101024"></a>I.9.4.9.1.        с покассетной  обработкой  пластин и 845690000
<a id="p101025"></a>                  загрузкой через  загрузочные  шлюзы,
<a id="p101026"></a>                  имеющие  хотя  бы  один из следующих
<a id="p101027"></a>                  признаков:

<a id="p101028"></a>                  магнитную защиту;

<a id="p101029"></a>                  электронно-циклотронный     резонанс
<a id="p101030"></a>                  (ЭЦР)

<a id="p101031"></a>I.9.4.9.2.        специально спроектированные      для 845690000
<a id="p101032"></a>                  оборудования,  указанного  в  пункте
<a id="p101033"></a>                  I.16.3.3., и имеющие хотя бы один из
<a id="p101034"></a>                  следующих признаков:
<a id="p101035"></a>                  магнитную защиту;

<a id="p101036"></a>                  электронно-циклотронный     резонанс
<a id="p101037"></a>                  (ЭЦР)

<a id="p101038"></a>I.9.5.            Специально             разработанное
<a id="p101039"></a>                  оборудование,     инструменты    или
<a id="p101040"></a>                  приспособления для производства  или
<a id="p101041"></a>                  измерения параметров лопаток газовых
<a id="p101042"></a>                  турбин,  литых  лопастей  или  краев
<a id="p101043"></a>                  кожухов

<a id="p101044"></a>I.9.5.1.          Автоматическое         измерительное 903180100
<a id="p101045"></a>                  оборудование,           использующее
<a id="p101046"></a>                  немеханические   методы    измерения
<a id="p101047"></a>                  толщины   стенок   несущих  профилей
<a id="p101048"></a>                  лопаток

<a id="p101049"></a>I.9.5.2.          Инструменты, контрольное           и
<a id="p101050"></a>                  измерительное    оборудование    для
<a id="p101051"></a>                  лазерного,     водоструйного     или
<a id="p101052"></a>                  электроэрозионного
<a id="p101053"></a>                  электротехнического        сверления
<a id="p101054"></a>                  отверстий (полостей):

<a id="p101055"></a>I.9.5.2.1.        глубиной более  чем в 4 раза большей 845610000;
<a id="p101056"></a>                  их диаметра,  диаметром меньше  0,76 845630000
<a id="p101057"></a>                  мм  и  углами  наклона,  равными или
<a id="p101058"></a>                  менее 25 град.;

<a id="p101059"></a>I.9.5.2.2.        глубиной более  чем  в 5 раз большей 845610000;
<a id="p101060"></a>                  их диаметра, диаметром меньше 0,4 мм 845630000
<a id="p101061"></a>                  и углами наклона, более чем 25 град;
<a id="p101062"></a>                      Примечание.  Применительно     к
<a id="p101063"></a>                  пункту I.9.5.2.    угол      наклона
<a id="p101064"></a>                  измеряется     от       поверхности,
<a id="p101065"></a>                  обдуваемой потоком,  тангенциально в
<a id="p101066"></a>                  точке,     где     ось     отверстия
<a id="p101067"></a>                  пересекается с этой поверхностью

<a id="p101068"></a>I.9.5.3.          Керамические стержни          (ядра, 690390900
<a id="p101069"></a>                  сердечники) или патроны (вкладыши)

<a id="p101070"></a>I.9.5.4.          Керамические стержни          (ядра, 690390900
<a id="p101071"></a>                  сердечники)        производственного
<a id="p101072"></a>                  оборудования или инструментов

<a id="p101073"></a>I.9.5.5.          Керамические сердечники          для 690390900
<a id="p101074"></a>                  выщелачивающего оборудования

<a id="p101075"></a>I.9.5.6.          Керамические патроны (оболочки)  для 690390900
<a id="p101076"></a>                  оборудования     по     изготовлению
<a id="p101077"></a>                  восковых моделей

<a id="p101078"></a>I.9.5.7.          Керамические патроны      (вкладыши, 690390900
<a id="p101079"></a>                  оболочки) оборудования для обжигания
<a id="p101080"></a>                  или выжигания (вжигания)

<a id="p101081"></a>I.9.6.            Системы для  контроля   в   реальном 903180100
<a id="p101082"></a>                  масштабе  времени,  приборы (включая
<a id="p101083"></a>                  датчики)  или  оборудование  с  ЧПУ,
<a id="p101084"></a>                  специально     разработанные     для
<a id="p101085"></a>                  производства           газотурбинных
<a id="p101086"></a>                  двигателей,           технологически
<a id="p101087"></a>                  объединенных      агрегатов      или
<a id="p101088"></a>                  компонентов,   указанных  в  пунктах
<a id="p101089"></a>                  I.11.8. - I.11.8.13.

<a id="p101090"></a>I.9.7.            Оборудование,             специально 845961;
<a id="p101091"></a>                  разработанное  для  производства   и 845969;
<a id="p101092"></a>                  испытаний    (проверки)    креплений 902410
<a id="p101093"></a>                  лопаток       газовых        турбин,
<a id="p101094"></a>                  разработанных  для  функционирования
<a id="p101095"></a>                  при  скоростях  на  концах  лопаток,
<a id="p101096"></a>                  превышающих  335  м/с,  и специально
<a id="p101097"></a>                  разработанные   приспособления   или
<a id="p101098"></a>                  детали для них

<a id="p101099"></a>I.9.8.            Инструменты, штампы    и    зажимные 851580100;
<a id="p101100"></a>                  приспособления   для   соединения  в 851590000
<a id="p101101"></a>                  твердом                    состоянии
<a id="p101102"></a>                  (термодиффузионного      сращивания)
<a id="p101103"></a>                  элементов  газотурбинных  двигателей
<a id="p101104"></a>                  из суперсплавов и титана

<a id="p101105"></a>I.9.9.            Инструменты (оснастка)           для 846299100
<a id="p101106"></a>                  производства   методом    порошковой
<a id="p101107"></a>                  металлургии  и гранульной технологии
<a id="p101108"></a>                  элементов роторов турбин двигателей,
<a id="p101109"></a>                  способных  функционировать на уровне
<a id="p101110"></a>                  60%  или более предельной  прочности
<a id="p101111"></a>                  на  растяжение и температуре металла
<a id="p101112"></a>                  873 К (600 С) или более

<a id="p101113"></a>I.9.10.           Оборудование для     разработки    и
<a id="p101114"></a>                  производства     накопителей      на
<a id="p101115"></a>                  магнитных и оптических дисках

<a id="p101116"></a>I.9.10.1.         Оборудование,             специально 845610000;
<a id="p101117"></a>                  спроектированное    для    нанесения 845690000
<a id="p101118"></a>                  магнитного  покрытия  на жесткие (не
<a id="p101119"></a>                  гибкие)        магнитные         или
<a id="p101120"></a>                  магнитооптические          носители,
<a id="p101121"></a>                  указанные в пункте I.16.9.5.1.
<a id="p101122"></a>                      Примечание.  Пункт I.9.10.1.  не
<a id="p101123"></a>                  распространяется    на  оборудование
<a id="p101124"></a>                  общего  назначения для напыления

<a id="p101125"></a>I.9.10.2.         Оборудование,             снабженное 847199900
<a id="p101126"></a>                  программно-управляемым  запоминающим
<a id="p101127"></a>                  устройством       и       специально
<a id="p101128"></a>                  спроектированное   для   обеспечения
<a id="p101129"></a>                  качества,  сортировки  по  качеству,
<a id="p101130"></a>                  прогонов  или  тестирования  жестких
<a id="p101131"></a>                  магнитных  носителей,  указанных   в
<a id="p101132"></a>                  пункте I.16.9.5.2.

<a id="p101133"></a>I.9.10.3.         Оборудование,             специально 903140000
<a id="p101134"></a>                  спроектированное   для  производства
<a id="p101135"></a>                  или юстировки головок или головок  в
<a id="p101136"></a>                  сборке  с  диском,  применительно  к
<a id="p101137"></a>                  жестким         магнитным          и
<a id="p101138"></a>                  магнитооптическим       накопителям,
<a id="p101139"></a>                  указанным  в  пунктах  I.16.9.5.   -
<a id="p101140"></a>                  I.16.9.5.2.,      а     также     их
<a id="p101141"></a>                  электромеханических  или  оптических
<a id="p101142"></a>                  узлов


## <a id="p101143"></a>Раздел I.10. Датчики, измерительная аппаратура и приборы


<a id="p101145"></a>I.10.1.           Оборудование для      неразрушающего 902190000;
<a id="p101146"></a>                  контроля,   способное   обнаруживать 902290000;
<a id="p101147"></a>                  дефекты в трех измерениях, используя 903180390
<a id="p101148"></a>                  методы       ультразвуковой      или
<a id="p101149"></a>                  рентгеновской томографии, специально
<a id="p101150"></a>                  созданное для композитных материалов

<a id="p101151"></a>I.10.2.           Магнитометры, магнитные градиометры,
<a id="p101152"></a>                  эталонные  магнитные  градиометры  и
<a id="p101153"></a>                  компенсационные системы и специально
<a id="p101154"></a>                  разработанные компоненты
<a id="p101155"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p101156"></a>                  по пунктам I.10.2.1. - I.10.2.7.  не
<a id="p101157"></a>                  распространяется    на   специальные
<a id="p101158"></a>                  инструменты     для     биомагнитных
<a id="p101159"></a>                  измерений  медицинской  диагностики,
<a id="p101160"></a>                  если  они  не   содержат   датчиков,
<a id="p101161"></a>                  указанных   в  пунктах  I.10.2.8.  -
<a id="p101162"></a>                  I.10.2.8.4.

<a id="p101163"></a>I.10.2.1.         Магнитометры,           использующие 901580930
<a id="p101164"></a>                  технологии    сверхпроводимости    с
<a id="p101165"></a>                  оптической  накачкой   или   ядерной
<a id="p101166"></a>                  прецессией (протонной/Оверхаузера) и
<a id="p101167"></a>                  имеющие         среднеквадратическое
<a id="p101168"></a>                  значение         уровня        шумов
<a id="p101169"></a>                  (чувствительность)   менее   (лучше)
<a id="p101170"></a>                  0,05    нТ,   деленные   на   корень
<a id="p101171"></a>                  квадратный из частоты в Гц

<a id="p101172"></a>I.10.2.2.         Магнитометры с              катушкой
<a id="p101173"></a>                  индуктивности,               имеющие
<a id="p101174"></a>                  среднеквадратическое значение уровня
<a id="p101175"></a>                  шумов   (чувствительности)    меньше
<a id="p101176"></a>                  (лучше):

<a id="p101177"></a>I.10.2.2.1.       0,05 нТ,    деленные    на    корень 901580930
<a id="p101178"></a>                  квадратный   из   частоты   в  Гц-на
<a id="p101179"></a>                  частоте менее 1 Гц;

<a id="p101180"></a>I.10.2.2.2.       1x10E-3 нТ,   деленные   на   корень 901580930
<a id="p101181"></a>                  квадратный  из   частоты   в   Гц-на
<a id="p101182"></a>                  частоте 1 Гц или более,  но не более
<a id="p101183"></a>                  10 Гц;

<a id="p101184"></a>I.10.2.2.3.       1x10E-4 нТ,   деленные   на   корень 901580930
<a id="p101185"></a>                  квадратный  из   частоты   в Гц - на
<a id="p101186"></a>                  частоте более 10 Гц;

<a id="p101187"></a>I.10.2.3.         Волоконнооптические магнитометры  со 901580930
<a id="p101188"></a>                  среднеквадратическим       значением
<a id="p101189"></a>                  уровня   шума    (чувствительностью)
<a id="p101190"></a>                  менее  (лучше)  1  нТ,  деленная  на
<a id="p101191"></a>                  корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p101192"></a>I.10.2.4.         Магнитные градиометры,  использующие 901580930
<a id="p101193"></a>                  наборы  магнитометров,  указанных  в
<a id="p101194"></a>                  пунктах I.10.2.1. - I.10.2.3.

<a id="p101195"></a>I.10.2.5.         Волоконнооптические        эталонные 901580930
<a id="p101196"></a>                  магнитные       градиометры       со
<a id="p101197"></a>                  среднеквадратическим       значением
<a id="p101198"></a>                  уровня    шума   (чувствительностью)
<a id="p101199"></a>                  градиента  магнитного   поля   менее
<a id="p101200"></a>                  (лучше)  0,3 нТ,  деленные на метр и
<a id="p101201"></a>                  корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p101202"></a>I.10.2.6.         Эталонные магнитные   градиометры  с 901580930
<a id="p101203"></a>                  использованием технологии,  отличной
<a id="p101204"></a>                  от         оптоволоконной,        со
<a id="p101205"></a>                  среднеквадратическим       значением
<a id="p101206"></a>                  уровня    шума   (чувствительностью)
<a id="p101207"></a>                  градиента  магнитного   поля   менее
<a id="p101208"></a>                  (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и
<a id="p101209"></a>                  на корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p101210"></a>I.10.2.7.         Магнитокомпенсационные системы   для 901580930
<a id="p101211"></a>                  магнитных датчиков,  предназначенных
<a id="p101212"></a>                  для работы на подвижных платформах

<a id="p101213"></a>I.10.2.8.         Электромагнитные датчики         для
<a id="p101214"></a>                  измерения  электромагнитного поля на
<a id="p101215"></a>                  частотах 1 кГц и  менее,  содержащие
<a id="p101216"></a>                  компоненты  хотя  бы один из которых
<a id="p101217"></a>                  является  сверхпроводником  (включая
<a id="p101218"></a>                  устройства на эффекте Джозефсона или
<a id="p101219"></a>                  сверхпроводящие устройства квантовой
<a id="p101220"></a>                  интерференции (СКВИД), разработанные
<a id="p101221"></a>                  для       функционирования       при
<a id="p101222"></a>                  температурах   ниже   критической  и
<a id="p101223"></a>                  имеющих    одну     из     следующих
<a id="p101224"></a>                  характеристик:

<a id="p101225"></a>I.10.2.8.1.       включающие тонкопленочные  СКВИД   с 901580930
<a id="p101226"></a>                  минимальным   характерным   размером
<a id="p101227"></a>                  менее  2  мкм   и   соответствующими
<a id="p101228"></a>                  схемами соединения входа и выхода;

<a id="p101229"></a>I.10.2.8.2.       разработанные для   функционирования 901580930
<a id="p101230"></a>                  при максимальной скорости нарастания
<a id="p101231"></a>                  магнитного  поля  более  10  квантов
<a id="p101232"></a>                  магнитного потока в секунду;

<a id="p101233"></a>I.10.2.8.3.       разработанные для   функционирования 901580930
<a id="p101234"></a>                  без  магнитного  экрана в окружающем
<a id="p101235"></a>                  земном магнитном поле;

<a id="p101236"></a>I.10.2.8.4.       имеющие температурный    коэффициент 901580930
<a id="p101237"></a>                  менее  0,1  кванта магнитного потока
<a id="p101238"></a>                  на кельвин

<a id="p101239"></a>I.10.3.           Гравитометры

<a id="p101240"></a>I.10.3.1.         Гравитометры для           наземного 901580930
<a id="p101241"></a>                  использования   со    статистической
<a id="p101242"></a>                  точностью менее (лучше)
<a id="p101243"></a>                             2
<a id="p101244"></a>                  1x10E-7 м/с (10 мкГал)
<a id="p101245"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p101246"></a>                  по пунктам I.10.3.1. и I.10.3.2.  не
<a id="p101247"></a>                  распространяется     на     наземные
<a id="p101248"></a>                  гравитометры     типа      кварцевых
<a id="p101249"></a>                  элементов Уордена

<a id="p101250"></a>I.10.3.2.         Аппаратура для         производства, 903180390
<a id="p101251"></a>                  настройки  и   калибровки   наземных
<a id="p101252"></a>                  гравитометров    со   статистической
<a id="p101253"></a>                  погрешностью не хуже чем
<a id="p101254"></a>                             2
<a id="p101255"></a>                  7x10E-6 м/c (0,7 мГал)

<a id="p101256"></a>I.10.4.           Бортовые альтиметры,  действующие на
<a id="p101257"></a>                  частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц
<a id="p101258"></a>                  включительно,   имеющие   одну    из
<a id="p101259"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p101260"></a>I.10.4.1.         управление мощностью;                852610110

<a id="p101261"></a>I.10.4.2.         использующие амплитудную модуляцию с 852610110
<a id="p101262"></a>                  переменной фазой

<a id="p101263"></a>I.10.5.           Гироскопы, имеющие под  воздействием 903289
<a id="p101264"></a>                  1   g  на  протяжении  трех  месяцев
<a id="p101265"></a>                  нестабильность          относительно
<a id="p101266"></a>                  фиксированной калибровочной величины
<a id="p101267"></a>                  менее  (лучше)  0,1   в  час   когда
<a id="p101268"></a>                  паспортные    (номинальные)   данные
<a id="p101269"></a>                  приведены для  функционирования  при
<a id="p101270"></a>                  ускорениях ниже 10 g

<a id="p101271"></a>I.10.6.           Инерциальные навигационные   системы
<a id="p101272"></a>                  (платформенные и бесплатформенные) и
<a id="p101273"></a>                  инерциальное    оборудование     для
<a id="p101274"></a>                  определения          местоположения,
<a id="p101275"></a>                  наведения  и   управления,   имеющие
<a id="p101276"></a>                  специально  разработанные компоненты
<a id="p101277"></a>                  и  хотя   бы   одну   из   следующих
<a id="p101278"></a>                  характеристик:

<a id="p101279"></a>I.10.6.1.         навигационную ошибку          (чисто 901410900
<a id="p101280"></a>                  инерциальную) от 0,8 морской мили  в
<a id="p101281"></a>                  час      (50-процентная     круговая
<a id="p101282"></a>                  вероятная  ошибка  (КВО)  или  менее
<a id="p101283"></a>                  (лучше) после нормальной выставки;

<a id="p101284"></a>I.10.6.2.         приведенные паспортные (номинальные) 901410900
<a id="p101285"></a>                  данные   для   функционирования  при
<a id="p101286"></a>                  уровнях ускорений свыше 10 g

<a id="p101287"></a>I.10.7.           Приемная аппаратура   и   специально
<a id="p101288"></a>                  разработанные  компоненты глобальной
<a id="p101289"></a>                  спутниковой  навигационной  системы,
<a id="p101290"></a>                  имеющие     одну     из    следующих
<a id="p101291"></a>                  характеристик:

<a id="p101292"></a>I.10.7.1.         использование             шифрования 901420900
<a id="p101293"></a>                  (дешифрования);

<a id="p101294"></a>I.10.7.2.         осуществление управления  положением 901420900
<a id="p101295"></a>                  минимума в диаграмме  направленности
<a id="p101296"></a>                  антенны    (провал    в    диаграмме
<a id="p101297"></a>                  направленности)

<a id="p101298"></a>I.10.8.           Оборудование для          испытаний, 903120000;
<a id="p101299"></a>                  калибровки  и  выставки,  специально 903180;
<a id="p101300"></a>                  разработанное    для   оборудования, 903180100
<a id="p101301"></a>                  указанного  в  пунктах   I.10.4.   -
<a id="p101302"></a>                  I.10.7.2.,       за      исключением
<a id="p101303"></a>                  оборудования,  предназначенного  для
<a id="p101304"></a>                  технического обслуживания

<a id="p101305"></a>I.10.9.           Системы подводного наблюдения

<a id="p101306"></a>I.10.9.1.
<a id="p101307"></a>Телевизионные системы       (включая 852510900
<a id="p101308"></a>                  камеру,    осветительные    приборы,
<a id="p101309"></a>                  оборудование мониторинга и  передачи
<a id="p101310"></a>                  сигнала),     имеющие     предельное
<a id="p101311"></a>                  разрешение,  ограниченное более  чем
<a id="p101312"></a>                  500  линиями  при  измерении  его  в
<a id="p101313"></a>                  воздушной     среде,     а     также
<a id="p101314"></a>                  телесистемы,              специально
<a id="p101315"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p101316"></a>                  модифицированные  для дистанционного
<a id="p101317"></a>                  управления подводным судном

<a id="p101318"></a>I.10.9.2.         Подводные телекамеры         имеющие 852530990
<a id="p101319"></a>                  предельное разрешение более чем  700
<a id="p101320"></a>                  линий  при  измерении  разрешения  в
<a id="p101321"></a>                  воздушной среде
<a id="p101322"></a>                      Примечание.           Предельное
<a id="p101323"></a>                  разрешение  телевидении   измеряется
<a id="p101324"></a>                  горизонтальным            (строчным)
<a id="p101325"></a>                  разрешением,   обычно  выраженным  в
<a id="p101326"></a>                  максимальном числе линий  по  высоте
<a id="p101327"></a>                  изображения (экрана), различаемых на
<a id="p101328"></a>                  тестовой    таблице,    использующей
<a id="p101329"></a>                  стандарт  IEEE  208/1960  или  любой
<a id="p101330"></a>                  эквивалент этого стандарта

<a id="p101331"></a>I.10.9.3.         Системы, специально спроектированные 852692000
<a id="p101332"></a>                  или       модифицированные       для
<a id="p101333"></a>                  дистанционного  управления подводным
<a id="p101334"></a>                  судном,     использующие     способы
<a id="p101335"></a>                  минимизации    эффектов    обратного
<a id="p101336"></a>                  рассеяния,  включая РЛС облучения  в
<a id="p101337"></a>                  узком диапазоне или лазерные системы

<a id="p101338"></a>I.10.9.4.         Телевизионные                камеры,  852530990
<a id="p101339"></a>                  предназначенные для съемки  объектов
<a id="p101340"></a>                  с   низким   уровнем   освещенности,
<a id="p101341"></a>                  специально   спроектированные    или
<a id="p101342"></a>                  модифицированные  для  использования
<a id="p101343"></a>                  под  водой  и  содержащие  трубки  с
<a id="p101344"></a>                  микроканальным            усилителем
<a id="p101345"></a>                  изображения,  указанные   в   пункте
<a id="p101346"></a>                  I.12.2.1.2.1.  и  имеющие  более чем
<a id="p101347"></a>                  150000 активных каналов  на  площади
<a id="p101348"></a>                  твердотельного приемника

<a id="p101349"></a>I.10.9.5.         Фотодиапозитивные камеры, специально 900653000;
<a id="p101350"></a>                  спроектированные                 или 900659000
<a id="p101351"></a>                  модифицированные    для   подводного
<a id="p101352"></a>                  применения:

<a id="p101353"></a>                  имеющие формат ленты 35 мм или более
<a id="p101354"></a>                  и    аннотацию    ленты     данными,
<a id="p101355"></a>                  определяющими   специфику   внешнего
<a id="p101356"></a>                  источника камеры;

<a id="p101357"></a>                  обладающие                средствами
<a id="p101358"></a>                  автофокусирования или дистанционного
<a id="p101359"></a>                  фокусирования,            специально
<a id="p101360"></a>                  спроектированными для применения под
<a id="p101361"></a>                  водой;

<a id="p101362"></a>                  имеющие возможность   автоматической
<a id="p101363"></a>                  обратной     коррекции     фокусного
<a id="p101364"></a>                  расстояния,    систему    управления
<a id="p101365"></a>                  автоматической          компенсации,
<a id="p101366"></a>                  специально    спроектированную   для
<a id="p101367"></a>                  помещения в бокс  подводной  камеры,
<a id="p101368"></a>                  способной  выдерживать  давление  на
<a id="p101369"></a>                  глубине, превышающей 1000 м

<a id="p101370"></a>I.10.9.6.         Электронные системы      наблюдения, 903081900
<a id="p101371"></a>                  специально   спроектированные    или
<a id="p101372"></a>                  модифицированные    для   подводного
<a id="p101373"></a>                  использования,  способные хранить  в
<a id="p101374"></a>                  цифровой    форме   более   чем   50
<a id="p101375"></a>                  экспонированных кадров

<a id="p101376"></a>I.10.10.          Системы подсветки,        специально
<a id="p101377"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p101378"></a>                  модифицированные  для применения под
<a id="p101379"></a>                  водой:

<a id="p101380"></a>I.10.10.1.        стробоскопические световые системы с 902920900;
<a id="p101381"></a>                  энергией  выхода  более чем 300 Дж в 940540100;
<a id="p101382"></a>                  одной вспышке;                       940540390

<a id="p101383"></a>I.10.10.2.        аргонодуговые световые      системы, 940540100;
<a id="p101384"></a>                  специально    спроектированные   для 940540390
<a id="p101385"></a>                  использования под водой на  глубинах
<a id="p101386"></a>                  ниже 1000 м

<a id="p101387"></a>I.10.11.          Акустическая             аппаратура,
<a id="p101388"></a>                  оборудование и системы

<a id="p101389"></a>I.10.11.1.        Морские акустические        системы,
<a id="p101390"></a>                  аппаратура      или       специально
<a id="p101391"></a>                  разработанные компоненты

<a id="p101392"></a>I.10.11.1.1.      Активные (передающие             или
<a id="p101393"></a>                  приемопередающие)       акустические
<a id="p101394"></a>                  системы, оборудование или специально
<a id="p101395"></a>                  разработанные компоненты
<a id="p101396"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p101397"></a>                  по     пунктам     I.10.11.1.1.    и
<a id="p101398"></a>                  I.10.11.1.1.4.2. не распространяется
<a id="p101399"></a>                  на   звуковые   измерители   глубины
<a id="p101400"></a>                  вертикального      действия      без
<a id="p101401"></a>                  сканирования  луча  в пределах свыше
<a id="p101402"></a>                  +-10  град.,  имеющие   ограниченное
<a id="p101403"></a>                  применение для измерения глубины или
<a id="p101404"></a>                  расстояния   до   погруженного   или
<a id="p101405"></a>                  заглубленного   объекта,   а   также
<a id="p101406"></a>                  косяков рыбы

<a id="p101407"></a>I.10.11.1.1.1.    Широкообзорные акустические  системы
<a id="p101408"></a>                  морского          картографирования,
<a id="p101409"></a>                  разработанные:

<a id="p101410"></a>I.10.11.1.1.1.1.  для измерения при  углах  отклонения 901580910
<a id="p101411"></a>                  от  вертикали  более   10    град. и
<a id="p101412"></a>                  измерения    глубин более 600  м  от
<a id="p101413"></a>                  поверхности воды;

<a id="p101414"></a>I.10.11.1.1.1.2.  для использования    набора   лучей, 901580910
<a id="p101415"></a>                  каждый  из которых не  шире 2 град.,
<a id="p101416"></a>                  или       для  обеспечения  точности
<a id="p101417"></a>                  измерений лучше 0,5%  глубины  воды,
<a id="p101418"></a>                  полученной  усреднением    отдельных
<a id="p101419"></a>                  измерений

<a id="p101420"></a>I.10.11.1.1.2.    Акустические системы обнаружения или 901580910
<a id="p101421"></a>                  определения местоположения  объекта,
<a id="p101422"></a>                  имеющие     одну     из    следующих
<a id="p101423"></a>                  характеристик:

<a id="p101424"></a>I.10.11.1.1.2.1.  рабочую частоту менее 10 кГц;        901580910

<a id="p101425"></a>I.10.11.1.1.2.2.  уровень звукового давления свыше 224 901580910
<a id="p101426"></a>                  дБ  (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с
<a id="p101427"></a>                  рабочей частотой в диапазоне  от  10
<a id="p101428"></a>                  до 24 кГц;

<a id="p101429"></a>I.10.11.1.1.2.3.  уровень звукового давления свыше 235 901580910
<a id="p101430"></a>                  дБ (1 мкПА на 1 м) для аппаратуры  с
<a id="p101431"></a>                  рабочей  частотой  в диапазоне от 24
<a id="p101432"></a>                  до 30 кГц;

<a id="p101433"></a>I.10.11.1.1.2.4.  формирование луча    уже 1 град.  по 901580910
<a id="p101434"></a>                  любой оси и рабочую частоту ниже 100
<a id="p101435"></a>                  кГц;

<a id="p101436"></a>I.10.11.1.1.2.5.  разработанные для        нормального
<a id="p101437"></a>                  функционирования на  глубинах  свыше
<a id="p101438"></a>                  1000  м и имеющие передатчик с одной
<a id="p101439"></a>                  из следующих характеристик:

<a id="p101440"></a>I.10.11.1.1.2.5.1.динамически подстраиваемый       под 901580910
<a id="p101441"></a>                  давление;

<a id="p101442"></a>I.10.11.1.1.2.5.2.содержащий излучающий       элемент, 901580910
<a id="p101443"></a>                  отличный от титаната цирконата;

<a id="p101444"></a>I.10.11.1.1.2.5.3.разработанный    для     измерения  901580910
<a id="p101445"></a>                  расстояний до объектов более 5120 м

<a id="p101446"></a>I.10.11.1.1.3.    Акустические прожекторы,  включающие
<a id="p101447"></a>                  излучатели  с   пьезоэлектрическими,
<a id="p101448"></a>                  магнитострикционными,
<a id="p101449"></a>                  электрострикционными,
<a id="p101450"></a>                  электродинамическими             или
<a id="p101451"></a>                  гидравлическими          элементами,
<a id="p101452"></a>                  функционирующими  независимо  или  в
<a id="p101453"></a>                  совокупности,  и  имеющие  одну   из
<a id="p101454"></a>                  следующих характеристик:
<a id="p101455"></a>                      Примечание. Статус контроля   за
<a id="p101456"></a>                  экспортом  акустических прожекторов,
<a id="p101457"></a>                  включающих    излучатели, специально
<a id="p101458"></a>                  разработанных         для     другой
<a id="p101459"></a>                  аппаратуры,  определяется   статусом
<a id="p101460"></a>                  контроля другой аппаратуры

<a id="p101461"></a>I.10.11.1.1.3.1.  плотность мгновенно       излучаемой 901580910
<a id="p101462"></a>                  акустической  мощности,  превышающую
<a id="p101463"></a>                  0,01 мВт/(кв. мм х Гц) для приборов,
<a id="p101464"></a>                  действующих на частотах ниже 10 кГц;

<a id="p101465"></a>I.10.11.1.1.3.2.  плотность непрерывно      излучаемой 901580910
<a id="p101466"></a>                  акустической  мощности,  превышающую
<a id="p101467"></a>                  0,001  мВт/(кв.   мм   х   Гц)   для
<a id="p101468"></a>                  приборов,  действующих  на  частотах
<a id="p101469"></a>                  ниже 10 кГц;
<a id="p101470"></a>                      Примечание.            Плотность
<a id="p101471"></a>                  акустической мощности  получается  в
<a id="p101472"></a>                  результате      деления     выходной
<a id="p101473"></a>                  акустической       мощности       на
<a id="p101474"></a>                  произведение    площади   излучающей
<a id="p101475"></a>                  поверхности и рабочей частоты

<a id="p101476"></a>I.10.11.1.1.3.3.  проектное предназначение         для 901580910
<a id="p101477"></a>                  нормального    функционирования   на
<a id="p101478"></a>                  глубинах свыше 1000 м;

<a id="p101479"></a>I.10.11.1.1.3.4.  способность подавления       боковых 901580910
<a id="p101480"></a>                  лепестков более 22 дБ
<a id="p101481"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p101482"></a>                  по    пунктам    I.10.11.1.1.3.    -
<a id="p101483"></a>                  I.10.11.1.1.3.4. не распространяется
<a id="p101484"></a>                  на электронные  источники  с  только
<a id="p101485"></a>                  вертикальным акустическим излучением
<a id="p101486"></a>                  или     механические      (например,
<a id="p101487"></a>                  воздушные  или  паровые  ружья)  или
<a id="p101488"></a>                  химические   (например,    взрывные)
<a id="p101489"></a>                  источники

<a id="p101490"></a>I.10.11.1.1.4.    Акустические системы, аппаратура или
<a id="p101491"></a>                  специально  разработанные компоненты
<a id="p101492"></a>                  для определения положения  надводных
<a id="p101493"></a>                  или подводных судов, разработанные:
<a id="p101494"></a>                      Примечание. Пункт I.10.11.1.1.4.
<a id="p101495"></a>                  включает аппаратуру с использованием
<a id="p101496"></a>                  когерентной обработки сигналов между
<a id="p101497"></a>                  двумя   или    более    маяками    и
<a id="p101498"></a>                  гидрофонного  устройства надводных и
<a id="p101499"></a>                  подводных  судов  либо   аппаратуру,
<a id="p101500"></a>                  обладающую              способностью
<a id="p101501"></a>                  автокоррекции  погрешности  скорости
<a id="p101502"></a>                  распространения звука

<a id="p101503"></a>I.10.11.1.1.4.1.  для работы на дистанции свыше 1000 м 901580110
<a id="p101504"></a>                  с точностью  позиционирования  менее
<a id="p101505"></a>                  10  м  при  измерении  на расстоянии
<a id="p101506"></a>                  1000 м;

<a id="p101507"></a>I.10.11.1.1.4.2.  для работы на глубинах более 1000 м  901580110

<a id="p101508"></a>I.10.11.1.2.      Пассивные (принимающие   в   штатном
<a id="p101509"></a>                  режиме   независимо   от   связи   с
<a id="p101510"></a>                  активной  аппаратурой)  акустические
<a id="p101511"></a>                  системы,  аппаратура  или специально
<a id="p101512"></a>                  разработанные компоненты

<a id="p101513"></a>I.10.11.1.2.1.    Гидрофоны (преобразователи)

<a id="p101514"></a>I.10.11.1.2.1.1.  Гидрофоны         (преобразователи), 901580110;
<a id="p101515"></a>                  включающие       гибкие      датчики 901580930
<a id="p101516"></a>                  непрерывного  действия  или   сборки
<a id="p101517"></a>                  датчиков   дискретного   действия  с
<a id="p101518"></a>                  диаметром либо длиной менее 20 мм  и
<a id="p101519"></a>                  расстоянием  между  элементами менее
<a id="p101520"></a>                  20 мм

<a id="p101521"></a>I.10.11.1.2.1.2.  Гидрофоны (преобразователи), имеющие
<a id="p101522"></a>                  любой  из  следующих  чувствительных
<a id="p101523"></a>                  элементов:

<a id="p101524"></a>I.10.11.1.2.1.2.1. оптоволоконный;                     901580930

<a id="p101525"></a>I.10.11.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный;      901580930

<a id="p101526"></a>I.10.11.1.2.1.2.3. пьезоэлектрический из        гибкой 901580930
<a id="p101527"></a>                   керамики

<a id="p101528"></a>I.10.11.1.2.1.3.  Гидрофоны (преобразователи), имеющие 901580930
<a id="p101529"></a>                  гидрозвуковую чувствительность лучше
<a id="p101530"></a>                  -180   дБ   на  любой  глубине,  без
<a id="p101531"></a>                  компенсации ускорения

<a id="p101532"></a>I.10.11.1.2.1.4.  Гидрофоны         (преобразователи), 901580930
<a id="p101533"></a>                  разработанные для глубин не более 35
<a id="p101534"></a>                  м, с гидрозвуковой чувствительностью
<a id="p101535"></a>                  лучше   -186   дБ   и   компенсацией
<a id="p101536"></a>                  ускорения

<a id="p101537"></a>I.10.11.1.2.1.5.  Гидрофоны         (преобразователи), 901580930
<a id="p101538"></a>                  разработанные  для нормальной работы
<a id="p101539"></a>                  на   глубинах   более   35   м,    с
<a id="p101540"></a>                  гидрозвуковой      чувствительностью
<a id="p101541"></a>                  лучше   -192   дБ   и   компенсацией
<a id="p101542"></a>                  ускорения

<a id="p101543"></a>I.10.11.1.2.1.6.  Гидрофоны         (преобразователи), 901580930
<a id="p101544"></a>                  разработанные для нормальной  работы
<a id="p101545"></a>                  на   глубинах   свыше   100   м,   с
<a id="p101546"></a>                  гидрозвуковой      чувствительностью
<a id="p101547"></a>                  лучше -204 дБ

<a id="p101548"></a>I.10.11.1.2.1.7.  Гидрофоны         (преобразователи), 901580930
<a id="p101549"></a>                  разработанные для работы на глубинах
<a id="p101550"></a>                  более 1000 м
<a id="p101551"></a>                      Примечание.        Гидрозвуковая
<a id="p101552"></a>                  чувствительность  определяется   как
<a id="p101553"></a>                  двадцатикратный десятичный  логарифм
<a id="p101554"></a>                  отношения        среднеквадратичного
<a id="p101555"></a>                  выходного    напряжения  к  опорному
<a id="p101556"></a>                  напряжению 1  В,  когда  гидрофонный
<a id="p101557"></a>                  датчик   без предусилителя помещен в
<a id="p101558"></a>                  акустическое  поле  плоской волны со
<a id="p101559"></a>                  среднеквадратичным давлением 1 мкПа.
<a id="p101560"></a>                  Например,  гидрофон -160 дБ (опорное
<a id="p101561"></a>                  напряжение  1  В/мкПа) даст выходное
<a id="p101562"></a>                  напряжение 10E-8 В в таком  поле,  в
<a id="p101563"></a>                  то  время  как чувствительность -180
<a id="p101564"></a>                  дБ даст выходное напряжение 10E-9 В.
<a id="p101565"></a>                  Таким  образом,  -160  дБ  лучше чем
<a id="p101566"></a>                  -180 дБ

<a id="p101567"></a>I.10.11.1.2.2.    Буксируемые акустические гидрофонные
<a id="p101568"></a>                  решетки:

<a id="p101569"></a>I.10.11.1.2.2.1.  с расположением гидрофонов менее чем 901580930
<a id="p101570"></a>                  на 12,5 м в решетке;

<a id="p101571"></a>I.10.11.1.2.2.2.  с расположением  гидрофонной  группы 901580930
<a id="p101572"></a>                  от   12,5 до 25 м, разработанной или
<a id="p101573"></a>                  способной быть модифицированной  для
<a id="p101574"></a>                  работы на глубине более 25 м
<a id="p101575"></a>                      Примечание. Способность        к
<a id="p101576"></a>                  модификации         в         пункте
<a id="p101577"></a>                  I.10.11.1.2.2.2.  означает   наличие
<a id="p101578"></a>                  возможности  перемонтажа обмотки или
<a id="p101579"></a>                  внутренних соединений для  изменения
<a id="p101580"></a>                  расположения  гидрофонной группы или
<a id="p101581"></a>                  пределов  рабочих   глубин.   Такими
<a id="p101582"></a>                  возможностями    являются:   наличие
<a id="p101583"></a>                  запасных витков обмотки более 10% от
<a id="p101584"></a>                  числа    рабочих    витков,    блоки
<a id="p101585"></a>                  настройки  конфигурации  гидрофонной
<a id="p101586"></a>                  группы   или  внутренние  устройства
<a id="p101587"></a>                  регулировки    предельной    рабочей
<a id="p101588"></a>                  глубины с возможностью перестройки и
<a id="p101589"></a>                  управления    более    чем     одной
<a id="p101590"></a>                  гидрофонной группы

<a id="p101591"></a>I.10.11.1.2.2.3.  с расположением  гидрофонной  группы 901580930
<a id="p101592"></a>                  на  расстоянии  25  м   или   более,
<a id="p101593"></a>                  разработанной  для работы на глубине
<a id="p101594"></a>                  свыше 100 м;

<a id="p101595"></a>I.10.11.1.2.2.4.  разработанные или   способные   быть 901580930
<a id="p101596"></a>                  модифицированными  для  глубин более
<a id="p101597"></a>                  35   м,   с   головными   датчиками,
<a id="p101598"></a>                  включенными  в соединительный кабель
<a id="p101599"></a>                  решетки,  имеющими  точность   лучше
<a id="p101600"></a>                  +-0,5 град.,   или        датчиками,
<a id="p101601"></a>                  смонтированными              снаружи
<a id="p101602"></a>                  соединительного    кабеля   решетки,
<a id="p101603"></a>                  обладающими способностью работать  с
<a id="p101604"></a>                  вращением    на 360 град. на глубине
<a id="p101605"></a>                  более 35 м;
<a id="p101606"></a>                      Примечание.      Способность   к
<a id="p101607"></a>                  модификации       в           пункте
<a id="p101608"></a>                  I.10.11.1.2.2.4.  означает   наличие
<a id="p101609"></a>                  регулируемого    или    извлекаемого
<a id="p101610"></a>                  устройства измерения глубины

<a id="p101611"></a>I.10.11.1.2.2.5.  с неметаллическими      усиливающими 901580930
<a id="p101612"></a>                  элементами    или     соединительным
<a id="p101613"></a>                  кабелем   с   продольным   усилением
<a id="p101614"></a>                  кабеля;

<a id="p101615"></a>I.10.11.1.2.2.6.  с диаметром  гидрофонной  решетки  в 901580930
<a id="p101616"></a>                  собранном виде менее 40 мм;

<a id="p101617"></a>I.10.11.1.2.2.7.  с уплотненным   групповым   сигналом 901580930
<a id="p101618"></a>                  гидрофона;

<a id="p101619"></a>I.10.11.1.2.2.8.  с характеристиками        гидрофона, 901580930
<a id="p101620"></a>                  определенными        в       пунктах
<a id="p101621"></a>                  I.10.11.1.2.1. - I.10.11. 1.2.1.7.

<a id="p101622"></a>I.10.11.1.2.3.    Специально разработанная  аппаратура
<a id="p101623"></a>                  обработки  сигналов для акустических
<a id="p101624"></a>                  гидрофонных  решеток  с   любой   из
<a id="p101625"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p101626"></a>I.10.11.1.2.3.1.  быстрым преобразованием   Фурье  или 901580930
<a id="p101627"></a>                  другими преобразованиями  данных  по
<a id="p101628"></a>                  1024  или  более точкам менее чем за
<a id="p101629"></a>                  20      мс      без      возможности
<a id="p101630"></a>                  программирования пользователем;

<a id="p101631"></a>I.10.11.1.2.3.2.  обработкой во      временной     или 901580930
<a id="p101632"></a>                  частотной  области  и   корреляцией,
<a id="p101633"></a>                  включая     спектральный     анализ,
<a id="p101634"></a>                  цифровую фильтрацию  и  формирование
<a id="p101635"></a>                  луча   с   использованием   быстрого
<a id="p101636"></a>                  преобразования  Фурье   или   других
<a id="p101637"></a>                  преобразований   или   процессов   с
<a id="p101638"></a>                  возможностью        программирования
<a id="p101639"></a>                  пользователем

<a id="p101640"></a>I.10.11.2.        Наземные геофоны,         обладающие 901580930
<a id="p101641"></a>                  способностью  к   преобразованию   в
<a id="p101642"></a>                  морские  системы,  оборудование  или
<a id="p101643"></a>                  специально разработанные компоненты,
<a id="p101644"></a>                  указанные в пунктах I.10.11.1.2.1. -
<a id="p101645"></a>                  I.10. 11.1.2.1.7.

<a id="p101646"></a>I.10.11.3.        Аппаратура на       лагах        для 901580930
<a id="p101647"></a>                  корреляционного            измерения
<a id="p101648"></a>                  горизонтальной составляющей скорости
<a id="p101649"></a>                  относительно    морского    дна   на
<a id="p101650"></a>                  расстояниях между носителем  и  дном
<a id="p101651"></a>                  свыше 500 м


## <a id="p101652"></a>Раздел I.11. Двигатели и движители, системы и оборудование для них


<a id="p101654"></a>I.11.1.           Изолированные от           атмосферы
<a id="p101655"></a>                  двигательные   системы,   специально
<a id="p101656"></a>                  спроектированные  для применения под
<a id="p101657"></a>                  водой

<a id="p101658"></a>I.11.1.1.         Изолированные от           атмосферы
<a id="p101659"></a>                  двигательные системы  с  двигателями
<a id="p101660"></a>                  циклов   Брайтона,   Стирлинга   или
<a id="p101661"></a>                  Ренкина,  имеющие любую из следующих
<a id="p101662"></a>                  составляющих:

<a id="p101663"></a>I.11.1.1.1.       химические скрубберы или  абсорберы, 840810
<a id="p101664"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p101665"></a>                  удаления двуокиси углерода и  частиц
<a id="p101666"></a>                  из      рециркулируемого     выхлопа
<a id="p101667"></a>                  двигателя;

<a id="p101668"></a>I.11.1.1.2.       системы, специально спроектированные 840810
<a id="p101669"></a>                  для применения моноатомного газа;

<a id="p101670"></a>I.11.1.1.3.       приборы или   глушители,  специально 840810
<a id="p101671"></a>                  спроектированные для  снижения  шума
<a id="p101672"></a>                  под  водой  с частотами ниже 10 кГц,
<a id="p101673"></a>                  или    специально     смонтированные
<a id="p101674"></a>                  приборы    для    смягчения   хлопка
<a id="p101675"></a>                  выброса;

<a id="p101676"></a>I.11.1.1.4.       системы, специально спроектированные 840810
<a id="p101677"></a>                  для прессования  продуктов  реакции,
<a id="p101678"></a>                  реформации   топлива   или  хранения
<a id="p101679"></a>                  продуктов        реакции         при
<a id="p101680"></a>                  противодавлении в 100 кПа или более

<a id="p101681"></a>I.11.1.2.         Дизельные двигатели              для
<a id="p101682"></a>                  изолированных      от      атмосферы
<a id="p101683"></a>                  двигательных   систем,  имеющие  все
<a id="p101684"></a>                  следующие составляющие:

<a id="p101685"></a>I.11.1.2.1.       химические скрубберы или  абсорберы, 840810
<a id="p101686"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p101687"></a>                  удаления     двуокиси      углерода,
<a id="p101688"></a>                  моноокиси   углерода   и  частиц  из
<a id="p101689"></a>                  рециркулируемого выхлопа двигателя;

<a id="p101690"></a>I.11.1.2.2.       системы, специально спроектированные 840810
<a id="p101691"></a>                  для применения моноатомного газа;

<a id="p101692"></a>I.11.1.2.3.       приборы или   глушители,  специально 840810
<a id="p101693"></a>                  спроектированные для  снижения  шума
<a id="p101694"></a>                  под  водой  с  частотами ниже 10 кГц
<a id="p101695"></a>                  или  специально  смонтированные  для
<a id="p101696"></a>                  смягчения хлопка выброса;

<a id="p101697"></a>I.11.1.2.4.       специально          спроектированные 840810
<a id="p101698"></a>                  выхлопные   системы   с    задержкой
<a id="p101699"></a>                  выброса продуктов сгорания

<a id="p101700"></a>I.11.1.3.         Топливный отсек    для   двигателей,
<a id="p101701"></a>                  изолированных      от      атмосферы
<a id="p101702"></a>                  двигательных   систем,   с  выходной
<a id="p101703"></a>                  мощностью,   превышающей   2    кВт,
<a id="p101704"></a>                  имеющих   какую-либо   из  следующих
<a id="p101705"></a>                  характеристик:

<a id="p101706"></a>I.11.1.3.1.       приборы или  глушители,   специально 840999000
<a id="p101707"></a>                  спроектированные  для  снижения шума
<a id="p101708"></a>                  под водой,  с частотами ниже 10  кГц
<a id="p101709"></a>                  или     специально    смонтированные
<a id="p101710"></a>                  приборы   для    смягчения    хлопка
<a id="p101711"></a>                  выброса;

<a id="p101712"></a>I.11.1.3.2.       системы, специально спроектированные 840999000
<a id="p101713"></a>                  для прессования  продуктов  реакции,
<a id="p101714"></a>                  реформации     топлива,     хранения
<a id="p101715"></a>                  продуктов   реакции   или    выхлопа
<a id="p101716"></a>                  продуктов         реакции        при
<a id="p101717"></a>                  противодавлении в 100 кПа или более

<a id="p101718"></a>I.11.2.           Подъемные вентиляторы   с    уровнем 841239900;
<a id="p101719"></a>                  мощности  более 400 кВт,  специально 841280990
<a id="p101720"></a>                  спроектированные   для    судов    с
<a id="p101721"></a>                  поверхностным эффектом,  указанных в
<a id="p101722"></a>                  пунктах I.13.1.6. или I.13.1.7.

<a id="p101723"></a>I.11.3.           Системы двигателя с  водяным  винтом
<a id="p101724"></a>                  или   системы   передачи   мощности,
<a id="p101725"></a>                  специально   спроектированные    для
<a id="p101726"></a>                  судов  с  поверхностным  эффектом (с
<a id="p101727"></a>                  полностью     изменяемой         или
<a id="p101728"></a>                  неизменяемой           поверхностной
<a id="p101729"></a>                  конфигурацией),    для    судов    с
<a id="p101730"></a>                  гидрокрыльями    и    на   небольшом
<a id="p101731"></a>                  подводном крыле, указанных в пунктах
<a id="p101732"></a>                  I.13.1.6. - I.13.1.9.2.:

<a id="p101733"></a>I.11.3.1.         суперкавитационные,                  840810
<a id="p101734"></a>                  супервентиляторные,         частично
<a id="p101735"></a>                  погруженные      или      опускаемые
<a id="p101736"></a>                  (проникающие   через    поверхность)
<a id="p101737"></a>                  двигатели  с  уровнем мощности более
<a id="p101738"></a>                  7,5 МВт;

<a id="p101739"></a>I.11.3.2.         соосные гребные                винты 841229500
<a id="p101740"></a>                  противоположного  вращения с уровнем
<a id="p101741"></a>                  передаваемой мощности более 15 МВт;

<a id="p101742"></a>I.11.3.3.         системы, служащие  для  выравнивания 841229500
<a id="p101743"></a>                  потока, набегающего на движитель;

<a id="p101744"></a>I.11.3.4.         легковесный, высокого       качества 848340930
<a id="p101745"></a>                  (значение К-фактора  превышает  300)
<a id="p101746"></a>                  редуктор;

<a id="p101747"></a>I.11.3.5.         системы передачи            мощности 848310900
<a id="p101748"></a>                  трансмиссионным  валом,   включающие
<a id="p101749"></a>                  компоненты из композитных материалов
<a id="p101750"></a>                  и  способные  осуществлять  передачу
<a id="p101751"></a>                  мощности большую чем 1 МВт

<a id="p101752"></a>I.11.4.           Движители с водяным винтом,  системы
<a id="p101753"></a>                  получения  и  передачи  энергии  для
<a id="p101754"></a>                  применения на судах

<a id="p101755"></a>I.11.4.1.         Гребные винты  регулируемого  шага и 848510900
<a id="p101756"></a>                  сборки ступицы  с  уровнем  передачи
<a id="p101757"></a>                  мощности более 30 МВт

<a id="p101758"></a>I.11.4.2.         Электрические двигатели   с  водяным 850134990
<a id="p101759"></a>                  внутренним  охлаждением  и  выходной
<a id="p101760"></a>                  мощностью выше 2,5 МВт

<a id="p101761"></a>I.11.4.3.         Магнитогидродинамические   движители 850120900
<a id="p101762"></a>                  выходной мощностью более 0,1  МВт  с
<a id="p101763"></a>                  применением сверхпроводимости

<a id="p101764"></a>I.11.4.4.         Системы передачи            мощности 848310900
<a id="p101765"></a>                  трансмиссионным  валом,   включающие
<a id="p101766"></a>                  компоненты     из     композиционных
<a id="p101767"></a>                  материалов и способные  осуществлять
<a id="p101768"></a>                  передачу мощности большую чем 2 МВт

<a id="p101769"></a>I.11.4.5.         Системы вентиляторных  (или  на базе 848510900
<a id="p101770"></a>                  вентиляторных)  винтов   с   уровнем
<a id="p101771"></a>                  передаваемой мощности более 2,5 МВт

<a id="p101772"></a>I.11.5.           Системы снижения шума для применения
<a id="p101773"></a>                  на судах  водоизмещением  1000  тонн
<a id="p101774"></a>                  или более

<a id="p101775"></a>I.11.5.1.         Системы снижения  шума,  уменьшающие 841229500
<a id="p101776"></a>                  уровень шума с частотой ниже 500 Гц,
<a id="p101777"></a>                  состоящие       из       компаундных
<a id="p101778"></a>                  акустических сборок для акустической
<a id="p101779"></a>                  изоляции    дизельных    двигателей,
<a id="p101780"></a>                  дизель-генераторных       установок,
<a id="p101781"></a>                  газовых     турбин,    газотурбинных
<a id="p101782"></a>                  генераторных установок, двигательных
<a id="p101783"></a>                  установок или редукторов, специально
<a id="p101784"></a>                  спроектированных  для  звуковой  или
<a id="p101785"></a>                  вибрационной    изоляции,    имеющие
<a id="p101786"></a>                  усредненную массу свыше 30% от массы
<a id="p101787"></a>                  всего монтируемого оборудования

<a id="p101788"></a>I.11.5.2.         Активные системы  снижения  шума или 841229500
<a id="p101789"></a>                  его  погашения,  или  подшипники  на
<a id="p101790"></a>                  магнитном     подвесе,    специально
<a id="p101791"></a>                  спроектированные     для      мощных
<a id="p101792"></a>                  трансмиссионных  систем,  включающие
<a id="p101793"></a>                  электронные   системы    управления,
<a id="p101794"></a>                  способные  активно  снижать вибрации
<a id="p101795"></a>                  оборудования генерацией  антишумовых
<a id="p101796"></a>                  или     антивибрационных    сигналов
<a id="p101797"></a>                  непосредственно у источника шума

<a id="p101798"></a>I.11.6.           Системы движения     на     струйном 841229500
<a id="p101799"></a>                  двигателе    с    уровнем   выходной
<a id="p101800"></a>                  мощности,   превышающим   2,5   МВт,
<a id="p101801"></a>                  использующие  отклоняющееся  сопло и
<a id="p101802"></a>                  технику     регулирования     потока
<a id="p101803"></a>                  лопаткой    (лопастью)    с    целью
<a id="p101804"></a>                  увеличения  эффективности  движителя
<a id="p101805"></a>                  или снижения генерируемых движителем
<a id="p101806"></a>                  и распространяемых под водой шумов

<a id="p101807"></a>I.11.7.           Морские газотурбинные  двигатели   с 841182910-
<a id="p101808"></a>                  эксплуатационной   мощностью  13,795 841182990
<a id="p101809"></a>                  кВт или более  и  удельным  расходом
<a id="p101810"></a>                  топлива  менее 0,243 кг/(кВт х ч), и
<a id="p101811"></a>                  специально разработанные агрегаты  и
<a id="p101812"></a>                  компоненты для таких двигателей
<a id="p101813"></a>                      Примечание.  Экспортный контроль
<a id="p101814"></a>                  не распространяется   на     морские
<a id="p101815"></a>                  газотурбинные двигатели, указанные в
<a id="p101816"></a>                  пункте I.11.7. и предназначенные для
<a id="p101817"></a>                  установки   на  гражданские  морские
<a id="p101818"></a>                  суда   для   невоенного    конечного
<a id="p101819"></a>                  применения,  только  в  том  случае,
<a id="p101820"></a>                  если  их  удельный  расход   топлива
<a id="p101821"></a>                  превышает  0,23 кг/(кВт х ч),  а  их
<a id="p101822"></a>                  уровень мощности меньше 20000 кВт

<a id="p101823"></a>I.11.8.           Специально разработанные агрегаты  и
<a id="p101824"></a>                  компоненты газотурбинных двигателей

<a id="p101825"></a>I.11.8.1.         Лопатки газовых турбин,  лопасти или 841199900
<a id="p101826"></a>                  верхние части венцов,  изготовленные
<a id="p101827"></a>                  методом  направленной кристаллизации
<a id="p101828"></a>                  и  предназначенные  для  работы  при
<a id="p101829"></a>                  температурах,   превышающих  1593  К
<a id="p101830"></a>                  (1320 С)

<a id="p101831"></a>I.11.8.2.         Лопатки газовой турбины, лопасти или 841199900
<a id="p101832"></a>                  верхняя    часть   венца   в   одном
<a id="p101833"></a>                  кристалле

<a id="p101834"></a>I.11.8.3.         Многокупольные камеры      сгорания, 811300900
<a id="p101835"></a>                  работающие  при средних температурах
<a id="p101836"></a>                  на  выходе  из  камеры,  равные  или
<a id="p101837"></a>                  свыше  1813 К (1540 С),  или  камеры
<a id="p101838"></a>                  сгорания,   содержащие    термически
<a id="p101839"></a>                  разделенные  теплозащитные элементы,
<a id="p101840"></a>                  неметаллические        теплозащитные
<a id="p101841"></a>                  элементы или неметаллические корпуса

<a id="p101842"></a>I.11.8.4.         Компоненты, изготовленные         из 841199900
<a id="p101843"></a>                  органических          композиционных
<a id="p101844"></a>                  материалов для температур применения
<a id="p101845"></a>                  свыше  588  К   (315   С)   или   из
<a id="p101846"></a>                  металлических              матричных
<a id="p101847"></a>                  композиционных,         керамических
<a id="p101848"></a>                  матричных,        интерметаллических
<a id="p101849"></a>                  материалов,   указанных   в  пунктах
<a id="p101850"></a>                  I.3.3. - I.3.3.2.

<a id="p101851"></a>I.11.8.5.         Неохлаждаемые турбинные     лопатки, 841199900
<a id="p101852"></a>                  лопасти,  верхние  части  венцов или
<a id="p101853"></a>                  другие компоненты,  спроектированные
<a id="p101854"></a>                  для   работы   в  газовом  потоке  с
<a id="p101855"></a>                  температурой  1323 К  (1050  С)  или
<a id="p101856"></a>                  выше

<a id="p101857"></a>I.11.8.6.         Охлаждаемые турбинные       лопатки, 841199900
<a id="p101858"></a>                  лопасти, верхние части венцов, кроме
<a id="p101859"></a>                  указанных   в  пунктах  I.11.8.1.  и
<a id="p101860"></a>                  I.11.8.2.,  работающие без  тепловой
<a id="p101861"></a>                  защиты  при  температуре газа 1643 К
<a id="p101862"></a>                  (1370 С) или выше

<a id="p101863"></a>I.11.8.7.         Комбинации лопасти с профилем  крыла 841199900
                  -   <a id="p101864"></a>диском   турбины,   использующие
<a id="p101865"></a>                  соединительные  элементы  в  твердом
<a id="p101866"></a>                  состоянии

<a id="p101867"></a>I.11.8.8.         Высокоресурсные          вращающиеся 841199900
<a id="p101868"></a>                  компоненты газотурбинного двигателя,
<a id="p101869"></a>                  использующие              материалы,
<a id="p101870"></a>                  изготовленные   методом   порошковой
<a id="p101871"></a>                  металлургии

<a id="p101872"></a>I.11.8.9.         Система                  автономного 903289
<a id="p101873"></a>                  электронно-цифрового контроллера для
<a id="p101874"></a>                  газотурбинных             двигателей
<a id="p101875"></a>                  комбинированного цикла,  относящееся
<a id="p101876"></a>                  к  ней диагностическое оборудование,
<a id="p101877"></a>                  датчики         и         специально
<a id="p101878"></a>                  спроектированные элементы

<a id="p101879"></a>I.11.8.10.        Системы управления        геометрией
<a id="p101880"></a>                  газового потока и системы управления
<a id="p101881"></a>                  в целом для:

<a id="p101882"></a>I.11.8.10.1.      газогенераторных турбин;             903289

<a id="p101883"></a>I.11.8.10.2.      вентиляторных или мощных турбин      903289
<a id="p101884"></a>                      Примечания: 1.           Системы
<a id="p101885"></a>                  управления    геометрией    газового
<a id="p101886"></a>                  потока  и системы управления в целом
<a id="p101887"></a>                  не  включают   выходные   поворотные
<a id="p101888"></a>                  лопатки,  вентиляторы  с  изменяемым
<a id="p101889"></a>                  шагом,   поворотные   статоры    или
<a id="p101890"></a>                  дренажные клапаны для компрессоров
                  2. <a id="p101891"></a>По    пунктам    I.11.8.10.1.   и
<a id="p101892"></a>                  I.11.8.10.2. не подлежат экспортному
<a id="p101893"></a>                  контролю      системы     управления
<a id="p101894"></a>                  геометрией     газового      потока,
<a id="p101895"></a>                  осуществляемого с целью реверса тяги

<a id="p101896"></a>I.11.8.11.        Системы управления   зазором   между 903289;
<a id="p101897"></a>                  венцом    и    лопатками     ротора, 903281900
<a id="p101898"></a>                  использующие   технологию   активной
<a id="p101899"></a>                  компенсации     зазора     турбинным
<a id="p101900"></a>                  кожухом,  ограниченную  базой данных
<a id="p101901"></a>                  проектирования и разработки

<a id="p101902"></a>I.11.8.12.        Газовые подшипники для сборок ротора 848299000
<a id="p101903"></a>                  газотурбинного двигателя

<a id="p101904"></a>I.11.8.13.        Пустотелые лопатки  с широкой хордой 841199900
<a id="p101905"></a>                  без межпролетного крепления


## <a id="p101906"></a>Раздел I.12. Лазеры и оптическое оборудование


<a id="p101907"></a>I.12.1.           Оптика

<a id="p101908"></a>I.12.1.1.         Оптические зеркала (отражатели)

<a id="p101909"></a>I.12.1.1.1.       Деформируемые зеркала с непрерывными 900290990
<a id="p101910"></a>                  либо  многоэлементными поверхностями
<a id="p101911"></a>                  и     специальными     компонентами,
<a id="p101912"></a>                  способными     динамически    менять
<a id="p101913"></a>                  расположение элементов поверхности с
<a id="p101914"></a>                  частотой свыше 100 Гц

<a id="p101915"></a>I.12.1.1.2.       Сверхлегкие монолитные  зеркала   со 900290990
<a id="p101916"></a>                  средней   эквивалентной   плотностью
<a id="p101917"></a>                  менее 30 кг/кв. м и суммарной массой
<a id="p101918"></a>                  более 10 кг

<a id="p101919"></a>I.12.1.1.3.       Сверхлегкие составные   или   пенные 900290990
<a id="p101920"></a>                  зеркальные   спуктуры   со   средней
<a id="p101921"></a>                  эквивалентной  плотностью  менее  30
<a id="p101922"></a>                  кг/кв.  м и суммарной массой более 2
<a id="p101923"></a>                  кг

<a id="p101924"></a>I.12.1.1.4.       Зеркала диаметром   или   с   длиной 900290990
<a id="p101925"></a>                  большей  оси  более  100  мм   и   с
<a id="p101926"></a>                  управлением  лучом  в  полосе частот
<a id="p101927"></a>                  более 100 Гц

<a id="p101928"></a>I.12.1.2.         Оптические компоненты   из  селенида
<a id="p101929"></a>                  цинка  (ZnSe)  или  сульфида   цинка
<a id="p101930"></a>                  (ZnS)  с  передачей в диапазоне длин
<a id="p101931"></a>                  волн свыше  3000  нм,  но  не  более
<a id="p101932"></a>                  25000 нм,  имеющие одну из следующих
<a id="p101933"></a>                  характеристик:

<a id="p101934"></a>I.12.1.2.1.       объем более 100 куб. см;             900190900

<a id="p101935"></a>I.12.1.2.2.       диаметр или  длина большей оси более 900190900
<a id="p101936"></a>                  80 мм и толщина (глубина)  20  мм  и
<a id="p101937"></a>                  более

<a id="p101938"></a>I.12.1.3.         Компоненты оптических   систем   для
<a id="p101939"></a>                  космических применений:

<a id="p101940"></a>                  эквивалентной плотностью  менее  чем
<a id="p101941"></a>                  20%  по  сравнению  с твердотельными
<a id="p101942"></a>                  пластинами   той   же   апертуры   и
<a id="p101943"></a>                  толщины;

<a id="p101944"></a>I.12.1.3.2.       подложки с  поверхностным  покрытием 900190900
<a id="p101945"></a>                  (однослойным,          многослойным,
<a id="p101946"></a>                  металлическим  или  диэлектрическим,
<a id="p101947"></a>                  проводящим,    полупроводящим    или
<a id="p101948"></a>                  изолирующим)    или    подложки    с
<a id="p101949"></a>                  защитными пленками;

<a id="p101950"></a>I.12.1.3.3.       сегменты или   узлы    зеркал    для 900290990
<a id="p101951"></a>                  установки  в  космосе  в  оптические
<a id="p101952"></a>                  системы    с    общей     апертурой,
<a id="p101953"></a>                  эквивалентной или большей 1 м;

<a id="p101954"></a>I.12.1.3.4.       компоненты оптических        систем, 900390000
<a id="p101955"></a>                  изготовленные     из     композитных
<a id="p101956"></a>                  материалов,     с      коэффициентом
<a id="p101957"></a>                  линейного    теплового   расширения,
<a id="p101958"></a>                  равным   или   меньшим   5x10E-6   в
<a id="p101959"></a>                  направлении любой координаты

<a id="p101960"></a>I.12.1.4.         Оптические фильтры

<a id="p101961"></a>I.12.1.4.1.       оптические фильтры  для  длин   волн 900220900
<a id="p101962"></a>                  более     250     нм,     включающие
<a id="p101963"></a>                  многослойные оптические  покрытия  и
<a id="p101964"></a>                  имеющие    полосу   пропускания   до
<a id="p101965"></a>                  половинной  интенсивности  до  1  нм
<a id="p101966"></a>                  включительно  и пиковую передачу 90%
<a id="p101967"></a>                  и более,  или полосу пропускания  до
<a id="p101968"></a>                  0,1   нм   включительно   и  пиковую
<a id="p101969"></a>                  передачу 50% и более
<a id="p101970"></a>                      Примечание.  Экспортный контроль
<a id="p101971"></a>                  по     пункту        I.12.1.4.1.  не
<a id="p101972"></a>                  распространяется на       оптические
<a id="p101973"></a>                  фильтры   с   постоянным   воздушным
<a id="p101974"></a>                  зазором  или фильтры типа Лио

<a id="p101975"></a>I.12.1.4.2.       Оптические фильтры  для  длин   волн 900220900
<a id="p101976"></a>                  более      250      нм,      имеющие
<a id="p101977"></a>                  настраиваемость    в    спектральном
<a id="p101978"></a>                  диапазоне 500 нм и более, мгновенную
<a id="p101979"></a>                  полосу  пропускания  1,25   нм   или
<a id="p101980"></a>                  менее,  установку в течение 0,1 мс с
<a id="p101981"></a>                  точностью 1 нм или лучше в  пределах
<a id="p101982"></a>                  перестраиваемого       спектрального
<a id="p101983"></a>                  диапазона,  однопиковый  коэффициент
<a id="p101984"></a>                  пропускания 91% или более

<a id="p101985"></a>I.12.1.4.3.       Оптические переключатели          на 900220900
<a id="p101986"></a>                  конденсаторах   (фильтры)   с  полем
<a id="p101987"></a>                  обзора 30 град. или шире и  временем
<a id="p101988"></a>                  отклика, равным или менее 1 нс

<a id="p101989"></a>I.12.1.5.         Аппаратура оптического контроля

<a id="p101990"></a>I.12.1.5.1.       Аппаратура, специально разработанная 903140000;
<a id="p101991"></a>                  для обеспечения качества поверхности 903289900
<a id="p101992"></a>                  или       ориентации      оптических
<a id="p101993"></a>                  компонентов,  указанных  в   пунктах
<a id="p101994"></a>                  I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3.

<a id="p101995"></a>I.12.1.5.2.       Аппаратура, имеющая      управление, 903140000;
<a id="p101996"></a>                  слежение,      стабилизацию      или 903289900
<a id="p101997"></a>                  подстройку  резонатора   с   полосой
<a id="p101998"></a>                  частот,  равной или более 100 Гц,  и
<a id="p101999"></a>                  погрешностью 10 мкрад или менее

<a id="p102000"></a>I.12.1.5.3.       Кардановые подвесы  с   максимальным
<a id="p102001"></a>                  углом   поворота    5 град., шириной
<a id="p102002"></a>                  полосы      частот   более  100  Гц,
<a id="p102003"></a>                  обладающие     любой   из  следующих
<a id="p102004"></a>                  характеристик:

<a id="p102005"></a>I.12.1.5.3.1.     диаметр или  длина большей оси более  903289900
<a id="p102006"></a>                  0,15   м,   но   не   более   1   м,
<a id="p102007"></a>                  чувствительность      к      угловым
<a id="p102008"></a>                  ускорениям   более   2  рад/(с х с),
<a id="p102009"></a>                  погрешность  углового  наведения 200
<a id="p102010"></a>                  мкрад или менее;

<a id="p102011"></a>I.12.1.5.3.2.     специально разработанные         для 903289900
<a id="p102012"></a>                  юстировки фазированных  решеток  или
<a id="p102013"></a>                  фазированных    систем    сегментных
<a id="p102014"></a>                  зеркал,  состоящих   из   зеркал   с
<a id="p102015"></a>                  диаметром  сегмента  или его большей
<a id="p102016"></a>                  полуоси 1 м  или  более,  обладающие
<a id="p102017"></a>                  чувствительностью      к     угловым
<a id="p102018"></a>                  ускорениям  более 0,5 рад/(с х с)  и
<a id="p102019"></a>                  погрешностью  углового наведения 200
<a id="p102020"></a>                  мкрад или менее

<a id="p102021"></a>I.12.1.6.         Аппаратура для измерения абсолютного 903140000
<a id="p102022"></a>                  значения отражательной способности с
<a id="p102023"></a>                  погрешностью +-0,1% или менее

<a id="p102024"></a>I.12.2.           Оптические датчики

<a id="p102025"></a>I.12.2.1.         Оптические детекторы
<a id="p102026"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p102027"></a>                  по пунктам I.12.2.1. -   I.12.2.1.4.
<a id="p102028"></a>                  не распространяется  на  германиевые
<a id="p102029"></a>                  или кремниевые фотодиоды

<a id="p102030"></a>I.12.2.1.1.       Оптические детекторы             для
<a id="p102031"></a>                  использования   в   космосе  в  виде
<a id="p102032"></a>                  единичного   элемента,   линейки   в
<a id="p102033"></a>                  фокальной    плоскости    или   двух
<a id="p102034"></a>                  двумерных элементов, имеющие:

<a id="p102035"></a>I.12.2.1.1.1.     групповой отклик   на   длине  волны 854140990
<a id="p102036"></a>                  короче 300 нм и  отклик  менее  0,1%
<a id="p102037"></a>                  относительно   пикового  отклика  на
<a id="p102038"></a>                  длине волны свыше 400 нм;

<a id="p102039"></a>I.12.2.1.1.2.     пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990
<a id="p102040"></a>                  свыше 900 нм, но не более 1200 нм, и
<a id="p102041"></a>                  постоянную времени отклика 95 нс или
<a id="p102042"></a>                  менее;

<a id="p102043"></a>I.12.2.1.1.3.     пиковый отклик в диапазоне длин волн 854140990
<a id="p102044"></a>                  более 1200 нм, но не свыше 30000 нм

<a id="p102045"></a>I.12.2.1.2.       Электронно-оптические      усилители
<a id="p102046"></a>                  яркости и специальные компоненты

<a id="p102047"></a>I.12.2.1.2.1.     Электронно-оптические      усилители 854140990;
<a id="p102048"></a>                  яркости,  имеющие пиковый  отклик  в 901380000
<a id="p102049"></a>                  диапазоне длин волн свыше 400 нм, но
<a id="p102050"></a>                  не  более  1050  нм,  микроканальный
<a id="p102051"></a>                  анод   для   электронного  усилителя
<a id="p102052"></a>                  изображения   с   шагом    отверстий
<a id="p102053"></a>                  (расстоянием  между  центрами) менее
<a id="p102054"></a>                  25  мкм  и  фотокатоды  S-20,  S-25,
<a id="p102055"></a>                  многощелевой      фотокатод      или
<a id="p102056"></a>                  фотокатоды из GaAs или GaInAs

<a id="p102057"></a>I.12.2.1.2.2.     Специально разработанные  компоненты
<a id="p102058"></a>                  для электронно-оптических усилителей
<a id="p102059"></a>                  яркости:

<a id="p102060"></a>I.12.2.1.2.2.1.   оптоволоконные инверторы;            854140990;
<a id="p102061"></a>                                                       901380000
<a id="p102062"></a>I.12.2.1.2.2.2.   микроканальные аноды,  имеющие 15000 854140990
<a id="p102063"></a>                  или более ламп с тлеющим разрядом на
<a id="p102064"></a>                  плате и  шаг  отверстий  (расстояние
<a id="p102065"></a>                  между центрами) менее 25 мкм;

<a id="p102066"></a>I.12.2.1.2.2.3.   фотокатоды из GaAs или GaInAs        854140990

<a id="p102067"></a>I.12.2.1.3.       Неэквидистантные линейные        или 854140910;
<a id="p102068"></a>                  двумерные    матрицы   в   фокальной 854140990
<a id="p102069"></a>                  плоскости  с  одной   из   следующих
<a id="p102070"></a>                  характеристик:
<a id="p102071"></a>                      Примечания: 1. Пункт I.12.2.1.3.
<a id="p102072"></a>                  включает  матрицы фотопроводимости и
<a id="p102073"></a>                  солнечных  батарей   2.   Экспортный
<a id="p102074"></a>                  контроль  по  пункту I.12.2.1.3.  не
<a id="p102075"></a>                  распространяется    на    кремниевые
<a id="p102076"></a>                  матрицы   в   фокальной   плоскости,
<a id="p102077"></a>                  многоэлементные   (не    более    16
<a id="p102078"></a>                  элементов) фотопроводящие элементы в
<a id="p102079"></a>                  оболочке    или    пироэлектрические
<a id="p102080"></a>                  детекторы,   использующие  любой  из
<a id="p102081"></a>                  следующих материалов:
<a id="p102082"></a>                  сульфид свинца;
<a id="p102083"></a>                  сульфат триглицерина      и      его
<a id="p102084"></a>                  разновидности;
<a id="p102085"></a>                  титанат циркония-лантана-свинца    и
<a id="p102086"></a>                  его разновидности;
<a id="p102087"></a>                  танталат лития;
<a id="p102088"></a>                  фторид поливинилидена      и     его
<a id="p102089"></a>                  разновидности;
<a id="p102090"></a>                  ниобат бария-стронция      и     его
<a id="p102091"></a>                  варианты; селенид свинца

<a id="p102092"></a>I.12.2.1.3.1.     имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
<a id="p102093"></a>                  откликом  в  пределах диапазона волн 854140990
<a id="p102094"></a>                  свыше 900 нм, но не более 1050 нм, и
<a id="p102095"></a>                  постоянной времени отклика менее 0,5
<a id="p102096"></a>                  нс;

<a id="p102097"></a>I.12.2.1.3.2.     имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
<a id="p102098"></a>                  откликом в пределах  диапазона  волн 854140900
<a id="p102099"></a>                  свыше 1050 нм,  но не более 1200 нм,
<a id="p102100"></a>                  и  постоянной  времени  95  нс   или
<a id="p102101"></a>                  меньше;

<a id="p102102"></a>I.12.2.1.3.3.     имеющие отдельные элементы с пиковым 854140910;
<a id="p102103"></a>                  откликом  в  пределах диапазона волн 854140900
<a id="p102104"></a>                  свыше 1200 нм, но не более 30000 нм

<a id="p102105"></a>I.12.2.1.4.       Одиночные или        многоэлементные 854140930
<a id="p102106"></a>                  полупроводниковые   фотодиоды    или
<a id="p102107"></a>                  фототранзисторы     вне    фокальной
<a id="p102108"></a>                  плоскости  с  пиковым  откликом   на
<a id="p102109"></a>                  длине   волны   более   16200  нм  и
<a id="p102110"></a>                  постоянной времени  отклика  0,5  нс
<a id="p102111"></a>                  или  менее,  не  предназначенные для
<a id="p102112"></a>                  космических применений

<a id="p102113"></a>I.12.2.2.         Многоспектральные      формирователи
<a id="p102114"></a>                  изображений   для    применения    в
<a id="p102115"></a>                  дистанционном зондировании,  имеющие
<a id="p102116"></a>                  любую из следующих характеристик:

<a id="p102117"></a>I.12.2.2.1.       мгновенное поле   обзора  менее  200 854089900
<a id="p102118"></a>                  мкрад;

<a id="p102119"></a>I.12.2.2.2.       специально сконструированные     для 854089900
<a id="p102120"></a>                  работы  в  диапазоне длин волн свыше
<a id="p102121"></a>                  400  нм,  но  не  более  30000   нм,
<a id="p102122"></a>                  обеспечивающие данные изображения на
<a id="p102123"></a>                  выходе   в   цифровом   формате    с
<a id="p102124"></a>                  использованием детекторов,  отличных
<a id="p102125"></a>                  от кремниевых, и предназначенные для
<a id="p102126"></a>                  космического   применения   или  для
<a id="p102127"></a>                  воздушного базирования

<a id="p102128"></a>I.12.2.3.         Аппаратура формирования  изображений
<a id="p102129"></a>                  непосредственного    наблюдения    в
<a id="p102130"></a>                  видимом  или инфракрасном диапазоне,
<a id="p102131"></a>                  включающая   одно    из    следующих
<a id="p102132"></a>                  устройств:

<a id="p102133"></a>I.12.2.3.1.       электронно-оптические                854020300;
<a id="p102134"></a>                  преобразователи для усиления яркости 854099000
<a id="p102135"></a>                  изображения,  указанные   в   пункте
<a id="p102136"></a>                  I.12.2.1.2.;

<a id="p102137"></a>I.12.2.3.2.       матрицы в    фокальной    плоскости, 854099000
<a id="p102138"></a>                  указанные в пункте I.12.2.1.3.
<a id="p102139"></a>                      Примечания: 1.            Термин
<a id="p102140"></a>                  "непосредственное        наблюдение"
<a id="p102141"></a>                  относится   к  аппаратуре  получения
<a id="p102142"></a>                  изображений в видимой и инфракрасной
<a id="p102143"></a>                  части    спектра,    которая    дает
<a id="p102144"></a>                  наблюдателю видимое изображение  без
<a id="p102145"></a>                  преобразования  в электронный сигнал
<a id="p102146"></a>                  телевизионного    дисплея    и    не
<a id="p102147"></a>                  обеспечивает   записи  или  хранения
<a id="p102148"></a>                  изображения          фотографическим
<a id="p102149"></a>                  электронным   или   каким-либо   еще
<a id="p102150"></a>                  способом
                  2. <a id="p102151"></a>Экспортный   контроль  по  пункту
<a id="p102152"></a>                  I.12.2.3.2.  не распространяется  на
<a id="p102153"></a>                  следующую аппаратуру с фотокатодами,
<a id="p102154"></a>                  отличными от фотокатодов на GaAs или
<a id="p102155"></a>                  GaInAs:
<a id="p102156"></a>                  промышленные или гражданские датчики
<a id="p102157"></a>                  охраны,  системы  учета или контроля
<a id="p102158"></a>                  дорожного   или    производственного
<a id="p102159"></a>                  движения;
<a id="p102160"></a>                  медицинская аппаратура;
<a id="p102161"></a>                  промышленная аппаратура          для
<a id="p102162"></a>                  контроля,   анализа  или  сортировки
<a id="p102163"></a>                  материалов;
<a id="p102164"></a>                  детекторы пламени  для  промышленных
<a id="p102165"></a>                  печей;
<a id="p102166"></a>                  аппаратура, специально разработанная
<a id="p102167"></a>                  для промышленного использования

<a id="p102168"></a>I.12.2.4.         Специализированные компоненты    для
<a id="p102169"></a>                  оптических датчиков:

<a id="p102170"></a>I.12.2.4.1.       космического применения с криогенным 901380000;
<a id="p102171"></a>                  охлаждением                          901390000

<a id="p102172"></a>I.12.2.4.2.       не космического     применения     с 901380000;
<a id="p102173"></a>                  криогенным охлаждением               901390000

<a id="p102174"></a>I.12.2.4.2.1.     замкнутого цикла со средним временем 901380000;
<a id="p102175"></a>                  наработки   на   отказ  или  средним 901390000
<a id="p102176"></a>                  временем между отказами  свыше  2500
<a id="p102177"></a>                  ч;

<a id="p102178"></a>I.12.2.4.2.2.     саморегулирующиеся        охладители 901380000;
<a id="p102179"></a>                  Джоуля-Томсона с диаметром отверстия 901390000
<a id="p102180"></a>                  менее 8 мм

<a id="p102181"></a>I.12.2.5.         Оптоволоконные датчики:

<a id="p102182"></a>I.12.2.5.1.       специально             изготовленные 900190900;
<a id="p102183"></a>                  композиционно  или  структурно,  или 901380000
<a id="p102184"></a>                  модифицированные путем  покрытия,  с
<a id="p102185"></a>                  чувствительностью   к  акустическим,
<a id="p102186"></a>                  термическим,            инерционным,
<a id="p102187"></a>                  электромагнитным     или     ядерным
<a id="p102188"></a>                  эффектам;

<a id="p102189"></a>I.12.2.5.2.       модифицированные структурно      для 900190900;
<a id="p102190"></a>                  достижения длины биений менее чем 50 901380000
<a id="p102191"></a>                  мм (наибольшее двулучепреломление)

<a id="p102192"></a>I.12.3.           Камеры

<a id="p102193"></a>I.12.3.1.         Инструментальные камеры

<a id="p102194"></a>I.12.3.1.1.       Высокоскоростные        записывающие 900711000;
<a id="p102195"></a>                  кинокамеры  с  любым форматом пленки 900719000
<a id="p102196"></a>                  от 8 мм до  46  мм  включительно,  в
<a id="p102197"></a>                  которых  пленка  движется в процессе
<a id="p102198"></a>                  записи  и  в  которых  запись  может
<a id="p102199"></a>                  производиться   со  скоростью  свыше
<a id="p102200"></a>                  13150 кадров в секунду
<a id="p102201"></a>                      Примечание.  Экспортный контроль
<a id="p102202"></a>                  по     пункту        I.12.3.1.1.  не
<a id="p102203"></a>                  распространяется на   кинокамеры для
<a id="p102204"></a>                  гражданских целей

<a id="p102205"></a>I.12.3.1.2.       Механические        высокоскоростные 900719000
<a id="p102206"></a>                  камеры,    в   которых   пленка   не
<a id="p102207"></a>                  движется,  способные вести запись со
<a id="p102208"></a>                  скоростью   свыше   10E6   кадров  в
<a id="p102209"></a>                  секунду для пленки  шириной  35  мм,
<a id="p102210"></a>                  или    для   пропорционально   более
<a id="p102211"></a>                  высоких   скоростей   более    узкой
<a id="p102212"></a>                  пленки,   или   для  пропорционально
<a id="p102213"></a>                  меньших  скоростей   более   широкой
<a id="p102214"></a>                  пленки

<a id="p102215"></a>I.12.3.1.3.       Механические или         электронные 900719000
<a id="p102216"></a>                  камеры-фотохронографы  со  скоростью
<a id="p102217"></a>                  записи свыше 10 мм/мкс

<a id="p102218"></a>I.12.3.1.4.       Электронная кадровая    камера    со 900719000
<a id="p102219"></a>                  скоростью   свыше   10E6   кадров  в
<a id="p102220"></a>                  секунду

<a id="p102221"></a>I.12.3.1.5.       Электронные камеры, имеющие скорость 900719000
<a id="p102222"></a>                  электронного    затвора    (скорость
<a id="p102223"></a>                  стробирования) менее 1 мкс на полный
<a id="p102224"></a>                  кадр и время считывания, позволяющие
<a id="p102225"></a>                  получать более чем 125 полных кадров
<a id="p102226"></a>                  в секунду

<a id="p102227"></a>I.12.3.2.         Камеры для                 получения
<a id="p102228"></a>                  видеоизображений
<a id="p102229"></a>                      Примечание.  Экспортный контроль
<a id="p102230"></a>                  по       пункту     I.12.3.2.     не
<a id="p102231"></a>                  распространяется   на  телевизионные
<a id="p102232"></a>                  и   видеокамеры  для телевидения

<a id="p102233"></a>I.12.3.2.1.       Видеокамеры,              включающие 852190000
<a id="p102234"></a>                  твердотельные         чувствительные
<a id="p102235"></a>                  элементы,  имеющие одну из следующих
<a id="p102236"></a>                  характеристик:
<a id="p102237"></a>                  более 4x10E6  активных  пикселей  на 852190000
<a id="p102238"></a>                  твердотельную      матрицу       для
<a id="p102239"></a>                  монохромной (черно-белой) камеры;
<a id="p102240"></a>                  более 4x10E6  активных  пикселей  на
<a id="p102241"></a>                  твердотельной  матрице  для  цветных 852190000
<a id="p102242"></a>                  камер   с    тремя    твердотельными
<a id="p102243"></a>                  матрицами;
<a id="p102244"></a>                  более 12x10E6 активных пикселей  для
<a id="p102245"></a>                  цветных  камер с одной твердотельной 852190000
<a id="p102246"></a>                  матрицей;

<a id="p102247"></a>I.12.3.2.2.       Сканирующие камеры     и     системы 852190000
<a id="p102248"></a>                  сканирующих    камер,     включающие
<a id="p102249"></a>                  линейную  решетку детекторов с более
<a id="p102250"></a>                  чем 8192 элементами на решетке,  и с
<a id="p102251"></a>                  механическим  сканированием  в одном
<a id="p102252"></a>                  направлении

<a id="p102253"></a>I.12.3.2.3.       Камеры для                 получения 852190000
<a id="p102254"></a>                  видеоизображения,         включающие
<a id="p102255"></a>                  преобразователь для усиления яркости
<a id="p102256"></a>                  изображения,  указанный   в   пункте
<a id="p102257"></a>                  I.12.2.1.2.1.

<a id="p102258"></a>I.12.3.2.4.       Камеры для                 получения 852190000
<a id="p102259"></a>                  видеоизображения, включающие матрицы
<a id="p102260"></a>                  в  фокальной плоскости,  указанные в
<a id="p102261"></a>                  пункте I.12.2.1.3.

<a id="p102262"></a>I.12.4.           Лазеры, компоненты,       оптическое
<a id="p102263"></a>                  оборудование для них
<a id="p102264"></a>                      Примечания: 1. Импульсные лазеры
<a id="p102265"></a>                  включают      лазеры,  работающие  в
<a id="p102266"></a>                  непрерывном   режиме  с   наложением
<a id="p102267"></a>                  импульса
                  2. <a id="p102268"></a>Лазеры   импульсного  возбуждения
<a id="p102269"></a>                  включают лазеры, работающие в режиме
<a id="p102270"></a>                  непрерывного      возбуждения      с
<a id="p102271"></a>                  наложением импульса
                  3. <a id="p102272"></a>Статус    экспортного    контроля
<a id="p102273"></a>                  рамановского   лазера   определяется
<a id="p102274"></a>                  параметрами     лазера     источника
<a id="p102275"></a>                  накачки.  Лазеры  источника  накачки
<a id="p102276"></a>                  могут быть любыми из ниже описанных

<a id="p102277"></a>I.12.4.1.         Газовые лазеры

<a id="p102278"></a>I.12.4.1.1.       Эксимерные лазеры,  имеющие  одну из
<a id="p102279"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p102280"></a>I.12.4.1.1.1.     длину волны выходного излучения,  не 901320000
<a id="p102281"></a>                  превышающую 150 нм, выходную энергию
<a id="p102282"></a>                  более 50 мДж на импульс или среднюю,
<a id="p102283"></a>                  или непрерывную мощность более 1 Вт;

<a id="p102284"></a>I.12.4.1.1.2.     длину волны   выходного    излучения 901320000
<a id="p102285"></a>                  более 150 нм,  но не превышающую 190
<a id="p102286"></a>                  нм,  выходную  энергию  на  импульс,
<a id="p102287"></a>                  превышающую 1,5 Дж или среднюю,  или
<a id="p102288"></a>                  непрерывную  мощность,   превышающую
<a id="p102289"></a>                  120 Вт;

<a id="p102290"></a>I.12.4.1.1.3.     длину волны   выходного   излучения, 901320000
<a id="p102291"></a>                  превышающую 190 нм,  но не более 360
<a id="p102292"></a>                  нм,  выходную  энергию  на  импульс,
<a id="p102293"></a>                  превышающую  10 Дж или среднюю,  или
<a id="p102294"></a>                  непрерывную    выходную    мощность,
<a id="p102295"></a>                  превышающую 500 Вт;

<a id="p102296"></a>I.12.4.1.1.4.     длину волны   выходного   излучения, 901320000
<a id="p102297"></a>                  превышающую 369 нм, выходную энергию
<a id="p102298"></a>                  на импульс,  превышающую 1,5 Дж  или
<a id="p102299"></a>                  среднюю,  или  непрерывную  выходную
<a id="p102300"></a>                  мощность более 30 Вт

<a id="p102301"></a>I.12.4.1.2.       Лазеры на парах металлов:

<a id="p102302"></a>I.12.4.1.2.1.     медные (Cu) лазеры  со  средней  или 901320000
<a id="p102303"></a>                  непрерывной выходной мощностью более
<a id="p102304"></a>                  20 Вт;

<a id="p102305"></a>I.12.4.1.2.2.     золотые (Au)  лазеры  со средней или 901320000
<a id="p102306"></a>                  непрерывной выходной мощностью более
<a id="p102307"></a>                  5 Вт;

<a id="p102308"></a>I.12.4.1.2.3.     натриевые (Na)  лазеры  с   выходной 901320000
<a id="p102309"></a>                  мощностью более 5 Вт;

<a id="p102310"></a>I.12.4.1.2.4.     бариевые (Ba)  лазеры со средней или 901320000
<a id="p102311"></a>                  непрерывной выходной мощностью более
<a id="p102312"></a>                  2 Вт

<a id="p102313"></a>I.12.4.1.3.       Лазеры на моноокиси углерода (CO) с:

<a id="p102314"></a>I.12.4.1.3.1.     выходной энергией   более  2  Дж  на 901320000
<a id="p102315"></a>                  импульс   и    импульсной    пиковой
<a id="p102316"></a>                  мощностью более 5 кВт;

<a id="p102317"></a>I.12.4.1.3.2.     средней или   непрерывной   выходной 901320000
<a id="p102318"></a>                  мощностью более 5 кВт

<a id="p102319"></a>I.12.4.1.4.       Лазеры на двуокиси углерода (CO2) с:

<a id="p102320"></a>I.12.4.1.4.1.     непрерывной выходной мощностью более 901320000
<a id="p102321"></a>                  10 кВт;

<a id="p102322"></a>I.12.4.1.4.2.     импульсным излучением              с 901320000
<a id="p102323"></a>                  длительностью импульса более 10 мкс,
<a id="p102324"></a>                  средней выходной мощностью свыше  10
<a id="p102325"></a>                  кВт или импульсной пиковой мощностью
<a id="p102326"></a>                  более 100 кВт;

<a id="p102327"></a>I.12.4.1.4.3.     импульсным излучением              с
<a id="p102328"></a>                  длительностью импульса,  равным  или
<a id="p102329"></a>                  менее   10  мкс,  энергией  импульса
<a id="p102330"></a>                  более  5  Дж,   импульсной   пиковой
<a id="p102331"></a>                  мощностью свыше 2,5 кВт или средней,
<a id="p102332"></a>                  или непрерывной  выходной  мощностью
<a id="p102333"></a>                  более 2,5 кВт

<a id="p102334"></a>I.12.4.1.5.       Химические лазеры:

<a id="p102335"></a>I.12.4.1.5.1.     водородно-фторовые (HF) лазеры;      901320000

<a id="p102336"></a>I.12.4.1.5.2.     дейтерий-фторовые (DF) лазеры;       901320000

<a id="p102337"></a>I.12.4.1.5.3.     переходные лазеры:

<a id="p102338"></a>I.12.4.1.5.3.1.   кислородно-иодовые лазеры (O2-I);    901320000

<a id="p102339"></a>I.12.4.1.5.3.2.   дейтерий-фторовые-двуокись           901320000
<a id="p102340"></a>                  углеродные (DF-CO2) лазеры

<a id="p102341"></a>I.12.4.1.6.       Газоразрядные ионные   лазеры    (на
<a id="p102342"></a>                  ионах криптона или аргона), имеющие:

<a id="p102343"></a>I.12.4.1.6.1.     выходную энергию  более  1,5  Дж  на 901320000
<a id="p102344"></a>                  импульс    и    импульсную   пиковую
<a id="p102345"></a>                  мощность более 50 Вт;

<a id="p102346"></a>I.12.4.1.6.2.     среднюю или   непрерывную   мощность 901320000
<a id="p102347"></a>                  более 50 Вт;

<a id="p102348"></a>I.12.4.1.7.       Другие газовые       лазеры,      за
<a id="p102349"></a>                  исключением азотных лазеров с:

<a id="p102350"></a>I.12.4.1.7.1.     длиной волны выходного излучения  не 901320000
<a id="p102351"></a>                  более  150 нм,  выходной энергией на
<a id="p102352"></a>                  импульс  свыше  50  мДж,  импульсной
<a id="p102353"></a>                  пиковой  мощностью  более  1  Вт или
<a id="p102354"></a>                  средней,  или  непрерывной  выходной
<a id="p102355"></a>                  мощностью более 1 Вт;

<a id="p102356"></a>I.12.4.1.7.2.     длиной волны   выходного   излучения 901320000
<a id="p102357"></a>                  более  150  нм,  но не более 800 нм,
<a id="p102358"></a>                  выходной энергией более  1,5  Дж  на
<a id="p102359"></a>                  импульс,      импульсной     пиковой
<a id="p102360"></a>                  мощностью более 30 Вт  или  средней,
<a id="p102361"></a>                  или  непрерывной  выходной мощностью
<a id="p102362"></a>                  более 30 Вт;

<a id="p102363"></a>I.12.4.1.7.3.     длиной волны   выходного   излучения 901320000
<a id="p102364"></a>                  более 800 нм,  но не более  1400  нм
<a id="p102365"></a>                  выходной  энергией  на импульс более
<a id="p102366"></a>                  0,25 Дж импульсной пиковой мощностью
<a id="p102367"></a>                  более   10   Вт   или  средней,  или
<a id="p102368"></a>                  непрерывной выходной мощностью более
<a id="p102369"></a>                  10 Вт;

<a id="p102370"></a>I.12.4.1.7.4.     длиной волны   выходного   излучения 901320000
<a id="p102371"></a>                  свыше   1400   нм   и   средней  или
<a id="p102372"></a>                  непрерывной мощностью более 1 Вт

<a id="p102373"></a>I.12.4.2.         Полупроводниковые лазеры
<a id="p102374"></a>                      Примечания: 1. Полупроводниковые
<a id="p102375"></a>                  лазеры  обычно  называются лазерными
<a id="p102376"></a>                  диодами
                  2. <a id="p102377"></a>Статус    экспортного    контроля
<a id="p102378"></a>                  полупроводниковых           лазеров,
<a id="p102379"></a>                  специально разработанных для  другой
<a id="p102380"></a>                  аппаратуры, определяется    статусом
<a id="p102381"></a>                  этой аппаратуры

<a id="p102382"></a>I.12.4.2.1.       Отдельные          полупроводниковые 901320000
<a id="p102383"></a>                  одномодовые  лазеры   с   поперечной
<a id="p102384"></a>                  модой,   имеющие   среднюю  выходную
<a id="p102385"></a>                  мощность свыше  100  мВт  или  длину
<a id="p102386"></a>                  волны более 1050 нм

<a id="p102387"></a>I.12.4.2.2.       Отдельные          полупроводниковые
<a id="p102388"></a>                  многомодовые  лазеры  с  поперечными
<a id="p102389"></a>                  модами, или массивы лазеров с:

<a id="p102390"></a>I.12.4.2.2.1.     выходной энергией  более 500 мкДж на 901320000
<a id="p102391"></a>                  импульс-импульсной пиковой мощностью
<a id="p102392"></a>                  свыше 10 Вт;

<a id="p102393"></a>I.12.4.2.2.2.     средней или   непрерывной   выходной 901320000
<a id="p102394"></a>                  мощностью свыше 10 Вт;

<a id="p102395"></a>I.12.4.2.2.3.     длиной волны более 1050 нм           901320000

<a id="p102396"></a>I.12.4.3.         Твердотельные лазеры

<a id="p102397"></a>I.12.4.3.1.       Перестраиваемые        твердотельные
<a id="p102398"></a>                  лазеры,       имеющие      следующие
<a id="p102399"></a>                  характеристики:
<a id="p102400"></a>                      Примечание.    Пункт I.12.4.3.1.
<a id="p102401"></a>                  включает         титаново-сапфировые
<a id="p102402"></a>                  (Ti:Al2O3),   туллий-YA     (Tm:YA),
<a id="p102403"></a>                  туллий-YS     (Tm:YS),   александрит
<a id="p102404"></a>                  (Cr:BeAl2O4)       лазеры и лазеры с
<a id="p102405"></a>                  окрашенным центром

<a id="p102406"></a>I.12.4.3.1.1.     длина волны  излучения менее 600 нм, 901320000
<a id="p102407"></a>                  выходная энергия  более  50  мДж  на
<a id="p102408"></a>                  импульс, импульсная пиковая мощность
<a id="p102409"></a>                  более  1   Вт   или   средняя,   или
<a id="p102410"></a>                  непрерывная  выходная мощность более
<a id="p102411"></a>                  1 Вт;

<a id="p102412"></a>I.12.4.3.1.2.     длина волны 600 нм или более,  но не 901320000
<a id="p102413"></a>                  более   1400  нм,  выходная  энергия
<a id="p102414"></a>                  более 1 Дж  в  импульсе,  импульсная
<a id="p102415"></a>                  пиковая  мощность  свыше  20  Вт или
<a id="p102416"></a>                  средняя,  или  непрерывная  выходная
<a id="p102417"></a>                  мощность свыше 20 Вт;

<a id="p102418"></a>I.12.4.3.1.3.     длина волны   выходного    излучения 901320000
<a id="p102419"></a>                  более   1400  нм,  выходная  энергия
<a id="p102420"></a>                  свыше 50 мДж на импульс,  импульсная
<a id="p102421"></a>                  пиковая  мощность  более  1  Вт  или
<a id="p102422"></a>                  средняя,  или  непрерывная  выходная
<a id="p102423"></a>                  мощность более 1 Вт

<a id="p102424"></a>I.12.4.3.2.       Неперестраиваемые лазеры
<a id="p102425"></a>                      Примечание. Пункты I.12.4.3.2. -
<a id="p102426"></a>                  I.12.4.3.2.4.4.             включают
<a id="p102427"></a>                  твердотельные  лазеры   на   атомных
<a id="p102428"></a>                  переходах

<a id="p102429"></a>I.12.4.3.2.1.     Рубиновые лазеры с выходной энергией 901320000
<a id="p102430"></a>                  более 20 Дж в импульсе

<a id="p102431"></a>I.12.4.3.2.2.     Лазеры на неодимовом стекле:

<a id="p102432"></a>I.12.4.3.2.2.1.   лазеры с   модуляцией   добротности, 901320000
<a id="p102433"></a>                  имеющие выходную  энергию  свыше  20
<a id="p102434"></a>                  Дж,  но  не  более 50 Дж в импульсе,
<a id="p102435"></a>                  среднюю выходную мощность  более  10
<a id="p102436"></a>                  Вт  или выходную энергию свыше 50 Дж
<a id="p102437"></a>                  в импульсе;

<a id="p102438"></a>I.12.4.3.2.2.2.   лазеры без   модуляции  добротности, 901320000
<a id="p102439"></a>                  имеющие выходную  энергию  свыше  50
<a id="p102440"></a>                  Дж,  но  не более 100 Дж в импульсе,
<a id="p102441"></a>                  среднюю выходную мощность  более  20
<a id="p102442"></a>                  Вт или выходную энергию более 100 Дж
<a id="p102443"></a>                  в импульсе

<a id="p102444"></a>I.12.4.3.2.3.     Лазеры с  растворенным  неодимом   с
<a id="p102445"></a>                  длиной  волны  более 1000 нм,  но не
<a id="p102446"></a>                  свыше 1100 нм:

<a id="p102447"></a>                      Примечание.       Лазеры       с
<a id="p102448"></a>                  растворенным  неодимом   и    длиной
<a id="p102449"></a>                  волны   излучения   менее    1000 нм
<a id="p102450"></a>                  или более 1100 нм включены  в  пункт
<a id="p102451"></a>                  I.12.4.3.2.4.

<a id="p102452"></a>I.12.4.3.2.3.1.   лазеры с   модуляцией   добротности, 901320000
<a id="p102453"></a>                  импульсным       возбуждением      и
<a id="p102454"></a>                  синхронизацией мод  с  длительностью
<a id="p102455"></a>                  импульса менее 1 нс, имеющие пиковую
<a id="p102456"></a>                  мощность  более   5   ГВт,   среднюю
<a id="p102457"></a>                  выходную  мощность  более  10 Вт или
<a id="p102458"></a>                  импульсную энергию более 0,1 Дж;

<a id="p102459"></a>I.12.4.3.2.3.2.   лазеры с    модуляцией   добротности
<a id="p102460"></a>                  синхронизацией мод  с  длительностью
<a id="p102461"></a>                  импульса,  равной  или большей 1 нс,
<a id="p102462"></a>                  имеющие:

<a id="p102463"></a>I.12.4.3.2.3.2.1. одномодовое излучение,   с   пиковой 901320000
<a id="p102464"></a>                  мощностью  более  100  МВт,  средней
<a id="p102465"></a>                  выходной  мощностью  более 20 Вт или
<a id="p102466"></a>                  импульсной энергией свыше 2 Дж;

<a id="p102467"></a>I.12.4.3.2.3.2.2. многомодовое излучение   с   пиковой 901320000
<a id="p102468"></a>                  мощностью  более  200  МВт,  средней
<a id="p102469"></a>                  выходной  мощностью  более 50 Вт или
<a id="p102470"></a>                  импульсной энергией более 2 Дж

<a id="p102471"></a>I.12.4.3.2.3.3.   лазеры с импульсным возбуждением без
<a id="p102472"></a>                  модуляции добротности, имеющие:

<a id="p102473"></a>I.12.4.3.2.3.3.1. одномодовое излучение    с   пиковой 901320000
<a id="p102474"></a>                  мощностью более 500 кВт или  средней
<a id="p102475"></a>                  выходной мощностью более 150 Вт;

<a id="p102476"></a>I.12.4.3.2.3.3.2. многомодовое излучение   с   пиковой 901320000
<a id="p102477"></a>                  мощностью более 1  МВт  или  средней
<a id="p102478"></a>                  мощностью свыше 500 Вт

<a id="p102479"></a>I.12.4.3.2.3.4.   лазеры непрерывного     возбуждения,
<a id="p102480"></a>                  имеющие:

<a id="p102481"></a>I.12.4.3.2.3.4.1. одномодовое излучение    с   пиковой 901320000
<a id="p102482"></a>                  мощностью более 500 кВт или средней,
<a id="p102483"></a>                  или  непрерывной мощностью свыше 150
<a id="p102484"></a>                  Вт;

<a id="p102485"></a>I.12.4.3.2.3.4.2. многомодовое излучение   с   пиковой 901320000
<a id="p102486"></a>                  мощностью  более  1 МВт или средней,
<a id="p102487"></a>                  или непрерывной мощностью свыше  500
<a id="p102488"></a>                  Вт

<a id="p102489"></a>I.12.4.3.2.4.     Другие неперестраиваемые лазеры

<a id="p102490"></a>I.12.4.3.2.4.1.   неперестраиваемые лазеры  с   длиной 901320000
<a id="p102491"></a>                  волны   менее   150   нм,   выходной
<a id="p102492"></a>                  энергией более 50  мДж  в  импульсе,
<a id="p102493"></a>                  импульсной пиковой мощностью более 1
<a id="p102494"></a>                  Вт  или  средней,  или   непрерывной
<a id="p102495"></a>                  выходной мощностью более 1 Вт;

<a id="p102496"></a>I.12.4.3.2.4.2.   неперестраиваемые лазеры  с   длиной 901320000
<a id="p102497"></a>                  волны не менее  150 нм,  но не более
<a id="p102498"></a>                  800 нм, выходной  энергией более 1,5
<a id="p102499"></a>                  Дж на импульс и импульсной   пиковой
<a id="p102500"></a>                  мощностью  более  30 Вт или средней,
<a id="p102501"></a>                  или непрерывной мощностью  более  30
<a id="p102502"></a>                  Вт;

<a id="p102503"></a>I.12.4.3.2.4.3.   неперестраиваемые лазеры  с   длиной
<a id="p102504"></a>                  волны более 800 нм, но не более 1400
<a id="p102505"></a>                  нм, а именно:

<a id="p102506"></a>I.12.4.3.2.4.3.1. лазеры с  модуляцией  добротности  с 901320000
<a id="p102507"></a>                  выходной  энергией  более  0,5  Дж в
<a id="p102508"></a>                  импульсе   и   импульсной    пиковой
<a id="p102509"></a>                  мощностью  более  50  Вт или средней
<a id="p102510"></a>                  выходной мощностью,  превышающей  10
<a id="p102511"></a>                  Вт  для  одномодовых лазеров и 30 Вт
<a id="p102512"></a>                  для многомодовых лазеров;

<a id="p102513"></a>I.12.4.3.2.4.3.2. лазеры без  модуляции  добротности с 901320000
<a id="p102514"></a>                  выходной  энергией  более  2  Дж   в
<a id="p102515"></a>                  импульсе    и   импульсной   пиковой
<a id="p102516"></a>                  мощностью свыше 50 Вт  или  средней,
<a id="p102517"></a>                  или  непрерывной  выходной мощностью
<a id="p102518"></a>                  более 50 Вт;

<a id="p102519"></a>I.12.4.3.2.4.4.   неперестраиваемые лазеры   с  длиной 901320000
<a id="p102520"></a>                  волны  более   1400   нм,   выходной
<a id="p102521"></a>                  энергией  более 100 мДж в импульсе и
<a id="p102522"></a>                  импульсной пиковой мощностью свыше 1
<a id="p102523"></a>                  Вт   или  средней,  или  непрерывной
<a id="p102524"></a>                  мощностью более 1 Вт

<a id="p102525"></a>I.12.4.4.         Лазеры на    красителях   и   других
<a id="p102526"></a>                  жидкостях, имеющие:

<a id="p102527"></a>I.12.4.4.1.       длину волны менее 150  нм,  выходную 901320000
<a id="p102528"></a>                  энергию  более  50  мДж  в импульсе,
<a id="p102529"></a>                  импульсную пиковую мощность более  1
<a id="p102530"></a>                  Вт   или  среднюю,  или  непрерывную
<a id="p102531"></a>                  выходную мощность более 1 Вт;

<a id="p102532"></a>I.12.4.4.2.       длину волны 150 нм или более,  но не 901320000
<a id="p102533"></a>                  свыше 800 нм, выходную энергию более
<a id="p102534"></a>                  1,5  Дж   в   импульсе,   импульсную
<a id="p102535"></a>                  пиковую  мощность  свыше  20  Вт или
<a id="p102536"></a>                  среднюю,  или  непрерывную  выходную
<a id="p102537"></a>                  мощность  более  20 Вт,  или имеющие
<a id="p102538"></a>                  генератор одиночной продольной  моды
<a id="p102539"></a>                  со  средней выходной мощностью более
<a id="p102540"></a>                  1 Вт и частотой повторения  более  1
<a id="p102541"></a>                  кГц  при длительности импульса менее
<a id="p102542"></a>                  100 нс;

<a id="p102543"></a>I.12.4.4.3.       длину волны  более  800  нм,  но  не 901320000
<a id="p102544"></a>                  свыше  1400  нм,  выходную   энергию
<a id="p102545"></a>                  более 500 мДж в импульсе, импульсную
<a id="p102546"></a>                  пиковую мощность  более  10  Вт  или
<a id="p102547"></a>                  среднюю,  или  непрерывную  выходную
<a id="p102548"></a>                  мощность более 10 Вт;

<a id="p102549"></a>I.12.4.4.4.       длину волны более 1400 нм,  выходную 901320000
<a id="p102550"></a>                  энергию более 100  мДж  в  импульсе,
<a id="p102551"></a>                  импульсную  пиковую мощность более 1
<a id="p102552"></a>                  Вт  или  среднюю,  или   непрерывную
<a id="p102553"></a>                  выходную мощность более 1 Вт

<a id="p102554"></a>I.12.4.5.         Лазеры на    свободных    электронах 901320000

<a id="p102555"></a>I.12.4.6.         Компоненты

<a id="p102556"></a>I.12.4.6.1.       Зеркала, охлаждаемые  либо  активным 901320000;
<a id="p102557"></a>                  охлаждением,      либо     трубчатой 900290990
<a id="p102558"></a>                  охладительной системой
<a id="p102559"></a>                      Примечание. Активным охлаждением
<a id="p102560"></a>                  является  метод           охлаждения
<a id="p102561"></a>                  оптических компонент,  в     котором
<a id="p102562"></a>                  используется  течение  жидкости   по
<a id="p102563"></a>                  субповерхности (расположенной обычно
<a id="p102564"></a>                  менее чем  в 1 мм    от   оптической
<a id="p102565"></a>                  поверхности)  оптической  компоненты
<a id="p102566"></a>                  для   отвода  тепла от оптики

<a id="p102567"></a>I.12.4.6.2.       Оптические зеркала  или  прозрачные, 901320000;
<a id="p102568"></a>                  или частично прозрачные,  оптические 900290990
<a id="p102569"></a>                  или электрооптические компоненты для
<a id="p102570"></a>                  использования в лазерах,  подлежащих
<a id="p102571"></a>                  экспортному контролю

<a id="p102572"></a>I.12.4.7.         Оптическое оборудование

<a id="p102573"></a>I.12.4.7.1.       Оборудование для       динамического
<a id="p102574"></a>                  измерения  фазы  волнового  фронта с
<a id="p102575"></a>                  более  50  позициями   на   волновом
<a id="p102576"></a>                  фронте луча с:

<a id="p102577"></a>I.12.4.7.1.1.     частотой кадра, равной или более 100 901320000;
<a id="p102578"></a>                  Гц,  и  фазовой дискриминацией 5%  и 903140000
<a id="p102579"></a>                  более длины волны луча;

<a id="p102580"></a>I.12.4.7.1.2.     частотой кадра,   равной  или  более 901320000;
<a id="p102581"></a>                  1000 Гц,  и  фазовой  дискриминацией 903140000
<a id="p102582"></a>                  20% и более длины волны луча

<a id="p102583"></a>I.12.4.7.2.       Оборудование лазерной диагностики со 901320000;
<a id="p102584"></a>                  способностью    измерения     ошибок 903140000
<a id="p102585"></a>                  управления  луча лазера сверхвысокой
<a id="p102586"></a>                  мощности  с  точностью,  равной  или
<a id="p102587"></a>                  менее 10 мкрад

<a id="p102588"></a>I.12.4.7.3.       Оптическая аппаратура,    узлы     и 901320000;
<a id="p102589"></a>                  компоненты    для   системы   лазера 903140000
<a id="p102590"></a>                  сверхвысокой мощности с фазированным
<a id="p102591"></a>                  сложением  лучей  с  точностью  1/10
<a id="p102592"></a>                  длины   волны   или   0,1   мкм   (в
<a id="p102593"></a>                  зависимости от того, что меньше)

<a id="p102594"></a>I.12.4.7.4.       Защищенные объективы             для 901320000;
<a id="p102595"></a>                  использования  с  системами  лазеров 900219000
<a id="p102596"></a>                  сверхвысокой мощности

<a id="p102597"></a>I.12.4.8.         Специально разработанное         или
<a id="p102598"></a>                  модифицированное       оборудование,
<a id="p102599"></a>                  включая    инструменты,   красители,
<a id="p102600"></a>                  контрольно-измерительные  приборы  и
<a id="p102601"></a>                  другие   специальные   компоненты  и
<a id="p102602"></a>                  вспомогательные элементы:

<a id="p102603"></a>I.12.4.8.1.       для производства     или     осмотра 901320000;
<a id="p102604"></a>                  магнитных  систем  и  фотоинжекторов 901490000
<a id="p102605"></a>                  лазеров на свободных электронах;

<a id="p102606"></a>I.12.4.8.2.       для юстировки  в  пределах требуемой 901320000;
<a id="p102607"></a>                  погрешности  продольного  магнитного 901490000
<a id="p102608"></a>                  поля лазеров на свободных электронах

<a id="p102609"></a>I.12.5.           Оптоволоконные кабели         связи,
<a id="p102610"></a>                  оптические   волокна   и  специально
<a id="p102611"></a>                  разработанные      компоненты      и
<a id="p102612"></a>                  вспомогательное оборудование

<a id="p102613"></a>I.12.5.1.         Оптические волокна    или    кабели,
<a id="p102614"></a>                  длиной свыше 50 м:

<a id="p102615"></a>I.12.5.1.1.       разработанные для функционирования в 900110900;
<a id="p102616"></a>                  одномодовом режиме;                  901320000

<a id="p102617"></a>I.12.5.1.2.       способные выдерживать     напряжение 900110900;
<a id="p102618"></a>                  (механическое)  2x10E9  Н/кв.  м или 901320000
<a id="p102619"></a>                  более в контрольном тесте
<a id="p102620"></a>                      Примечание.    Контрольный тест:
<a id="p102621"></a>                  проверка   на стадиях   изготовления
<a id="p102622"></a>                  или после изготовления заключается в
<a id="p102623"></a>                  приложении  заданного  напряжения  к
<a id="p102624"></a>                  волокну длиной от  0,5  до  3  м  на
<a id="p102625"></a>                  скорости  хода  от  2  до  5 м/с при
<a id="p102626"></a>                  прохождении  между  ведущими  валами
<a id="p102627"></a>                  приблизительно  150  мм  в диаметре.
<a id="p102628"></a>                  Окружающая     температура     имеет
<a id="p102629"></a>                  номинальное значение 293 К  (20 С) и
<a id="p102630"></a>                  относительная влажность равна 40%

<a id="p102631"></a>I.12.5.2.         Компоненты и         вспомогательное 900110900;
<a id="p102632"></a>                  оборудование,             специально 901320000
<a id="p102633"></a>                  разработанные для оптических волокон
<a id="p102634"></a>                  или  кабелей,  указанных  в   пункте
<a id="p102635"></a>                  I.12.     5.1.,    за    исключением
<a id="p102636"></a>                  соединителей  для  использования   с
<a id="p102637"></a>                  оптическими  волокнами или кабелями,
<a id="p102638"></a>                  имеющими потери  соединения  0,5  дБ
<a id="p102639"></a>                  или более

<a id="p102640"></a>I.12.5.3.         Оптоволоконные кабели              и 900110900;
<a id="p102641"></a>                  вспомогательное        оборудование, 901320000
<a id="p102642"></a>                  разработанные для использования  под
<a id="p102643"></a>                  водой       (для      оптоволоконных
<a id="p102644"></a>                  соединителей и измерителей излучения
<a id="p102645"></a>                  экспортный контроль осуществляется в
<a id="p102646"></a>                  соответствии с пунктами  I.13.2.1.3.
<a id="p102647"></a>                  и I.13.2.3)

<a id="p102648"></a>I.12.5.4.         Кабель из    волокон    на    основе 900110900
<a id="p102649"></a>                  соединений   фтора   или  оптические
<a id="p102650"></a>                  волокна с поглощением менее 4  дБ/км
<a id="p102651"></a>                  в диапазоне длин волн более 1000 нм,
<a id="p102652"></a>                  но не более 3000 нм


## <a id="p102653"></a>Раздел I.13. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование


<a id="p102655"></a>I.13.1.           Подводные аппараты   или   надводные
<a id="p102656"></a>                  суда

<a id="p102657"></a>I.13.1.1.         Пилотируемые человеком,  управляемые 890600910
<a id="p102658"></a>                  по  проводам   подводные   аппараты,
<a id="p102659"></a>                  спроектированные   для  операций  на
<a id="p102660"></a>                  глубинах, превышающих 1000 м

<a id="p102661"></a>I.13.1.2.         Пилотируемые              человеком,
<a id="p102662"></a>                  неуправляемые по проводам  подводные
<a id="p102663"></a>                  аппараты:

<a id="p102664"></a>I.13.1.2.1.       спроектированные для     автономного 890600910
<a id="p102665"></a>                  плавания и имеющие характеристику по
<a id="p102666"></a>                  подъемной  силе  10%  или  более  их
<a id="p102667"></a>                  собственного  веса  (веса в воздухе)
<a id="p102668"></a>                  или 15 кН или более;
<a id="p102669"></a>                      Примечания: 1. При    автономном
<a id="p102670"></a>                  плавании  аппарат          полностью
<a id="p102671"></a>                  погружается       без      шнорхеля,
<a id="p102672"></a>                  все    системы    функционируют    и
<a id="p102673"></a>                  обеспечивают       плавание      при
<a id="p102674"></a>                  минимальной  скорости,  при  которой
<a id="p102675"></a>                  погружение      может      безопасно
<a id="p102676"></a>                  управляться  (с  учетом  необходимой
<a id="p102677"></a>                  динамики  по  глубине  погружения) с
<a id="p102678"></a>                  использованием   только    глубинных
<a id="p102679"></a>                  рулей,  без  участия надводных судов
<a id="p102680"></a>                  поддержки или  базы  (береговой  или
<a id="p102681"></a>                  корабля-матки),     аппарат    имеет
<a id="p102682"></a>                  двигательную систему для движения  в
<a id="p102683"></a>                  погруженном или надводном состоянии
                  2. <a id="p102684"></a>Подъемная   сила   задается   для
<a id="p102685"></a>                  полезной  нагрузки  без  учета массы
<a id="p102686"></a>                  экипажа

<a id="p102687"></a>I.13.1.2.2.       спроектированные для   плавания   на 890600910
<a id="p102688"></a>                  глубинах, превышающих 1000 м;

<a id="p102689"></a>I.13.1.2.3.       спроектированные для экипажа из 4  и 890600910
<a id="p102690"></a>                  более  человек,  предназначенные для
<a id="p102691"></a>                  автономного плавания  в  течение  10
<a id="p102692"></a>                  часов   и   более,   имеющие  радиус
<a id="p102693"></a>                  действия 25 морских миль или более и
<a id="p102694"></a>                  длину 21 м или менее
<a id="p102695"></a>                      Примечание. Радиус      действия
<a id="p102696"></a>                  равен    половине      максимального
<a id="p102697"></a>                  расстояния,  которое аппарат   может
<a id="p102698"></a>                  преодолеть     в         погруженном
<a id="p102699"></a>                  состоянии

<a id="p102700"></a>I.13.1.3.         Непилотируемые            человеком,
<a id="p102701"></a>                  управляемые  по  проводам  подводные
<a id="p102702"></a>                  аппараты,    спроектированные    для
<a id="p102703"></a>                  плавания  на  глубинах,  превышающих
<a id="p102704"></a>                  1000 м:

<a id="p102705"></a>I.13.1.3.1.       спроектированные для     самоходного 890600910
<a id="p102706"></a>                  маневра,   используя   двигатели   и
<a id="p102707"></a>                  ускорители,   указанные   в   пункте
<a id="p102708"></a>                  I.13.2.1.2.;

<a id="p102709"></a>I.13.1.3.2.       имеющие оптоволоконные  линии обмена 890600910
<a id="p102710"></a>                  данными

<a id="p102711"></a>I.13.1.4.         Непилотируемые            человеком,
<a id="p102712"></a>                  неуправляемые по проводам  подводные
<a id="p102713"></a>                  аппараты:

<a id="p102714"></a>I.13.1.4.1.       спроектированные для решения  задачи 890600910
<a id="p102715"></a>                  достижения  (прокладки курса) любого
<a id="p102716"></a>                  географического    ориентира     без
<a id="p102717"></a>                  участия человека в реальном масштабе
<a id="p102718"></a>                  времени;

<a id="p102719"></a>I.13.1.4.2.       имеющие канал  передачи акустических 890600910
<a id="p102720"></a>                  данных или команд;

<a id="p102721"></a>I.13.1.4.3.       имеющие оптоволоконную         линию 890600910
<a id="p102722"></a>                  передачи данных или  линию  передачи
<a id="p102723"></a>                  команд, превышающую по длине 1000 м

<a id="p102724"></a>I.13.1.5.         Океанские системы     спасения     с
<a id="p102725"></a>                  подъемной  силой,  превышающей 5 МН,
<a id="p102726"></a>                  для  спасения  объектов  с   глубин,
<a id="p102727"></a>                  превышающих  250 м,  имеющие одну из
<a id="p102728"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p102729"></a>I.13.1.5.1.       системы динамического     управления 890590100;
<a id="p102730"></a>                  положением,                способные 890600910
<a id="p102731"></a>                  стабилизироваться     в     пределах
<a id="p102732"></a>                  (внутри) 20 м относительно  заданной
<a id="p102733"></a>                  точки,   фиксируемой   навигационной
<a id="p102734"></a>                  системой;

<a id="p102735"></a>I.13.1.5.2.       системы придонной     навигации    и 890590100;
<a id="p102736"></a>                  навигационной интеграции для глубин, 890600910
<a id="p102737"></a>                  превышающих   1000  м,  с  точностью
<a id="p102738"></a>                  обеспечения  положения  в   пределах
<a id="p102739"></a>                  (внутри)  10 м относительно заданной
<a id="p102740"></a>                  точки

<a id="p102741"></a>I.13.1.6.         Суда с   поверхностным  эффектом  (с 890600910
<a id="p102742"></a>                  полностью  изменяемой  поверхностной
<a id="p102743"></a>                  конфигурацией),           обладающие
<a id="p102744"></a>                  максимальной  проектной   скоростью,
<a id="p102745"></a>                  превышающей  при  полной загрузке 30
<a id="p102746"></a>                  узлов,  при  высоте  волны  1,25   м
<a id="p102747"></a>                  (Морская  статья  3)  или  более,  с
<a id="p102748"></a>                  амортизирующим давлением свыше  3830
<a id="p102749"></a>                  Па   и   соотношением  водоизмещения
<a id="p102750"></a>                  незагруженного  и  полнозагруженного
<a id="p102751"></a>                  судна менее 0,7

<a id="p102752"></a>I.13.1.7.         Суда с  поверхностным  эффектом   (с 890600910
<a id="p102753"></a>                  неизменяемой           поверхностной
<a id="p102754"></a>                  конфигурацией)    с     максимальной
<a id="p102755"></a>                  проектной скоростью, превышающей при
<a id="p102756"></a>                  полной загрузке 40 узлов, при высоте
<a id="p102757"></a>                  волны  3,25 м (Морская статья 5) или
<a id="p102758"></a>                  более

<a id="p102759"></a>I.13.1.8.         Суда с   гидрокрылом   и   активными 890600910
<a id="p102760"></a>                  системами    для     автоматического
<a id="p102761"></a>                  управления   крылом  с  максимальной
<a id="p102762"></a>                  проектной   скоростью   при   полной
<a id="p102763"></a>                  загрузке  в  40  узлов  или  более и
<a id="p102764"></a>                  высоте волны 3, 25 м (Морская статья
                  5) <a id="p102765"></a>или более

<a id="p102766"></a>I.13.1.9.         Суда на небольшом подводном крыле:

<a id="p102767"></a>I.13.1.9.1.       водоизмещением при волной  загрузке, 890600910
<a id="p102768"></a>                  превышающим  500  т,  с максимальной
<a id="p102769"></a>                  проектной скоростью, превышающей при
<a id="p102770"></a>                  полной загрузке 35 узлов, при высоте
<a id="p102771"></a>                  волны 3,25 м (Морская статья 5)  или
<a id="p102772"></a>                  более;

<a id="p102773"></a>I.13.1.9.2.       водоизмещением при полной  загрузке, 890600910
<a id="p102774"></a>                  превышающим  1500 т,  с максимальной
<a id="p102775"></a>                  проектной   скоростью   при   полной
<a id="p102776"></a>                  загрузке,  превышающей 25 узлов, при
<a id="p102777"></a>                  высоте волны 4 м (Морская статья  6)
<a id="p102778"></a>                  или более
<a id="p102779"></a>                      Примечание. Судно  на  небольшом
<a id="p102780"></a>                  подводном  крыле        определяется
<a id="p102781"></a>                  следующей   формулой:
<a id="p102782"></a>                  площадь этого  крыла  при  известном
<a id="p102783"></a>                  значении     водоизмещения       при
<a id="p102784"></a>                  операционной проектной осадке меньше
<a id="p102785"></a>                       2/3
<a id="p102786"></a>                  2 х V  (где  V  -  водоизмещение при
<a id="p102787"></a>                  операционной проектной осадке)

<a id="p102788"></a>I.13.2.           Системы и      оборудование      для
<a id="p102789"></a>                  транспортных средств

<a id="p102790"></a>I.13.2.1.         Системы или оборудование, специально
<a id="p102791"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p102792"></a>                  модифицированные    для    подводных
<a id="p102793"></a>                  судов, спроектированных для плавания
<a id="p102794"></a>                  на глубинах, превышающих 1000 м:

<a id="p102795"></a>I.13.2.1.1.       помещения под  давлением или корпуса 890590100;
<a id="p102796"></a>                  под   давлением    с    максимальным 890600900
<a id="p102797"></a>                  внутренним     диаметром     камеры,
<a id="p102798"></a>                  превышающим 1,5 м;

<a id="p102799"></a>I.13.2.1.2.       электродвигатели постоянного    тока 850133910;
<a id="p102800"></a>                  или тяговые двигатели;               850134500;
<a id="p102801"></a>                                                       850134990

<a id="p102802"></a>I.13.2.1.3.       кабельные разъемы  и соединители,  в 854800000;
<a id="p102803"></a>                  том числе использующие оптоволокно и 901390000
<a id="p102804"></a>                  имеющие    силовые    элементы    из
<a id="p102805"></a>                  синтетических материалов

<a id="p102806"></a>I.13.2.2.         Системы, специально спроектированные
<a id="p102807"></a>                  или       модифицированные       для
<a id="p102808"></a>                  автоматического управления движением
<a id="p102809"></a>                  подводных судов, указанных в пунктах
<a id="p102810"></a>                  I.13.1.  - I.13.1.5.2., использующие
<a id="p102811"></a>                  навигационные   данные   и   имеющие
<a id="p102812"></a>                  закрытые     с    обратной    связью
<a id="p102813"></a>                  серво-контролирующие средства:

<a id="p102814"></a>I.13.2.2.1.       способные управлять  движением судна 901480000
<a id="p102815"></a>                  в    пределах    (внутри)    10    м
<a id="p102816"></a>                  относительно заданной точки водяного
<a id="p102817"></a>                  столба;

<a id="p102818"></a>I.13.2.2.2.       позволяющие поддерживать   положение 901480000
<a id="p102819"></a>                  судна  в  пределах  (внутри)  10   м
<a id="p102820"></a>                  относительно заданной точки водяного
<a id="p102821"></a>                  столба;

<a id="p102822"></a>I.13.2.2.3.       позволяющие поддерживать   положение 901480000
<a id="p102823"></a>                  судна в пределах (внутри) 10  м  при
<a id="p102824"></a>                  следовании на морском аппарате-матке
<a id="p102825"></a>                  или на тросе (кабеле) под ним

<a id="p102826"></a>I.13.2.3.         Оптоволоконные корпусные разъемы или 901390000
<a id="p102827"></a>                  соединители,              специально
<a id="p102828"></a>                  спроектированные  для применения под
<a id="p102829"></a>                  водой

<a id="p102830"></a>I.13.2.4.         Кромки корпуса,     уплотнения     и
<a id="p102831"></a>                  выдвижные     элементы,      имеющие
<a id="p102832"></a>                  следующие характеристики:

<a id="p102833"></a>I.13.2.4.1.       спроектированные для         внешних 847990980;
<a id="p102834"></a>                  давлений   в   3830  Па  или  более, 890600910
<a id="p102835"></a>                  функционирующие  при  высоте   волны
<a id="p102836"></a>                  1,25  м (Морская статья 3) или более
<a id="p102837"></a>                  и  специально  спроектированные  для
<a id="p102838"></a>                  судов   с   поверхностным   эффектом
<a id="p102839"></a>                  (полностью изменяемой  поверхностной
<a id="p102840"></a>                  конфигурацией),  указанных  в пункте
<a id="p102841"></a>                  I.13.1.6.;

<a id="p102842"></a>I.13.2.4.2.       спроектированные для         внешних 847990980;
<a id="p102843"></a>                  давлений  в  6224  Па   или   более, 890600910
<a id="p102844"></a>                  функционирующие   при  высоте  волны
<a id="p102845"></a>                  3,25 м (Морская статья 5) или  более
<a id="p102846"></a>                  и  специально  спроектированные  для
<a id="p102847"></a>                  судов с  поверхностным  эффектом  (с
<a id="p102848"></a>                  неизменяемой           поверхностной
<a id="p102849"></a>                  конфигурацией),  указанных в  пункте
<a id="p102850"></a>                  I.13.1.7.

<a id="p102851"></a>I.13.2.5.         Полностью                погружаемые 847990980;
<a id="p102852"></a>                  подкавитационные                 или 890600910
<a id="p102853"></a>                  суперкавитационные  гидрокрылья  для
<a id="p102854"></a>                  судов, указанных в пункте I.13.1.8.

<a id="p102855"></a>I.13.2.6.         Активные системы         компенсации 847990980;
<a id="p102856"></a>                  движения  морской среды,  специально 890600910
<a id="p102857"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p102858"></a>                  модифицированные   для   обеспечения
<a id="p102859"></a>                  автоматического  управления  лодками
<a id="p102860"></a>                  или  судами,  указанными  в  пунктах
<a id="p102861"></a>                  I.13.1.6. - I.13.1.9.


## <a id="p102862"></a>Раздел I.14. Испытательное оборудование


<a id="p102863"></a>I.14.1.           Гидроканалы, имеющие   шумовой   фон 903120000
<a id="p102864"></a>                  менее 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц)
<a id="p102865"></a>                  в  частотном  диапазоне  от 0 до 500
<a id="p102866"></a>                  Гц,  спроектированные для  измерения
<a id="p102867"></a>                  акустических   полей,   генерируемых
<a id="p102868"></a>                  гидропотоком около  моделей  системы
<a id="p102869"></a>                  движителя

<a id="p102870"></a>I.14.2.           Измерительно-информационные системы,
<a id="p102871"></a>                  работающие   в   реальном   масштабе
<a id="p102872"></a>                  времени,    инструменты     (включая
<a id="p102873"></a>                  датчики)      или     автоматические
<a id="p102874"></a>                  накопители     данных,    специально
<a id="p102875"></a>                  разработанные  для  использования  в
<a id="p102876"></a>                  следующих  аэродинамических   трубах
<a id="p102877"></a>                  или установках:

<a id="p102878"></a>I.14.2.1.         в устройствах   для    моделирования 903120000
<a id="p102879"></a>                  набегающего  потока  с числами Маха,
<a id="p102880"></a>                  превышающими  5,  включая  тепловые,
<a id="p102881"></a>                  плазменно-дуговые      и     ударные
<a id="p102882"></a>                  аэродинамические  трубы,   а   также
<a id="p102883"></a>                  аэродинамические   трубы  с  газовым
<a id="p102884"></a>                  поршнем и газовые пушки;

<a id="p102885"></a>I.14.2.2.         в аэродинамических     трубах    или 903120000
<a id="p102886"></a>                  установках,  отличных от  двумерных,
<a id="p102887"></a>                  способных   моделировать   обтекание
<a id="p102888"></a>                  потоками при числах Рейнольдса свыше
<a id="p102889"></a>                  25x10E6

<a id="p102890"></a>I.14.3.           Датчики, специально    разработанные 902519990
<a id="p102891"></a>                  для    непосредственного   измерения
<a id="p102892"></a>                  поверхностного трения  на  стенке  в
<a id="p102893"></a>                  потоке   с  температурой  торможения
<a id="p102894"></a>                  свыше 833 К (560 С)


## <a id="p102895"></a>Раздел I.15. Робототехника


<a id="p102896"></a>I.15.1.           Роботы, специально  спроектированные
<a id="p102897"></a>                  для      подводного      применения,
<a id="p102898"></a>                  управляемые     с     использованием
<a id="p102899"></a>                  программно-управляемой
<a id="p102900"></a>                  специализированной ЭВМ

<a id="p102901"></a>I.15.1.1.         Роботы, имеющие системы, управляющие 847989500
<a id="p102902"></a>                  с   использованием   информации   от
<a id="p102903"></a>                  датчиков,  которые  измеряют  усилие
<a id="p102904"></a>                  или момент вращения,  прикладываемые
<a id="p102905"></a>                  к  внешнему  объекту,  расстояние до
<a id="p102906"></a>                  внешнего  объекта   или   контактное
<a id="p102907"></a>                  (тактильное)  взаимодействие   между
<a id="p102908"></a>                  роботом и внешним объектом

<a id="p102909"></a>I.15.1.2.         Роботы, способные создавать усилие в 847989500
<a id="p102910"></a>                  250 Н или более, или момент вращения
<a id="p102911"></a>                  250 Н х м  или более, и использующие
<a id="p102912"></a>                  сплавы   на   основе   титана    или
<a id="p102913"></a>                  волоконные,      или      нитевидные
<a id="p102914"></a>                  композиционные материалы в элементах
<a id="p102915"></a>                  конструкции

<a id="p102916"></a>I.15.2.           Дистанционно управляемые   шарнирные
<a id="p102917"></a>                  манипуляторы,             специально
<a id="p102918"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p102919"></a>                  модифицированные для использования с
<a id="p102920"></a>                  подводными судами

<a id="p102921"></a>I.15.2.1.         Манипуляторы, имеющие       системы, 847989500
<a id="p102922"></a>                  использующие информацию от датчиков,
<a id="p102923"></a>                  измеряющих    усилие    или   момент
<a id="p102924"></a>                  вращения,  прикладываемые к внешнему
<a id="p102925"></a>                  объекту, или контактное (тактильное)
<a id="p102926"></a>                  взаимодействие между манипулятором и
<a id="p102927"></a>                  внешним объектом

<a id="p102928"></a>I.15.2.2.         Манипуляторы, управляемые  способами 847989500
<a id="p102929"></a>                  пропорционального         управления
<a id="p102930"></a>                  "ведущий-ведомый" или с  применением
<a id="p102931"></a>                  программно-управляемой
<a id="p102932"></a>                  специализированной  ЭВМ  и   имеющие
<a id="p102933"></a>                  пять   или  более  степеней  свободы
<a id="p102934"></a>                  движения
<a id="p102935"></a>                      Примечание. При      определении
<a id="p102936"></a>                  количества степеней свободы движения
<a id="p102937"></a>                  в расчет принимаются только функции,
<a id="p102938"></a>                  имеющие  пропорциональное управление
<a id="p102939"></a>                  с применением  позиционной  обратной
<a id="p102940"></a>                  связи или с применением программного
<a id="p102941"></a>                  компьютера,            обеспеченного
<a id="p102942"></a>                  библиотекой программ


## <a id="p102943"></a>Раздел I.16. Радиоэлектроника


<a id="p102944"></a>I.16.1.           Электронные приборы   и   элементная
<a id="p102945"></a>                  база

<a id="p102946"></a>I.16.1.1.         Интегральные схемы
<a id="p102947"></a>                      Примечания: 1.     Необходимость
<a id="p102948"></a>                  экспортного   контроля   на  готовые
<a id="p102949"></a>                  пластины   или   полуфабрикаты,   на
<a id="p102950"></a>                  которых   воспроизведена  конкретная
<a id="p102951"></a>                  функция,  оцениваются по параметрам,
<a id="p102952"></a>                  указанным   в  пунктах  I.16.1.1.  -
<a id="p102953"></a>                  I.16.1.1.8.2.
                  2. <a id="p102954"></a>Понятие   "интегральные    схемы"
<a id="p102955"></a>                  включает в себя следующие типы:
<a id="p102956"></a>                  твердотельные интегральные схемы;
<a id="p102957"></a>                  гибридные интегральные схемы;
<a id="p102958"></a>                  многокристаллические    интегральные
<a id="p102959"></a>                  схемы;
<a id="p102960"></a>                  пленочные интегральные        схемы,
<a id="p102961"></a>                  включая   интегральные   схемы  типа
<a id="p102962"></a>                  "кремний на сапфире";
<a id="p102963"></a>                  оптические интегральные схемы

<a id="p102964"></a>I.16.1.1.1.       Микропроцессорные        микросхемы,
<a id="p102965"></a>                  микрокомпьютерные    микросхемы    и
<a id="p102966"></a>                  микросхемы        микроконтроллеров,
<a id="p102967"></a>                  имеющие хотя бы  одну  из  следующих
<a id="p102968"></a>                  характеристик:
<a id="p102969"></a>                      Примечания: 1.        Экспортный
<a id="p102970"></a>                  контроль  по  пункту I.16.1.1.1.  не
<a id="p102971"></a>                  распространяется    на    кремниевые
<a id="p102972"></a>                  микрокомпьютерные    микросхемы    и
<a id="p102973"></a>                  микросхемы        микроконтроллеров,
<a id="p102974"></a>                  имеющие  длину  операнда  (данных) 8
<a id="p102975"></a>                  бит и менее
                  2. <a id="p102976"></a>Пункт I.16.1.1.1. включает в себя
<a id="p102977"></a>                  цифровые    сигнальные   процессоры,
<a id="p102978"></a>                  цифровые  матричные   процессоры   и
<a id="p102979"></a>                  цифровые сопроцессоры

<a id="p102980"></a>I.16.1.1.1.1.     разрядность внешней   шины    данных 854211870
<a id="p102981"></a>                  превышает  32  бита либо разрядность
<a id="p102982"></a>                  доступа    к   арифметикологическому
<a id="p102983"></a>                  устройству превышает 32 бита;

<a id="p102984"></a>I.16.1.1.1.2.     тактовая частота превышает 40 МГц;   8542

<a id="p102985"></a>I.16.1.1.1.3.     внешняя шина       данных      имеет 854211870
<a id="p102986"></a>                  разрядность  32  бита  и  более,   а
<a id="p102987"></a>                  производительность  равна  12,5 млн.
<a id="p102988"></a>                  команд в секунду и более;
<a id="p102989"></a>                      Примечание.                 Если
<a id="p102990"></a>                  производительность   не  определена,
<a id="p102991"></a>                  следует  воспользоваться  величиной,
<a id="p102992"></a>                  обратной     средней    длительности
<a id="p102993"></a>                  команды (в микросекундах)

<a id="p102994"></a>I.16.1.1.1.4.     процессор параллельного типа оснащен 854211760
<a id="p102995"></a>                  для  внешнего  подключения более чем
<a id="p102996"></a>                  одной шиной данных или  команд,  или
<a id="p102997"></a>                  последовательным   портом   связи  с
<a id="p102998"></a>                  пропускной  способностью  свыше  2,4
<a id="p102999"></a>                  Мбайт/с

<a id="p103000"></a>I.16.1.1.2.       Интегральные схемы памяти

<a id="p103001"></a>I.16.1.1.2.1.     Электрически     перепрограммируемые 854211720
<a id="p103002"></a>                  полупостоянные          запоминающие
<a id="p103003"></a>                  устройства   с   емкостью    памяти,
<a id="p103004"></a>                  превышающей  1  Мбит на один корпус,
<a id="p103005"></a>                  или превышающей  256  кбит  на  один
<a id="p103006"></a>                  корпус, и имеющие максимальное время
<a id="p103007"></a>                  доступа менее 80 нс

<a id="p103008"></a>I.16.1.1.2.2.     Статические запоминающие  устройства 854211550
<a id="p103009"></a>                  с произвольной выборкой  с  емкостью
<a id="p103010"></a>                  памяти,  превышающей  1 Мбит на один
<a id="p103011"></a>                  корпус или превышающей 256  кбит  на
<a id="p103012"></a>                  один корпус,  и имеющие максимальное
<a id="p103013"></a>                  время доступа менее 25 нс

<a id="p103014"></a>I.16.1.1.2.3.     Интегральные схемы           памяти, 854211760
<a id="p103015"></a>                  изготовленные  на  основе   сложного
<a id="p103016"></a>                  полупроводника

<a id="p103017"></a>I.16.1.1.3.       Электронно-оптические или оптические 854219
<a id="p103018"></a>                  интегральные   схемы  для  обработки
<a id="p103019"></a>                  сигналов, имеющие:
<a id="p103020"></a>                  один внутренний  лазерный  диод  или
<a id="p103021"></a>                  более;
<a id="p103022"></a>                  один внутренний  светочувствительный
<a id="p103023"></a>                  элемент   или   более;    оптические
<a id="p103024"></a>                  волноводы

<a id="p103025"></a>I.16.1.1.4.       Программируемые у       пользователя
<a id="p103026"></a>                  базовые матричные кристаллы, имеющие
<a id="p103027"></a>                  хотя   бы    одну    из    следующих
<a id="p103028"></a>                  характеристик:

<a id="p103029"></a>I.16.1.1.4.1.     эквивалентное количество    вентилей 854211300
<a id="p103030"></a>                  свыше    30000   (в   пересчете   на
<a id="p103031"></a>                  двухвходовые);

<a id="p103032"></a>I.16.1.1.4.2.     типовое время               задержки 854211300
<a id="p103033"></a>                  распространения  сигнала  в  базовом
<a id="p103034"></a>                  вентиле менее 0,4 нс

<a id="p103035"></a>I.16.1.1.5.       Программируемые у       пользователя
<a id="p103036"></a>                  логические матрицы,  имеющие хотя бы
<a id="p103037"></a>                  одну из следующих характеристик:

<a id="p103038"></a>I.16.1.1.5.1.     эквивалентное количество    вентилей 854211910
<a id="p103039"></a>                  свыше   5000   (в    пересчете    на
<a id="p103040"></a>                  двухвходовые);

<a id="p103041"></a>I.16.1.1.5.2.     частота переключения  превышает  100 854211910
<a id="p103042"></a>                  МГц

<a id="p103043"></a>I.16.1.1.6.       Интегральные схемы   для   нейронных 854219
<a id="p103044"></a>                  сетей

<a id="p103045"></a>I.16.1.1.7.       Заказные интегральные схемы, имеющие
<a id="p103046"></a>                  хотя    бы    одну    из   следующих
<a id="p103047"></a>                  характеристик:

<a id="p103048"></a>I.16.1.1.7.1.     число выводов свыше 144;             854219

<a id="p103049"></a>I.16.1.1.7.2.     типовое время               задержки 854219
<a id="p103050"></a>                  распространения  сигнала  в  базовом
<a id="p103051"></a>                  вентиле менее 0,4 нс;

<a id="p103052"></a>I.16.1.1.7.3.     рабочая частота свыше 3 ГГц          854219

<a id="p103053"></a>I.16.1.1.8.       Цифровые интегральные         схемы,
<a id="p103054"></a>                  отличающиеся от описанных в  пунктах
<a id="p103055"></a>                  I.16.1.1.1.-I.16.1.1.7.,   созданные
<a id="p103056"></a>                  на    основе     любого     сложного
<a id="p103057"></a>                  полупроводника  и  имеющие  хотя  бы
<a id="p103058"></a>                  одну из следующих характеристик:

<a id="p103059"></a>I.16.1.1.8.1.     эквивалентное количество    вентилей 854211990
<a id="p103060"></a>                  свыше   300    (в    пересчете    на
<a id="p103061"></a>                  двухвходовые);

<a id="p103062"></a>I.16.1.1.8.2.     частота переключения свыше 1,2 ГГц   854211990

<a id="p103063"></a>I.16.1.2.         Приборы микроволнового           или
<a id="p103064"></a>                  миллиметрового диапазона

<a id="p103065"></a>I.16.1.2.1.       Электронные вакуумные лампы и катоды
<a id="p103066"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103067"></a>                  по     пункту     I.16.1.2.1.     не
<a id="p103068"></a>                  распространяется      на      лампы,
<a id="p103069"></a>                  предназначенные   для    работы    в
<a id="p103070"></a>                  стандартном     диапазоне     частот
<a id="p103071"></a>                  гражданской   телекоммуникации,    с
<a id="p103072"></a>                  частотами, не превышающими 31 ГГц

<a id="p103073"></a>I.16.1.2.1.1.     Лампы бегущей  волны импульсного или
<a id="p103074"></a>                  непрерывного действия:

<a id="p103075"></a>I.16.1.2.1.1.1.   работающие на частотах свыше 31 ГГц; 854049000

<a id="p103076"></a>I.16.1.2.1.1.2.   имеющие элемент подогрева катода  со 854049000
<a id="p103077"></a>                  временем   от  включения  до  выхода
<a id="p103078"></a>                  лампы на номинальную  радиочастотную
<a id="p103079"></a>                  мощность менее 3 с;

<a id="p103080"></a>I.16.1.2.1.1.3.   с сопряженными резонаторами  или  их 854049000
<a id="p103081"></a>                  модификации;

<a id="p103082"></a>I.16.1.2.1.1.4.   со спиралью   или   их  модификации,
<a id="p103083"></a>                  имеющие хотя бы  один  из  следующих
<a id="p103084"></a>                  признаков:

<a id="p103085"></a>I.16.1.2.1.1.4.1. мгновенная ширина   полосы    частот 854049000
<a id="p103086"></a>                  составляет  пол-октавы  и  более,  и
<a id="p103087"></a>                  произведение   номинальной   средней
<a id="p103088"></a>                  выходной  мощности (в киловаттах) на
<a id="p103089"></a>                  максимальную рабочую частоту (в ГГц)
<a id="p103090"></a>                  превышает 0,2;

<a id="p103091"></a>I.16.1.2.1.1.4.2. мгновенная ширина   полосы    частот 854049000
<a id="p103092"></a>                  составляет   менее   пол-октавы,   и
<a id="p103093"></a>                  произведение   номинальной   средней
<a id="p103094"></a>                  выходной  мощности (в киловаттах) на
<a id="p103095"></a>                  максимальную рабочую частоту (в ГГц)
<a id="p103096"></a>                  превышает 0,4;

<a id="p103097"></a>I.16.1.2.1.1.4.3. по техническим условиям пригодны для 854049000
<a id="p103098"></a>                  космического применения

<a id="p103099"></a>I.16.1.2.1.2.     СВЧ-приборы-усилители  магнетронного 854041000
<a id="p103100"></a>                  типа  с коэффициентом усиления более
<a id="p103101"></a>                  17 дБ

<a id="p103102"></a>I.16.1.2.1.3.     Импрегнированные катоды          для
<a id="p103103"></a>                  электронных ламп,  имеющие  хотя  бы
<a id="p103104"></a>                  один из следующих признаков:

<a id="p103105"></a>I.16.1.2.1.3.1.   время от  включения  до  выхода   на 854049000
<a id="p103106"></a>                  номинальную эмиссию менее 3 с;

<a id="p103107"></a>I.16.1.2.1.3.2.   плотность тока    при    непрерывной 854049000
<a id="p103108"></a>                  эмиссии    и    штатных     условиях
<a id="p103109"></a>                  функционирования свыше 5 А/кв. см

<a id="p103110"></a>I.16.1.2.2.       Интегральные схемы     или    модули 854049000
<a id="p103111"></a>                  микроволнового диапазона, содержащие
<a id="p103112"></a>                  твердотельные   интегральные  схемы,
<a id="p103113"></a>                  работающие на частотах свыше 31 ГГц
<a id="p103114"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103115"></a>                  по     пункту     I.16.1.2.2.     не
<a id="p103116"></a>                  распространяется на схемы или модули
<a id="p103117"></a>                  для оборудования, разработанного или
<a id="p103118"></a>                  пригодного  для работы в стандартном
<a id="p103119"></a>                  диапазоне     частот     гражданской
<a id="p103120"></a>                  телекоммуникации,  с  частотами,  не
<a id="p103121"></a>                  превышающими 31 ГГц

<a id="p103122"></a>I.16.1.2.3.       Микроволновые           транзисторы, 854049000
<a id="p103123"></a>                  предназначенные    для   работы   на
<a id="p103124"></a>                  частотах, превышающих 31 ГГц

<a id="p103125"></a>I.16.1.2.4.       Микроволновые          твердотельные
<a id="p103126"></a>                  усилители:

<a id="p103127"></a>I.16.1.2.4.1.     работающие на  частотах  свыше  10,5 854049000
<a id="p103128"></a>                  ГГц и имеющие ширину рабочей  полосы
<a id="p103129"></a>                  частот более пол-октавы;

<a id="p103130"></a>I.16.1.2.4.2.     работающие на частотах свыше 31 ГГц  854049000
<a id="p103131"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103132"></a>                  по     пункту     I.16.1.2.4.     не
<a id="p103133"></a>                  распространяется на усилители:
                  1. <a id="p103134"></a>Специально  спроектированные  для
<a id="p103135"></a>                  медицинских целей
                  2. <a id="p103136"></a>Специально  спроектированные  для
<a id="p103137"></a>                  простых учебных приборов
                  3. <a id="p103138"></a>Имеющие   выходную   мощность  не
<a id="p103139"></a>                  более    10    Вт    и    специально
<a id="p103140"></a>                  спроектированные для:
<a id="p103141"></a>                  промышленных или гражданских  систем
<a id="p103142"></a>                  защиты     периметра,    обнаружения
<a id="p103143"></a>                  посторонних      лиц,       охранной
<a id="p103144"></a>                  сигнализации;
<a id="p103145"></a>                  автодорожных или промышленных систем
<a id="p103146"></a>                  управления    движением   и   систем
<a id="p103147"></a>                  подсчета;
<a id="p103148"></a>                  систем обнаружения    экологического
<a id="p103149"></a>                  загрязнения воздуха или воды

<a id="p103150"></a>I.16.1.2.5.       Полосовые или  заграждающие  фильтры  854049000
<a id="p103151"></a>                  электронной       или      магнитной
<a id="p103152"></a>                  настройкой,    имеющие    свыше    5
<a id="p103153"></a>                  настраиваемых           резонаторов,
<a id="p103154"></a>                  обеспечивающих  настройку  в  полосе
<a id="p103155"></a>                  частот с соотношением максимальной и
<a id="p103156"></a>                  минимальной частот 1,5/1  менее  чем
<a id="p103157"></a>                  за 10 мкс, причем полоса пропускания
<a id="p103158"></a>                  составляет более 0,5% от резонансной
<a id="p103159"></a>                  частоты    или   полоса   подавления
<a id="p103160"></a>                  составляет менее 0,5% от резонансной
<a id="p103161"></a>                  частоты

<a id="p103162"></a>I.16.1.2.6.       Микроволновые сборки,      способные 854049000
<a id="p103163"></a>                  работать на частотах, превышающих 31
<a id="p103164"></a>                  ГГц

<a id="p103165"></a>I.16.1.2.7.       Гибкие волноводы,   спроектированные 852910700
<a id="p103166"></a>                  для использования на частотах  свыше
<a id="p103167"></a>                  40 ГГц

<a id="p103168"></a>I.16.1.3.         Приборы на  акустических  волнах   и
<a id="p103169"></a>                  специально  спроектированные для них
<a id="p103170"></a>                  компоненты

<a id="p103171"></a>I.16.1.3.1.       Приборы на             поверхностных
<a id="p103172"></a>                  акустических     волнах     и     на
<a id="p103173"></a>                  акустических    волнах    в   тонкой
<a id="p103174"></a>                  подложке (т.е. приборы для обработки
<a id="p103175"></a>                  сигналов, использующие упругие волны
<a id="p103176"></a>                  в материале),  имеющие хотя бы  один
<a id="p103177"></a>                  из следующих признаков:
<a id="p103178"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103179"></a>                  по     пункту     I.16.1.3.1.     не
<a id="p103180"></a>                  распространяется     на     приборы,
<a id="p103181"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p103182"></a>                  бытовой электроники или развлечений

<a id="p103183"></a>I.16.1.3.1.1.     несущая частота превышает 1 ГГц;     854160000

<a id="p103184"></a>I.16.1.3.1.2.     несущая частота   1   ГГц  и  менее, 854160000
<a id="p103185"></a>                  частотное     подавление     боковых
<a id="p103186"></a>                  лепестков  диаграммы  направленности
<a id="p103187"></a>                  превышает   55   дБ,    произведение
<a id="p103188"></a>                  максимального  времени  задержки  (в
<a id="p103189"></a>                  мкс) на ширину полосы частот (в МГц)
<a id="p103190"></a>                  больше      100     или     задержка
<a id="p103191"></a>                  распространения превышает 10 мкс

<a id="p103192"></a>I.16.1.3.2.       Приборы на   объемных   акустических 854160000
<a id="p103193"></a>                  волнах (т.  е. приборы для обработки
<a id="p103194"></a>                  сигналов, использующие упругие волны
<a id="p103195"></a>                  в     материале),     обеспечивающие
<a id="p103196"></a>                  непосредственную  обработку сигналов
<a id="p103197"></a>                  на частотах свыше 1 ГГц

<a id="p103198"></a>I.16.1.3.3.       Акустооптические приборы   обработки 854160000
<a id="p103199"></a>                  сигналов,               использующие
<a id="p103200"></a>                  взаимодействие  между  акустическими
<a id="p103201"></a>                  волнами        (объемными        или
<a id="p103202"></a>                  поверхностными) и световыми волнами,
<a id="p103203"></a>                  что  обеспечивает   непосредственную
<a id="p103204"></a>                  обработку  сигналов или изображения,
<a id="p103205"></a>                  включая анализ  спектра,  корреляцию
<a id="p103206"></a>                  или свертку
<a id="p103207"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103208"></a>                  по     пункту     I.16.1.3.3.     не
<a id="p103209"></a>                  распространяется     на     приборы,
<a id="p103210"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p103211"></a>                  гражданского телевидения, видео- или
<a id="p103212"></a>                  амплитудно модулированной и частотно
<a id="p103213"></a>                  модулированной     широковещательной
<a id="p103214"></a>                  аппаратуры

<a id="p103215"></a>I.16.1.4.         Электронные приборы    или    схемы,
<a id="p103216"></a>                  содержащие  элементы,  изготовленные
<a id="p103217"></a>                  из    сверхпроводящих    материалов,
<a id="p103218"></a>                  специально    спроектированные   для
<a id="p103219"></a>                  работы   при    температурах    ниже
<a id="p103220"></a>                  критической   температуры   хотя  бы
<a id="p103221"></a>                  одной       из       сверхпроводящих
<a id="p103222"></a>                  составляющих,  имеющие  хотя бы один
<a id="p103223"></a>                  из следующих признаков:

<a id="p103224"></a>I.16.1.4.1.       наличие электромагнитного   усиления 854280000
<a id="p103225"></a>                  на частотах, равных или ниже 31 ГГц,
<a id="p103226"></a>                  с уровнем шумов ниже 0,5 дБ  или  на
<a id="p103227"></a>                  частотах свыше 31 ГГц;

<a id="p103228"></a>I.16.1.4.2.       наличие токовых  переключателей  для 854280000
<a id="p103229"></a>                  цифровых     схем,      использующих
<a id="p103230"></a>                  сверхпроводящие  вентили,  у которых
<a id="p103231"></a>                  произведение  времени  задержки   на
<a id="p103232"></a>                  вентиль  (в  секундах)  на рассеяние
<a id="p103233"></a>                  мощности на вентиль (в ваттах)  ниже
<a id="p103234"></a>                  10E-14 Дж;

<a id="p103235"></a>I.16.1.4.3.       обеспечение селекции частоты на всех 854280000
<a id="p103236"></a>                  диапазонах частот  с  использованием
<a id="p103237"></a>                  резонансных  контуров с добротностью
<a id="p103238"></a>                  свыше 10000

<a id="p103239"></a>I.16.1.5.         Вращающиеся          преобразователи
<a id="p103240"></a>                  абсолютного углового положения  вала
<a id="p103241"></a>                  в  код,  имеющие  хотя  бы  один  из
<a id="p103242"></a>                  следующих признаков:

<a id="p103243"></a>I.16.1.5.1.       разрешение лучше   чем  1/265000  от 854390900
<a id="p103244"></a>                  полного диапазона (18 бит);

<a id="p103245"></a>I.16.1.5.2.       точность лучше чем +-2,5 угл. с       854390900

<a id="p103246"></a>I.16.2.           Электронная аппаратура        общего
<a id="p103247"></a>                  назначения

<a id="p103248"></a>I.16.2.1.         Записывающая аппаратура

<a id="p103249"></a>I.16.2.1.1.       Накопители на  магнитной  ленте  для 852039900
<a id="p103250"></a>                  аналоговой    аппаратуры,    включая
<a id="p103251"></a>                  накопители   с  возможностью  записи
<a id="p103252"></a>                  цифровых сигналов (т.е. использующие
<a id="p103253"></a>                  модуль   цифровой   записи   высокой
<a id="p103254"></a>                  плотности),  имеющие хотя бы один из
<a id="p103255"></a>                  следующих признаков:

<a id="p103256"></a>I.16.2.1.1.1.     полоса частот  превышает  4  МГц  на 852039900
<a id="p103257"></a>                  электронный канал или дорожку;

<a id="p103258"></a>I.16.2.1.1.2.     полоса частот  превышает  2  МГц  на 852039900
<a id="p103259"></a>                  электронный канал  или  дорожку  при
<a id="p103260"></a>                  числе дорожек более 42;

<a id="p103261"></a>I.16.2.1.1.3.     ошибка рассогласования     временной 852039900
<a id="p103262"></a>                  шкалы менее +-0,1 мкс

<a id="p103263"></a>I.16.2.1.2.       Цифровые видеомагнитофоны,   имеющие 852110
<a id="p103264"></a>                  максимальную пропускную  способность 852190000
<a id="p103265"></a>                  цифрового   интерфейса   свыше   180
<a id="p103266"></a>                  Мбит/с,       кроме       специально
<a id="p103267"></a>                  спроектированных  для  телевизионной
<a id="p103268"></a>                  записи     по     стандартам     или
<a id="p103269"></a>                  рекомендациям    для    гражданского
<a id="p103270"></a>                  телевидения

<a id="p103271"></a>I.16.2.1.3.       Накопители на  магнитной  ленте  для
<a id="p103272"></a>                  цифровой аппаратуры, имеющие хотя бы
<a id="p103273"></a>                  один из следующих признаков:

<a id="p103274"></a>I.16.2.1.3.1.     максимальная пропускная  способность 852110
<a id="p103275"></a>                  цифрового интерфейса свыше 60 Мбит/с
<a id="p103276"></a>                  и использование методов  спирального
<a id="p103277"></a>                  сканирования;

<a id="p103278"></a>I.16.2.1.3.2.     максимальная пропускная  способность 852110
<a id="p103279"></a>                  цифрового   интерфейса   свыше   120
<a id="p103280"></a>                  Мбит/с и использование фиксированных
<a id="p103281"></a>                  магнитных головок;

<a id="p103282"></a>I.16.2.1.3.3.     по техническим условиям пригодны для 852110
<a id="p103283"></a>                  космического применения
<a id="p103284"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103285"></a>                  по     пункту     I.16.2.1.3.     не
<a id="p103286"></a>                  распространяется    на    аналоговые
<a id="p103287"></a>                  накопители   на   магнитной   ленте,
<a id="p103288"></a>                  оснащенные     электроникой      для
<a id="p103289"></a>                  преобразования   в  цифровую  запись
<a id="p103290"></a>                  высокой плотности и  предназначенные
<a id="p103291"></a>                  для записи только цифровых данных

<a id="p103292"></a>I.16.2.1.4.       Аппаратура с максимальной пропускной 852190000
<a id="p103293"></a>                  способностью   цифрового  интерфейса
<a id="p103294"></a>                  свыше  60  Мбит/с,  спроектированная
<a id="p103295"></a>                  для        переделки        цифровых
<a id="p103296"></a>                  видеомагнитофонов    в    устройства
<a id="p103297"></a>                  записи данных цифровой аппаратуры

<a id="p103298"></a>I.16.2.2.         Сборки синтезаторов частоты, имеющие 854380900
<a id="p103299"></a>                  время  переключения с одной заданной
<a id="p103300"></a>                  частоты на другую менее 1 мс

<a id="p103301"></a>I.16.2.3.         Анализаторы сигналов:

<a id="p103302"></a>I.16.2.3.1.       способные анализировать     частоты, 854380900
<a id="p103303"></a>                  превышающие 31 ГГц

<a id="p103304"></a>I.16.2.3.2.       динамические анализаторы  сигналов с 854380900
<a id="p103305"></a>                  полосой   пропускания   в   реальном
<a id="p103306"></a>                  масштабе  времени,  превышающей 25,6
<a id="p103307"></a>                  кГц,  кроме тех,  которые используют
<a id="p103308"></a>                  фильтры    с   полосой   пропускания
<a id="p103309"></a>                  фиксированных долей (известные также
<a id="p103310"></a>                  как   октавные   или  дробнооктавные
<a id="p103311"></a>                  фильтры)

<a id="p103312"></a>I.16.2.4.         Генераторы сигналов  синтезированных
<a id="p103313"></a>                  частот, формирующие выходные частоты
<a id="p103314"></a>                  с    управлением    по    параметрам
<a id="p103315"></a>                  точности,     кратковременной      и
<a id="p103316"></a>                  долговременной    стабильности,   на
<a id="p103317"></a>                  основе  или  с  помощью   внутренней
<a id="p103318"></a>                  эталонной  частоты,  имеющие хотя бы
<a id="p103319"></a>                  один из следующих признаков:

<a id="p103320"></a>I.16.2.4.1.       максимальная синтезируемая   частота 854320000
<a id="p103321"></a>                  превышает 31 ГГц;

<a id="p103322"></a>I.16.2.4.2.       время переключения частоты  с  одной 854320000
<a id="p103323"></a>                  заданной  частоты  на другую менее 1
<a id="p103324"></a>                  мс;

<a id="p103325"></a>I.16.2.4.3.       фазовый шум   одной  боковой  полосы 854320000
<a id="p103326"></a>                  (ОБП) лучше, чем - (126 + 20 lg(F) -
<a id="p103327"></a>                  20  lg(f) в единицах дБ/Гц,  где F -
<a id="p103328"></a>                  смещение рабочей частоты в Гц, а f -
<a id="p103329"></a>                  рабочая частота в МГц
<a id="p103330"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103331"></a>                  по      пункту      I.16.2.4.     не
<a id="p103332"></a>                  распространяется  на  аппаратуру,  в
<a id="p103333"></a>                  которой    выходная   частота   либо
<a id="p103334"></a>                  создается   путем    сложения    или
<a id="p103335"></a>                  вычитания  частот  с  двух  и  более
<a id="p103336"></a>                  кварцевых  генераторов,  либо  путем
<a id="p103337"></a>                  сложения или вычитания с последующим
<a id="p103338"></a>                  умножением результирующей частоты

<a id="p103339"></a>I.16.2.5.         Сетевые анализаторы  с  максимальной 854380900
<a id="p103340"></a>                  рабочей частотой, превышающей 31 ГГц
<a id="p103341"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103342"></a>                  по     пункту      I.16.2.5.      не
<a id="p103343"></a>                  распространяется      на     сетевые
<a id="p103344"></a>                  анализаторы с  качающейся  частотой,
<a id="p103345"></a>                  рабочая     частота    которых    не
<a id="p103346"></a>                  превосходит 40 ГГц и  которые  имеют
<a id="p103347"></a>                  шины     данных    для    интерфейса
<a id="p103348"></a>                  дистанционного управления

<a id="p103349"></a>I.16.2.6.         Приемники-тестеры     микроволнового 852790990
<a id="p103350"></a>                  диапазона,   имеющие    максимальную
<a id="p103351"></a>                  рабочую   частоту  более  31  ГГц  и
<a id="p103352"></a>                  способные   одновременно    измерять
<a id="p103353"></a>                  амплитуду и фазу

<a id="p103354"></a>I.16.2.7.         Атомные эталоны   частоты,   имеющие
<a id="p103355"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p103356"></a>I.16.2.7.1.       долговременная          стабильность 854320000
<a id="p103357"></a>                  (старение)       менее       (лучше)
<a id="p103358"></a>                  1x10E-11/мес;

<a id="p103359"></a>I.16.2.7.2.       по техническим условиям пригодны для 854320000
<a id="p103360"></a>                  космического применения
<a id="p103361"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103362"></a>                  по     пункту     I.16.2.7.1.     не
<a id="p103363"></a>                  распространяется    на    рубидиевые
<a id="p103364"></a>                  эталоны,   не   предназначенные  для
<a id="p103365"></a>                  космического применения

<a id="p103366"></a>I.16.2.8.         Эмуляторы микросхем,   указанных   в 854380900
<a id="p103367"></a>                  пунктах I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.
<a id="p103368"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103369"></a>                  по     пункту      I.16.2.8.      не
<a id="p103370"></a>                  распространяется    на    эмуляторы,
<a id="p103371"></a>                  спроектированные   под    семейство,
<a id="p103372"></a>                  содержащее  хотя бы один прибор,  не
<a id="p103373"></a>                  подлежащий экспортному  контролю  по
<a id="p103374"></a>                  пунктам I.16.1.1.1. или I.16.1.1.6.

<a id="p103375"></a>I.16.3.           Оборудование для   производства    и
<a id="p103376"></a>                  испытания полупроводниковых приборов

<a id="p103377"></a>I.16.3.1.         Снабженные    программно-управляемым
<a id="p103378"></a>                  запоминающим  устройством  установки
<a id="p103379"></a>                  для эпитаксиального выращивания

<a id="p103380"></a>I.16.3.1.1.       Установки для        эпитаксиального 841989900
<a id="p103381"></a>                  выращивания,  способные  выдерживать
<a id="p103382"></a>                  толщину   эпитаксиального   слоя   с
<a id="p103383"></a>                  отклонением   не  более  +-2,5%   на
<a id="p103384"></a>                  протяжении  не  менее  75  мм  вдоль
<a id="p103385"></a>                  пластины

<a id="p103386"></a>I.16.3.1.2.       Установки химического      осаждения 841989900
<a id="p103387"></a>                  металлорганических            паров,
<a id="p103388"></a>                  специально    предназначенные    для
<a id="p103389"></a>                  выращивания    кристаллов    сложных
<a id="p103390"></a>                  полупроводников с помощью химических
<a id="p103391"></a>                  реакций  материалов,   указанных   в
<a id="p103392"></a>                  пунктах   I.6.11.  -  I.6.11.4.  или
<a id="p103393"></a>                  I.6.12.

<a id="p103394"></a>I.16.3.1.3.       Установки        молекулярно-лучевой 841780100
<a id="p103395"></a>                  эпитаксии,   использующие    газовые
<a id="p103396"></a>                  источники

<a id="p103397"></a>I.16.3.2.         Многофункциональные     фокусируемые
<a id="p103398"></a>                  ионно-лучевые   системы,  снабженные
<a id="p103399"></a>                  программно-управляющим  запоминающим
<a id="p103400"></a>                  устройством,              специально
<a id="p103401"></a>                  спроектированные  для  производства,
<a id="p103402"></a>                  ремонта,      анализа     физической
<a id="p103403"></a>                  топологии и тестирования  масок  или
<a id="p103404"></a>                  полупроводниковых приборов,  имеющие
<a id="p103405"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p103406"></a>I.16.3.2.1.       точность управления положением пучка 845610000
<a id="p103407"></a>                  на мишени 0,25 мкм или лучше;

<a id="p103408"></a>I.16.3.2.2.       разрешающая              способность 845610000
<a id="p103409"></a>                  цифро-аналогового     преобразования
<a id="p103410"></a>                  свыше 12 бит

<a id="p103411"></a>I.16.3.3.         Многокамерный центр        обработки 845610000;
<a id="p103412"></a>                  полупроводниковых     пластин      с 845690000
<a id="p103413"></a>                  автоматической      загрузкой      и
<a id="p103414"></a>                  программно-управляющим  запоминающим
<a id="p103415"></a>                  устройством,  имеющий устройства для
<a id="p103416"></a>                  загрузки  и  выгрузки   пластин,   к
<a id="p103417"></a>                  которому  должны  быть  присоединены
<a id="p103418"></a>                  более двух установок технологической
<a id="p103419"></a>                  обработки           полупроводников,
<a id="p103420"></a>                  образующих               комплексную
<a id="p103421"></a>                  вакуумированную      систему     для
<a id="p103422"></a>                  последовательной    многопозиционной
<a id="p103423"></a>                  обработки пластин
<a id="p103424"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103425"></a>                  по     пункту      I.16.3.3.      не
<a id="p103426"></a>                  распространяется  на  автоматические
<a id="p103427"></a>                  робототехнические системы  обработки
<a id="p103428"></a>                  пластин,   не   предназначенные  для
<a id="p103429"></a>                  работы в вакууме

<a id="p103430"></a>I.16.3.4.         Установки литографии,     снабженные
<a id="p103431"></a>                  программно-управляющим  запоминающим
<a id="p103432"></a>                  устройством

<a id="p103433"></a>I.16.3.4.1.       Установки многократного совмещения и
<a id="p103434"></a>                  экспонирования для обработки пластин
<a id="p103435"></a>                  методами     фотооптической      или
<a id="p103436"></a>                  рентгеновской   литографии,  имеющие
<a id="p103437"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p103438"></a>I.16.3.4.1.1.     наличие источника освещения с длиной 900922900
<a id="p103439"></a>                  волны короче 400 нм;

<a id="p103440"></a>I.16.3.4.1.2.     цифровая апертура свыше 0,40;        900922900

<a id="p103441"></a>I.16.3.4.1.3.     точность совмещения  +-0,20  мкм   (3 900922900
<a id="p103442"></a>                  сигма) или лучше
<a id="p103443"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103444"></a>                  по     пункту     I.16.3.4.1.     не
<a id="p103445"></a>                  распространяется    на     установки
<a id="p103446"></a>                  многократного      совмещения      и
<a id="p103447"></a>                  экспонирования,  имеющие длину волны
<a id="p103448"></a>                  источника   освещения   436  нм  или
<a id="p103449"></a>                  больше,  цифровую апертуру 0,38  или
<a id="p103450"></a>                  меньше,  диаметр изображения 22 мм и
<a id="p103451"></a>                  меньше

<a id="p103452"></a>I.16.3.4.2.       Установки,                специально
<a id="p103453"></a>                  спроектированные  для   производства
<a id="p103454"></a>                  масок          или         обработки
<a id="p103455"></a>                  полупроводниковых     приборов     с
<a id="p103456"></a>                  использованием          отклоняемого
<a id="p103457"></a>                  фокусируемого  электронного   пучка,
<a id="p103458"></a>                  ионного  пучка  или лазерного пучка,
<a id="p103459"></a>                  имеющие хотя бы  один  из  следующих
<a id="p103460"></a>                  признаков:

<a id="p103461"></a>I.16.3.4.2.1.     размер пятна меньше чем 0,2 мкм;     845610000

<a id="p103462"></a>I.16.3.4.2.2.     способность производить  структуру с 845610000
<a id="p103463"></a>                  минимальными размерами менее 1 мкм;

<a id="p103464"></a>I.16.3.4.2.3.     точность совмещения  лучше +-0,2 мкм 845610000
<a id="p103465"></a>                  (3 сигма)

<a id="p103466"></a>I.16.3.5.         Маски или фотошаблоны

<a id="p103467"></a>I.16.3.5.1.       Маски или      фотошаблоны       для 901090000
<a id="p103468"></a>                  интегральных   схем,   указанных   в
<a id="p103469"></a>                  пунктах I.16.1. - I.16.1.1.8.2.

<a id="p103470"></a>I.16.3.5.2.       Многослойные маски,       оснащенные 901090000
<a id="p103471"></a>                  фазосдвигающим слоем

<a id="p103472"></a>I.16.3.6.         Испытательная аппаратура, снабженная
<a id="p103473"></a>                  программно-управляющим  запоминающим
<a id="p103474"></a>                  устройством,              специально
<a id="p103475"></a>                  спроектированная    для    испытания
<a id="p103476"></a>                  полупроводниковых     приборов     и
<a id="p103477"></a>                  бескорпусных кристаллов

<a id="p103478"></a>I.16.3.6.1.       Аппаратура для   замера   параметров 903180390
<a id="p103479"></a>                  матрицы рассеяния на частотах  свыше
<a id="p103480"></a>                  31 ГГц

<a id="p103481"></a>I.16.3.6.2.       Аппаратура для             испытания 903180390
<a id="p103482"></a>                  интегральных   схем   и  их  сборок,
<a id="p103483"></a>                  способная  выполнять  функциональное
<a id="p103484"></a>                  тестирование       (по      таблицам
<a id="p103485"></a>                  истинности) с частотой  тестирования
<a id="p103486"></a>                  строк свыше 40 МГц
<a id="p103487"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103488"></a>                  по     пункту     I.16.3.6.2.     не
<a id="p103489"></a>                  распространяется    на   аппаратуру,
<a id="p103490"></a>                  специально   спроектированную    для
<a id="p103491"></a>                  испытаний:
<a id="p103492"></a>                  сборок или класса сборок для бытовой
<a id="p103493"></a>                  электроники или развлечений;
<a id="p103494"></a>                  электронных компонентов,  сборок или
<a id="p103495"></a>                  интегральных  схем,  не   подлежащих
<a id="p103496"></a>                  экспортному контролю

<a id="p103497"></a>I.16.3.6.3.       Аппаратура для             испытания 903180390
<a id="p103498"></a>                  микроволновых интегральных  схем  на
<a id="p103499"></a>                  частотах, превышающих 31 ГГц
<a id="p103500"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103501"></a>                  по     пункту     I.16.3.6.3.     не
<a id="p103502"></a>                  распространяется   на    аппаратуру,
<a id="p103503"></a>                  специально    спроектированную   для
<a id="p103504"></a>                  испытаний микроволновых интегральных
<a id="p103505"></a>                  схем,        для       оборудования,
<a id="p103506"></a>                  предназначенного или  пригодного  по
<a id="p103507"></a>                  техническим  условиям  для  работы в
<a id="p103508"></a>                  стандартном гражданском диапазоне на
<a id="p103509"></a>                  частотах, не превышающих 31 ГГц

<a id="p103510"></a>I.16.3.6.4.       Электронно-лучевые          системы, 903180390
<a id="p103511"></a>                  спроектированные  для   работы   при
<a id="p103512"></a>                  энергиях  ниже  3 кэВ,  или лазерные
<a id="p103513"></a>                  лучевые системы  для  бесконтактного
<a id="p103514"></a>                  зондирования              запитанных
<a id="p103515"></a>                  полупроводниковых приборов,  имеющие
<a id="p103516"></a>                  одновременно стробоскопический режим
<a id="p103517"></a>                  либо  с  затенением  луча,  либо   с
<a id="p103518"></a>                  детекторным     стробированием     и
<a id="p103519"></a>                  электронный спектрометр  для  замера
<a id="p103520"></a>                  напряжений менее 0,5 В
<a id="p103521"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103522"></a>                  по     пункту     I.16.3.6.4.     не
<a id="p103523"></a>                  распространяется    на   сканирующие
<a id="p103524"></a>                  электронные микроскопы,  кроме  тех,
<a id="p103525"></a>                  которые  специально спроектированы и
<a id="p103526"></a>                  оснащены     для      бесконтактного
<a id="p103527"></a>                  зондирования              запитанных
<a id="p103528"></a>                  полупроводниковых приборов

<a id="p103529"></a>I.16.4.           Радиолокационные станции      (РЛС),
<a id="p103530"></a>                  аппаратура,   узлы   и    специально
<a id="p103531"></a>                  разработанные компоненты
<a id="p103532"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103533"></a>                  по       пункту      I.16.4.      не
<a id="p103534"></a>                  распространяется на:
<a id="p103535"></a>                  РЛС с активным ответом;
<a id="p103536"></a>                  автомобильные РЛС для предотвращения
<a id="p103537"></a>                  столкновений;
<a id="p103538"></a>                  дисплеи и мониторы, используемые для
<a id="p103539"></a>                  контроля     воздушного    движения,
<a id="p103540"></a>                  имеющие  разрешение  не   более   12
<a id="p103541"></a>                  элементов на мм

<a id="p103542"></a>I.16.4.1.         РЛС, работающие на  частотах  от  40 852610900
<a id="p103543"></a>                  ГГц  до  230  ГГц  и имеющие среднюю
<a id="p103544"></a>                  выходную мощность более 100 МВт

<a id="p103545"></a>I.16.4.2.         РЛС, рабочая  частота  которых может 852610900
<a id="p103546"></a>                  перестраиваться в пределах более чем
<a id="p103547"></a>                  +-6,25%   от   центральной   рабочей
<a id="p103548"></a>                  частоты
<a id="p103549"></a>                      Примечание. Центральная  рабочая
<a id="p103550"></a>                  частота равна полусумме наибольшей и
<a id="p103551"></a>                  наименьшей   несущих   частот,    на
<a id="p103552"></a>                  которых может работать РЛС

<a id="p103553"></a>I.16.4.3.         РЛС, имеющие возможность работать на 852610900
<a id="p103554"></a>                  двух или более несущих частотах

<a id="p103555"></a>I.16.4.4.         РЛС воздушного базирования,  имеющие 852610900
<a id="p103556"></a>                  возможность    функционирования    в
<a id="p103557"></a>                  режимах   синтезированной  апертуры,
<a id="p103558"></a>                  обратной  синтезированной   апертуры
<a id="p103559"></a>                  или бокового обзора

<a id="p103560"></a>I.16.4.5.         РЛС, включающие         фазированные 852610900
<a id="p103561"></a>                  антенные  решетки  для  электронного
<a id="p103562"></a>                  управления лучом

<a id="p103563"></a>I.16.4.6.         РЛС, обладающие         способностью 852610900
<a id="p103564"></a>                  нахождения высотных одиночных целей
<a id="p103565"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103566"></a>                  по     пункту      I.16.4.6.      не
<a id="p103567"></a>                  распространяется  на  аппаратуру РЛС
<a id="p103568"></a>                  точной   посадки,    удовлетворяющую
<a id="p103569"></a>                  стандартам ИКАО, и метеорологические
<a id="p103570"></a>                  (погодные) РЛС

<a id="p103571"></a>I.16.4.7.         РЛС, предназначенные  специально для 852610900
<a id="p103572"></a>                  воздушного  базирования  и   имеющие
<a id="p103573"></a>                  доплеровскую  обработку  сигнала для
<a id="p103574"></a>                  обнаружения движущихся целей

<a id="p103575"></a>I.16.4.8.         РЛС, использующие  обработку сигнала 852610900
<a id="p103576"></a>                  методами  расширения   спектра   или
<a id="p103577"></a>                  перестройки частоты

<a id="p103578"></a>I.16.4.9.         РЛС, обеспечивающие         наземное 852610900
<a id="p103579"></a>                  функционирование    с   максимальной
<a id="p103580"></a>                  инструментальной  дальностью   свыше
<a id="p103581"></a>                  185 км
<a id="p103582"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103583"></a>                  по      пункту      I.16.4.9.     не
<a id="p103584"></a>                  распространяется  на  наземные   РЛС
<a id="p103585"></a>                  наблюдения рыбных косяков

<a id="p103586"></a>I.16.4.10.        Лазерные локационные   станции   или
<a id="p103587"></a>                  лазерные дальномеры (ЛИДАРы):

<a id="p103588"></a>I.16.4.10.1.      имеющие космическое применение;      901380000

<a id="p103589"></a>I.16.4.10.2.      использующие методы     когерентного 901380000
<a id="p103590"></a>                  гетеродинного    или     гомодинного
<a id="p103591"></a>                  детектирования   и  имеющие  угловое
<a id="p103592"></a>                  разрешение менее (лучше) 20 мкрад
<a id="p103593"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103594"></a>                  по пунктам I.16.4.10. - I.16.4.10.2.
<a id="p103595"></a>                  не   распространяется   на   ЛИДАРы,
<a id="p103596"></a>                  специально   спроектированные    для
<a id="p103597"></a>                  метеорологических наблюдений

<a id="p103598"></a>I.16.4.11.        РЛС, имеющие  подсистемы   обработки 852610900
<a id="p103599"></a>                  сигнала  в  виде  сжатия  импульса с
<a id="p103600"></a>                  коэффициентом сжатия свыше  150  или
<a id="p103601"></a>                  шириной импульса менее 200 нс

<a id="p103602"></a>I.16.4.12.        РЛС, имеющие   подсистемы  обработки
<a id="p103603"></a>                  данных:

<a id="p103604"></a>I.16.4.12.1.      с автоматическим      сопровождением 852610900
<a id="p103605"></a>                  целей,   обеспечивающим   при  любом
<a id="p103606"></a>                  вращении   антенны    предполагаемое
<a id="p103607"></a>                  положение   цели   далее,   чем   до
<a id="p103608"></a>                  следующего прохождения луча антенны;
<a id="p103609"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103610"></a>                  по    пункту     I.16.4.12.1.     не
<a id="p103611"></a>                  распространяется  на средства выдачи
<a id="p103612"></a>                  сигнала      для      предупреждения
<a id="p103613"></a>                  столкновений   в  системах  контроля
<a id="p103614"></a>                  воздушного  движения,  морских   или
<a id="p103615"></a>                  прибрежных РЛС

<a id="p103616"></a>I.16.4.12.2.      с    вычислением    скорости    цели 852610900
<a id="p103617"></a>                  относительно      РЛС,       имеющей
<a id="p103618"></a>                  непериодическое сканирование;

<a id="p103619"></a>I.16.4.12.3.      для автоматического    распознавания 852610900
<a id="p103620"></a>                  образов   (выделение   признаков)  и
<a id="p103621"></a>                  сравнения    с     базами     данных
<a id="p103622"></a>                  характеристик   цели  (сигналов  или
<a id="p103623"></a>                  образов)   для   идентификации   или
<a id="p103624"></a>                  классификации целей;

<a id="p103625"></a>I.16.4.12.4.      с наложением,    корреляцией     или 852610900
<a id="p103626"></a>                  слиянием  данных  цели  от  двух или
<a id="p103627"></a>                  более пространственно распределенных
<a id="p103628"></a>                  на   местности   и   взаимосвязанных
<a id="p103629"></a>                  датчиков    РЛС    для     улучшения
<a id="p103630"></a>                  различения целей
<a id="p103631"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103632"></a>                  по    пункту     I.16.4.12.4.     не
<a id="p103633"></a>                  распространяется     на     системы,
<a id="p103634"></a>                  оборудование  и  узлы  для  контроля
<a id="p103635"></a>                  морского движения

<a id="p103636"></a>I.16.4.13.        Импульсные РЛС   измерения   площади 852610900
<a id="p103637"></a>                  поперечного сечения с  длительностью
<a id="p103638"></a>                  импульса   100   нс   или   менее  и
<a id="p103639"></a>                  специальными компонентами

<a id="p103640"></a>I.16.4.14.        Антенные фазированные       решетки, 852910900
<a id="p103641"></a>                  функционирующие  на  частотах   выше
<a id="p103642"></a>                  10,5    ГГц,   содержащие   активные
<a id="p103643"></a>                  элементы      и       распределенные
<a id="p103644"></a>                  компоненты, позволяющие осуществлять
<a id="p103645"></a>                  электронное  управление   формой   и
<a id="p103646"></a>                  направлением  луча,  за  исключением
<a id="p103647"></a>                  систем   посадки   с    аппаратурой,
<a id="p103648"></a>                  удовлетворяющей    стандартам   ИКАО
<a id="p103649"></a>                  (система посадки СВЧ-диапазона)

<a id="p103650"></a>I.16.5.           Телекоммуникационная     аппаратура,
<a id="p103651"></a>                  узлы и компоненты

<a id="p103652"></a>I.16.5.1.         Любой тип      телекоммуникационного
<a id="p103653"></a>                  оборудования,  имеющего хотя бы одну
<a id="p103654"></a>                  из    перечисленных   характеристик,
<a id="p103655"></a>                  свойств или качеств:

<a id="p103656"></a>I.16.5.1.1.       специально разработанное  для защиты 8517;
<a id="p103657"></a>                  от   транзисторного   эффекта    или 852520900;
<a id="p103658"></a>                  электромагнитного          импульса, 852790990;
<a id="p103659"></a>                  возникающих при ядерном взрыве;      854380900

<a id="p103660"></a>I.16.5.1.2.       специально разработанное           с 8517;
<a id="p103661"></a>                  повышенной   стойкостью   к   гамма, 852520900;
<a id="p103662"></a>                  нейтронному или ионному излучению;   852790990;
<a id="p103663"></a>                                                       854380900

<a id="p103664"></a>I.16.5.1.3.       специально разработанное         для 8471;
<a id="p103665"></a>                  функционирования     за    пределами 852520900;
<a id="p103666"></a>                  интервала температур от 219 К   (-54 852790990;
<a id="p103667"></a>                  С) до 397 К (124 С)                  854380900
<a id="p103668"></a>                      Примечания: 1. Пункт I.16.5.1.3.
<a id="p103669"></a>                  применяется  только  в  отношении  к
<a id="p103670"></a>                  электронной аппаратуре
                  2. <a id="p103671"></a>Пункты I.16.5.1.2.  и I.16.5.1.3.
<a id="p103672"></a>                  не   применяются   в   отношении   к
<a id="p103673"></a>                  бортовой аппаратуре спутников

<a id="p103674"></a>I.16.5.2.         Телекоммуникационная      аппаратура
<a id="p103675"></a>                  передачи        или       специально
<a id="p103676"></a>                  разработанные      компоненты      и
<a id="p103677"></a>                  вспомогательное        оборудование,
<a id="p103678"></a>                  содержащие:
<a id="p103679"></a>                      Примечание.                    К
<a id="p103680"></a>                  телекоммуникационной      аппаратуре
<a id="p103681"></a>                  передачи,    указанной   в   пунктах
<a id="p103682"></a>                  I.16.5.2.1.    -     I.16.5.2.11.3.,
<a id="p103683"></a>                  относится аппаратура:
<a id="p103684"></a>                  а) определяемая    по    одной    из
<a id="p103685"></a>                  следующих    категорий    или     их
<a id="p103686"></a>                  комбинаций:
                  1. <a id="p103687"></a>радиоаппаратура        (например,
<a id="p103688"></a>                  передатчики,       приемники       и
<a id="p103689"></a>                  трансиверы);
                  2. <a id="p103690"></a>оконечная аппаратура линий;
                  3. <a id="p103691"></a>аппаратура          промежуточных
<a id="p103692"></a>                  усилителей;
                  4. <a id="p103693"></a>ретрансляционная аппаратура;
                  5. <a id="p103694"></a>аппаратура     ретрансляции     с
<a id="p103695"></a>                  восстановлением сигнала;
                  6. <a id="p103696"></a>трансляционные             кодеры
<a id="p103697"></a>                  (транскодеры);
                  7. <a id="p103698"></a>аппаратура   уплотнения  (включая
<a id="p103699"></a>                  статистическое уплотнение);
                  8. <a id="p103700"></a>модуляторы/демодуляторы (модемы);
                  9. <a id="p103701"></a>трансмультиплексная аппаратура;
<a id="p103702"></a>                  10.цифровая           коммутационная
<a id="p103703"></a>                  аппаратура  с встроенным программным
<a id="p103704"></a>                  управлением;
<a id="p103705"></a>                  11.ключи и мосты;
<a id="p103706"></a>                  12.аппаратура доступа              к
<a id="p103707"></a>                  телекоммуникационной среде
<a id="p103708"></a>                  б) разработанная для использования в
<a id="p103709"></a>                  одноканальных   или   многоканальных
<a id="p103710"></a>                  линиях связи через:
<a id="p103711"></a>                  провода (линии);
<a id="p103712"></a>                  коаксиальный кабель;
<a id="p103713"></a>                  оптоволоконный кабель;
<a id="p103714"></a>                  электромагнитное излучение

<a id="p103715"></a>I.16.5.2.1.       аппаратуру, использующую    цифровые 852520900
<a id="p103716"></a>                  методы,  включая  цифровую обработку
<a id="p103717"></a>                  аналоговых  сигналов,  разработанную
<a id="p103718"></a>                  для  функционирования  при  скорости
<a id="p103719"></a>                  цифровой передачи на верхнем пределе
<a id="p103720"></a>                  уплотнения свыше 45 Мбит/с или общей
<a id="p103721"></a>                  скорости цифровой передачи свыше  90
<a id="p103722"></a>                  Мбит/с;
<a id="p103723"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103724"></a>                  по     пункту     I.16.5.2.1.     не
<a id="p103725"></a>                  распространяется    на   аппаратуру,
<a id="p103726"></a>                  специально     разработанную     для
<a id="p103727"></a>                  включения и функционирования в любой
<a id="p103728"></a>                  спутниковой   системе   гражданского
<a id="p103729"></a>                  назначения

<a id="p103730"></a>I.16.5.2.2.       аппаратуру цифровой  коммутации   со 852520900
<a id="p103731"></a>                  встроенным программным управлением и
<a id="p103732"></a>                  скоростью  цифровой  передачи  свыше
<a id="p103733"></a>                  8,5 Мбит/с на порт;

<a id="p103734"></a>I.16.5.2.3.       аппаратуру, включающую:

<a id="p103735"></a>I.16.5.2.3.1.     модемы, использующие  полосу  одного 852520900
<a id="p103736"></a>                  телефонного   канала,  со  скоростью
<a id="p103737"></a>                  цифровой передачи свыше 9600 бит/с;

<a id="p103738"></a>I.16.5.2.3.2.     контроллеры канала  связи с цифровым 852520900
<a id="p103739"></a>                  выходом,  имеющие скорость  передачи
<a id="p103740"></a>                  свыше 64000 бит/с на канал;

<a id="p103741"></a>I.16.5.2.3.3.     контроллеры доступа   в    сеть    и  852520900
<a id="p103742"></a>                  связанную  с  ними  общую  среду  со
<a id="p103743"></a>                  скоростью передачи свыше 33 Мбит/с;
<a id="p103744"></a>                      Примечание. Если не  подпадающее
<a id="p103745"></a>                  под экспортный контроль оборудование
<a id="p103746"></a>                  содержит контроллер доступа в  сеть,
<a id="p103747"></a>                  то  оно  не  должно иметь какой-либо
<a id="p103748"></a>                  тип            телекоммуникационного
<a id="p103749"></a>                  интерфейса,      за      исключением
<a id="p103750"></a>                  описанного в пунктах  I.16.5.2.3.  -
<a id="p103751"></a>                  I.16.5.3.3.,  но  с параметрами ниже
<a id="p103752"></a>                  приведенных

<a id="p103753"></a>I.16.5.2.4.       аппаратуру, использующую   лазер   и
<a id="p103754"></a>                  имеющую  хотя  бы  одну из следующих
<a id="p103755"></a>                  характеристик:

<a id="p103756"></a>I.16.5.2.4.1.     длина волны свыше 1000 нм;           852520900

<a id="p103757"></a>I.16.5.2.4.2.     использование аналоговых  методов  и 852520900
<a id="p103758"></a>                  полосы частот более 45 МГц;

<a id="p103759"></a>I.16.5.2.4.3.     использование когерентной оптической 852520900
<a id="p103760"></a>                  передачи   или  когерентных  методов
<a id="p103761"></a>                  оптического  детектирования   (также
<a id="p103762"></a>                  называемых оптическими гетеродинными
<a id="p103763"></a>                  или гомодинными методами);

<a id="p103764"></a>I.16.5.2.4.4.     использование методов  уплотнения  с 852520900
<a id="p103765"></a>                  разделением по длине волны

<a id="p103766"></a>I.16.5.2.4.5.     осуществление оптического усиления;  852520900

<a id="p103767"></a>I.16.5.2.5.       радиоаппаратуру, функционирующую  на
<a id="p103768"></a>                  частотах   входного   или  выходного
<a id="p103769"></a>                  сигнала свыше:

<a id="p103770"></a>I.16.5.2.5.1.     31 ГГц  для  применения  на наземных 852520900
<a id="p103771"></a>                  станциях систем спутниковой связи;

<a id="p103772"></a>I.16.5.2.5.2.     26,5 ГГц для других применений;      852520900
<a id="p103773"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103774"></a>                  по     пункту     I.16.4.5.2.     не
<a id="p103775"></a>                  распространяется на радиоаппаратуру,
<a id="p103776"></a>                  рассчитанную     на      гражданское
<a id="p103777"></a>                  применение,     функционирующую    в
<a id="p103778"></a>                  диапазоне  частот  26,5-31   ГГц   в
<a id="p103779"></a>                  соответствии     с    рекомендациями
<a id="p103780"></a>                  Международного союза электросвязи

<a id="p103781"></a>I.16.5.2.6.       радиоаппаратуру,        использующую 852520900
<a id="p103782"></a>                  квадратурную  амплитудную  модуляцию
<a id="p103783"></a>                  выше уровня 4  или  другие  цифровые
<a id="p103784"></a>                  методы     модуляции    и    имеющую
<a id="p103785"></a>                  спектральную эффективность  свыше  3
<a id="p103786"></a>                  бит/(с х Гц);
<a id="p103787"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103788"></a>                  по     пункту     I.16.5.2.6.     не
<a id="p103789"></a>                  распространяется    на   аппаратуру,
<a id="p103790"></a>                  специально     разработанную     для
<a id="p103791"></a>                  включения    и    работы   в   любой
<a id="p103792"></a>                  спутниковой   системе   гражданского
<a id="p103793"></a>                  назначения

<a id="p103794"></a>I.16.5.2.7.       радиоаппаратуру, функционирующую   в
<a id="p103795"></a>                  диапазоне 1,5 - 87,5 МГц  и  имеющую
<a id="p103796"></a>                  какую-либо    из    указанных   ниже
<a id="p103797"></a>                  характеристик:

<a id="p103798"></a>I.16.5.2.7.1.     автоматические прогнозирование     и 852520900
<a id="p103799"></a>                  выбор  значений   частот   и   общей
<a id="p103800"></a>                  скорости  цифровой  передачи  для ее
<a id="p103801"></a>                  оптимизации;

<a id="p103802"></a>I.16.5.2.7.2.     наличие линейного          усилителя 852520900
<a id="p103803"></a>                  мощности,  способного   одновременно
<a id="p103804"></a>                  поддерживать множественные сигналы с
<a id="p103805"></a>                  выходной мощностью 1 кВт или более в
<a id="p103806"></a>                  частотном диапазоне 1,5-30 МГц,  или
<a id="p103807"></a>                  250  Вт  или   более   в   частотном
<a id="p103808"></a>                  диапазоне    30-87,5    МГц,   свыше
<a id="p103809"></a>                  пределов  мгновенной  полосы   одной
<a id="p103810"></a>                  октавы  или  более  и  с содержанием
<a id="p103811"></a>                  гармоник и искажений на выходе лучше
<a id="p103812"></a>                  80 дБ;

<a id="p103813"></a>I.16.5.2.7.3.     включающая адаптивные        методы, 852520900
<a id="p103814"></a>                  обеспечивающие подавления помехового
<a id="p103815"></a>                  сигнала более чем на 15 дБ;

<a id="p103816"></a>I.16.5.2.8.       радиоаппаратуру,        использующую 852520900
<a id="p103817"></a>                  расширение   спектра   или    методы
<a id="p103818"></a>                  перестройки  частоты,  имеющую  коды
<a id="p103819"></a>                  расширения,          программируемые
<a id="p103820"></a>                  пользователем,   или   общую  ширину
<a id="p103821"></a>                  полосы частот  передачи  в  100  или
<a id="p103822"></a>                  более  раз превышающую полосу частот
<a id="p103823"></a>                  одного  информационного   канала   и
<a id="p103824"></a>                  составляющую более чем 50 кГц;

<a id="p103825"></a>I.16.5.2.9.       радиоприемники с            цифровым 852520900
<a id="p103826"></a>                  управлением   и   более   чем   1000
<a id="p103827"></a>                  каналами, которые ищут или сканируют
<a id="p103828"></a>                  в  части  электромагнитного спектра,
<a id="p103829"></a>                  идентифицируют принятый  сигнал  или
<a id="p103830"></a>                  тип   передатчика   и   имеют  время
<a id="p103831"></a>                  переключения частоты менее 1 мс;

<a id="p103832"></a>I.16.5.2.10.      аппаратуру, обеспечивающую  цифровую
<a id="p103833"></a>                  обработку сигналов в виде:

<a id="p103834"></a>I.16.5.2.10.1.    кодирования речи со скоростью  менее 852520900
<a id="p103835"></a>                  2400 бит/с;

<a id="p103836"></a>I.16.5.2.10.2.    использования схем,   обеспечивающих 852520900
<a id="p103837"></a>                  программируемость пользователем схем
<a id="p103838"></a>                  цифровой     обработки     сигналов,
<a id="p103839"></a>                  превышающих пределы  ограничения  по
<a id="p103840"></a>                  пункту I.16.9.7.;

<a id="p103841"></a>I.16.5.2.11.      системы подводной   связи,   имеющие
<a id="p103842"></a>                  любую из следующих характеристик:

<a id="p103843"></a>I.16.5.2.11.1.    использование акустической   несущей 851850900
<a id="p103844"></a>                  частоты за пределами интервала от 20
<a id="p103845"></a>                  до 60 кГц;

<a id="p103846"></a>I.16.5.2.11.2.    использование       электромагнитной 852520900
<a id="p103847"></a>                  несущей частоты ниже 30 кГц;

<a id="p103848"></a>I.16.5.2.11.3.    использование методов   электронного 852520900
<a id="p103849"></a>                  сканирования луча

<a id="p103850"></a>I.16.5.3.         Аппаратура коммутации  с  встроенным
<a id="p103851"></a>                  программным управлением и  связанные
<a id="p103852"></a>                  системы сигналообразования,  имеющая
<a id="p103853"></a>                  любую    из     приведенных     ниже
<a id="p103854"></a>                  характеристик, функций или качеств и
<a id="p103855"></a>                  специально разработанные  компоненты
<a id="p103856"></a>                  и вспомогательное оборудование
<a id="p103857"></a>                      Примечание.       Статистические
<a id="p103858"></a>                  мультиплексоры  с  цифровым входом и
<a id="p103859"></a>                  выходом,    которые     обеспечивают
<a id="p103860"></a>                  коммутацию,    рассматриваются   как
<a id="p103861"></a>                  коммутаторы      со       встроенным
<a id="p103862"></a>                  программным управлением

<a id="p103863"></a>I.16.5.3.1.       Системы сигналообразования    общего  854380900
<a id="p103864"></a>                  канал
<a id="p103865"></a>                      Примечание.              Системы
<a id="p103866"></a>                  сигналообразования, в которых сигнал
<a id="p103867"></a>                  поступает и используется в  виде  не
<a id="p103868"></a>                  более    32   уплотненных   каналов,
<a id="p103869"></a>                  формирующих  телефонную   линию   со
<a id="p103870"></a>                  скоростью  не более 2,1 Мбит/с,  и в
<a id="p103871"></a>                  которой     применено      временное
<a id="p103872"></a>                  уплотнение     без     использования
<a id="p103873"></a>                  служебных  сообщений,  не  считаются
<a id="p103874"></a>                  системами общего сигналообразования

<a id="p103875"></a>I.16.5.3.2.       Аппаратура коммутации,   выполняющая
<a id="p103876"></a>                  функции цифровых сетей интегрального
<a id="p103877"></a>                  обслуживания  (ЦСИО) и имеющая любое
<a id="p103878"></a>                  из    следующих    устройств     или
<a id="p103879"></a>                  характеристик:

<a id="p103880"></a>I.16.5.3.2.1.     интерфейс переключения    терминалов 854380900
<a id="p103881"></a>                  (например,  линии  пользователя)  со
<a id="p103882"></a>                  скоростью   цифровой   передачи    в
<a id="p103883"></a>                  наивысшем   уровне   уплотнения  192
<a id="p103884"></a>                  кбит/с,  включая   связанный   канал
<a id="p103885"></a>                  передачи;

<a id="p103886"></a>I.16.5.3.2.2.     способность передачи      сообщения, 854380900
<a id="p103887"></a>                  принятого  коммутатором  по  данному
<a id="p103888"></a>                  каналу,   связанному   или   другому
<a id="p103889"></a>                  коммутатору
<a id="p103890"></a>                      Примечание. Пункт I.16.5.3.2. не
<a id="p103891"></a>                  препятствует        оценке         и
<a id="p103892"></a>                  соответствующим действиям со стороны
<a id="p103893"></a>                  принимающего коммутатора

<a id="p103894"></a>I.16.5.3.3.       Аппаратура коммутации,       имеющая 854380900
<a id="p103895"></a>                  многоуровневый приоритет и  иерархию
<a id="p103896"></a>                  цепей коммутации
<a id="p103897"></a>                      Примечание. Пункт I.16.5.3.3. не
<a id="p103898"></a>                  распространяется     на     иерархию
<a id="p103899"></a>                  одноуровневых вызовов

<a id="p103900"></a>I.16.5.3.4.       Аппаратура коммутации,       имеющая 854380900
<a id="p103901"></a>                  адаптивную              динамическую
<a id="p103902"></a>                  маршрутизацию

<a id="p103903"></a>I.16.5.3.5.       Аппаратура коммутации,       имеющая 854380900
<a id="p103904"></a>                  маршрутизацию     или     коммутацию
<a id="p103905"></a>                  дейтограммных пакетов

<a id="p103906"></a>I.16.5.3.6.       Аппаратура коммутации,       имеющая 854380900
<a id="p103907"></a>                  маршрутизацию или коммутацию пакетов
<a id="p103908"></a>                  быстрого выбора
<a id="p103909"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103910"></a>                  по пунктам I.16.5.3.5. и I.16.5.3.6.
<a id="p103911"></a>                  не   распространяется    на    сети,
<a id="p103912"></a>                  использующие    только   контроллеры
<a id="p103913"></a>                  доступа  в   сеть,   или   на   сами
<a id="p103914"></a>                  контроллеры доступа в сеть

<a id="p103915"></a>I.16.5.3.7.       Аппаратура коммутации, разработанная 854380900
<a id="p103916"></a>                  для  автоматического вызова сотового
<a id="p103917"></a>                  радио к другим сотовым  коммутаторам
<a id="p103918"></a>                  или  для  автоматического соединения
<a id="p103919"></a>                  абонентов с  централизованной  базой
<a id="p103920"></a>                  данных,  являющейся  общей более чем
<a id="p103921"></a>                  для одного коммутатора

<a id="p103922"></a>I.16.5.3.8.       Коммутаторы пакетов,    каналов    и
<a id="p103923"></a>                  маршрутизаторы   с    портами    или
<a id="p103924"></a>                  каналами,      параметры     которых
<a id="p103925"></a>                  превышают:

<a id="p103926"></a>I.16.5.3.8.1.     скорость передачи  данных  64 кбит/с 854380900
<a id="p103927"></a>                  на  канал  для  контроллера   канала
<a id="p103928"></a>                  связи;
<a id="p103929"></a>                      Примечание. Пункт  I.16.5.3.8.1.
<a id="p103930"></a>                  не    препятствует   уплотнению   по
<a id="p103931"></a>                  составной линии  каналов  связи,  не
<a id="p103932"></a>                  подлежащих экспортному контролю

<a id="p103933"></a>I.16.5.3.8.2.     скорость цифровой передачи 33 Мбит/с 854380900
<a id="p103934"></a>                  для контроллера  доступа  к  сети  и
<a id="p103935"></a>                  связанной общей среды

<a id="p103936"></a>I.16.5.3.9.       Аппаратура оптической коммутации     854380900

<a id="p103937"></a>I.16.5.3.10.      Аппаратура коммутации,  использующая 854380900
<a id="p103938"></a>                  методы асинхронного режима передачи

<a id="p103939"></a>I.16.5.3.11.      Аппаратура коммутации,    содержащая 854380900
<a id="p103940"></a>                  оборудование                цифровой
<a id="p103941"></a>                  кросс-коммутации    со    встроенным
<a id="p103942"></a>                  программным управлением со скоростью
<a id="p103943"></a>                  передачи более 8,5 Мбит/с на порт

<a id="p103944"></a>I.16.5.4.         Комплекс                  аппаратуры 852790990;
<a id="p103945"></a>                  централизованного  управления  сети, 854380900
<a id="p103946"></a>                  осуществляющий прием данных от узлов
<a id="p103947"></a>                  и обработку этих данных для контроля
<a id="p103948"></a>                  нагрузки,   не   требующую   решения
<a id="p103949"></a>                  оператора, осуществляя таким образом
<a id="p103950"></a>                  динамическую              адаптивную
<a id="p103951"></a>                  маршрутизацию
<a id="p103952"></a>                      Примечание. Пункт  I.16.5.4.  не
<a id="p103953"></a>                  препятствует контролю  нагрузки  как
<a id="p103954"></a>                  функции предсказуемых статистических
<a id="p103955"></a>                  условий

<a id="p103956"></a>I.16.6.           Системы, аппаратура,     специальные
<a id="p103957"></a>                  узлы,  модули или интегральные схемы
<a id="p103958"></a>                  для   защиты   информации  и  другие
<a id="p103959"></a>                  специально разработанные компоненты

<a id="p103960"></a>I.16.6.1.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p103961"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p103962"></a>                  для  использования  в криптографии с
<a id="p103963"></a>                  применением     цифровых     методов
<a id="p103964"></a>                  обеспечения защиты информации

<a id="p103965"></a>I.16.6.2.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p103966"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p103967"></a>                  для  выполнения  криптоаналитических
<a id="p103968"></a>                  функций

<a id="p103969"></a>I.16.6.3.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p103970"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p103971"></a>                  для использования в  криптографии  с
<a id="p103972"></a>                  применением  аналоговых  методов для
<a id="p103973"></a>                  обеспечения  защиты  информации,  за
<a id="p103974"></a>                  исключением:

<a id="p103975"></a>                  аппаратуры с          использованием
<a id="p103976"></a>                  постоянного               полосового
<a id="p103977"></a>                  скремблирования,  не превышающего  8
<a id="p103978"></a>                  полос,    в   которой   транспозиции
<a id="p103979"></a>                  происходят не чаще 1 раза в секунду;
<a id="p103980"></a>                  аппаратуры с          использованием
<a id="p103981"></a>                  постоянного               полосового
<a id="p103982"></a>                  скремблирования  числом  полос более
<a id="p103983"></a>                  8, причем транспозиции происходят не
<a id="p103984"></a>                  чаще 1 раза в 10 секунд;

<a id="p103985"></a>                  аппаратуры с          использованием
<a id="p103986"></a>                  фиксированной частотной инверсии,  в
<a id="p103987"></a>                  которой транспозиции  происходят  не
<a id="p103988"></a>                  чаще 1 раза в секунду;

<a id="p103989"></a>                  аппаратуры факсимильной связи;

<a id="p103990"></a>                  аппаратуры вещания  в   ограниченной
<a id="p103991"></a>                  аудитории;

<a id="p103992"></a>                  аппаратуры гражданского телевидения

<a id="p103993"></a>I.16.6.4.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p103994"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p103995"></a>                  для  подавления нежелательной утечки
<a id="p103996"></a>                  сигнала, содержащего информацию
<a id="p103997"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль
<a id="p103998"></a>                  по     пункту      I.16.6.4.      не
<a id="p103999"></a>                  распространяется    на    аппаратуру
<a id="p104000"></a>                  специального    подавления    утечки
<a id="p104001"></a>                  излучений,  вредных для здоровья или
<a id="p104002"></a>                  безопасности окружающих

<a id="p104003"></a>I.16.6.5.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p104004"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p104005"></a>                  для   применения   криптографических
<a id="p104006"></a>                  методов  генерации  кода  расширения
<a id="p104007"></a>                  спектра или перестройки частоты

<a id="p104008"></a>I.16.6.6.         Аппаратура, узлы    и    компоненты, 854380900
<a id="p104009"></a>                  разработанные  или  модифицированные
<a id="p104010"></a>                  для   обеспечения  сертифицированной
<a id="p104011"></a>                  или     подлежащей      сертификации
<a id="p104012"></a>                  многоуровневой  защиты  или изоляции
<a id="p104013"></a>                  пользователя на уровне,  превышающем
<a id="p104014"></a>                  класс  В2 критерия оценки надежности
<a id="p104015"></a>                  компьютерных       систем        или
<a id="p104016"></a>                  эквивалентном ему уровне

<a id="p104017"></a>I.16.6.7.         Кабельные системы,            связи, 854380900
<a id="p104018"></a>                  разработанные или модифицированные с
<a id="p104019"></a>                  использованием         механических,
<a id="p104020"></a>                  электрических     или    электронных
<a id="p104021"></a>                  средств       для        обнаружения
<a id="p104022"></a>                  несанкционированного доступа

<a id="p104023"></a>I.16.7.           Цифровые ЭВМ,             специально 8471
<a id="p104024"></a>                  разработанные   или  приспособленные (кроме
<a id="p104025"></a>                  для  решения  задач  криптографии  и 847110)
<a id="p104026"></a>                  оснащенные      оборудованием      и
<a id="p104027"></a>                  программными средствами  для  защиты
<a id="p104028"></a>                  информации

<a id="p104029"></a>I.16.8.           Гибридные ЭВМ,  а  также  сборки   и
<a id="p104030"></a>                  специально    созданная    для   них
<a id="p104031"></a>                  элементная база:

<a id="p104032"></a>I.16.8.1.         имеющие в   своем  составе  цифровые 847110
<a id="p104033"></a>                  ЭВМ, указанные в пункте I.16.9

<a id="p104034"></a>I.16.8.2.         имеющие в       своем        составе 847110
<a id="p104035"></a>                  аналого-цифровые  и цифро-аналоговые
<a id="p104036"></a>                  преобразователи, содержащие не менее
<a id="p104037"></a>                  32  каналов  и  имеющие  разрешающую
<a id="p104038"></a>                  способность 14  бит  (плюс  знаковый
<a id="p104039"></a>                  разряд)   или   выше,  со  скоростью
<a id="p104040"></a>                  200000 преобразований в секунду  или
<a id="p104041"></a>                  выше

<a id="p104042"></a>I.16.9.           Цифровые ЭВМ,   а   также  сборки  и
<a id="p104043"></a>                  сопутствующее оборудование,  а также
<a id="p104044"></a>                  специально    созданная    для   них
<a id="p104045"></a>                  элементная база
<a id="p104046"></a>                      Примечания: 1.  Пункты I.16.9. -
<a id="p104047"></a>                  I.16.9.10.                  включают
<a id="p104048"></a>                  вектор-процессоры,         матричные
<a id="p104049"></a>                  процессоры,  логические процессоры и
<a id="p104050"></a>                  аппаратуру  для  улучшения  качества
<a id="p104051"></a>                  изображения или обработки сигналов
                  2. <a id="p104052"></a>Оценка   необходимости   введения
<a id="p104053"></a>                  экспортного контроля по цифровым ЭВМ
<a id="p104054"></a>                  и    сопутствующему    оборудованию,
<a id="p104055"></a>                  указанным   в   пунктах   I.16.9.  -
<a id="p104056"></a>                  I.16.9.10.,   определяется   оценкой
<a id="p104057"></a>                  другого   оборудования   или  других
<a id="p104058"></a>                  систем в том случае, если:
<a id="p104059"></a>                  цифровые ЭВМ    или    сопутствующее
<a id="p104060"></a>                  оборудование  существенно для работы
<a id="p104061"></a>                  другого  оборудования   или   других
<a id="p104062"></a>                  систем;
<a id="p104063"></a>                  цифровые ЭВМ    или    сопутствующее
<a id="p104064"></a>                  оборудование  не  являются  основным
<a id="p104065"></a>                  элементом  другого  оборудования или
<a id="p104066"></a>                  других систем;
<a id="p104067"></a>                  оценка необходимости        введения
<a id="p104068"></a>                  экспортного контроля по оборудованию
<a id="p104069"></a>                  обработки  сигналов  или   улучшения
<a id="p104070"></a>                  качества  изображения,  указанному в
<a id="p104071"></a>                  пункте   I.16.9.7.   и    специально
<a id="p104072"></a>                  спроектированному     для    другого
<a id="p104073"></a>                  оборудования      с       функциями,
<a id="p104074"></a>                  ограниченными         функциональным
<a id="p104075"></a>                  назначением  другого   оборудования,
<a id="p104076"></a>                  определяется     оценкой     другого
<a id="p104077"></a>                  оборудования,   даже   если   первое
<a id="p104078"></a>                  соответствует   критерию   основного
<a id="p104079"></a>                  элемента
                  3. <a id="p104080"></a>Экспортный      контроль       не
<a id="p104081"></a>                  распространяется на цифровые ЭВМ или
<a id="p104082"></a>                  сопутствующее          оборудование,
<a id="p104083"></a>                  указанное   в   пунктах   I.16.9.  -
<a id="p104084"></a>                  I.16.9.10., в том случае, если:
<a id="p104085"></a>                  они существенны  для  применения   в
<a id="p104086"></a>                  медицине;
<a id="p104087"></a>                  по своему   устройству  и  характеру
<a id="p104088"></a>                  работы    они    ограничены     лишь
<a id="p104089"></a>                  применением в медицине;
<a id="p104090"></a>                  эта аппаратура   не   имеет   режима
<a id="p104091"></a>                  программирования      пользователем,
<a id="p104092"></a>                  кроме     такого,     при    котором
<a id="p104093"></a>                  обеспечивается   возможность   ввода
<a id="p104094"></a>                  исходных     или    модифицированных
<a id="p104095"></a>                  программ,      поставляемых       их
<a id="p104096"></a>                  первоначальным        изготовителем;
<a id="p104097"></a>                  совокупная             теоретическая
<a id="p104098"></a>                  производительность   любой  цифровой
<a id="p104099"></a>                  ЭВМ,  не   спроектированной   и   не
<a id="p104100"></a>                  модифицированной  для  применения  в
<a id="p104101"></a>                  медицине,  но существенной для этого
<a id="p104102"></a>                  применения,  не  должна превышать 20
<a id="p104103"></a>                  миллионов теоретических  операций  в
<a id="p104104"></a>                  секунду (мегатопсов)

<a id="p104105"></a>I.16.9.1.         Цифровые ЭВМ,   а   также    сборки, 8471
<a id="p104106"></a>                  спроектированные                 для (кроме
<a id="p104107"></a>                  комбинированного      распознавания, 847110)
<a id="p104108"></a>                  понимания       и      интерпретации
<a id="p104109"></a>                  изображений     или      непрерывной
<a id="p104110"></a>                  (связной) речи

<a id="p104111"></a>I.16.9.2.         Цифровые ЭВМ,   а   также    сборки, 8471
<a id="p104112"></a>                  спроектированные                 или (кроме
<a id="p104113"></a>                  модифицированные   для   обеспечения 847110)
<a id="p104114"></a>                  отказоустойчивости
<a id="p104115"></a>                      Примечание. Применительно      к
<a id="p104116"></a>                  пункту  I.16.9.2.  цифровые  ЭВМ   и
<a id="p104117"></a>                  сопутствующее     оборудование    не
<a id="p104118"></a>                  считаются   спроектированными    или
<a id="p104119"></a>                  модифицированными   для  обеспечения
<a id="p104120"></a>                  отказоустойчивости,   если   в   них
<a id="p104121"></a>                  используются:
<a id="p104122"></a>                  алгоритмы обнаружения            или
<a id="p104123"></a>                  исправления   ошибок,   хранимые   в
<a id="p104124"></a>                  оперативной памяти;
<a id="p104125"></a>                  взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая,
<a id="p104126"></a>                  что,   если   активный   центральный
<a id="p104127"></a>                  процессор   отказывает,  ждущий,  но
<a id="p104128"></a>                  отслеживающий центральный  процессор
<a id="p104129"></a>                  может   продолжить  функционирование
<a id="p104130"></a>                  системы;
<a id="p104131"></a>                  взаимосвязь двух         центральных
<a id="p104132"></a>                  процессоров    посредством   каналов
<a id="p104133"></a>                  передач  данных  или  с  применением
<a id="p104134"></a>                  общей   памяти,   чтобы   обеспечить
<a id="p104135"></a>                  одному    центральному    процессору
<a id="p104136"></a>                  возможность выполнить другую работу,
<a id="p104137"></a>                  пока не откажет  второй  центральный
<a id="p104138"></a>                  процессор,  тогда первый центральный
<a id="p104139"></a>                  процессор принимает  его  работу  на
<a id="p104140"></a>                  себя,        чтобы        продолжить
<a id="p104141"></a>                  функционирование системы;
<a id="p104142"></a>                  синхронизация двух       центральных
<a id="p104143"></a>                  процессоров посредством программного
<a id="p104144"></a>                  обеспечения    такая,    что    один
<a id="p104145"></a>                  центральный   процессор  распознает,
<a id="p104146"></a>                  когда отказывает другой  центральный
<a id="p104147"></a>                  процессор,  и восстанавливает задачи
<a id="p104148"></a>                  отказавшего устройства

<a id="p104149"></a>I.16.9.3.         Цифровые ЭВМ,   имеющие   совокупную 8471
<a id="p104150"></a>                  теоретическую     производительность (кроме
<a id="p104151"></a>                  (СТП)    свыше     12,5     миллиона 847110)
<a id="p104152"></a>                  теоретических   операций  в  секунду
<a id="p104153"></a>                  (мегатопсов)

<a id="p104154"></a>I.16.9.4.         Сборки цифровых    ЭВМ,   специально
<a id="p104155"></a>                  спроектированные                 или
<a id="p104156"></a>                  модифицированные    для    повышения
<a id="p104157"></a>                  производительности путем объединения
<a id="p104158"></a>                  вычислительных элементов:
<a id="p104159"></a>                      Примечания: 1.  Пункт  I.16.9.4.
<a id="p104160"></a>                  распространяется  лишь  на  сборки и
<a id="p104161"></a>                  программируемые   взаимосвязи,    не
<a id="p104162"></a>                  превышающие   границы,  указанной  в
<a id="p104163"></a>                  пункте  I.16.9.3.,  при  поставке  в
<a id="p104164"></a>                  виде   необъединенных   сборок.   Он
<a id="p104165"></a>                  неприменим к сборкам, по конструкции
<a id="p104166"></a>                  своей     пригодным     лишь     для
<a id="p104167"></a>                  использования       в       качестве
<a id="p104168"></a>                  сопутствующего    оборудования,   на
<a id="p104169"></a>                  которое распространяется  экспортный
<a id="p104170"></a>                  контроль   по   пунктам   I.16.9.5.-
<a id="p104171"></a>                  I.16.9.10.
                  2. <a id="p104172"></a>Пункт  I.16.9.4.   распространяет
<a id="p104173"></a>                  экспортный   контроль   на   сборки,
<a id="p104174"></a>                  специально   спроектированные    для
<a id="p104175"></a>                  продукции   или   целого   семейства
<a id="p104176"></a>                  продуктов,  в   своей   максимальной
<a id="p104177"></a>                  конфигурации не превышающих границы,
<a id="p104178"></a>                  указанной в пункте I.16.9.3.

<a id="p104179"></a>I.16.9.4.1.       по проекту способные к объединению в 8471
<a id="p104180"></a>                  конфигурации    из    16   и   более (кроме
<a id="p104181"></a>                  вычислительных элементов;            847110)

<a id="p104182"></a>I.16.9.4.2.       с суммой    максимальных   скоростей 8471
<a id="p104183"></a>                  пересылки  данных  по  всем  каналам (кроме
<a id="p104184"></a>                  передачи данных, имеющимся для связи 847110)
<a id="p104185"></a>                  со      смежными       процессорами,
<a id="p104186"></a>                  превышающей 40 Мбайт/с

<a id="p104187"></a>I.16.9.5.         Накопители на дисках и твердотельные
<a id="p104188"></a>                  приборы памяти

<a id="p104189"></a>I.16.9.5.1.       Накопители на             магнитных, 847193500
<a id="p104190"></a>                  перезаписываемых   оптических    или
<a id="p104191"></a>                  магнитооптических      дисках      с
<a id="p104192"></a>                  максимальной   скоростью    передачи
<a id="p104193"></a>                  информации, превышающей 25 Мбит/с

<a id="p104194"></a>I.16.9.5.2.       Твердотельные приборы   памяти,   не 847193500
<a id="p104195"></a>                  относящиеся   к  оперативной  памяти
<a id="p104196"></a>                  (известные   также   под   названием
<a id="p104197"></a>                  твердотельные  (жесткие)  диски  или
<a id="p104198"></a>                  диски с  произвольным  доступом),  с
<a id="p104199"></a>                  максимальной    скоростью   передачи
<a id="p104200"></a>                  информации, превышающей 36 Мбит/с

<a id="p104201"></a>I.16.9.6.         Устройства управления                847192900
<a id="p104202"></a>                  вводом-выводом, спроектированные для
<a id="p104203"></a>                  применения   с   оборудованием,   на
<a id="p104204"></a>                  которое распространяется  экспортный
<a id="p104205"></a>                  контроль          по         пунктам
<a id="p104206"></a>                  I.16.9.5.1.- I.16.9.5.2.

<a id="p104207"></a>I.16.9.7.         Аппаратура для   обработки  сигналов 854380900
<a id="p104208"></a>                  или улучшения качества  изображения,
<a id="p104209"></a>                  имеющая   совокупную   теоретическую
<a id="p104210"></a>                  производительность     свыше     8,5
<a id="p104211"></a>                  миллиона  теоретических  операций  в
<a id="p104212"></a>                  секунду (мегатопсов)

<a id="p104213"></a>I.16.9.8.         Графические акселераторы         или 854380900
<a id="p104214"></a>                  графические            сопроцессоры,
<a id="p104215"></a>                  превышающие    скорость   исчисления
<a id="p104216"></a>                  трехмерных векторов,  равную 400000,
<a id="p104217"></a>                  а   если   аппаратно  поддерживаются
<a id="p104218"></a>                  только   двумерные    вектора,    то
<a id="p104219"></a>                  превышающие    скорость   исчисления
<a id="p104220"></a>                  двумерных векторов, равную 600000
<a id="p104221"></a>                      Примечание. Пункт  I.16.9.8.  не
<a id="p104222"></a>                  распространяется на рабочие станции,
<a id="p104223"></a>                  созданные       и      ограниченные:
<a id="p104224"></a>                  графическим  искусством   (например,
<a id="p104225"></a>                  полиграфией,       книгопечатанием);
<a id="p104226"></a>                  отображением двумерных векторов

<a id="p104227"></a>I.16.9.9.         Цветные дисплеи     или    мониторы, 852810690
<a id="p104228"></a>                  имеющие   более    12    разрешающих
<a id="p104229"></a>                  элементов на миллиметр в направлении
<a id="p104230"></a>                  максимальной плотности пикселей
<a id="p104231"></a>                      Примечание. Пункт  I.16.9.9.  не
<a id="p104232"></a>                  распространяет  экспортный  контроль
<a id="p104233"></a>                  на    дисплеи   или   мониторы,   не
<a id="p104234"></a>                  спроектированные специально для ЭВМ

<a id="p104235"></a>I.16.9.10.        Аппаратура, содержащая    в    своем 852520900
<a id="p104236"></a>                  составе    терминальный   интерфейс,
<a id="p104237"></a>                  превосходящий пределы, установленные
<a id="p104238"></a>                  пунктом I.16.5.2.3.
<a id="p104239"></a>                      Примечание. Применительно      к
<a id="p104240"></a>                  пункту    I.16.9.10.    в    понятие
<a id="p104241"></a>                  "терминальный    интерфейс"   входят
<a id="p104242"></a>                  интерфейсы локальных сетей, модемы и
<a id="p104243"></a>                  другие   интерфейсы  связи  (стыки).
<a id="p104244"></a>                  Интерфейсы локальных  вычислительных
<a id="p104245"></a>                  сетей  оцениваются  как  контроллеры
<a id="p104246"></a>                  доступа к сети

<a id="p104247"></a>I.16.10.          Вычислительные машины  и  специально
<a id="p104248"></a>                  спроектированное       сопутствующее
<a id="p104249"></a>                  оборудование, их сборки и элементная
<a id="p104250"></a>                  база

<a id="p104251"></a>I.16.10.1.        Систолические              матричные 8471
<a id="p104252"></a>                  вычислительные машины

<a id="p104253"></a>I.16.10.2.        Нейронные вычислительные машины      8471

<a id="p104254"></a>I.16.10.3.        Оптические вычислительные машины     8471



## <a id="p104255"></a>Часть II. Технологии и научно-техническая информация



<a id="p104256"></a><a id="p104259"></a><a id="p104261"></a>

| Номер позиции | Наименование |
| --- | --- |
| 1 | 2 |



## <a id="p104262"></a>Раздел II.1. Металлические материалы


<a id="p104263"></a>II.1.1.           Технология производства  алюминидов  никеля  или
<a id="p104264"></a>                  титана в виде сырья или полуфабрикатов:

<a id="p104265"></a>II.1.1.1.              алюминидов никеля с содержанием алюминия 10
<a id="p104266"></a>                       или более процентов (по массе);

<a id="p104267"></a>II.1.1.2.              алюминидов титана с содержанием алюминия 12
<a id="p104268"></a>                       или более процентов (по массе)

<a id="p104269"></a>II.1.2.           Технология производства   металлических  сплавов
<a id="p104270"></a>                  методом  порошковой  металлургии  или   вводимых
<a id="p104271"></a>                  гранул    материалов,    указанных   в   пунктах
<a id="p104272"></a>                  I.1.8. - I.1.8.5., включая:

<a id="p104273"></a>II.1.2.1.              никелевые сплавы:

<a id="p104274"></a>II.1.2.1.1.            с пределом длительной прочности 550 МПа (55
<a id="p104275"></a>                       кгс/кв.  мм) при температуре 923 К  (650 С)
<a id="p104276"></a>                       за 10000 ч и более;

<a id="p104277"></a>II.1.2.1.2.            с малоцикловой       выносливостью      при
<a id="p104278"></a>                       максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.
<a id="p104279"></a>                       мм)  на  базе  10000  циклов  и  более  при
<a id="p104280"></a>                       температуре 823 К (550 С)

<a id="p104281"></a>II.1.2.2.              ниобиевые сплавы:

<a id="p104282"></a>II.1.2.2.1.            с пределом длительной прочности 400 МПа (40
<a id="p104283"></a>                       кгс/кв. мм) при  температуре 1073 К (800 С)
<a id="p104284"></a>                       за 10000 ч и более;

<a id="p104285"></a>II.1.2.2.2.            с малоцикловой      выносливостью       при
<a id="p104286"></a>                       максимальном напряжении 700 МПа (70 кгс/кв.
<a id="p104287"></a>                       мм)  на  базе  10000  циклов  и  более  при
<a id="p104288"></a>                       температуре 973 К (700 С)

<a id="p104289"></a>II.1.2.3.              титановые сплавы:

<a id="p104290"></a>II.1.2.3.1.            с пределом длительной прочности 200 МПа (20
<a id="p104291"></a>                       кгс/кв.  мм)  при температуре 723 К (450 С)
<a id="p104292"></a>                       за 10000 ч и более;

<a id="p104293"></a>II.1.2.3.2.            с малоцикловой       выносливостью      при
<a id="p104294"></a>                       максимальном напряжении 400 МПа (40 кгс/кв.
<a id="p104295"></a>                       мм)  на  базе  10000  циклов  и  более  при
<a id="p104296"></a>                       температуре 723 К (450 С)

<a id="p104297"></a>II.1.2.4.              алюминиевые сплавы  с  пределом  длительной
<a id="p104298"></a>                       прочности:

<a id="p104299"></a>II.1.2.4.1.            240 МПа   (24   кгс/кв.  мм)  и  более  при
<a id="p104300"></a>                       температуре 473 К (200 С);

<a id="p104301"></a>II.1.2.4.2.            415 МПа  (41,5  кгс/кв.  мм)  и  более  при
<a id="p104302"></a>                       температуре 298 К (25 С);

<a id="p104303"></a>II.1.2.5.              магниевые сплавы   с   пределом  длительной
<a id="p104304"></a>                       прочности 240 МПа (24 кгс/кв. мм) и более и
<a id="p104305"></a>                       скоростью  коррозии  менее  1  мм  в  год в
<a id="p104306"></a>                       3-процентном водном растворе хлорида натрия

<a id="p104307"></a>II.1.3.           Технология производства титановых сплавов (в том
<a id="p104308"></a>                  числе вторичных) с пределом длительной прочности
<a id="p104309"></a>                  свыше  1200  МПа  (120  кгс/кв.  мм)  и пределом
<a id="p104310"></a>                  ползучести свыше 150 МПа  (15  кгс/кв.  мм)  при
<a id="p104311"></a>                  температуре 873 К (600 С)

<a id="p104312"></a>II.1.4.           Технологии производства        алюминий-литиевых
<a id="p104313"></a>                  сплавов  (в  том  числе  содержащих  скандий)  с
<a id="p104314"></a>                  содержанием лития более 6%,  скандия более 3%, а
<a id="p104315"></a>                  именно:

<a id="p104316"></a>II.1.4.1.              системы алюминий-магний-литий    (скандий),
<a id="p104317"></a>                       обладающие   в   совокупности    следующими
<a id="p104318"></a>                       характеристиками:   плотностью  менее  2,47
<a id="p104319"></a>                       г/куб. см;
<a id="p104320"></a>                       модулем упругости  более  78000  МПа  (7800
<a id="p104321"></a>                       кгс/кв. мм);
<a id="p104322"></a>                       удельной прочностью более 19 км;

<a id="p104323"></a>II.1.4.2.              системы          алюминий-медь-магний-литий
<a id="p104324"></a>                       (скандий),  обладающие    в    совокупности
<a id="p104325"></a>                       следующими характеристиками:
<a id="p104326"></a>                       плотностью менее 2,56 г/куб. см;
<a id="p104327"></a>                       модулем упругости  более  80000  МПа  (8000
<a id="p104328"></a>                       кгс/кв. мм);
<a id="p104329"></a>                       удельной прочностью более 19 км;

<a id="p104330"></a>II.1.4.3.              системы алюминий-медь-литий      (скандий),
<a id="p104331"></a>                       обладающие   в   совокупности    следующими
<a id="p104332"></a>                       характеристиками:

<a id="p104333"></a>                       плотностью менее 2,6 г/куб. см;
<a id="p104334"></a>                       модулем упругости  более  80000  МПа  (8000
<a id="p104335"></a>                       кгс/кв. мм);
<a id="p104336"></a>                       удельной прочностью более 22 км;

<a id="p104337"></a>II.1.4.4.              системы алюминий-литий           (скандий),
<a id="p104338"></a>                       обладающие    в   совокупности   следующими
<a id="p104339"></a>                       характеристиками:

<a id="p104340"></a>                       плотностью менее 2,4 г/куб. см;
<a id="p104341"></a>                       модулем упругости  более  80000  МПа  (8000
<a id="p104342"></a>                       кгс/кв. мм);
<a id="p104343"></a>                       удельной прочностью более 20 км

<a id="p104344"></a>II.1.5.           Технология производства деформируемых  магниевых
<a id="p104345"></a>                  сплавов (в том числе гранулированных) с пределом
<a id="p104346"></a>                  длительной прочности более 350 МПа  (35  кгс/кв.
<a id="p104347"></a>                  мм);

<a id="p104348"></a>II.1.6.           Технология производства    литейных    магниевых
<a id="p104349"></a>                  сплавов с пределом  длительной  прочности  более
<a id="p104350"></a>                  280 МПа (28 кгс/кв.  мм) при рабочей температуре
<a id="p104351"></a>                  более 523 К (250 С);

<a id="p104352"></a>II.1.7.           Технология производства урано-титановых  сплавов
<a id="p104353"></a>                  или  вольфрамовых  сплавов  с матрицей на основе
<a id="p104354"></a>                  железа, никеля или меди:

<a id="p104355"></a>                       с плотностью свыше 17,5 г/куб. см;
<a id="p104356"></a>                       с пределом упругости свыше 1250 МПа;
<a id="p104357"></a>                       с пределом прочности на разрыв  более  1270
<a id="p104358"></a>                       МПа;
<a id="p104359"></a>                       с относительным удлинением свыше 8%;

<a id="p104360"></a>II.1.8.           Технология производства  порошков  металлических
<a id="p104361"></a>                  сплавов  или  вводимых  гранул  для  материалов,
<a id="p104362"></a>                  указанных в пунктах I.1.1. - I.1.2.5.,
<a id="p104363"></a>                  получаемых в  контролируемой  среде  посредством
<a id="p104364"></a>                  одного из нижеследующих процессов:
<a id="p104365"></a>                       распылением в вакууме;
<a id="p104366"></a>                       газоструйным распылением;
<a id="p104367"></a>                       центробежным распылением;
<a id="p104368"></a>                       спиннингованием;
<a id="p104369"></a>                       расплавлением с         вращением         и
<a id="p104370"></a>                       кристаллизацией;
<a id="p104371"></a>                       экстракцией расплава;
<a id="p104372"></a>                       механическим легированием  и  изготовленных
<a id="p104373"></a>                       из любой системы:

<a id="p104374"></a>II.1.8.1.              никелевых сплавов    (Ni-Al-X,    Ni-X-Al),
<a id="p104375"></a>                       предназначенных для использования в составе
<a id="p104376"></a>                       частей или компонентов  турбин  двигателей,
<a id="p104377"></a>                       т.е.  с  менее  чем  тремя неметаллическими
<a id="p104378"></a>                       частицами    (введенными     в     процессе
<a id="p104379"></a>                       производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах
<a id="p104380"></a>                       сплава;

<a id="p104381"></a>II.1.8.2.              ниобиевых сплавов  (Nb-Al-X  или   Nb-X-Al,
<a id="p104382"></a>                       Nb-Si-X или Nb-X-Si, Nb-Ti-X или Nb-X-Ti);

<a id="p104383"></a>II.1.8.3.              титановых сплавов (Ti-Al-X или Ti-X-Al);

<a id="p104384"></a>II.1.8.4.              алюминиевых сплавов  (Al-Mg-X  или Al-X-Mg,
<a id="p104385"></a>                       Al-Zn-X или Al-X-Zn, Al-Fe-X или Al-X-Fe);

<a id="p104386"></a>II.1.8.5.              магниевых сплавов (Mg-Al-X или Mg-X-Al)
<a id="p104387"></a>                      Примечание. X  служит  показателем равенства
<a id="p104388"></a>                  содержания   в   сплаве   одного    или    более
<a id="p104389"></a>                  составляющих элементов (примесей)

<a id="p104390"></a>II.1.9.           Технология производства сплавленных материалов в
<a id="p104391"></a>                  виде неизмельченных гранул,  стружки или  тонких
<a id="p104392"></a>                  стержней,  изготовляемых  в контролируемой среде
<a id="p104393"></a>                  методом спиннингования, расплавления с вращением
<a id="p104394"></a>                  или   экстракции   расплава,   используемых  при
<a id="p104395"></a>                  производстве порошка для  металлических  сплавов
<a id="p104396"></a>                  или   вводимых   гранул,   указанных  в  пунктах
<a id="p104397"></a>                  I.1.8. - I.1.8.5.

<a id="p104398"></a>II.1.10.          Технология производства   магнитных   материалов
<a id="p104399"></a>                  всех типов и любой формы:

<a id="p104400"></a>II.1.10.1.        Технология производства  магнитных  материалов с
<a id="p104401"></a>                  начальной  относительной  проницаемостью  120000
<a id="p104402"></a>                  или более и толщиной 0,05 мм или менее

<a id="p104403"></a>II.1.10.2.        Технология производства      магнитострикционных
<a id="p104404"></a>                  сплавов:

<a id="p104405"></a>II.1.10.2.1.           с   магнитострикционным   насыщением  более
<a id="p104406"></a>                       5x10E-4;

<a id="p104407"></a>II.1.10.2.2.           с коэффициентом        магнитомеханического
<a id="p104408"></a>                       сцепления более 0,8

<a id="p104409"></a>II.1.10.3.        Технология производства магнитного сплава в виде
<a id="p104410"></a>                  аморфной  стружки  с  составом  минимум 75%  (по
<a id="p104411"></a>                  массе) железа,  кобальта или  никеля,  магнитной
<a id="p104412"></a>                  индукцией  насыщения  не  менее 1,6 Т,  толщиной
<a id="p104413"></a>                  стружки   не   более   0,02   мм   и    удельным
<a id="p104414"></a>                  электрическим  сопротивлением  не  менее 2x10E-4
<a id="p104415"></a>                  Ом/см


## <a id="p104416"></a>Раздел II.2. Полимеры, пластические массы, химические волокна и нити, каучуки и изделия из них


<a id="p104418"></a>II.2.1.           Технология производства полимерных веществ

<a id="p104419"></a>II.2.1.1.         Технология производства бисмалеимида

<a id="p104420"></a>II.2.1.2.         Технология производства            ароматических
<a id="p104421"></a>                  полиимидных материалов  с  термостойкостью  выше
<a id="p104422"></a>                  723 К (450 С)

<a id="p104423"></a>II.2.1.3.         Технология производства            ароматических
<a id="p104424"></a>                  полихиноксалинов и материалов на их основе

<a id="p104425"></a>II.2.1.4.         Технология производства            ароматических
<a id="p104426"></a>                  полиэфиримидов,  имеющих температуру стеклования
<a id="p104427"></a>                  более 503 К (230 С)

<a id="p104428"></a>II.2.1.5.         Технология производства ароматических полиамидов
<a id="p104429"></a>                      Примечание. Технология          производства
<a id="p104430"></a>                  неплавких   порошков  для  формообразования  под
<a id="p104431"></a>                  давлением или  подготовки  форм  из  материалов,
<a id="p104432"></a>                  указанных   в   пунктах   II.2.1.1.,  II.2.1.3.,
<a id="p104433"></a>                  II.2.1.5.,  II.2.1.6.,  II.2.1.13.,  экспортному
<a id="p104434"></a>                  контролю не подлежат

<a id="p104435"></a>II.2.1.6.         Технология производства        изделий        из
<a id="p104436"></a>                  нефторированных полимерных веществ,  указанных в
<a id="p104437"></a>                  пунктах I.2.  1.5.-I.2.1.10.,  I.2.1.13., в виде
<a id="p104438"></a>                  пленки, листа, ленты или полосы:

<a id="p104439"></a>II.2.1.6.1.            при толщине свыше 0,254 мм;

<a id="p104440"></a>II.2.1.6.2.            покрытых углеродом, графитом, металлами или
<a id="p104441"></a>                       магнитными веществами

<a id="p104442"></a>II.2.1.7.         Технология производства        термопластических
<a id="p104443"></a>                  жидкокристаллических     сополимеров,    имеющих
<a id="p104444"></a>                  температуру тепловой деформации более 523 К (250
<a id="p104445"></a>                  С),  измеренную  при нагрузке 1,82 Н/кв.  мм,  и
<a id="p104446"></a>                  образованных сочетанием:

<a id="p104447"></a>                       пара-фенилена, пара-пара-бифенилена или 2,6
<a id="p104448"></a>                       нафталина;

<a id="p104449"></a>                       метила, третичного        бутила        или
<a id="p104450"></a>                       фенил-замещенного фенилена,  бифенилена или
<a id="p104451"></a>                       нафталина с любой из следующих кислот:
<a id="p104452"></a>                       терефталевой кислотой;
<a id="p104453"></a>                       6-гидрокси-2 нафтойной кислотой;
<a id="p104454"></a>                       4-гидроксибензойной кислотой

<a id="p104455"></a>II.2.1.8.         Технология производства  полиариленовых  эфирных
<a id="p104456"></a>                  кетонов:

<a id="p104457"></a>II.2.1.8.1.            полиэфироэфирокетона (ПЭЭК);

<a id="p104458"></a>II.2.1.8.2.            полиэфирокетон-кетона (ПЭКК);

<a id="p104459"></a>II.2.1.8.3.            полиэфирокетона (ПЭК);

<a id="p104460"></a>II.2.1.8.4.            полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК)

<a id="p104461"></a>II.2.1.9.         Технология производства полиариленовых кетонов

<a id="p104462"></a>II.2.1.10.        Технология производства           полиариленовых
<a id="p104463"></a>                  сульфидов,  где ариленовая  группа  представляет
<a id="p104464"></a>                  собой бифенилен, трифенилен или их комбинации

<a id="p104465"></a>II.2.1.11.        Технология                          производства
<a id="p104466"></a>                  полибифениленэфирсульфона

<a id="p104467"></a>II.2.1.12.        Технология                          производства
<a id="p104468"></a>                  материалов-полуфабрикатов  (т.е.  полимерных или
<a id="p104469"></a>                  металлорганических                    материалов
<a id="p104470"></a>                  специализированного назначения):

<a id="p104471"></a>II.2.1.12.1.           полидиорганосиланов (для       производства
<a id="p104472"></a>                       карбида кремния);

<a id="p104473"></a>II.2.1.12.2.           полисилазанов (для   производства   нитрида
<a id="p104474"></a>                       кремния);

<a id="p104475"></a>II.2.1.12.3.           поликарбосилазанов (для        производства
<a id="p104476"></a>                       керамики  с  кремниевыми,  углеродными  или
<a id="p104477"></a>                       азотными компонентами)

<a id="p104478"></a>II.2.1.13.        Технология производства   полибензотиазолов  или
<a id="p104479"></a>                  полибензоксозолов

<a id="p104480"></a>II.2.2.           Технология производства фторсодержащих веществ

<a id="p104481"></a>II.2.2.1.         Технология производства           необработанных
<a id="p104482"></a>                  соединений фтора:

<a id="p104483"></a>II.2.2.1.1.            сополимеров винилиденфторида,    содержащих
<a id="p104484"></a>                       75%    или    более    бета-кристаллической
<a id="p104485"></a>                       структуры, полученной без вытягивания;

<a id="p104486"></a>II.2.2.1.2.            фтористых полимидов,   содержащих  30%  или
<a id="p104487"></a>                       более связанного фтора;

<a id="p104488"></a>II.2.2.1.3.            фтористых фосфазеновых         эластомеров,
<a id="p104489"></a>                       содержащих 30% или более связанного фтора

<a id="p104490"></a>II.2.2.2.         Технология производства  фтористых  эластомерных
<a id="p104491"></a>                  соединений,  содержащих  по  крайней  мере  один
<a id="p104492"></a>                  дивинилэфирный мономер

<a id="p104493"></a>II.2.2.3.         Технология производства  уплотнений,  прокладок,
<a id="p104494"></a>                  седел   клапанов,   трубчатых   уплотнений   или
<a id="p104495"></a>                  диафрагм   из   фторэластомеров,  содержащих  по
<a id="p104496"></a>                  крайней мере один виниловый мономер,  специально
<a id="p104497"></a>                  предназначенных      для      авиационной      и
<a id="p104498"></a>                  аэрокосмической техники,  и указанных  в  пункте
<a id="p104499"></a>                  I.2.2.3.

<a id="p104500"></a>II.2.2.4.         Технология производства       пьезоэлектрических
<a id="p104501"></a>                  полимеров  и   сополимеров,   изготовленных   из
<a id="p104502"></a>                  фтористого  винилидена  в  виде пленки или листа
<a id="p104503"></a>                  толщиной более 200 мкм

<a id="p104504"></a>II.2.3.           Технология производства         электропроводных
<a id="p104505"></a>                  полимерных  материалов  с удельной электрической
<a id="p104506"></a>                  проводимостью    свыше    10    сименс/м     или
<a id="p104507"></a>                  поверхностным сопротивлением менее 10 Ом/кв.  м,
<a id="p104508"></a>                  выполненных на основе следующих полимеров:

<a id="p104509"></a>II.2.3.1.              полианилина;

<a id="p104510"></a>II.2.3.2.              полипиррола;

<a id="p104511"></a>II.2.3.3.              политиофена;

<a id="p104512"></a>II.2.3.4.              полифенилен-винилена;

<a id="p104513"></a>II.2.3.5.              политиофенилен-винилена

<a id="p104514"></a>II.2.3.6.         Технологии для   нанесения,   эксплуатации   или
<a id="p104515"></a>                  восстановления (ремонта) материалов, указанных в
<a id="p104516"></a>                  пунктах I.2.3. - I.2.3.5.

<a id="p104517"></a>II.2.4.           Технология производства            ароматических
<a id="p104518"></a>                  полиамидных волокон

<a id="p104519"></a>II.2.5.           Технология производства      волокнистых     или
<a id="p104520"></a>                  нитевидных материалов на основе:

<a id="p104521"></a>II.2.5.1.              полиэфиримидов, указанных     в      пункте
<a id="p104522"></a>                       I.2.1.13;

<a id="p104523"></a>II.2.5.2.              материалов, указанных       в       пунктах
<a id="p104524"></a>                       I.2.1.15. - I.2.1.19.

<a id="p104525"></a>II.2.6.           Технология производства         фторсилоксановых
<a id="p104526"></a>                  каучуков,  работоспособных при температурах ниже
<a id="p104527"></a>                  213 К (-60 С) и выше 473 К (200 С)

<a id="p104528"></a>II.2.7.           Технология производства  герметиков  на   основе
<a id="p104529"></a>                  жидкого     тиокола,     работоспособных     при
<a id="p104530"></a>                  температурах ниже 213 К (-60 С)  и  выше  423  К
<a id="p104531"></a>                  (150 С)

<a id="p104532"></a>II.2.8.           Технология производства      кремнийорганических
<a id="p104533"></a>                  герметиков,  работоспособных  при   температурах
<a id="p104534"></a>                  ниже 213 К (-60 С) и выше 523 К (250 С)

<a id="p104535"></a>II.2.9.           Технология производства  органических полимерных
<a id="p104536"></a>                  фотоприемников   для   пространственно-временных
<a id="p104537"></a>                  модуляторов света

<a id="p104538"></a>II.2.10.          Технология производства  дипараксилена (мономера
<a id="p104539"></a>                  Д-2)


## <a id="p104540"></a>Раздел II.3. Композиционные и керамические материалы


<a id="p104541"></a>II.3.1.           Технологии производства      материалов       на
<a id="p104542"></a>                  керамической       основе,      некомпозиционных
<a id="p104543"></a>                  керамических   материалов,    материалов    типа
<a id="p104544"></a>                  композит  с  керамической  матрицей,  а также их
<a id="p104545"></a>                  полуфабрикатов:

<a id="p104546"></a>II.3.1.1.         основных материалов  из  простых   или   сложных
<a id="p104547"></a>                  боридов  титана,  имеющих  металлические примеси
<a id="p104548"></a>                  (кроме специальных добавок) на уровне менее 5000
<a id="p104549"></a>                  частиц на миллион,  при среднем размере частицы,
<a id="p104550"></a>                  равном или меньшем 5 мкм (при этом не более  10%
<a id="p104551"></a>                  частиц размером более 10 мкм);

<a id="p104552"></a>II.3.1.2.         некомпозиционных керамических  материалов в виде
<a id="p104553"></a>                  сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе
<a id="p104554"></a>                  боридов  титана  с  плотностью 98%  или более от
<a id="p104555"></a>                  теоретического значения

<a id="p104556"></a>II.3.1.3.         Технологии для   восстановления   композиционных
<a id="p104557"></a>                  структур,   слоистых  структур  или  материалов,
<a id="p104558"></a>                  указанных в пунктах I.3.3. - I.3.3.2.

<a id="p104559"></a>II.3.2.           Технология производства   трехмерно-армированных
<a id="p104560"></a>                  углерод-углеродных   материалов   типа   КИМФ  с
<a id="p104561"></a>                  повышенной        эрозионной         стойкостью,
<a id="p104562"></a>                  характеризующейся  скоростью уноса массы менее 3
<a id="p104563"></a>                  мм/с при температуре 3773 К  (3500 С) и  выше  и
<a id="p104564"></a>                  давлении 150 атм и выше

<a id="p104565"></a>II.3.3.           Технология производства     объемно-армированных
<a id="p104566"></a>                  углерод-углеродных  материалов  типа  "ЗАРЯ",  с
<a id="p104567"></a>                  повышенной         эрозионной        стойкостью,
<a id="p104568"></a>                  характеризующейся скоростью  уноса  массы  менее
<a id="p104569"></a>                  0,05  мм/с  при  температуре  3773  К (3500 С) и
<a id="p104570"></a>                  выше и давлении 150 атм и выше

<a id="p104571"></a>II.3.4.           Технология производства  жаростойких  углеродных
<a id="p104572"></a>                  материалов  на  рабочие температуры более 2025 К
<a id="p104573"></a>                  (1750  С) с пределом прочности более 300 МПа (30
<a id="p104574"></a>                  кгс/кв. мм) (для применения в углерод-углеродных
<a id="p104575"></a>                  материалах) и более 200 МПа (20 кгс/кв. мм) (для
<a id="p104576"></a>                  применения в углерод-керамических материалах)

<a id="p104577"></a>II.3.5.           Технология производства        теплоизоляционных
<a id="p104578"></a>                  термостабильных (десятки тысяч часов в диапазоне
<a id="p104579"></a>                  температур до 1025 К (750 С) экологически чистых
<a id="p104580"></a>                  материалов  типа  КГ-3  на  основе   графита   с
<a id="p104581"></a>                  плотностью   0,2   г/куб.   см  и  коэффициентом
<a id="p104582"></a>                  теплопроводности 0,1 Вт/(м х К)

<a id="p104583"></a>II.3.6.           Базовые материалы      или      некомпозиционные
<a id="p104584"></a>                  керамические материалы

<a id="p104585"></a>II.3.6.1.         Технология производства   базовых  материалов  с
<a id="p104586"></a>                  суммарными  металлическими  примесями   (включая
<a id="p104587"></a>                  вносимые преднамеренно) менее чем 1000 частей на
<a id="p104588"></a>                  миллион для комплексных соединений  и  единичных
<a id="p104589"></a>                  карбидов  5000 частей на миллион для комплексных
<a id="p104590"></a>                  соединений  или  единичных   нитридов,   средним
<a id="p104591"></a>                  размером  частиц,  равным или менее 5 мкм,  и не
<a id="p104592"></a>                  более чем 10%  частиц с размерами более 10  мкм,
<a id="p104593"></a>                  содержащих   пластинки   с  отношением  длины  к
<a id="p104594"></a>                  толщине,  превышающим   значение   5,   короткие
<a id="p104595"></a>                  стержни  (усы)  с  отношением  длины  к диаметру
<a id="p104596"></a>                  более 10 для диаметров стержней менее чем 2  мкм
<a id="p104597"></a>                  и  длинные  или  рубленные  волокна  с диаметром
<a id="p104598"></a>                  меньшим 10 мкм, из следующих материалов:

<a id="p104599"></a>II.3.6.1.1.            единичных или  комплексных оксидов циркония
<a id="p104600"></a>                       и комплексных оксидов кремния или алюминия;

<a id="p104601"></a>II.3.6.1.2.            единичных нитридов  бора   (с   кубическими
<a id="p104602"></a>                       формами кристаллов);

<a id="p104603"></a>II.3.6.1.3.            единичных или  комплексных карбидов кремния
<a id="p104604"></a>                       или бора;

<a id="p104605"></a>II.3.6.1.4.            единичных или комплексных нитридов кремния
<a id="p104606"></a>                      Примечание. Для циркония представленные выше
<a id="p104607"></a>                  пределы  размеров частиц соответствуют 1 мкм и 5
<a id="p104608"></a>                  мкм соответственно

<a id="p104609"></a>II.3.6.2.         Технология производства            некомпозитных
<a id="p104610"></a>                  керамических   материалов   (кроме   абразивов),
<a id="p104611"></a>                  указанных в пунктах II.3.6.1. - II.3.6.1.4.

<a id="p104612"></a>II.3.7.           Технология производства       пенопласта       с
<a id="p104613"></a>                  микросферами для применения под водой на морских
<a id="p104614"></a>                  глубинах  более  1000 м и с плотностью менее 561
<a id="p104615"></a>                  кг/куб. м

<a id="p104616"></a>II.3.7.1.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p104617"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p104618"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p104619"></a>                  пенопласта  с  микросферами  для  применения под
<a id="p104620"></a>                  водой  на  морских  глубинах  более  1000  м   и
<a id="p104621"></a>                  плотностью менее 561 кг/куб.м


## <a id="p104622"></a>Раздел II.4. Жидкости и смазочные материалы


<a id="p104623"></a>II.4.1.           Технология производства           гидравлических
<a id="p104624"></a>                  жидкостей,  содержащих   в   качестве   основных
<a id="p104625"></a>                  составляющих  любые  из  следующих  веществ  или
<a id="p104626"></a>                  материалов:

<a id="p104627"></a>II.4.1.1.              синтетические углеводородные   масла    или
<a id="p104628"></a>                       кремний-углеводородные   масла   с   точкой
<a id="p104629"></a>                       возгорания свыше 477  К  (204   С),  точкой
<a id="p104630"></a>                       застывания   239   К  (-34   С)  или  ниже,
<a id="p104631"></a>                       коэффициентом   вязкости   75   или   более
<a id="p104632"></a>                       термостабильностью при 616 К (343  С);
<a id="p104633"></a>                      Примечание. Указанные  в  пункте   II.4.1.1.
<a id="p104634"></a>                  кремний-углеводородные       масла      содержат
<a id="p104635"></a>                  исключительно кремний водород и углерод

<a id="p104636"></a>II.4.1.2.              хлоро-фторуглероды с           температурой
<a id="p104637"></a>                       самовоспламенения свыше 977 К  (704   С)  с
<a id="p104638"></a>                       точкой   застывания   219   К   (-54    С),
<a id="p104639"></a>                       коэффициентом  вязкости  80  или  более   и
<a id="p104640"></a>                       точкой кипения 473 К (200  С) или более
<a id="p104641"></a>                      Примечание. Указанные   в  пункте  II.4.1.2.
<a id="p104642"></a>                  хлоро-фторуглероды содержат исключительно  хлор,
<a id="p104643"></a>                  фтор и углерод


<a id="p104644"></a>II.4.2.           Технология производства   смазочных  материалов,
<a id="p104645"></a>                  содержащих  в  качестве  основных   составляющих
<a id="p104646"></a>                  следующие вещества и материалы:

<a id="p104647"></a>II.4.2.1.              фениленовые или алкилфениленовые эфиры  или
<a id="p104648"></a>                       тиоэфиры  или  их  смеси,  содержащие более
<a id="p104649"></a>                       двух эфирных  или  тиоэфирных  функций  или
<a id="p104650"></a>                       смесей;

<a id="p104651"></a>II.4.2.2.              фторированные кремнийсодержащие   жидкости,
<a id="p104652"></a>                       характеризуемые  кинематической   вязкостью
<a id="p104653"></a>                       менее 5000 кв. мм/с (5000 сантистоксов) при
<a id="p104654"></a>                       температуре 298 К (25 С)

<a id="p104655"></a>II.4.3.           Технология производства      увлажняющих     или
<a id="p104656"></a>                  флотирующих  жидкостей  с  показателем   чистоты
<a id="p104657"></a>                  более 99,8%, содержащих менее 25 частиц размером
<a id="p104658"></a>                  200 мкм или более на 100 мл и  изготовленных  по
<a id="p104659"></a>                  меньшей  мере  на  85%  из  следующих  веществ и
<a id="p104660"></a>                  материалов:

<a id="p104661"></a>II.4.3.1.              дибромтетрафторэтана;

<a id="p104662"></a>II.4.3.2.              полихлортрифторэтилена (только  маслянистые
<a id="p104663"></a>                       и воскообразные модификации);

<a id="p104664"></a>II.4.3.3.              полибромтрифторэтилена


## <a id="p104665"></a>Раздел II.5. Фармацевтические препараты


<a id="p104666"></a>II.5.1.           Технология производства полианатоксинов

<a id="p104667"></a>II.5.2.           Технология производства                  вакцины
<a id="p104668"></a>                  инактивированной,  концентрированной,  очищенной
<a id="p104669"></a>                  для  профилактики венесуэльского энцефаломиелита
<a id="p104670"></a>                  на основе оригинального штамма СМ-27

<a id="p104671"></a>II.5.3.           Технология производства                дивакцины
<a id="p104672"></a>                  инактивированной  культуральной,  очищенной  для
<a id="p104673"></a>                  профилактики     восточного     и      западного
<a id="p104674"></a>                  энцефаломиелита лошадей

<a id="p104675"></a>II.5.4.           Технология производства     препаратов    группы
<a id="p104676"></a>                  холинэстераз для определения  фосфорорганических
<a id="p104677"></a>                  ОВ и информация по использованию препаратов

<a id="p104678"></a>II.5.5.           Технология получения       и       использования
<a id="p104679"></a>                  иммуноглобулинов  полигрупповых  люминесцирующих
<a id="p104680"></a>                  риккетсиозных,  позволяющих  проводить индикацию
<a id="p104681"></a>                  риккетсий   группы   сыпного   тифа,    клещевой
<a id="p104682"></a>                  пятнистой    лихорадки   и   куриккетсиоза   при
<a id="p104683"></a>                  иммунофлуоресцентном анализе

<a id="p104684"></a>II.5.6.           Диагностикум, технология       получения       и
<a id="p104685"></a>                  использования   культурального,   поливалентного
<a id="p104686"></a>                  диагностикума   геморрагической   лихорадки    с
<a id="p104687"></a>                  почечным    синдромом   для   непрямого   метода
<a id="p104688"></a>                  иммунофлуоресценции

<a id="p104689"></a>II.5.7.           Гибридомная технология                 получения
<a id="p104690"></a>                  иммунодиагностикума              моноклонального
<a id="p104691"></a>                  люминесцирующего к вирусу клещевого энцефалита и
<a id="p104692"></a>                  информация об использовании диагностикума


## <a id="p104693"></a>Раздел II.6. Токсичные вещества


<a id="p104694"></a>II.6.1.           Информация о  синтезе и оценке физико-химических
<a id="p104695"></a>                  токсикологических характеристик нейротоксикантов
<a id="p104696"></a>                  особо  высокой  токсичности со средней летальной
<a id="p104697"></a>                  дозой   менее   0,1   мг/кг   в   целях   поиска
<a id="p104698"></a>                  нейротоксикантов высокой эффективности


## <a id="p104699"></a>Раздел II.7. Материалы и полуфабрикаты для производства изделий электронной техники и оптики


<a id="p104701"></a>II.7.1.           Технология изготовления       и        нанесения
<a id="p104702"></a>                  радиопоглощающих  покрытий  типа  ФП-1  и ФП-3 с
<a id="p104703"></a>                  коэффициентом   отражения    менее    15%    при
<a id="p104704"></a>                  температуре до 623 К (350 С)

<a id="p104705"></a>II.7.2.           Технология производства   многослойных  структур
<a id="p104706"></a>                  кадмий-ртуть-теллур   (КРТ)   с   использованием
<a id="p104707"></a>                  вакуумного синтеза

<a id="p104708"></a>II.7.3.           Технологии производства      материалов      для
<a id="p104709"></a>                  оптических датчиков:

<a id="p104710"></a>II.7.3.1.         Технология производства  элементарного   теллура
<a id="p104711"></a>                  (Te) чистотой, равной или более 99,9995%

<a id="p104712"></a>II.7.3.2.         Технология производства монокристаллов теллурида
<a id="p104713"></a>                  кадмия    (CDTe)    любой    чистоты     включая
<a id="p104714"></a>                  эпитаксиальные пластины

<a id="p104715"></a>II.7.3.3.         Технология производства   заготовок   оптических
<a id="p104716"></a>                  волокон,    специально    предназначенных    для
<a id="p104717"></a>                  производства       волокон       с       высоким
<a id="p104718"></a>                  двулучепреломлением,      использующихся       в
<a id="p104719"></a>                  оптоволоконных  датчиках,  указанных  в  пунктах
<a id="p104720"></a>                  I.12.2.4.3. - I.12.2.4.3.2.

<a id="p104721"></a>II.7.4.           Технологии производства оптических материалов:

<a id="p104722"></a>II.7.4.1.         Технология производства селенида цинка (ZnSe)  и
<a id="p104723"></a>                  сульфина  цинка  (ZnS)  в виде пластин-подложек,
<a id="p104724"></a>                  изготовляемых в процессе  химического  осаждения
<a id="p104725"></a>                  паров,  объемом более 100 куб.  см или диаметром
<a id="p104726"></a>                  более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм

<a id="p104727"></a>II.7.4.2.         Технологии производства    слитков     следующих
<a id="p104728"></a>                  электрооптических материалов:

<a id="p104729"></a>II.7.4.2.1.            арсенида титаната калия (КТА);

<a id="p104730"></a>II.7.4.2.2.            смешанного селенида   серебра   и    галлия
<a id="p104731"></a>                       (AgGaSe2);

<a id="p104732"></a>II.7.4.2.3.            смешанного селенида    таллия   и   мышьяка
<a id="p104733"></a>                       (TlзAsSeз), также известного как ТАС

<a id="p104734"></a>II.7.4.3.         Технология производства   нелинейных  оптических
<a id="p104735"></a>                  материалов,  имеющих  восприимчивость   третьего
<a id="p104736"></a>                  порядка  (3),  равную  или  меньшую 1 Вт/кв.  м,
<a id="p104737"></a>                  время отклика менее 1 мс

<a id="p104738"></a>II.7.4.4.         Технология производства  пластинчатых   подложек
<a id="p104739"></a>                  карбида   кремния   или   осажденных  материалов
<a id="p104740"></a>                  бериллия/бериллия  (Ве/Ве)  свыше   300   мм   в
<a id="p104741"></a>                  диаметре или длины наибольшей оси

<a id="p104742"></a>II.7.4.5.         Технология производства   материалов   с   малым
<a id="p104743"></a>                  оптическим поглощением:

<a id="p104744"></a>II.7.4.5.1.       Технология производства    сложных    соединений
<a id="p104745"></a>                  фтора, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999%
<a id="p104746"></a>                  или более
<a id="p104747"></a>                      Примечание. Пункт                II.7.4.5.1.
<a id="p104748"></a>                  распространяется     только     на    технологию
<a id="p104749"></a>                  производства фторидов циркония  или  алюминия  и
<a id="p104750"></a>                  подобных соединений

<a id="p104751"></a>II.7.4.5.2.       Технология производства объемных  фторсодержащих
<a id="p104752"></a>                  стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2.

<a id="p104753"></a>II.7.4.6.         Технология производства    стекол,    содержащих
<a id="p104754"></a>                  расплавы    кремния,    стекол    из    фосфатов
<a id="p104755"></a>                  фторфосфатов,  фторида циркония (ZrF4) и фторида
<a id="p104756"></a>                  гафния  (HfF4)  с  концентрацией   гидроксильных
<a id="p104757"></a>                  ионов   (OH-)  менее  5  промилле  интегральными
<a id="p104758"></a>                  уровнями  чистоты  металлов  менее  1  промилле,
<a id="p104759"></a>                  высокой   однородностью   (вариацией  показателя
<a id="p104760"></a>                  преломления менее 5x10E-6)

<a id="p104761"></a>II.7.4.7.         Технология производства синтетического алмазного
<a id="p104762"></a>                  материала  с поглощением менее 10E-5 см на длине
<a id="p104763"></a>                  волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм

<a id="p104764"></a>II.7.4.8.         Технология производства           оптоволоконных
<a id="p104765"></a>                  заготовок,  изготовленных из объемных соединений
<a id="p104766"></a>                  фторидов,  содержащих  ингредиенты  с   чистотой
<a id="p104767"></a>                  99,999%  или лучше, специально разработанных для
<a id="p104768"></a>                  производства  фторидных  волокон,  указанных   в
<a id="p104769"></a>                  пункте I.12.5.4.

<a id="p104770"></a>II.7.5.           Технологии производства      материалов      для
<a id="p104771"></a>                  кристаллических основ лазеров:

<a id="p104772"></a>II.7.5.1.              сапфира с имплантированным титаном;

<a id="p104773"></a>II.7.5.2.              александрита

<a id="p104774"></a>II.7.6.           Технологии производства  материалов  резистов  и
<a id="p104775"></a>                  подложек, покрытых резистами:

<a id="p104776"></a>II.7.6.1.         Технология производства  позитивных  резистов со
<a id="p104777"></a>                  спектральной чувствительностью  оптимизированной
<a id="p104778"></a>                  на излучение менее 370 нм

<a id="p104779"></a>II.7.6.2.         Технология производства      всех      резистов,
<a id="p104780"></a>                  используемых для экспонирования электронными или
<a id="p104781"></a>                  ионными  пучками,  с  чувствительностью  не хуже
<a id="p104782"></a>                  0,01 мкКл/кв. мм

<a id="p104783"></a>II.7.6.3.         Технология производства      всех      резистов,
<a id="p104784"></a>                  используемых  для  экспонирования рентгеновскими
<a id="p104785"></a>                  лучами,  с чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв.
<a id="p104786"></a>                  мм

<a id="p104787"></a>II.7.6.4.         Технология производства      всех      резистов,
<a id="p104788"></a>                  оптимизированных  под  технологию   формирования
<a id="p104789"></a>                  рисунка, включая силицированные резисты

<a id="p104790"></a>II.7.7.           Технология производства       металлорганических
<a id="p104791"></a>                  соединений алюминия,  галлия или индия,  имеющих
<a id="p104792"></a>                  чистоту (металлической основы) более 99,999%

<a id="p104793"></a>II.7.8.           Технология производства     гидридов    фосфора,
<a id="p104794"></a>                  мышьяка  или  сурьмы,  имеющих   чистоту   более
<a id="p104795"></a>                  99,999%   даже  после  разбавления  нейтральными
<a id="p104796"></a>                  газами
<a id="p104797"></a>                      Примечание. Технология          производства
<a id="p104798"></a>                  гидридов,   содержащих   20   и   более  мольных
<a id="p104799"></a>                  процентов  инертных  газов  или   водорода,   не
<a id="p104800"></a>                  подлежит  экспортному  контролю  согласно пункту
<a id="p104801"></a>                  II.7.8.

<a id="p104802"></a>II.7.9.           Технология производства   заготовок  стекла  или
<a id="p104803"></a>                  любых других  материалов,  оптимизированных  для
<a id="p104804"></a>                  производства  оптических  волокон,  указанных  в
<a id="p104805"></a>                  пункте I.12.5.

<a id="p104806"></a>II.7.10.          Технология нанесения  покрытий   на   оптические
<a id="p104807"></a>                  волокна,    специально    предназначенные    для
<a id="p104808"></a>                  подводного применения


## <a id="p104809"></a>Раздел II.8. Электротехника и энергетика


<a id="p104810"></a>II.8.1.           Технология производства          сверхпроводящих
<a id="p104811"></a>                  композитных  материалов  длиной  более 100 м или
<a id="p104812"></a>                  массой, превышающей 100 г:

<a id="p104813"></a>II.8.1.1.         Технология производства             многожильных
<a id="p104814"></a>                  сверхпроводящих      композитных     материалов,
<a id="p104815"></a>                  содержащих одну ниобиевую нить или более:

<a id="p104816"></a>II.8.1.1.1.            уложенных в матрицу не из меди  или  не  на
<a id="p104817"></a>                       основе медьсодержащего материала;

<a id="p104818"></a>II.8.1.1.2.            с площадью  поперечного  сечения  менее  0,
<a id="p104819"></a>                       28x10E-4 кв.  мм (6 мкм в диаметре в случае
<a id="p104820"></a>                       нитей круглого сечения)

<a id="p104821"></a>II.8.1.2.         Технология производства          сверхпроводящих
<a id="p104822"></a>                  композитных  материалов  не  из   ниобий-титана,
<a id="p104823"></a>                  состоящих  из  одной  или  более сверхпроводящих
<a id="p104824"></a>                  нитей:

<a id="p104825"></a>                       с критической   температурой   при  нулевой
<a id="p104826"></a>                       магнитной  индукции,  превышающей  9,85   К
<a id="p104827"></a>                       (-263,31 С), но не ниже 24 К (-249,16 С);
<a id="p104828"></a>                       с площадью  поперечного  сечения  менее  0,
<a id="p104829"></a>                       28x10E-4 кв. мм;
<a id="p104830"></a>                       которые остаются        в         состоянии
<a id="p104831"></a>                       сверхпроводимости  при  температуре  4,2  К
<a id="p104832"></a>                       (-268,96 С),  находясь в магнитном поле  с
<a id="p104833"></a>                       магнитной индукцией 12 Т

<a id="p104834"></a>II.8.2.           Информация о    результатах    исследований    и
<a id="p104835"></a>                  разработок  высокотемпературных сверхпроводников
<a id="p104836"></a>                  с  критическим  магнитным  полем,  с   магнитной
<a id="p104837"></a>                  индукцией  более 150 Т и критическим током более
<a id="p104838"></a>                  1000 МА/кв. м при температуре 77 К (-196  С) для
<a id="p104839"></a>                  техники магнитного ускорения объектов

<a id="p104840"></a>II.8.3.           Информация о  конструкционных  и технологических
<a id="p104841"></a>                  решениях   в   области    создания    импульсных
<a id="p104842"></a>                  источников  электроэнергии на основе формирующих
<a id="p104843"></a>                  линий  с  мощностью,  превышающей  100  ТВт  при
<a id="p104844"></a>                  энергии, превышающей 5 МДж

<a id="p104845"></a>II.8.4.           Информация о  конструкционных  и технологических
<a id="p104846"></a>                  решениях   в   области    создания    импульсных
<a id="p104847"></a>                  источников  электроэнергии на основе униполярных
<a id="p104848"></a>                  генераторов,  предназначенных   для   медленного
<a id="p104849"></a>                  отбора  мощности  (более  1 с) с запасом энергии
<a id="p104850"></a>                  более 100 МДж и быстрого отбора мощности  (менее
<a id="p104851"></a>                  1 мс) с запасом энергии 1 МДж

<a id="p104852"></a>II.8.5.           Конструкция и технология производства батарей
<a id="p104853"></a>                      Примечание. Экспортный      контроль      не
<a id="p104854"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p104855"></a>                  производства  батарей  с  объемом  26 куб.  см и
<a id="p104856"></a>                  меньше    (например,    стандартные     угольные
<a id="p104857"></a>                  элементы),   указанных   в   пунктах  II.8.5.  -
<a id="p104858"></a>                  II.8.5.3.

<a id="p104859"></a>II.8.5.1.         Конструкция и  технология производства первичных
<a id="p104860"></a>                  элементов и батарей с  плотностью  энергии  выше
<a id="p104861"></a>                  350 Вт х ч/кг, пригодных по техническим условиям
<a id="p104862"></a>                  для работы в диапазоне температур от 243 К  (-30
<a id="p104863"></a>                  С) и ниже до 343 К (70 С) и выше

<a id="p104864"></a>II.8.5.2.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p104865"></a>                  подзаряжаемых элементов и батарей  с  плотностью
<a id="p104866"></a>                  энергии  свыше  150  Вт  х  ч/кг после 75 циклов
<a id="p104867"></a>                  заряда-разряда при токе разряда,  равном  С/5  ч
<a id="p104868"></a>                  (здесь  С - номинальная емкость в А х ч),  и при
<a id="p104869"></a>                  работе в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и
<a id="p104870"></a>                  ниже до 333 К (60 С) и выше

<a id="p104871"></a>II.8.5.3.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p104872"></a>                  радиационностойких батарей на  фотоэлектрических
<a id="p104873"></a>                  элементах  с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.
<a id="p104874"></a>                  м  при  рабочей  температуре  301  К  (28  С)  и
<a id="p104875"></a>                  вольфрамовом источнике, нагретом до 2800 К (2527
<a id="p104876"></a>                  С) и  создающем  энергетическую  освещенность  1
<a id="p104877"></a>                  кВт/кв. м, пригодных по техническим условиям для
<a id="p104878"></a>                  космического применения

<a id="p104879"></a>II.8.5.4.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p104880"></a>                  разработанное    для   проектирования   батарей,
<a id="p104881"></a>                  указанных в пунктах I.7.2. - I.7.2.3.

<a id="p104882"></a>II.8.6.           Конструкция и      технология       производства
<a id="p104883"></a>                  накопителей энергии

<a id="p104884"></a>II.8.6.1.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p104885"></a>                  накопителей энергии с частотой повторения  менее
<a id="p104886"></a>                  10   Гц   (одноразовых   накопителей),   имеющих
<a id="p104887"></a>                  номинальное напряжение не менее 5 кВ,  плотность
<a id="p104888"></a>                  энергии  не  менее  250 Дж/кг и общую энергию не
<a id="p104889"></a>                  менее 25 кДж

<a id="p104890"></a>II.8.6.2.         Конструкция и      технология       производства
<a id="p104891"></a>                  накопителей  энергии с частотой повторения менее
<a id="p104892"></a>                  10  Гц  и  больше  (многоразовых   накопителей),
<a id="p104893"></a>                  имеющих  номинальное  напряжение  не менее 5 кВ,
<a id="p104894"></a>                  плотность  энергии  не  менее  50  Дж/кг,  общую
<a id="p104895"></a>                  энергию  не  менее  100  Дж  и количество циклов
<a id="p104896"></a>                  заряда-разряда не менее 10000

<a id="p104897"></a>II.8.6.3.         Конструкция и технология производства  схем  или
<a id="p104898"></a>                  систем  для накопления электромагнитной энергии,
<a id="p104899"></a>                  содержащих   компоненты    из    сверхпроводящих
<a id="p104900"></a>                  материалов,   специально   спроектированных  для
<a id="p104901"></a>                  работы   при   температурах   ниже   критической
<a id="p104902"></a>                  температуры  с  хотя бы одной из сверхпроводящих
<a id="p104903"></a>                  составляющих,   имеющих   рабочие    резонансные
<a id="p104904"></a>                  частоты   свыше   1  МГц,  плотность  запасаемой
<a id="p104905"></a>                  энергии не менее 1 МДж/куб.  м и  время  разряда
<a id="p104906"></a>                  менее 1 мс

<a id="p104907"></a>II.8.6.4.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p104908"></a>                  разработанное  для  проектирования   накопителей
<a id="p104909"></a>                  энергии, указанных в пунктах I.7.3. - I.7.3.3.

<a id="p104910"></a>II.8.7.           Конструкция и       технология      производства
<a id="p104911"></a>                  сверхпроводящих электромагнитов или  соленоидов,
<a id="p104912"></a>                  специально  спроектированных на полный заряд или
<a id="p104913"></a>                  разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную
<a id="p104914"></a>                  энергию  в  разряде,  деленную  на  длительность
<a id="p104915"></a>                  разряда,  свыше 500 кДж/мин,  внутренний диаметр
<a id="p104916"></a>                  токопроводящих    обмоток   свыше   250   мм   и
<a id="p104917"></a>                  номинальную магнитную индукцию  свыше  8  Т  или
<a id="p104918"></a>                  суммарную  плотность  тока  в обмотке больше 300
<a id="p104919"></a>                  А/кв. мм
<a id="p104920"></a>                      Примечание. Экспортный      контроль      не
<a id="p104921"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p104922"></a>                  производства сверхпроводящих электромагнитов или
<a id="p104923"></a>                  соленоидов,   специально   спроектированных  для
<a id="p104924"></a>                  медицинской    аппаратуры     магниторезонансной
<a id="p104925"></a>                  томографии

<a id="p104926"></a>II.8.7.1.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p104927"></a>                  разработанное для проектирования сверхпроводящих
<a id="p104928"></a>                  электромагнитов  или  соленоидов,  указанных   в
<a id="p104929"></a>                  пункте I.7.4.

<a id="p104930"></a>II.8.8.           Конструкция и       технология      производства
<a id="p104931"></a>                  рентгеновских   систем    с    короткоимпульсным
<a id="p104932"></a>                  разрядом,  имеющих пиковую мощность, превышающую
<a id="p104933"></a>                  500 МВт,  выходное напряжение,  превышающее  500
<a id="p104934"></a>                  кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс

<a id="p104935"></a>II.8.8.1.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p104936"></a>                  разработанное для  проектирования  рентгеновских
<a id="p104937"></a>                  систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в
<a id="p104938"></a>                  пункте I.7.5.

<a id="p104939"></a>II.8.9.           Информация о      конструкторских      решениях,
<a id="p104940"></a>                  технологиях,   материалах,   основных   узлах  и
<a id="p104941"></a>                  системах            бортовых             ядерных
<a id="p104942"></a>                  электроэнергоустановок,  позволяющая осуществить
<a id="p104943"></a>                  непосредственное       воспроизведение       или
<a id="p104944"></a>                  способствующая   ускорению  реализации  подобных
<a id="p104945"></a>                  проектов

<a id="p104946"></a>II.8.10.          Информация о конструкционных  и  технологических
<a id="p104947"></a>                  решениях,  позволяющих создать короткоимпульсные
<a id="p104948"></a>                  электронные и протонные  ускорители  с  энергией
<a id="p104949"></a>                  более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА


## <a id="p104950"></a>Раздел II.9. Функциональное оборудование, узлы и детали


<a id="p104951"></a>II.9.1.           Конструкция и       технология      производства
<a id="p104952"></a>                  антифрикционных    подшипников    или     систем
<a id="p104953"></a>                  подшипников и их компонентов
<a id="p104954"></a>                      Примечание. Экспортный      контроль      не
<a id="p104955"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p104956"></a>                  производства   шарикоподшипников   с  допусками,
<a id="p104957"></a>                  устанавливаемыми производителями в  соответствии
<a id="p104958"></a>                  со стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже

<a id="p104959"></a>II.9.1.1.         Конструкция и  технология производства шариковых
<a id="p104960"></a>                  или  роликовых  подшипников  (кроме   конических
<a id="p104961"></a>                  роликовых    подшипников),    имеющих   допуски,
<a id="p104962"></a>                  устанавливаемые производителем в соответствии со
<a id="p104963"></a>                  стандартом   ИСО,  имеющих  любую  из  следующих
<a id="p104964"></a>                  характеристик:

<a id="p104965"></a>II.9.1.1.1.            кольца, шарики      или      ролики      из
<a id="p104966"></a>                       медно-никелевого сплава или бериллия;

<a id="p104967"></a>II.9.1.1.2.            изготовленные для  применения  при  рабочих
<a id="p104968"></a>                       температурах  выше 573 К  (300  С)  либо  с
<a id="p104969"></a>                       применением   специальных   материалов  или
<a id="p104970"></a>                       специальной тепловой обработки;

<a id="p104971"></a>II.9.1.1.3.            с элементами   смазки   или    компонентом,
<a id="p104972"></a>                       модифицирующим   этот  элемент,  который  в
<a id="p104973"></a>                       соответствии со спецификацией  изготовителя
<a id="p104974"></a>                       специально  спроектирован  для подшипников,
<a id="p104975"></a>                       работающих при  скоростях,  соответствующих
<a id="p104976"></a>                       значению КСВ более 2,3x10E6

<a id="p104977"></a>II.9.1.2.         Конструкция и   технология  производства  других
<a id="p104978"></a>                  шариковых  или  роликовых   подшипников   (кроме
<a id="p104979"></a>                  конических   роликовых   подшипников),   имеющих
<a id="p104980"></a>                  допуски,   устанавливаемые   производителем    в
<a id="p104981"></a>                  соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше
<a id="p104982"></a>                  (или национальными эквивалентами)

<a id="p104983"></a>II.9.1.3.         Конструкция и технология производства конических
<a id="p104984"></a>                  роликовых    подшипников,   имеющих   любую   из
<a id="p104985"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p104986"></a>II.9.1.3.1.            с элементами   смазки   или    компонентом,
<a id="p104987"></a>                       модифицирующим   этот  элемент,  который  в
<a id="p104988"></a>                       соответствии со спецификацией  изготовителя
<a id="p104989"></a>                       специально  спроектирован  для подшипников,
<a id="p104990"></a>                       работающих при  скоростях,  соответствующих
<a id="p104991"></a>                       значению КСВ более 2,3x10E6;

<a id="p104992"></a>II.9.1.3.2.            изготовленные для  применения  при  рабочих
<a id="p104993"></a>                       температурах ниже 219 К (-54  С)  или  выше
<a id="p104994"></a>                       423 К (150 С)

<a id="p104995"></a>II.9.1.4.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p104996"></a>                  тонкостенных  подшипников  с  газовой   смазкой,
<a id="p104997"></a>                  изготовленных   для   применения   при   рабочих
<a id="p104998"></a>                  температурах 561  К  (288  С)  или  выше,  и  со
<a id="p104999"></a>                  способностью   выдерживать  единичную  нагрузку,
<a id="p105000"></a>                  превышающую 1 МПа

<a id="p105001"></a>II.9.1.5.         Конструкция и технология  производства  активных
<a id="p105002"></a>                  магнитных подшипниковых систем

<a id="p105003"></a>II.9.1.6.         Конструкция и  технология  производства  серийно
<a id="p105004"></a>                  изготавливаемых самоцентрирующихся  или  серийно
<a id="p105005"></a>                  изготавливаемых  и устанавливаемых на шейку вала
<a id="p105006"></a>                  подшипников   скольжения,   изготовленных    для
<a id="p105007"></a>                  использования  при рабочих температурах ниже 219
<a id="p105008"></a>                  К (-54 С) или выше 423 К (150 С)

<a id="p105009"></a>II.9.1.7.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p105010"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p105011"></a>                  проектирования   и   производства   подшипников,
<a id="p105012"></a>                  указанных в пунктах I.8.1. - I.8.1.6.


## <a id="p105013"></a>Раздел II.10. Обработка материалов


<a id="p105014"></a>II.10.1.          Производственные процессы металлообработки

<a id="p105015"></a>II.10.1.1.        Технологии проектирования станков (инструмента),
<a id="p105016"></a>                  пресс-форм    или    зажимных    приспособлений,
<a id="p105017"></a>                  специально    спроектированных   для   следующих
<a id="p105018"></a>                  процессов:

<a id="p105019"></a>II.10.1.1.1.           сверхпластичного деформирования;

<a id="p105020"></a>II.10.1.1.2.           термодиффузионного сращивания;

<a id="p105021"></a>II.10.1.1.3.           гидравлического прессования         прямого
<a id="p105022"></a>                       действия

<a id="p105023"></a>II.10.1.2.        Технические данные,   включающие  параметры  или
<a id="p105024"></a>                  методы реализации процесса, перечисленные ниже и
<a id="p105025"></a>                  используемые для управления:

<a id="p105026"></a>II.10.1.2.1.           сверхпластичным             деформированием
<a id="p105027"></a>                       алюминиевых,    титановых    сплавов    или
<a id="p105028"></a>                       суперсплавов, включая:

<a id="p105029"></a>                       подготовку поверхности;
<a id="p105030"></a>                       степень деформации;
<a id="p105031"></a>                       температуру;
<a id="p105032"></a>                       давление
<a id="p105033"></a>                      Примечание. К  суперсплавам относятся сплавы
<a id="p105034"></a>                  на   основе   никеля,   кобальта   или   железа,
<a id="p105035"></a>                  сохраняющие  высокую  прочность при температурах
<a id="p105036"></a>                  свыше  922  К  (649  С)   в   тяжелых   условиях
<a id="p105037"></a>                  функционирования и окружающей среды

<a id="p105038"></a>II.10.1.2.2.           термодиффузионным сращиванием  суперсплавов
<a id="p105039"></a>                       или титановых сплавов, включая:

<a id="p105040"></a>                       подготовку поверхности;
<a id="p105041"></a>                       температуру;
<a id="p105042"></a>                       давление

<a id="p105043"></a>II.10.1.2.3.           гидравлическим прессованием         прямого
<a id="p105044"></a>                       действия алюминиевых или титановых сплавов,
<a id="p105045"></a>                       включая:

<a id="p105046"></a>                       давление;
<a id="p105047"></a>                       время цикла

<a id="p105048"></a>II.10.1.2.4.           горячей изостатической          деформацией
<a id="p105049"></a>                       титановых,     алюминиевых     сплавов    и
<a id="p105050"></a>                       суперсплавов, включая:

<a id="p105051"></a>                       температуру;
<a id="p105052"></a>                       давление
<a id="p105053"></a>                       время цикла

<a id="p105054"></a>II.10.2.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p105055"></a>                  гидравлических   вытяжных  формовочных  машин  и
<a id="p105056"></a>                  матриц   для   изготовления   легких   корпусных
<a id="p105057"></a>                  конструкций

<a id="p105058"></a>II.10.3.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p105059"></a>                  универсальных    станков    (без    программного
<a id="p105060"></a>                  управления) для получения оптически качественных
<a id="p105061"></a>                  поверхностей:

<a id="p105062"></a>II.10.3.1.             токарных станков, использующих единственную
<a id="p105063"></a>                       точку   фрезерования   и  обладающих  всеми
<a id="p105064"></a>                       нижеследующими характеристиками:

<a id="p105065"></a>                       точность положения  суппорта меньше (лучше)
<a id="p105066"></a>                       чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения;

<a id="p105067"></a>                       повторяемость двунаправленного    положения
<a id="p105068"></a>                       суппорта  меньше  (лучше) чем 0,00025 мм на
<a id="p105069"></a>                       300 мм перемещения;

<a id="p105070"></a>                       биение и  эксцентриситет  шпинделя   меньше
<a id="p105071"></a>                       (лучше)  чем 0,0004 мм по индикатору общего
<a id="p105072"></a>                       считывания;

<a id="p105073"></a>                       угловая девиация     движения      суппорта
<a id="p105074"></a>                       (рыскание,   тангаж   и   вращение   вокруг
<a id="p105075"></a>                       продольной  оси)  меньше  (лучше)   чем   2
<a id="p105076"></a>                       дуговые   секунды   по   индикатору  общего
<a id="p105077"></a>                       считывания на полном перемещении;

<a id="p105078"></a>                       перпендикулярность суппорта меньше  (лучше)
<a id="p105079"></a>                       чем 0,001 мм на 300 мм перемещения;

<a id="p105080"></a>II.10.3.2.             станков с летучей фрезой,  имеющих биение и
<a id="p105081"></a>                       эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм
<a id="p105082"></a>                       по индикатору общего считывания  и  угловую
<a id="p105083"></a>                       девиацию   движения   суппорта   (рыскание,
<a id="p105084"></a>                       тангаж и вращение  вокруг  продольной  оси)
<a id="p105085"></a>                       меньше  (лучше)  чем  2  дуговые секунды по
<a id="p105086"></a>                       индикатору  общего  считывания  на   полном
<a id="p105087"></a>                       перемещении

<a id="p105088"></a>II.10.4.          Конструкция и  технология производства станков с
<a id="p105089"></a>                  ЧПУ или станков с  ручным  управлением,  включая
<a id="p105090"></a>                  специально спроектированные компоненты, элементы
<a id="p105091"></a>                  управления и приспособления для них,  специально
<a id="p105092"></a>                  спроектированных   для   фрезерования,  финишной
<a id="p105093"></a>                  обработки,    полирования    или    хонингования
<a id="p105094"></a>                  закаленных  (Rс=40  или  более)  конических  или
<a id="p105095"></a>                  цилиндрических   шестерен   в   соответствии   с
<a id="p105096"></a>                  пунктами I.9.3. - I.9.3.2.

<a id="p105097"></a>II.10.5.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p105098"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105099"></a>                  проектирования,    производства   и   применения
<a id="p105100"></a>                  программно-управляемых  станков,   указанных   в
<a id="p105101"></a>                  пунктах I.9.3. - I.9.3.2.

<a id="p105102"></a>II.10.6.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p105103"></a>                  оборудования,  специально спроектированного  для
<a id="p105104"></a>                  реализации   процесса   и  управления  процессом
<a id="p105105"></a>                  нанесения  неорганических   покрытий,   защитных
<a id="p105106"></a>                  слоев и поверхностного модифицирования,  а также
<a id="p105107"></a>                  специально       спроектированных        средств
<a id="p105108"></a>                  автоматизированного   регулирования,  установок,
<a id="p105109"></a>                  манипуляторов и компонентов управления

<a id="p105110"></a>II.10.6.1.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105111"></a>                  программноуправляемым  запоминающим  устройством
<a id="p105112"></a>                  производственных   установок    для    нанесения
<a id="p105113"></a>                  твердого  покрытия  из  парообразных  химических
<a id="p105114"></a>                  соединений, указанных в пункте I.9.4.1.

<a id="p105115"></a>II.10.6.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105116"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p105117"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p105118"></a>                  производственных    установок    для   нанесения
<a id="p105119"></a>                  покрытия из парообразных химических  соединений,
<a id="p105120"></a>                  указанных в пункте I.9.4.1.

<a id="p105121"></a>II.10.6.3.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105122"></a>                  программно-управляемым запоминающим  устройством
<a id="p105123"></a>                  производственных     установок     для    ионной
<a id="p105124"></a>                  имплантации, указанных в пункте I.9.4.2.

<a id="p105125"></a>II.10.6.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105126"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p105127"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p105128"></a>                  производственных     установок     для    ионной
<a id="p105129"></a>                  имплантации, указанных в пункте I.9.4.2.

<a id="p105130"></a>II.10.6.5.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105131"></a>                  программно-управляемым  запоминающим устройством
<a id="p105132"></a>                  электронно-лучевых   установок   для   нанесения
<a id="p105133"></a>                  покрытий  методом  физического  осаждения паров,
<a id="p105134"></a>                  указанных в пункте I.9.4.3.

<a id="p105135"></a>II.10.6.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105136"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p105137"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p105138"></a>                  электронно-лучевых   установок   для   нанесения
<a id="p105139"></a>                  покрытий  методом  физического  осаждения  паров
<a id="p105140"></a>                  указанных в пункте I.9.4.3.

<a id="p105141"></a>II.10.6.7.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105142"></a>                  программно-управляемым запоминающим  устройством
<a id="p105143"></a>                  производственных   установок   для   плазменного
<a id="p105144"></a>                  напыления,  указанных  в  пунктах   I.9.4.4.   -
<a id="p105145"></a>                  I.9.4.4.2.

<a id="p105146"></a>II.10.6.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105147"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105148"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p105149"></a>                  производственных   установок   для   плазменного
<a id="p105150"></a>                  напыления,   указанных   в  пунктах  I.9.4.4.  -
<a id="p105151"></a>                  I.9.4.4.2.

<a id="p105152"></a>II.10.6.9.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105153"></a>                  программно-управляемым  запоминающим устройством
<a id="p105154"></a>                  производственных  установок   для   металлизации
<a id="p105155"></a>                  напылением,  способных обеспечить плотность тока
<a id="p105156"></a>                  0,1  мА/мм  или  более   с   производительностью
<a id="p105157"></a>                  напыления 15 мкм в час или более

<a id="p105158"></a>II.10.6.10.       Программное обеспечение,   специально  созданное
<a id="p105159"></a>                  или     модифицированное     для     разработки,
<a id="p105160"></a>                  производства   или  применения  производственных
<a id="p105161"></a>                  установок металлизации напылением,  указанных  в
<a id="p105162"></a>                  пункте I.9.4.5.

<a id="p105163"></a>II.10.6.11.       Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105164"></a>                  программно-управляемым запоминающим  устройством
<a id="p105165"></a>                  производственных  установок для катодно-дугового
<a id="p105166"></a>                  напыления, включающих систему элекромагнитов для
<a id="p105167"></a>                  управления плотностью тока дуги на катоде

<a id="p105168"></a>II.10.6.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p105169"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105170"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p105171"></a>                  производственных установок для  катодно-дугового
<a id="p105172"></a>                  напыления, указанного в пункте I.9.4.6.

<a id="p105173"></a>II.10.6.13.       Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105174"></a>                  программно-управляемым запоминающим  устройством
<a id="p105175"></a>                  производственных     установок     для    ионной
<a id="p105176"></a>                  металлизации, указанных в пункте I.9.4.7.
<a id="p105177"></a>                      Примечание. Экспортный      контроль      не
<a id="p105178"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p105179"></a>                  производства    стандартных     производственных
<a id="p105180"></a>                  установок   для   покрытий,   образуемых  ионной
<a id="p105181"></a>                  металлизацией     на     режущем     инструменте
<a id="p105182"></a>                  металлообрабатывающих станков

<a id="p105183"></a>II.10.6.14.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p105184"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105185"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p105186"></a>                  производственных    установок     для     ионной
<a id="p105187"></a>                  металлизации, указанных в пункте I.9.4.7.

<a id="p105188"></a>II.10.6.15.       Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105189"></a>                  программно-управляемыми            запоминающими
<a id="p105190"></a>                  устройствами   производственных   установок  для
<a id="p105191"></a>                  сухого травления анизотропной плазмой, указанных
<a id="p105192"></a>                  в пунктах I.9.4.8. - I.9.4.8.2.

<a id="p105193"></a>II.10.6.16.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p105194"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105195"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p105196"></a>                  производственных установок для сухого  травления
<a id="p105197"></a>                  анизотропной   плазмой,   указанных   в  пунктах
<a id="p105198"></a>                  I.9.4.8. - I.9.4.8.2.

<a id="p105199"></a>II.10.6.17.       Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p105200"></a>                  программно-управляемыми            запоминающими
<a id="p105201"></a>                  устройствами  производственных   установок   для
<a id="p105202"></a>                  химического   парофазового   осаждения  покрытий
<a id="p105203"></a>                  плазменной  стимуляцией,  указанных  в   пунктах
<a id="p105204"></a>                  I.9.4.9. - I.9.4.9.2.

<a id="p105205"></a>II.10.6.18.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p105206"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105207"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p105208"></a>                  производственных   установок   для   химического
<a id="p105209"></a>                  парофазового  осаждения  покрытий,  указанных  в
<a id="p105210"></a>                  пунктах I.9.4.9. - I.9.4.9.2.

<a id="p105211"></a>II.10.7.          Процессы нанесения   покрытий   и    модификации
<a id="p105212"></a>                  поверхности

<a id="p105213"></a>II.10.7.1.        Технологии нанесения   (твердых)   покрытий   из
<a id="p105214"></a>                  парообразных химических соединений
<a id="p105215"></a>                      Примечания: 1. Нанесение (твердого) покрытия
<a id="p105216"></a>                  из  парообразных  химических  соединений  -  это
<a id="p105217"></a>                  процесс  нанесения  чисто  внешнего покрытия или
<a id="p105218"></a>                  покрытия с модификацией покрываемой поверхности,
<a id="p105219"></a>                  когда металл,  сплав,  композит,  диэлектрик или
<a id="p105220"></a>                  керамика   наносится   на   нагретое    изделие.
<a id="p105221"></a>                  Газообразные    продукты    (пары,    реактанты)
<a id="p105222"></a>                  разлагаются  или  соединяются   на   поверхности
<a id="p105223"></a>                  изделия,  в  результате  чего  на ней образуются
<a id="p105224"></a>                  желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия
<a id="p105225"></a>                  для  такого  разложения  или  химической реакции
<a id="p105226"></a>                  может   быть   обеспечена   нагревом    изделия,
<a id="p105227"></a>                  свечением плазменного разряда или лучом лазера.
                  2. <a id="p105228"></a>Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения
<a id="p105229"></a>                  химических соединений из паровой  фазы  включает
<a id="p105230"></a>                  следующие   процессы:   беспорошковое  нанесение
<a id="p105231"></a>                  покрытия прямым  газовым  потоком;  пульсирующее
<a id="p105232"></a>                  химическое    осаждение    паров;    управляемое
<a id="p105233"></a>                  термическое   нанесение   покрытий   с   ядерным
<a id="p105234"></a>                  дроблением, а также с применением мощного потока
<a id="p105235"></a>                  плазмы  или  реализация  химического   осаждения
<a id="p105236"></a>                  паров с ее участием.
                  3. <a id="p105237"></a>Порошковое   нанесение   означает  погружение
<a id="p105238"></a>                  изделия в порошок из нескольких составляющих.
                  4. <a id="p105239"></a>Газообразные  продукты   (пары,   реактанты),
<a id="p105240"></a>                  используемые     в    беспорошковом    процессе,
<a id="p105241"></a>                  применяются с несколькими базовыми  реакциями  и
<a id="p105242"></a>                  параметрами,  такими  как порошковая цементация,
<a id="p105243"></a>                  кроме того случая,  когда на  изделие  наносится
<a id="p105244"></a>                  покрытие без контакта со смесью порошка.

<a id="p105245"></a>II.10.7.1.1.      Технология нанесения  алюминидов  на  внутренние
<a id="p105246"></a>                  поверхности изделий из суперсплавов

<a id="p105247"></a>II.10.7.1.2.      Технологии нанесения силицидов на:

<a id="p105248"></a>II.10.7.1.2.1.         керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105249"></a>                       расширения;

<a id="p105250"></a>II.10.7.1.2.2.         углерод-углеродные композиционные материалы
<a id="p105251"></a>                      Примечание. Стекла   с  малым  коэффициентом
<a id="p105252"></a>                  расширения,  указанные в пунктах II.10.7.1.2.1.,
<a id="p105253"></a>                  II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1.,
<a id="p105254"></a>                  II.10.7.2.2.1.1.,              II.10.7.2.3.1.1.,
<a id="p105255"></a>                  II.10.7.2.3.3.,  II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1.,
<a id="p105256"></a>                  II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие
<a id="p105257"></a>                  коэффициент    температурного    расширения    в
<a id="p105258"></a>                  1x10E-7К-1 или менее,  измеренный при 293 К  (20
<a id="p105259"></a>                  С)

<a id="p105260"></a>II.10.7.1.3.      Технология нанесения  карбидов  на  керамики   и
<a id="p105261"></a>                  стекла с малым коэффициентом расширения

<a id="p105262"></a>II.10.7.1.4.      Технология нанесения   диэлектрических   слоевых
<a id="p105263"></a>                  покрытий на:

<a id="p105264"></a>II.10.7.1.4.1.         керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105265"></a>                       расширения;

<a id="p105266"></a>II.10.7.1.4.2.         керамики и     металлические      матричные
<a id="p105267"></a>                       композиты;

<a id="p105268"></a>II.10.7.1.4.3.         карбид, цементируемый вольфрамом;
<a id="p105269"></a>                      Примечание. Карбид,            цементируемый
<a id="p105270"></a>                  вольфрамом,  указанный в пунктах II.10.7.1.4.3.,
<a id="p105271"></a>                  II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1, II.10.7.2.1.7.3.,
<a id="p105272"></a>                  II.10.7.2.1.9.1.,             II.10.7.2.1.10.4.,
<a id="p105273"></a>                  II.10.7.2.2.1.4.,              II.10.7.2.3.1.4.,
<a id="p105274"></a>                  II.10.7.6.8.4.,                 II.10.7.6.16.1.,
<a id="p105275"></a>                  II.10.7.6.17.1.,  II.10.7.7.3.2.,  II.10.7.7.4.,
<a id="p105276"></a>                  не включает материалы, применяемые для резания и
<a id="p105277"></a>                  формования   металла,   состоящие   из   карбида
<a id="p105278"></a>                  вольфрама/(кобальт,никель),              карбида
<a id="p105279"></a>                  титана/(кобальт,         никель),          хрома
<a id="p105280"></a>                  карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля

<a id="p105281"></a>II.10.7.1.4.4.         молибден и его сплавы;

<a id="p105282"></a>II.10.7.1.4.5.         бериллий и его сплавы;

<a id="p105283"></a>II.10.7.1.4.6.         материалы окон датчиков
<a id="p105284"></a>                      Примечания: 1.  Материалы   окон   датчиков,
<a id="p105285"></a>                  указанные      в     пунктах     II.10.7.1.4.6.,
<a id="p105286"></a>                  II.10.7.2.1.10.8.,             II.10.7.2.2.1.8.,
<a id="p105287"></a>                  II.10.7.2.3.1.8.,   II.10.7.2.3.2.,   следующие:
<a id="p105288"></a>                  алюмин  (окись  алюминия),  кремний,   германий,
<a id="p105289"></a>                  сульфид цинка,  селенид цинка, арсенид галлия, а
<a id="p105290"></a>                  также следующие  галогениды  металлов:  иодистый
<a id="p105291"></a>                  калий,   фтористый   калий  или  материалы  окон
<a id="p105292"></a>                  датчиков диаметром более  40  мм  из  бромистого
<a id="p105293"></a>                  таллия и хлоробромистого таллия.
                  2. <a id="p105294"></a>Диэлектрические слоевые покрытия,  упомянутые
<a id="p105295"></a>                  в   пунктах    II.10.7.1.4.,    II.10.7.2.1.10.,
<a id="p105296"></a>                  II.10.7.2.2.1.,   II.10.7.2.3.1.,  II.10.7.6.8.,
<a id="p105297"></a>                  определяются   как   многослойные    изолирующие
<a id="p105298"></a>                  материалы,  в которых интерференционные свойства
<a id="p105299"></a>                  конструкции сочетаются  с  различными  индексами
<a id="p105300"></a>                  переотражения,  что  используется для отражения,
<a id="p105301"></a>                  передачи  или  поглощения  различных  диапазонов
<a id="p105302"></a>                  длин волн.  Диэлектрические слои определяются по
<a id="p105303"></a>                  количеству более четырех  или  по  качеству  как
<a id="p105304"></a>                  композит: диэлектрик/металл.

<a id="p105305"></a>II.10.7.1.5.      Технологии нанесения карбидов и их смесей на:

<a id="p105306"></a>II.10.7.1.5.1.         керамики и     металлические      матричные
<a id="p105307"></a>                       композиты;

<a id="p105308"></a>II.10.7.1.5.2.         карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105309"></a>II.10.7.1.5.3.         карбиды кремния
<a id="p105310"></a>                      Примечание. Смеси,  упомянутые   в   пунктах
<a id="p105311"></a>                  II.10.7.1.5.,   II.10.7.1.7.,  II.10.7.2.1.1.  -
<a id="p105312"></a>                  II.10.7.2.1.9.,   II.10.7.3.1.,    II.10.7.3.2.,
<a id="p105313"></a>                  II.10.7.4.1.,     II.10.7.4.2.,    II.10.7.4.7.,
<a id="p105314"></a>                  II.10.7.5.3.,  II.10.7.5.4.,  II.10.  7.6.1.   -
<a id="p105315"></a>                  II.10.7.6.7.,   II.10.7.6.15.  -  II.10.7.6.17.,
<a id="p105316"></a>                  включают инфильтрирующий  материал,  композиции,
<a id="p105317"></a>                  выравнивающие  температуру процесса,  присадки и
<a id="p105318"></a>                  многоуровневые материалы и реализуются одним или
<a id="p105319"></a>                  несколькими процессами нанесения покрытий

<a id="p105320"></a>II.10.7.1.6.      Технология нанесения тугоплавких металлов  и  их
<a id="p105321"></a>                  сплавов  на  керамики  и металлические матричные
<a id="p105322"></a>                  композиты
<a id="p105323"></a>                      Примечание. Тугоплавкие металлы, указанные в
<a id="p105324"></a>                  пунктах       II.10.7.1.6.,      II.10.7.2.1.8.,
<a id="p105325"></a>                  II.10.7.3.3.2.,  II.10.7.3.6.,   II.10.7.4.8.1.,
<a id="p105326"></a>                  II.10.7.4.9.1.,  II.10.7.4.10.1.,  II.10.7.5.1.,
<a id="p105327"></a>                  II.10.7.5.2.,  II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2.,
<a id="p105328"></a>                  II.10.7.6.13.2.,  II.10.7.6.14.2. II.10.7.6.15.,
<a id="p105329"></a>                  состоят из  следующих  металлов  и  их  сплавов:
<a id="p105330"></a>                  ниобия (колумбия - в США),  молибдена, вольфрама
<a id="p105331"></a>                  и тантала

<a id="p105332"></a>II.10.7.1.7.      Технологии нанесения вольфрама и его смеси на

<a id="p105333"></a>II.10.7.1.7.1.         карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105334"></a>II.10.7.1.7.2.         карбиды кремния

<a id="p105335"></a>II.10.7.2.        Технологии нанесения      покрытий      методами
<a id="p105336"></a>                  физического осаждения паров термовыпариванием
<a id="p105337"></a>                      Примечания: 1.  Физическое  осаждение  паров
<a id="p105338"></a>                  испарением  (термовыпариванием)  -  это  процесс
<a id="p105339"></a>                  чисто внешнего покрытия в вакууме  с  давлением,
<a id="p105340"></a>                  меньшим 0,1 Па,  когда источник тепловой энергии
<a id="p105341"></a>                  используется для превращения  в  пар  наносимого
<a id="p105342"></a>                  материала.  В  результате процесса конденсат или
<a id="p105343"></a>                  покрытие  осаждается  на  соответствующие  части
<a id="p105344"></a>                  поверхности  изделия.  Появляющиеся  в вакуумной
<a id="p105345"></a>                  камере газы в процессе осаждения  поглощаются  в
<a id="p105346"></a>                  большинстве   модификаций   процесса  элементами
<a id="p105347"></a>                  сложного   состава    (компаундами)    покрытия.
<a id="p105348"></a>                  Использование ионного или электронного излучения
<a id="p105349"></a>                  или  плазмы  для  активизации  или   участия   в
<a id="p105350"></a>                  нанесении покрытия также свойственно большинству
<a id="p105351"></a>                  модификаций процесса физического осаждения паров
<a id="p105352"></a>                  термовыпариванием.   Применение   мониторов  для
<a id="p105353"></a>                  обеспечения измерения в ходе процесса оптических
<a id="p105354"></a>                  характеристик  или  толщины  покрытия может быть
<a id="p105355"></a>                  реализовано в будущем для процессов этого типа.
                  2. <a id="p105356"></a>Ионное плакирование - специальная модификация
<a id="p105357"></a>                  генерального   процесса   физического  осаждения
<a id="p105358"></a>                  паров термовыпариванием,  в  котором  плазменный
<a id="p105359"></a>                  или  ионный  источник используется для ионизации
<a id="p105360"></a>                  материала наносимых  покрытий,  а  отрицательный
<a id="p105361"></a>                  заряд     изделия     способствует     осаждению
<a id="p105362"></a>                  составляющих  покрытия   из   плазмы.   Введение
<a id="p105363"></a>                  активных реагентов, испарение твердых материалов
<a id="p105364"></a>                  в  камере,  а  также  использование   мониторов,
<a id="p105365"></a>                  обеспечивающих  измерения  (в процессе нанесения
<a id="p105366"></a>                  покрытий)  оптических  характеристик  и  толщины
<a id="p105367"></a>                  покрытий,   свойственны   обычным   модификациям
<a id="p105368"></a>                  процесса     физического     осаждения     паров
<a id="p105369"></a>                  термовыпариванием.

<a id="p105370"></a>II.10.7.2.1.      Технологии нанесения      покрытий       методом
<a id="p105371"></a>                  электронно-лучевого физического осаждения паров
<a id="p105372"></a>                      Примечание. Электронно-лучевое    физическое
<a id="p105373"></a>                  осаждение   использует   электронный   луч   для
<a id="p105374"></a>                  нагревания и испарения материала,  наносимого на
<a id="p105375"></a>                  изделие

<a id="p105376"></a>II.10.7.2.1.1.    Технологии нанесения   сплавов  силицидов  и  их
<a id="p105377"></a>                  смесей на суперсплавы

<a id="p105378"></a>II.10.7.2.1.2.    Технологии нанесения силицидов и их смеси на:

<a id="p105379"></a>II.10.7.2.1.2.1.       суперсплавы;

<a id="p105380"></a>II.10.7.2.1.2.2.       керамики и      металлические     матричные
<a id="p105381"></a>                       композиты;

<a id="p105382"></a>II.10.7.2.1.2.3.       углерод-углеродные композиционные материалы

<a id="p105383"></a>II.10.7.2.1.3.    Технология нанесения  сплавов  алюминидов  и  их
<a id="p105384"></a>                  смесей на суперсплавы
<a id="p105385"></a>                      Примечание. Термин   "покрытие  сплавами  на
<a id="p105386"></a>                  основе   алюминидов",   упомянутый   в   пунктах
<a id="p105387"></a>                  II.10.7.2.1.3.,   II.10.7.2.4.2.,  II.10.7.4.6.,
<a id="p105388"></a>                  включает единичное  или  многослойное  нанесение
<a id="p105389"></a>                  покрытий,  в  котором  на  элемент  или элементы
<a id="p105390"></a>                  осаждается  покрытие  прежде   или   в   течение
<a id="p105391"></a>                  процесса алитирования, даже если на эти элементы
<a id="p105392"></a>                  были осаждены покрытия  другим  процессом.  Это,
<a id="p105393"></a>                  однако,   исключает  многократное  использование
<a id="p105394"></a>                  одношагового процесса  порошкового  алитирования
<a id="p105395"></a>                  для получения сплавов алюминидов

<a id="p105396"></a>II.10.7.2.1.4.    Технологии нанесения MCrAlX и их смесей на

<a id="p105397"></a>II.10.7.2.1.4.1.       суперсплавы;

<a id="p105398"></a>II.10.7.2.1.4.2.       коррозионно-стойкие стали
<a id="p105399"></a>                      Примечание. MCrAlX,  указанный   в   пунктах
<a id="p105400"></a>                  II.10.7.2.1.4.,   II.10.7.2.4.3.,  II.10.7.4.1.,
<a id="p105401"></a>                  II.10.7.6.4.,  соответствует  сложному   составу
<a id="p105402"></a>                  покрытия,  где М эквивалентно кобальту,  железу,
<a id="p105403"></a>                  никелю или их комбинации,  а  X  -  эквивалентно
<a id="p105404"></a>                  гафнию,   иттрию,   кремнию,   танталу  в  любом
<a id="p105405"></a>                  количестве  или  другим   специально   внесенным
<a id="p105406"></a>                  добавкам   свыше   0,01%  по  весу  в  различных
<a id="p105407"></a>                  пропорциях и комбинациях, кроме:
<a id="p105408"></a>                  CoCrAlY -  покрытий,  содержащих  меньше 22%  по
<a id="p105409"></a>                  весу хрома,  меньше 7% по весу алюминия и меньше
<a id="p105410"></a>                  2% по весу иттрия;
<a id="p105411"></a>                  CoCrAlY -  покрытий,  содержащих 21-23%  по весу
<a id="p105412"></a>                  хрома, 0,5-0,7% по весу иттрия;
<a id="p105413"></a>                  NiCrAlY - покрытий,  содержащих 22-24%  по  весу
<a id="p105414"></a>                  хрома,  10-12%  по  весу алюминия и 0,9-1,1%  по
<a id="p105415"></a>                  весу иттрия;

<a id="p105416"></a>II.10.7.2.1.5.    Технологии нанесения   модифицированного  оксида
<a id="p105417"></a>                  циркония и смесей на его основе на:

<a id="p105418"></a>II.10.7.2.1.5.1.       суперсплавы;

<a id="p105419"></a>II.10.7.2.1.5.2.       коррозионно-стойкие стали

<a id="p105420"></a>II.10.7.2.1.6.    Технология нанесения алюминидов и их  смесей  на
<a id="p105421"></a>                  суперсплавы

<a id="p105422"></a>II.10.7.2.1.7.    Технологии нанесения карбидов и их смесей на:

<a id="p105423"></a>II.10.7.2.1.7.1.       углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105424"></a>                       материалы;

<a id="p105425"></a>II.10.7.2.1.7.2.       керамики и     металлические      матричные
<a id="p105426"></a>                       композиты;

<a id="p105427"></a>II.10.7.2.1.7.3.       карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105428"></a>II.10.7.2.1.7.4.       карбид кремния

<a id="p105429"></a>II.10.7.2.1.8.    Технологии нанесения  тугоплавких  металлов и их
<a id="p105430"></a>                  сплавов на:

<a id="p105431"></a>II.10.7.2.1.8.1.       керамики и     металлические      матричные
<a id="p105432"></a>                       композиты;

<a id="p105433"></a>II.10.7.2.1.8.2.       углерод-углеродные композиционные материалы

<a id="p105434"></a>II.10.7.2.1.9.    Технологии нанесения вольфрама и его смеси на:

<a id="p105435"></a>II.10.7.2.1.9.1.       карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105436"></a>II.10.7.2.1.9.2.       карбид кремния

<a id="p105437"></a>II.10.7.2.1.10.   Технологии нанесения   диэлектрических   слоевых
<a id="p105438"></a>                  покрытий на:

<a id="p105439"></a>II.10.7.2.1.10.1.      керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105440"></a>                       расширения;

<a id="p105441"></a>II.10.7.2.1.10.2.      углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105442"></a>                       материалы;

<a id="p105443"></a>II.10.7.2.1.10.3.      керамики и     металлические      матричные
<a id="p105444"></a>                       композиты;

<a id="p105445"></a>II.10.7.2.1.10.4.      карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105446"></a>II.10.7.2.1.10.5.      карбид кремния;

<a id="p105447"></a>II.10.7.2.1.10.6.      молибден и его сплавы;

<a id="p105448"></a>II.10.7.2.1.10.7.      бериллий и его сплавы;

<a id="p105449"></a>II.10.7.2.1.10.8.      материалы окон датчиков

<a id="p105450"></a>II.10.7.2.1.11.   Технология нанесения боридов на титановые сплавы
<a id="p105451"></a>                      Примечание. Титановые  сплавы,  указанные  в
<a id="p105452"></a>                  пунктах    II.10.7.2.1.11.,     II.10.7.2.1.12.,
<a id="p105453"></a>                  II.10.7.3.3.1.,    II.10.7.3.4.,   II.10.7.3.5.,
<a id="p105454"></a>                  II.10.7.4.3.2.,  II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2.,
<a id="p105455"></a>                  II.10.7.4.6.2.,  II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2.,
<a id="p105456"></a>                  II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1.,
<a id="p105457"></a>                  определяются   как   аэрокосмические   сплавы  с
<a id="p105458"></a>                  предельным значением прочности на разрыв  в  900
<a id="p105459"></a>                  МПа или более, измеренным при 293 К (20 С)

<a id="p105460"></a>II.10.7.2.1.12.   Технология нанесения   нитридов   на   титановые
<a id="p105461"></a>                  сплавы

<a id="p105462"></a>II.10.7.2.2.      Нанесение покрытий методом физического осаждения
<a id="p105463"></a>                  паров   с  ионизацией  посредством  резистивного
<a id="p105464"></a>                  нагрева (ионное покрытие)
<a id="p105465"></a>                      Примечание. Физическое      осаждение      с
<a id="p105466"></a>                  терморезистором     использует     электрическое
<a id="p105467"></a>                  сопротивление  в   качестве   источника   тепла,
<a id="p105468"></a>                  способного     обеспечить    контролируемый    и
<a id="p105469"></a>                  равномерный (однородный) поток  паров  материала
<a id="p105470"></a>                  покрытия

<a id="p105471"></a>II.10.7.2.2.1.    Технологии нанесения   диэлектрических   слоевых
<a id="p105472"></a>                  покрытий на:

<a id="p105473"></a>II.10.7.2.2.1.1.       керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105474"></a>                       расширения;

<a id="p105475"></a>II.10.7.2.2.1.2.       углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105476"></a>                       материалы;

<a id="p105477"></a>II.10.7.2.2.1.3.       керамики и      металлические     матричные
<a id="p105478"></a>                       композиты;

<a id="p105479"></a>II.10.7.2.2.1.4.       карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105480"></a>II.10.7.2.2.1.5.       карбиды кремния;

<a id="p105481"></a>II.10.7.2.2.1.6.       молибден и его сплавы;

<a id="p105482"></a>II.10.7.2.2.1.7.       бериллий и его сплавы;

<a id="p105483"></a>II.10.7.2.2.1.8.       материалы окон датчиков

<a id="p105484"></a>II.10.7.2.3.      Нанесение покрытий методом физического осаждения
<a id="p105485"></a>                  паров с применением лазерного испарения
<a id="p105486"></a>                      Примечание. Лазерное  испарение   использует
<a id="p105487"></a>                  импульсный  или  непрерывный  лазерный  луч  для
<a id="p105488"></a>                  нагрева материала, который формирует покрытие

<a id="p105489"></a>II.10.7.2.3.1.    Технологии нанесения   диэлектрических   слоевых
<a id="p105490"></a>                  покрытий на:

<a id="p105491"></a>II.10.7.2.3.1.1.       керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105492"></a>                       расширения;

<a id="p105493"></a>II.10.7.2.3.1.2.       углерод-углеродные композиционные
<a id="p105494"></a>                       материалы;

<a id="p105495"></a>II.10.7.2.3.1.3.       керамики и металлические матричные
<a id="p105496"></a>                       композиты;

<a id="p105497"></a>II.10.7.2.3.1.4.       карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105498"></a>II.10.7.2.3.1.5.       карбиды кремния;

<a id="p105499"></a>II.10.7.2.3.1.6.       молибден и его сплавы;

<a id="p105500"></a>II.10.7.2.3.1.7.       бериллий и его сплавы;

<a id="p105501"></a>II.10.7.2.3.1.8.       материалы окон датчиков

<a id="p105502"></a>II.10.7.2.3.2.    Технология нанесения алмазоподобного углерода на
<a id="p105503"></a>                  материалы окон датчиков

<a id="p105504"></a>II.10.7.2.3.3.    Технология нанесения  силицидов  на  керамики  и
<a id="p105505"></a>                  стекла с малым коэффициентом расширения

<a id="p105506"></a>II.10.7.2.4.      Технологии нанесения       покрытий      методом
<a id="p105507"></a>                  физического  осаждения   паров   с   применением
<a id="p105508"></a>                  катодно-дугового разряда
<a id="p105509"></a>                      Примечание. Процесс  покрытия  с применением
<a id="p105510"></a>                  катодной дуги использует расходуемый  катод  как
<a id="p105511"></a>                  материал,  который  формирует покрытие,  и имеет
<a id="p105512"></a>                  установившийся разряд дуги на поверхности катода
<a id="p105513"></a>                  после   моментального   контакта  с  заземленным
<a id="p105514"></a>                  пусковым устройством (триггером). Контролируемая
<a id="p105515"></a>                  дуговая  эрозия  поверхности  катода  приводит к
<a id="p105516"></a>                  образованию  высокоионизированной  плазмы.  Анод
<a id="p105517"></a>                  может  быть  или  коническим  и расположенным по
<a id="p105518"></a>                  периферии катода через изолятор, или сама камера
<a id="p105519"></a>                  может   играть   роль   анода.  Для  нелинейного
<a id="p105520"></a>                  управления  нанесением   изоляции   используются
<a id="p105521"></a>                  изделия   с  регулированием  их  положения.  Это
<a id="p105522"></a>                  определение  не  включает   нанесение   покрытий
<a id="p105523"></a>                  беспорядочной  (произвольной)  катодной  дугой с
<a id="p105524"></a>                  фиксированным положением изделия

<a id="p105525"></a>II.10.7.2.4.1.    Технология нанесения   сплавов   силицидов    на
<a id="p105526"></a>                  суперсплавы

<a id="p105527"></a>II.10.7.2.4.2.    Технология нанесения   сплавов   алюминидов   на
<a id="p105528"></a>                  суперсплавы

<a id="p105529"></a>II.10.7.2.4.3.    Технология нанесения MCrAlX на суперсплавы

<a id="p105530"></a>II.10.7.2.4.4.    Технологии нанесения боридов на:

<a id="p105531"></a>II.10.7.2.4.4.1.       полимеры;
<a id="p105532"></a>                      Примечание. Упомянутые       в       пунктах
<a id="p105533"></a>                  II.10.7.2.4.4.1.,              II.10.7.2.4.5.1.,
<a id="p105534"></a>                  II.10.7.2.4.6.1.  полимеры  включают:  полиамид,
<a id="p105535"></a>                  полиэфир,    полисульфид,    поликарбонаты     и
<a id="p105536"></a>                  полиуретаны

<a id="p105537"></a>II.10.7.2.4.4.2.       органические матричные композиты

<a id="p105538"></a>II.10.7.2.4.5.      Технологии нанесения карбидов на:

<a id="p105539"></a>II.10.7.2.4.5.1.       полимеры;

<a id="p105540"></a>II.10.7.2.4.5.2.       органические матричные композиты

<a id="p105541"></a>II.10.7.2.4.6.      Технологии нанесения нитридов на:

<a id="p105542"></a>II.10.7.2.4.6.1.       полимеры;

<a id="p105543"></a>II.10.7.2.4.6.2.       органические матричные композиты

<a id="p105544"></a>II.10.7.3.        Технологии нанесения покрытий методом цементации
<a id="p105545"></a>                      Примечания: 1.  Технология  для  одношаговой
<a id="p105546"></a>                  порошковой  цементации  твердых профилей крыльев
<a id="p105547"></a>                  экспортному контролю не подлежит.
                  2. <a id="p105548"></a>Порошковая цементация  -  модификация  метода
<a id="p105549"></a>                  нанесения  покрытия  на  поверхность или процесс
<a id="p105550"></a>                  нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие
<a id="p105551"></a>                  погружено в пудру - смесь нескольких компонентов
<a id="p105552"></a>                  (в пакет), которая состоит из:
<a id="p105553"></a>                  металлических порошков,  которые входят в состав
<a id="p105554"></a>                  покрытия (обычно алюминий,  хром, кремний или их
<a id="p105555"></a>                  комбинации);
<a id="p105556"></a>                  активатора (в большинстве  случаев  галогенидная
<a id="p105557"></a>                  соль);
<a id="p105558"></a>                  инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия.
<a id="p105559"></a>                  Изделие и   порошок  содержатся  внутри  реторты
<a id="p105560"></a>                  (камеры),  которая нагревается от 1030 К (757 С)
<a id="p105561"></a>                  до  1375  К  (1102 С) на время,  достаточное для
<a id="p105562"></a>                  нанесения покрытия

<a id="p105563"></a>II.10.7.3.1.      Технологии нанесения силицидов и их смесей на:

<a id="p105564"></a>II.10.7.3.1.1.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105565"></a>                       материалы;

<a id="p105566"></a>II.10.7.3.1.2.         керамики и     металлические      матричные
<a id="p105567"></a>                       композиты;

<a id="p105568"></a>II.10.7.3.2.      Технологии нанесения карбидов и их смесей на:

<a id="p105569"></a>II.10.7.3.2.1.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105570"></a>                       материалы;

<a id="p105571"></a>II.10.7.3.2.2.         керамики и     металлические      матричные
<a id="p105572"></a>                       композиты;

<a id="p105573"></a>II.10.7.3.3.      Технологии нанесения силицидов на:

<a id="p105574"></a>II.10.7.3.3.1.         титановые сплавы;

<a id="p105575"></a>II.10.7.3.3.2.         тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105576"></a>II.10.7.3.4.      Технология нанесения   алюминидов  на  титановые
<a id="p105577"></a>                  сплавы

<a id="p105578"></a>II.10.7.3.5.      Технология нанесения   сплавов   алюминидов   на
<a id="p105579"></a>                  титановые сплавы

<a id="p105580"></a>II.10.7.3.6.      Технология нанесения   оксидов   на  тугоплавкие
<a id="p105581"></a>                  металлы и их сплавы

<a id="p105582"></a>II.10.7.4.        Технологии нанесения      покрытий       методом
<a id="p105583"></a>                  плазменного напыления
<a id="p105584"></a>                      Примечания: 1.   Плазменное   напыление    -
<a id="p105585"></a>                  процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
<a id="p105586"></a>                  плазменная пушка (горелка напыления),  в которой
<a id="p105587"></a>                  образуется и управляется плазма,  принимая пудру
<a id="p105588"></a>                  и  пруток  (проволоку)  из  материала  покрытия,
<a id="p105589"></a>                  расплавляет  их  и  направляет  на изделие,  где
<a id="p105590"></a>                  формируется  интегрально   связанное   покрытие.
<a id="p105591"></a>                  Плазменное  напыление  может  быть  построено на
<a id="p105592"></a>                  напылении   плазмой   низкого    давления    или
<a id="p105593"></a>                  высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой.
                  2. <a id="p105594"></a>Низкое   давление   означает   давление  ниже
<a id="p105595"></a>                  атмосферного.
                  3. <a id="p105596"></a>Высокоскоростная     плазма      определяется
<a id="p105597"></a>                  скоростью   газа   на   срезе   сопла   (горелки
<a id="p105598"></a>                  напыления),  превышающей 750  м/с,  рассчитанной
<a id="p105599"></a>                  при температуре  293  К  (20 град. C) и давлении
<a id="p105600"></a>                  0,1 МПа.

<a id="p105601"></a>II.10.7.4.1.      Технология нанесения MGrAlX и их смесей на:

<a id="p105602"></a>II.10.7.4.1.1.         суперсплавы;

<a id="p105603"></a>II.10.7.4.1.2.         алюминиевые сплавы;
<a id="p105604"></a>                      Примечание. Термин   "алюминиевые   сплавы",
<a id="p105605"></a>                  упомянутый     в     пунктах     II.10.7.4.1.2.,
<a id="p105606"></a>                  II.10.7.4.2.2.,    II.10.7.4.7.,   соответствует
<a id="p105607"></a>                  сплавам  с  предельным  значением  прочности  на
<a id="p105608"></a>                  разрыв  в  190  МПа  или  более,  измеренным при
<a id="p105609"></a>                  температуре 293 К (20 С)

<a id="p105610"></a>II.10.7.4.1.3.         коррозионностойкие стали

<a id="p105611"></a>II.10.7.4.2.      Технология нанесения   модифицированного  оксида
<a id="p105612"></a>                  циркония и его смесей на:

<a id="p105613"></a>II.10.7.4.2.1.         суперсплавы;

<a id="p105614"></a>II.10.7.4.2.2.         алюминиевые сплавы;

<a id="p105615"></a>II.10.7.4.2.3.         коррозионностойкие стали
<a id="p105616"></a>                      Примечание. Указанный       в        пунктах
<a id="p105617"></a>                  II.10.7.4.2.,    II.10.7.6.5.   модифицированный
<a id="p105618"></a>                  оксид циркония  соответствует  добавкам  оксидов
<a id="p105619"></a>                  других  металлов  (таких,  как кальций,  магний,
<a id="p105620"></a>                  иттрий, гафний, редкоземельных оксидов и т.д.) в
<a id="p105621"></a>                  оксид   циркония   в  соответствии  с  условиями
<a id="p105622"></a>                  стабильности  определенных  кристаллографических
<a id="p105623"></a>                  фаз  и  фазы смещения.  Термостойкие покрытия из
<a id="p105624"></a>                  оксида циркония,  модифицированные кальцием  или
<a id="p105625"></a>                  оксидом  магния  методом  смешения или расплава,
<a id="p105626"></a>                  экспортному контролю не подвергаются

<a id="p105627"></a>II.10.7.4.3.      Технология нанесения           эрозионностойкого
<a id="p105628"></a>                  никель-графита на:

<a id="p105629"></a>II.10.7.4.3.1.         суперсплавы;

<a id="p105630"></a>II.10.7.4.3.2.         титановые сплавы

<a id="p105631"></a>II.10.7.4.4.      Технология нанесения           эрозионностойкого
<a id="p105632"></a>                  никель-хром-алюминий-бетонита на:

<a id="p105633"></a>II.10.7.4.4.1.         суперсплавы;

<a id="p105634"></a>II.10.7.4.4.2.         титановые сплавы

<a id="p105635"></a>II.10.7.4.5.      Технология нанесения           эрозионностойкого
<a id="p105636"></a>                  алюминий-кремний-полиэфира на:

<a id="p105637"></a>II.10.7.4.5.1.         суперсплавы;

<a id="p105638"></a>II.10.7.4.5.2.         титановые сплавы

<a id="p105639"></a>II.10.7.4.6.      Технология нанесения сплавов алюминидов на:

<a id="p105640"></a>II.10.7.4.6.1.         суперсплавы;

<a id="p105641"></a>II.10.7.4.6.2.         титановые сплавы

<a id="p105642"></a>II.10.7.4.7.      Технология нанесения  силицидов  и  их смесей на
<a id="p105643"></a>                  алюминиевые сплавы

<a id="p105644"></a>II.10.7.4.8.      Технология нанесения алюминидов на:

<a id="p105645"></a>II.10.7.4.8.1.         тугоплавкие металлы и их сплавы;

<a id="p105646"></a>II.10.7.4.8.2.         титановые сплавы

<a id="p105647"></a>II.10.7.4.9.      Технология нанесения силицидов на:

<a id="p105648"></a>II.10.7.4.9.1.         тугоплавкие металлы и их сплавы;

<a id="p105649"></a>II.10.7.4.9.2.         титановые сплавы

<a id="p105650"></a>II.10.7.4.10.     Технология нанесения карбидов на:

<a id="p105651"></a>II.10.7.4.10.1.        тугоплавкие металлы и их сплавы;

<a id="p105652"></a>II.10.7.4.10.2.        титановые сплавы

<a id="p105653"></a>II.10.7.5.        Технологии нанесения покрытий методом  осаждения
<a id="p105654"></a>                  суспензии
<a id="p105655"></a>                      Примечание. осаждение   суспензии   -    это
<a id="p105656"></a>                  процесс   нанесения   покрытия   с  модификацией
<a id="p105657"></a>                  покрываемой  поверхности  или   чисто   внешнего
<a id="p105658"></a>                  покрытия,  когда  металлическая или керамическая
<a id="p105659"></a>                  пудра      с       органическим       связующим,
<a id="p105660"></a>                  суспензированными   в  жидкости,  связываются  с
<a id="p105661"></a>                  изделием напылением, погружением или окраской, с
<a id="p105662"></a>                  последующим  воздушным  или печным осушением,  и
<a id="p105663"></a>                  тепловой обработкой для  достижения  необходимых
<a id="p105664"></a>                  свойств покрытия

<a id="p105665"></a>II.10.7.5.1.      Технология нанесения  легкоплавких  силицидов на
<a id="p105666"></a>                  тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105667"></a>II.10.7.5.2.      Технология нанесения   легкоплавких   алюминидов
<a id="p105668"></a>                  (кроме материалов для теплостойких элементов) на
<a id="p105669"></a>                  тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105670"></a>II.10.7.5.3.      Технология нанесения силицидов и их смесей на:

<a id="p105671"></a>II.10.7.5.3.1.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105672"></a>                       материалы;

<a id="p105673"></a>II.10.7.5.3.2.         керамические и   металлические    матричные
<a id="p105674"></a>                       композиты;

<a id="p105675"></a>II.10.7.5.4.      Технология нанесения карбидов и их смесей на:

<a id="p105676"></a>II.10.7.5.4.1.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105677"></a>                       материалы;

<a id="p105678"></a>II.10.7.5.4.2.         керамические и   металлические    матричные
<a id="p105679"></a>                       композиты

<a id="p105680"></a>II.10.7.6.        Технология нанесения      покрытий       методом
<a id="p105681"></a>                  металлизации распылением
<a id="p105682"></a>                      Примечания: 1.  Металлизация  распылением  -
<a id="p105683"></a>                  это  процесс  нанесения чисто внешнего покрытия,
<a id="p105684"></a>                  базирующийся  на  феномене  передачи  количества
<a id="p105685"></a>                  движения,  когда положительные ионы ускоряются в
<a id="p105686"></a>                  электрическом поле по направлению к  поверхности
<a id="p105687"></a>                  мишени    (материала   покрытия).   Кинетическая
<a id="p105688"></a>                  энергия ударов ионов достаточна для  образования
<a id="p105689"></a>                  на  поверхности мишени атомов материала покрытия
<a id="p105690"></a>                  с подходящим размещением их на изделии.
                  2. <a id="p105691"></a>Учитываются только триодная, магнетронная или
<a id="p105692"></a>                  реактивная   металлизация  распылением,  которые
<a id="p105693"></a>                  применяются  для  увеличения  адгезии  материала
<a id="p105694"></a>                  покрытия  и  скорости  его  нанесения,  а  также
<a id="p105695"></a>                  радиочастотное усиление напыления,  используемое
<a id="p105696"></a>                  при   нанесении  парообразующих  неметаллических
<a id="p105697"></a>                  материалов покрытий.
                  3. <a id="p105698"></a>Низкоэнергетические  ионные  лучи  (меньше  5
<a id="p105699"></a>                  кэВ)   могут  быть  использованы  для  ускорения
<a id="p105700"></a>                  (активизации) процесса нанесения покрытия

<a id="p105701"></a>II.10.7.6.1.      Технология нанесения   сплавов  силицидов  и  их
<a id="p105702"></a>                  смесей на суперсплавы

<a id="p105703"></a>II.10.7.6.2.      Технология нанесения  сплавов  алюминидов  и  их
<a id="p105704"></a>                  смесей на:

<a id="p105705"></a>II.10.7.6.2.1.         суперсплавы;

<a id="p105706"></a>II.10.7.6.2.2.         титановые сплавы

<a id="p105707"></a>II.10.7.6.3.      Технология нанесения    покрытий    на    основе
<a id="p105708"></a>                  алюминидов,    модифицированных     благородными
<a id="p105709"></a>                  металлами, на суперсплавы
<a id="p105710"></a>                      Примечание. Термин   "покрытие   на   основе
<a id="p105711"></a>                  алюминидов с модификацией благородным  металлом"
<a id="p105712"></a>                  включает  многошаговое  нанесение покрытий,  при
<a id="p105713"></a>                  котором  благородный  металл   или   благородные
<a id="p105714"></a>                  металлы   нанесены   ранее   каким-либо   другим
<a id="p105715"></a>                  процессом   до   применения   метода   нанесения
<a id="p105716"></a>                  алюминида

<a id="p105717"></a>II.10.7.6.4.      Технология нанесения  MCrAlX  и  их  смесей   на
<a id="p105718"></a>                  суперсплавы

<a id="p105719"></a>II.10.7.6.5.      Технология нанесения   модифицированного  оксида
<a id="p105720"></a>                  циркония и его смеси на суперсплавы

<a id="p105721"></a>II.10.7.6.6.      Технология нанесения платины и ее смеси на:

<a id="p105722"></a>II.10.7.6.6.1.             суперсплавы;

<a id="p105723"></a>II.10.7.6.6.2.         керамики и стекла с малым коэффициентом
<a id="p105724"></a>                       расширения

<a id="p105725"></a>II.10.7.6.7.      Технология нанесения силицидов и их смесей на:

<a id="p105726"></a>II.10.7.6.7.1.         керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105727"></a>                       расширения;

<a id="p105728"></a>II.10.7.6.7.2.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105729"></a>                       материалы;

<a id="p105730"></a>II.10.7.6.7.3.         керамики и      металлические     матричные
<a id="p105731"></a>                       композиты

<a id="p105732"></a>II.10.7.6.8.      Технологии нанесения   диэлектрических   слоевых
<a id="p105733"></a>                  покрытий на:

<a id="p105734"></a>II.10.7.6.8.1.         керамики и  стекла  с  малым  коэффициентом
<a id="p105735"></a>                       расширения;

<a id="p105736"></a>II.10.7.6.8.2.         углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105737"></a>                       материалы;

<a id="p105738"></a>II.10.7.6.8.3.         керамики и      металлические     матричные
<a id="p105739"></a>                       композиты;

<a id="p105740"></a>II.10.7.6.8.4.         карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105741"></a>II.10.7.6.8.5.         карбид кремния;

<a id="p105742"></a>II.10.7.6.8.6.         молибден и его сплавы;

<a id="p105743"></a>II.10.7.6.8.7.         бериллий и его сплавы;

<a id="p105744"></a>II.10.7.6.8.8.         материалы окон датчиков

<a id="p105745"></a>II.10.7.6.9.      Технология нанесения боридов на титановые сплавы

<a id="p105746"></a>II.10.7.6.10.     Технология нанесения   нитридов   на   титановые
<a id="p105747"></a>                  сплавы

<a id="p105748"></a>II.10.7.6.11.     Технология нанесения оксидов на:

<a id="p105749"></a>II.10.7.6.11.1.        титановые сплавы;

<a id="p105750"></a>II.10.7.6.11.2.        тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105751"></a>II.10.7.6.12.     Технология нанесения силицидов на:

<a id="p105752"></a>II.10.7.6.12.1.        титановые сплавы;

<a id="p105753"></a>II.10.7.6.12.2.        тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105754"></a>II.10.7.6.13.     Технология нанесения алюминидов на:

<a id="p105755"></a>II.10.7.6.13.1.        титановые сплавы;

<a id="p105756"></a>II.10.7.6.13.2.        тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105757"></a>II.10.7.6.14.     Технология нанесения карбидов на:

<a id="p105758"></a>II.10.7.6.14.1.        титановые сплавы;

<a id="p105759"></a>II.10.7.6.14.2.        тугоплавкие металлы и их сплавы

<a id="p105760"></a>II.10.7.6.15.     Технология нанесения  тугоплавких  металлов и их
<a id="p105761"></a>                  смесей на:

<a id="p105762"></a>II.10.7.6.15.1.        углерод-углеродные           композиционные
<a id="p105763"></a>                       материалы;

<a id="p105764"></a>II.10.7.6.15.2.        керамики и     металлические      матричные
<a id="p105765"></a>                       композиты

<a id="p105766"></a>II.10.7.6.16.     Технология нанесения карбидов и их смесей на:

<a id="p105767"></a>II.10.7.6.16.1.        карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105768"></a>II.10.7.6.16.2.        карбид кремния

<a id="p105769"></a>II.10.7.6.17.     Технология нанесения вольфрама и его смесей на:

<a id="p105770"></a>II.10.7.6.17.1.        карбид, цементируемый вольфрамом;

<a id="p105771"></a>II.10.7.6.17.2.        карбид кремния

<a id="p105772"></a>II.10.7.7.        Технологии нанесения  покрытий  методом   ионной
<a id="p105773"></a>                  имплантации

<a id="p105774"></a>                  Примечание

<a id="p105775"></a>                  Ионная имплантация  -  это   процесс   нанесения
<a id="p105776"></a>                  покрытия  с модификацией поверхности изделия,  в
<a id="p105777"></a>                  котором    материал    (сплав)     ионизируется,
<a id="p105778"></a>                  ускоряется   системой,   обладающей   градиентом
<a id="p105779"></a>                  потенциала,  и  насыщается  (имплантируется)  на
<a id="p105780"></a>                  участок поверхности изделия.
<a id="p105781"></a>                  К этим процессам с ионным насыщением относятся и
<a id="p105782"></a>                  процессы,    в    которых    ионное    насыщение
<a id="p105783"></a>                  самопроизвольно   выполняется   с   выпариванием
<a id="p105784"></a>                  электронным лучом или металлизацией распылением

<a id="p105785"></a>II.10.7.7.1.      Технологии нанесения добавок хрома,  тантала или
<a id="p105786"></a>                  ниобия (колумбия) на жаропрочные стали

<a id="p105787"></a>II.10.7.7.2.      Технология нанесения боридов на:

<a id="p105788"></a>II.10.7.7.2.1.         титановые сплавы;

<a id="p105789"></a>II.10.7.7.2.2.         бериллий и его сплавы

<a id="p105790"></a>II.10.7.7.3.      Технология нанесения нитридов на:

<a id="p105791"></a>II.10.7.7.3.1.         титановые сплавы;

<a id="p105792"></a>II.10.7.7.3.2.         карбид, цементируемый вольфрамом

<a id="p105793"></a>II.10.7.7.4.      Технология нанесения    карбидов   на   карбиды,
<a id="p105794"></a>                  цементируемые вольфрамом

<a id="p105795"></a>II.10.8.          Конструкция и технология производства специально
<a id="p105796"></a>                  разработанного  оборудования,  инструментов  или
<a id="p105797"></a>                  приспособлений для  производства  или  измерения
<a id="p105798"></a>                  параметров   лопаток   газовых   турбин,   литых
<a id="p105799"></a>                  лопастей или краев кожухов

<a id="p105800"></a>II.10.8.1.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105801"></a>                  автоматического   измерительного   оборудования,
<a id="p105802"></a>                  использующего  немеханические  методы  измерения
<a id="p105803"></a>                  толщины стенок несущих профилей лопаток

<a id="p105804"></a>II.10.8.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105805"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p105806"></a>                  или  применения  автоматического  измерительного
<a id="p105807"></a>                  оборудования, указанного в пункте I.9.5.1.

<a id="p105808"></a>II.10.8.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105809"></a>                  инструментов,   фиксационного  и  измерительного
<a id="p105810"></a>                  оборудования для  лазерного,  водоструйного  или
<a id="p105811"></a>                  электроэрозионного электротехнического сверления
<a id="p105812"></a>                  отверстий  (полостей),   указанных   в   пунктах
<a id="p105813"></a>                  I.9.5.2. - I.9.5.2.2.

<a id="p105814"></a>II.10.8.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p105815"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p105816"></a>                  или  применения  инструментов,  фиксационного  и
<a id="p105817"></a>                  измерительного   оборудования   для   лазерного,
<a id="p105818"></a>                  водоструйного       или       электроэрозионного
<a id="p105819"></a>                  электротехнического     сверления      отверстий
<a id="p105820"></a>                  (полостей),   указанных  в  пунктах  I.9.5.2.  -
<a id="p105821"></a>                  I.9.5.2.2.

<a id="p105822"></a>II.10.8.5.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105823"></a>                  керамических  стержней  (ядер,  сердечников) или
<a id="p105824"></a>                  патронов (вкладышей)

<a id="p105825"></a>II.10.8.6.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105826"></a>                  керамических    стержней   (ядер,   сердечников)
<a id="p105827"></a>                  производственного оборудования или инструментов

<a id="p105828"></a>II.10.8.7.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105829"></a>                  керамических   сердечников  для  выщелачивающего
<a id="p105830"></a>                  оборудования

<a id="p105831"></a>II.10.8.8.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105832"></a>                  керамических  патронов  (оболочек)  оборудования
<a id="p105833"></a>                  для изготовления восковых моделей

<a id="p105834"></a>II.10.8.9.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105835"></a>                  керамических   патронов   (вкладышей,  оболочек)
<a id="p105836"></a>                  оборудования   для   обжигания   или   выжигания
<a id="p105837"></a>                  (вжигания)

<a id="p105838"></a>II.10.9.          Конструкция и технология производства систем для
<a id="p105839"></a>                  контроля в реальном масштабе  времени,  приборов
<a id="p105840"></a>                  (включая   датчики)   или  оборудование  с  ЧПУ,
<a id="p105841"></a>                  специально   разработанных   для    производства
<a id="p105842"></a>                  газотурбинных     двигателей,     технологически
<a id="p105843"></a>                  объединенных    агрегатов    или    компонентов,
<a id="p105844"></a>                  указанных в пунктах I. 11.8.1. - I.11.8.13

<a id="p105845"></a>II.10.10.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p105846"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p105847"></a>                  или  применения систем для контроля приборов или
<a id="p105848"></a>                  оборудования с ЧПУ, указанных в пункте I.9.6.

<a id="p105849"></a>II.10.11.         Конструкция и      технология       производства
<a id="p105850"></a>                  оборудования,   специально   разработанного  для
<a id="p105851"></a>                  производства и  испытания  (проверки)  креплений
<a id="p105852"></a>                  лопаток   газовых   турбин,   разработанных  для
<a id="p105853"></a>                  функционирования   при   скоростях   на   концах
<a id="p105854"></a>                  лопаток,   превышающих  335  м/с,  и  специально
<a id="p105855"></a>                  разработанные приспособления или детали для них

<a id="p105856"></a>II.10.12.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p105857"></a>                  разработанное  для проектирования,  производства
<a id="p105858"></a>                  или применения оборудования для  производства  и
<a id="p105859"></a>                  испытаний   креплений  лопаток  газовых  турбин,
<a id="p105860"></a>                  указанных в пункте I.9.7.

<a id="p105861"></a>II.10.13.         Конструкция и      технология       производства
<a id="p105862"></a>                  инструментов,  штампов и зажимных приспособлений
<a id="p105863"></a>                  для    соединения    в     твердом     состоянии
<a id="p105864"></a>                  (термодиффузионным     сращиванием)    элементов
<a id="p105865"></a>                  газотурбинных  двигателей  из   суперсплавов   и
<a id="p105866"></a>                  титана

<a id="p105867"></a>II.10.14.         Программное обеспечение   для  проектирования  и
<a id="p105868"></a>                  производства инструментов,  штампов  и  зажимных
<a id="p105869"></a>                  приспособлений, указанных в пункте I.9.8.

<a id="p105870"></a>II.10.15.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p105871"></a>                  инструментов (оснастки) для производства методом
<a id="p105872"></a>                  порошковой  металлургии  и гранульной технологии
<a id="p105873"></a>                  элементов роторов турбин  двигателей,  способных
<a id="p105874"></a>                  функционировать при напряжении на уровне 60% или
<a id="p105875"></a>                  более  предельной  прочности  на  растяжение   и
<a id="p105876"></a>                  температуре металла 873 К (600 С) или более

<a id="p105877"></a>II.10.16.         Программное обеспечение    для   проектирования,
<a id="p105878"></a>                  производства   или    применения    инструментов
<a id="p105879"></a>                  (оснастки), указанных в пункте I.9.9.

<a id="p105880"></a>II.10.17.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p105881"></a>                  оборудования  для  разработки   и   производства
<a id="p105882"></a>                  накопителей на магнитных и оптических дисках

<a id="p105883"></a>II.10.17.1.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p105884"></a>                  оборудования,  специально спроектированного  для
<a id="p105885"></a>                  нанесения  магнитного  покрытия  на  жесткие (не
<a id="p105886"></a>                  гибкие)    магнитные    или    магнитооптические
<a id="p105887"></a>                  носители, указанные в пункте I.16.9.5.1.
<a id="p105888"></a>                      Примечание. Пункт       II.10.17.1.       не
<a id="p105889"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p105890"></a>                  производства  оборудования общего назначения для
<a id="p105891"></a>                  напыления

<a id="p105892"></a>II.10.17.2.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p105893"></a>                  оборудования, снабженного программно-управляемым
<a id="p105894"></a>                  запоминающим     устройством     и    специально
<a id="p105895"></a>                  спроектированного  для   обеспечения   качества,
<a id="p105896"></a>                  сортировки    по    качеству,    прогонов    или
<a id="p105897"></a>                  тестирования   жестких   магнитных    носителей,
<a id="p105898"></a>                  указанного в пункте I.16.9.5.2.

<a id="p105899"></a>II.10.17.3.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p105900"></a>                  оборудования,  специально спроектированного  для
<a id="p105901"></a>                  производства или юстировки головок или головок в
<a id="p105902"></a>                  сборке  с  диском,  применительно  к  подлежащим
<a id="p105903"></a>                  экспортному   контролю   жестким   магнитным   и
<a id="p105904"></a>                  магнитооптическим  накопителям,   а   также   их
<a id="p105905"></a>                  электромеханических    или   оптических   узлов,
<a id="p105906"></a>                  указанных в пунктах I.16.9.5. - I.16.9.5.2.

<a id="p105907"></a>II.10.18.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p105908"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p105909"></a>                  проектирования,  производства или  использования
<a id="p105910"></a>                  оборудования   для   разработки  и  производства
<a id="p105911"></a>                  накопителей на магнитных  и  оптических  дисках,
<a id="p105912"></a>                  указанных в пунктах I.9.10. - I.9.10.3.


## <a id="p105913"></a>Раздел II.11. Датчики, измерительная аппаратура и приборы


<a id="p105915"></a>II.11.1.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p105916"></a>                  оборудования    для   неразрушающего   контроля,
<a id="p105917"></a>                  способного   обнаруживать   дефекты    в    трех
<a id="p105918"></a>                  измерениях,  используя методы ультразвуковой или
<a id="p105919"></a>                  рентгеновской томографии,  специально созданного
<a id="p105920"></a>                  для композитных материалов

<a id="p105921"></a>II.11.2.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p105922"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p105923"></a>                  проектирования,  производства  или  применения в
<a id="p105924"></a>                  оборудовании   для   неразрушающего    контроля,
<a id="p105925"></a>                  указанного в пункте I.10.1.

<a id="p105926"></a>II.11.3.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p105927"></a>                  магнитометров, магнитных градиометров, эталонных
<a id="p105928"></a>                  магнитных  градиометров и компенсационных систем
<a id="p105929"></a>                  и специально разработанных компонентов
<a id="p105930"></a>                      Примечание. Экспортный контроль  по  пунктам
<a id="p105931"></a>                  II.11.3.  -  II.11.3.12.  не распространяется на
<a id="p105932"></a>                  конструкцию    и     технологию     производства
<a id="p105933"></a>                  специальных    инструментов   для   биомагнитных
<a id="p105934"></a>                  измерений медицинской диагностики,  если они  не
<a id="p105935"></a>                  содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.
                  - <a id="p105936"></a>I.10.2.8.4.

<a id="p105937"></a>II.11.3.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p105938"></a>                  магнитометров,      использующих      технологии
<a id="p105939"></a>                  сверхпроводимости   с  оптической  накачкой  или
<a id="p105940"></a>                  ядерной  процессией  (протонной/Оверхаузера)   и
<a id="p105941"></a>                  имеющих   среднеквадратическое  значение  уровня
<a id="p105942"></a>                  шумов (чувствительность) менее (лучше) 0,05  нТ,
<a id="p105943"></a>                  деленные на корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p105944"></a>II.11.3.2.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p105945"></a>                  магнитометров с катушкой индуктивности,  имеющих
<a id="p105946"></a>                  среднеквадратическое   значение   уровня   шумов
<a id="p105947"></a>                  меньше (лучше):

<a id="p105948"></a>II.11.3.2.1.           0,05 нТ,  деленные на корень квадратный  из
<a id="p105949"></a>                       частоты в Гц - на частоте менее 1 Гц;

<a id="p105950"></a>II.11.3.2.2.           1x10E-4 нТ деленные на корень квадратный из
<a id="p105951"></a>                       частоты в Гц - на частоте 1 Гц  или  более,
<a id="p105952"></a>                       но  не более 10 Гц;

<a id="p105953"></a>II.11.3.2.3.           1x10E-4 нТ,  деленные  на корень квадратный
<a id="p105954"></a>                       из частоты в Гц - на частоте более 10 Гц;

<a id="p105955"></a>II.11.3.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105956"></a>                  волоконнооптических       магнитометров       со
<a id="p105957"></a>                  среднеквадратическим   значением   уровня   шума
<a id="p105958"></a>                  (чувствительностью)   менее   (лучше)  чем  1нТ,
<a id="p105959"></a>                  деленная на корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p105960"></a>II.11.3.4.        Конструкция и технология производства  магнитных
<a id="p105961"></a>                  градиометров, использующих наборы магнитометров,
<a id="p105962"></a>                  указанных  в пунктах  I.10.2.1.,   I.10.2.2. или
<a id="p105963"></a>                  I.10.2.3.

<a id="p105964"></a>II.11.3.5.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p105965"></a>                  волоконнооптических     эталонных      магнитных
<a id="p105966"></a>                  градиометров  со  среднеквадратическим значением
<a id="p105967"></a>                  уровня   шума   (чувствительностью)    градиента
<a id="p105968"></a>                  магнитного  поля менее (лучше) 0,3 нТ,  деленные
<a id="p105969"></a>                  на метр и корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p105970"></a>II.11.3.6.        Конструкция и технология производства  эталонных
<a id="p105971"></a>                  магнитных    градиометров    с    использованием
<a id="p105972"></a>                  технологии,  отличной  от   оптоволоконной,   со
<a id="p105973"></a>                  среднеквадратическим   значением   уровня   шума
<a id="p105974"></a>                  (чувствительностью)  градиента  магнитного  поля
<a id="p105975"></a>                  менее  (лучше)  0,015  нТ,  деленные  на  метр и
<a id="p105976"></a>                  корень квадратный из частоты в Гц

<a id="p105977"></a>II.11.3.7.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p105978"></a>                  магнитокомпенсационных   систем   для  магнитных
<a id="p105979"></a>                  датчиков,   предназначенных   для   работы    на
<a id="p105980"></a>                  подвижных платформах

<a id="p105981"></a>II.11.3.8.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p105982"></a>                  электромагнитных    датчиков    для    измерения
<a id="p105983"></a>                  электромагнитного  поля  на  частотах  1  кГц  и
<a id="p105984"></a>                  менее,  содержащих компоненты,  хотя бы один  из
<a id="p105985"></a>                  которых   является   сверхпроводником   (включая
<a id="p105986"></a>                  устройства    на    эффекте    Джозефсона    или
<a id="p105987"></a>                  сверхпроводящие       устройства       квантовой
<a id="p105988"></a>                  интерференции   (СКВИД),    разработанных    для
<a id="p105989"></a>                  функционирования     при    температурах    ниже
<a id="p105990"></a>                  критической  и   имеющих   одну   из   следующих
<a id="p105991"></a>                  характеристик:

<a id="p105992"></a>II.11.3.8.1.           включающие тонкопленочные      СКВИД      с
<a id="p105993"></a>                       минимальным  характерным  размером  менее 2
<a id="p105994"></a>                       мкм и соответствующими  схемами  соединения
<a id="p105995"></a>                       входа и выхода;

<a id="p105996"></a>II.11.3.8.2.           разработанные для    функционирования   при
<a id="p105997"></a>                       максимальной скорости нарастания магнитного
<a id="p105998"></a>                       поля  более  10 квантов магнитного потока в
<a id="p105999"></a>                       секунду;

<a id="p106000"></a>II.11.3.8.3.           разработанные для   функционирования    без
<a id="p106001"></a>                       магнитного   экрана   в  окружающем  земном
<a id="p106002"></a>                       магнитном поле;

<a id="p106003"></a>II.11.3.8.4.           имеющие температурный коэффициент менее 0,1
<a id="p106004"></a>                       кванта магнитного потока на кельвин

<a id="p106005"></a>II.11.3.9.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106006"></a>                  разработанное для проектирования, производства и
<a id="p106007"></a>                  использования    магнитометров,    градиометров,
<a id="p106008"></a>                  компенсационных      систем     и     специально
<a id="p106009"></a>                  разработанных компонентов,  указанных в  пунктах
<a id="p106010"></a>                  I.10.2. - I.10.2.8.4.

<a id="p106011"></a>II.11.3.10.       Специализированное программное  обеспечение  для
<a id="p106012"></a>                  магнитокомпенсационных  систем   для   магнитных
<a id="p106013"></a>                  датчиков    подвижных   платформ   (транспортных
<a id="p106014"></a>                  средств)

<a id="p106015"></a>II.11.3.11.       Специализированное программное  обеспечение  для
<a id="p106016"></a>                  обнаружения   магнитных  аномалий  на  подвижных
<a id="p106017"></a>                  платформах (транспортных средствах)

<a id="p106018"></a>II.11.3.12.       Технология производства            феррозондовых
<a id="p106019"></a>                  магнитометров     или    систем    феррозондовых
<a id="p106020"></a>                  магнитометров с уровнем шумов менее чем 0,05 нТ,
<a id="p106021"></a>                  деленные  на корень квадратный из частоты в Гц -
<a id="p106022"></a>                  на частотах  менее  1  Гц  (среднеквадратическое
<a id="p106023"></a>                  значение)  или  1x10E-3  нТ,  деленные на корень
<a id="p106024"></a>                  квадратный из частоты в Гц - на  частотах  1  Гц
<a id="p106025"></a>                  или более (среднеквадратическое значение)

<a id="p106026"></a>II.11.4.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p106027"></a>                  гравитометров

<a id="p106028"></a>II.11.4.1.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p106029"></a>                  гравитометров  для  наземного  использования  со
<a id="p106030"></a>                  статистической точностью менее (лучше)
<a id="p106031"></a>                             2
<a id="p106032"></a>                  1x10E-7 м/с (10 мкГал)
<a id="p106033"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p106034"></a>                  II.11.4.1.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p106035"></a>                  технологию производства  наземных  гравитометров
<a id="p106036"></a>                  типа кварцевых элементов Уордена

<a id="p106037"></a>II.11.4.2.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p106038"></a>                  для    настройки    и    калибровки     наземных
<a id="p106039"></a>                  гравитометров  со статистической погрешностью не
<a id="p106040"></a>                  хуже чем
<a id="p106041"></a>                             2
<a id="p106042"></a>                  7x10E-6 м/с (0,7 мГал)

<a id="p106043"></a>II.11.5.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p106044"></a>                  разработанное для проектирования, производства и
<a id="p106045"></a>                  использования    наземных    гравитометров     и
<a id="p106046"></a>                  аппаратуры   для   их  настройки  и  калибровки,
<a id="p106047"></a>                  указанных в пунктах I.10.3. - I.10.3.2.

<a id="p106048"></a>II.11.6.          Специально разработанное программное обеспечение
<a id="p106049"></a>                  для коррекции влияния движения гравитометров или
<a id="p106050"></a>                  гравитационных градиометров

<a id="p106051"></a>II.11.7.          Конструкция и технология  производства  бортовых
<a id="p106052"></a>                  альтиметров,  действующих на частотах,  отличных
<a id="p106053"></a>                  от 4,2 до 4,4 ГГц включительно,  имеющих одну из
<a id="p106054"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p106055"></a>II.11.7.1.             управление мощностью;

<a id="p106056"></a>II.11.7.2.             использующих амплитудную    модуляцию     с
<a id="p106057"></a>                       переменной фазой

<a id="p106058"></a>II.11.8.          Программное обеспечение для  проектирования  или
<a id="p106059"></a>                  производства  бортовых альтиметров,  указанных в
<a id="p106060"></a>                  пунктах I.10.4. - I.10.4.2.

<a id="p106061"></a>II.11.9.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p106062"></a>                  гироскопов,  имеющих характеристики, указанные в
<a id="p106063"></a>                  пункте I.10.5.

<a id="p106064"></a>II.11.10.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p106065"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106066"></a>                  проектирования  или   производства   гироскопов,
<a id="p106067"></a>                  имеющих   характеристики,   указанные  в  пункте
<a id="p106068"></a>                  I.10.5.

<a id="p106069"></a>II.11.11.         Конструкция и      технология       производства
<a id="p106070"></a>                  инерциальных навигационных систем (платформенных
<a id="p106071"></a>                  и     бесплатформенных)     и      инерциального
<a id="p106072"></a>                  оборудования,  указанного  в  пунктах I.10.6.  -
<a id="p106073"></a>                  I.10.6.2.

<a id="p106074"></a>II.11.12.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p106075"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106076"></a>                  проектирования  или  производства   инерциальных
<a id="p106077"></a>                  навигационных     систем     и     инерциального
<a id="p106078"></a>                  оборудования,  указанного в  пунктах  I.10.6.  -
<a id="p106079"></a>                  I.10.6.2.

<a id="p106080"></a>II.11.13.         Конструкция и  технология  производства приемной
<a id="p106081"></a>                  аппаратуры    и     специально     разработанных
<a id="p106082"></a>                  компонентов глобальной спутниковой навигационной
<a id="p106083"></a>                  системы, указанных в пунктах I.10.7. - I.10.7.2.

<a id="p106084"></a>II.11.14.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p106085"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106086"></a>                  проектирования    и    производства     приемной
<a id="p106087"></a>                  аппаратуры     и     специально    разработанных
<a id="p106088"></a>                  компонентов  глобальной   спутниковой   системы,
<a id="p106089"></a>                  указанных в пунктах I.10.7. - I.10.7.2.

<a id="p106090"></a>II.11.15.         Программное обеспечение   для   использования  в
<a id="p106091"></a>                  любом инерциальном навигационном оборудовании  и
<a id="p106092"></a>                  в   системе  определения  курсового  направления
<a id="p106093"></a>                  самолета в воздухе (кроме платформенной  системы
<a id="p106094"></a>                  определения положения самолета в воздухе)
<a id="p106095"></a>                      Примечание. Система  определения   положения
<a id="p106096"></a>                  курсового  направления самолета в воздухе обычно
<a id="p106097"></a>                  отличается от инерциальной навигационной системы
<a id="p106098"></a>                  (ИНС)  тем,  что  система  определения  углового
<a id="p106099"></a>                  (курсового)   положения   самолета   в   воздухе
<a id="p106100"></a>                  обеспечивает  информацией  о  направлении  и  не
<a id="p106101"></a>                  обеспечивает информацией об ускорении,  скорости
<a id="p106102"></a>                  и положении (координате), снимаемой с ИНС

<a id="p106103"></a>II.11.16.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p106104"></a>                  разработанное или модифицированное для улучшения
<a id="p106105"></a>                  действующих   характеристик    или    уменьшения
<a id="p106106"></a>                  навигационной  ошибки инерциальных навигационных
<a id="p106107"></a>                  систем  (платформенных  и  бесплатформенных)   и
<a id="p106108"></a>                  инерциального   оборудования   для   определения
<a id="p106109"></a>                  местоположения,  наведения   и   управления   до
<a id="p106110"></a>                  уровней, указанных в пункте I.10.6.1.

<a id="p106111"></a>II.11.17.         Исходная программа   для  гибридных  комплексных
<a id="p106112"></a>                  систем,     которая     улучшает     действующие
<a id="p106113"></a>                  характеристики   или   уменьшает   навигационную
<a id="p106114"></a>                  ошибку систем до 0,8 морской мили в час и менее,
<a id="p106115"></a>                  при   комбинировании   (сочетании)  инерциальных
<a id="p106116"></a>                  данных  с  любыми  из  следующих   навигационных
<a id="p106117"></a>                  данных:

<a id="p106118"></a>II.11.17.1.            доплеровским определителем         (радара)
<a id="p106119"></a>                       скорости;

<a id="p106120"></a>II.11.17.2.            глобальной спутниковой        навигационной
<a id="p106121"></a>                       системой определения местоположения;

<a id="p106122"></a>II.11.17.3.            базой данных о местности

<a id="p106123"></a>II.11.18.         Конструкция и   технология  производства  систем
<a id="p106124"></a>                  подводного наблюдения

<a id="p106125"></a>II.11.18.1.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p106126"></a>                  телевизионных     систем     (включая    камеру,
<a id="p106127"></a>                  осветительные приборы,  оборудование мониторинга
<a id="p106128"></a>                  и    передачи   сигнала),   имеющих   предельное
<a id="p106129"></a>                  разрешение,  ограниченное более чем 500  линиями
<a id="p106130"></a>                  при  измерении  его  в воздушной среде,  а также
<a id="p106131"></a>                  телесистем,  специально   спроектированных   или
<a id="p106132"></a>                  модифицированных  для  дистанционного управления
<a id="p106133"></a>                  подводным судном

<a id="p106134"></a>II.11.18.2.       Конструкция и технология производства  подводных
<a id="p106135"></a>                  телекамер,  имеющих  предельное разрешение более
<a id="p106136"></a>                  чем  700  линий  при  измерении   разрешения   в
<a id="p106137"></a>                  воздушной среде

<a id="p106138"></a>II.11.18.3.       Конструкция и  технология  производства  систем,
<a id="p106139"></a>                  специально спроектированных или модифицированных
<a id="p106140"></a>                  для  дистанционного управления подводным судном,
<a id="p106141"></a>                  использующих   способы   минимизации    эффектов
<a id="p106142"></a>                  обратного  рассеяния,  включая  РЛС  облучения в
<a id="p106143"></a>                  узком диапазоне или лазерные системы

<a id="p106144"></a>II.11.18.4.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p106145"></a>                  телевизионных камер,  предназначенных для съемки
<a id="p106146"></a>                  объектов   с   низким   уровнем    освещенности,
<a id="p106147"></a>                  специально спроектированных или модифицированных
<a id="p106148"></a>                  для использования под водой и содержащих  трубки
<a id="p106149"></a>                  с    микроканальным    усилителем   изображения,
<a id="p106150"></a>                  указанные в пункте  I.12.  2.1.2.1.,  и  имеющих
<a id="p106151"></a>                  более  чем  150000  активных  каналов на площади
<a id="p106152"></a>                  твердотельного приемника

<a id="p106153"></a>II.11.18.5.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106154"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106155"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106156"></a>                  систем   подводного   наблюдения,   указанных  в
<a id="p106157"></a>                  пунктах I.10.9. - I.10.9.4.

<a id="p106158"></a>II.11.18.6.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p106159"></a>                  фотодиапозитивных        камер,       специально
<a id="p106160"></a>                  спроектированных   или   модифицированных    для
<a id="p106161"></a>                  подводного   применения,   указанных   в  пункте
<a id="p106162"></a>                  I.10.9.5.

<a id="p106163"></a>II.11.18.7.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106164"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106165"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106166"></a>                  фотодиапозитивных   камер,  указанных  в  пункте
<a id="p106167"></a>                  I.10.9.5.

<a id="p106168"></a>II.11.18.8.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p106169"></a>                  электронных    систем   наблюдения,   специально
<a id="p106170"></a>                  спроектированных   или   модифицированных    для
<a id="p106171"></a>                  подводного  использования,  способных  хранить в
<a id="p106172"></a>                  цифровой  форме  более  чем  50  экспонированных
<a id="p106173"></a>                  кадров

<a id="p106174"></a>II.11.18.9.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106175"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p106176"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p106177"></a>                  электронных  систем  наблюдения,   указанных   в
<a id="p106178"></a>                  пункте I.10.9.6.

<a id="p106179"></a>II.11.19.         Конструкция и   технология  производства  систем
<a id="p106180"></a>                  подсветки,   специально   спроектированных   или
<a id="p106181"></a>                  модифицированных для применения под водой:

<a id="p106182"></a>II.11.19.1.            стробоскопических световых     систем     с
<a id="p106183"></a>                       энергией выхода более чем 300  Дж  в  одной
<a id="p106184"></a>                       вспышке;

<a id="p106185"></a>II.11.19.2.            аргонодуговых световых  систем,  специально
<a id="p106186"></a>                       спроектированных  для   использования   под
<a id="p106187"></a>                       водой на глубинах ниже 1000 м;

<a id="p106188"></a>II.11.19.3.            программное обеспечение,         специально
<a id="p106189"></a>                       разработанное  или   модифицированное   для
<a id="p106190"></a>                       проектирования, производства или применения
<a id="p106191"></a>                       систем  подсветки,  указанных   в   пунктах
<a id="p106192"></a>                       I.10.10. - I. 10.10.2.

<a id="p106193"></a>II.11.20.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p106194"></a>                  акустической аппаратуры, оборудования и систем

<a id="p106195"></a>II.11.20.1.       Конструкция и  технология  производства  морских
<a id="p106196"></a>                  акустических  систем,  аппаратуры или специально
<a id="p106197"></a>                  разработанных компонентов

<a id="p106198"></a>II.11.20.1.1.     Конструкция и технология  производства  активных
<a id="p106199"></a>                  (передающих  или  приемопередающих) акустических
<a id="p106200"></a>                  систем оборудования или специально разработанных
<a id="p106201"></a>                  компонентов
<a id="p106202"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p106203"></a>                  II.11.20.1.1. не распространяется на конструкцию
<a id="p106204"></a>                  и  технологию  производства звуковых измерителей
<a id="p106205"></a>                  глубины вертикального действия без  сканирования
<a id="p106206"></a>                  луча   в   пределах   свыше  10  град.,  имеющих
<a id="p106207"></a>                  ограниченное применение  для  измерения  глубины
<a id="p106208"></a>                  или расстояния до погруженного или заглубленного
<a id="p106209"></a>                  объекта, а также косяков рыбы

<a id="p106210"></a>II.11.20.1.1.1.   Конструкция и      технология       производства
<a id="p106211"></a>                  широкообзорных   акустических   систем  морского
<a id="p106212"></a>                  картографирования, разработанных:

<a id="p106213"></a>II.11.20.1.1.1.1.      для измерения  при  углах   отклонения   от
<a id="p106214"></a>                       вертикали более 10 град. и измерения глубин
<a id="p106215"></a>                       более 600 м от поверхности воды;

<a id="p106216"></a>II.11.20.1.1.1.2.      для использования набора лучей,  каждый  из
<a id="p106217"></a>                       которых        не  шире   2 град.,  или для
<a id="p106218"></a>                       обеспечения   точности измерений лучше 0,5%
<a id="p106219"></a>                       глубины воды, полученной усреднением
<a id="p106220"></a>                       отдельных измерений

<a id="p106221"></a>II.11.20.1.1.2.   Конструкция и      технология       производства
<a id="p106222"></a>                  акустических  систем обнаружения или определения
<a id="p106223"></a>                  местоположения   объекта,   имеющих   одну    из
<a id="p106224"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p106225"></a>II.11.20.1.1.2.1.      рабочую частоту менее 10 кГц;

<a id="p106226"></a>II.11.20.1.1.2.2.      уровень звукового давления свыше 224 дБ  (1
<a id="p106227"></a>                       мкПа  на  1  м)  для  аппаратуры  с рабочей
<a id="p106228"></a>                       частотой в диапазоне от 10 до 24 кГц;

<a id="p106229"></a>II.11.20.1.1.2.3.      уровень звукового давления свыше 235 дБ  (1
<a id="p106230"></a>                       мкПа  на  1  м)  для  аппаратуры  с рабочей
<a id="p106231"></a>                       частотой в диапазоне от 24 до 30 кГц;

<a id="p106232"></a>II.11.20.1.1.2.4.      формирование луча уже  1  по  любой  оси  и
<a id="p106233"></a>                       рабочую частоту ниже 100 кГц;

<a id="p106234"></a>II.11.20.1.1.2.5.      разработанные для               нормального
<a id="p106235"></a>                       функционирования на глубинах свыше 1000 м и
<a id="p106236"></a>                       имеющих  передатчик  с  одной  из следующих
<a id="p106237"></a>                       характеристик:

<a id="p106238"></a>II.11.20.1.1.2.5.1.    динамически подстраиваемый под давление;

<a id="p106239"></a>II.11.20.1.1.2.5.2.    содержащий излучающий элемент,  отличный от
<a id="p106240"></a>                       титаната цирконата;

<a id="p106241"></a>II.11.20.1.1.2.5.3.    разработанный для  измерения  расстояний до
<a id="p106242"></a>                       объектов более 5120 м

<a id="p106243"></a>II.11.20.1.1.3.   Конструкция и       технология      производства
<a id="p106244"></a>                  акустических прожекторов,  включающих излучатели
<a id="p106245"></a>                  с   пьезоэлектрическими,   магнитострикционными,
<a id="p106246"></a>                  электрострикционными,  электродинамическими  или
<a id="p106247"></a>                  гидравлическими    элементами,   функционирующих
<a id="p106248"></a>                  независимо или в совокупности и имеющих одну  из
<a id="p106249"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p106250"></a>II.11.20.1.1.3.1.      плотность мгновенно излучаемой акустической
<a id="p106251"></a>                       мощности,  превышающую 0,001 мВт/(кв.  мм х
<a id="p106252"></a>                       Гц)  для приборов,  действующих на частотах
<a id="p106253"></a>                       ниже 10 кГц;

<a id="p106254"></a>II.11.20.1.1.3.2.      плотность непрерывно             излучаемой
<a id="p106255"></a>                       акустической  мощности,  превышающую  0,001
<a id="p106256"></a>                       мВт/(кв. мм х Гц) для приборов, действующих
<a id="p106257"></a>                       на частотах ниже 10 кГц;

<a id="p106258"></a>II.11.20.1.1.3.3.      проектное предназначение   для  нормального
<a id="p106259"></a>                       функционирования на глубинах свыше 1000 м;

<a id="p106260"></a>II.11.20.1.1.3.4.      способность подавления  боковых   лепестков
<a id="p106261"></a>                       более 22 дБ
<a id="p106262"></a>                      Примечание. Экспортный контроль  по  пунктам
<a id="p106263"></a>                  II.11.20.1.1.3.     -    II.11.20.1.1.3.4.    не
<a id="p106264"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p106265"></a>                  производства  электронных  источников  с  только
<a id="p106266"></a>                  вертикальным   акустическим    излучением    или
<a id="p106267"></a>                  механических  (например,  воздушных  или паровых
<a id="p106268"></a>                  ружей)  или  химических   (например,   взрывных)
<a id="p106269"></a>                  источников

<a id="p106270"></a>II.11.20.1.1.4.   Конструкция и       технология      производства
<a id="p106271"></a>                  акустических систем,  аппаратуры или  специально
<a id="p106272"></a>                  разработанных    компонентов   для   определения
<a id="p106273"></a>                  положения   надводных   или   подводных   судов,
<a id="p106274"></a>                  разработанных:

<a id="p106275"></a>II.11.20.1.1.4.1.      для работы  на  дистанции  свыше  1000  м с
<a id="p106276"></a>                       точностью позиционирования менее 10  м  при
<a id="p106277"></a>                       измерении на расстоянии 1000 м;

<a id="p106278"></a>II.11.20.1.1.4.2.      для работы на глубинах более 1000 м
<a id="p106279"></a>                      Примечание. Пункты     II.11.20.1.1.4.     -
<a id="p106280"></a>                  II.11.20.1.1.4.2.    включают    конструкцию   и
<a id="p106281"></a>                  технологию     производства     аппаратуры     с
<a id="p106282"></a>                  использованием  когерентной  обработки  сигналов
<a id="p106283"></a>                  между двумя или  более  маяками  и  гидрофонного
<a id="p106284"></a>                  устройства  надводных  и  подводных судов,  либо
<a id="p106285"></a>                  аппаратуры,       обладающей        способностью
<a id="p106286"></a>                  автокоррекции        погрешности        скорости
<a id="p106287"></a>                  распространения звука

<a id="p106288"></a>II.11.20.1.2.     Конструкция и технология производства  пассивных
<a id="p106289"></a>                  (принимающих  в  штатном  режиме  независимо  от
<a id="p106290"></a>                  связи  с  активной   аппаратурой)   акустических
<a id="p106291"></a>                  систем,  аппаратуры или специально разработанных
<a id="p106292"></a>                  компонентов

<a id="p106293"></a>II.11.20.1.2.1.   Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106294"></a>                  (преобразователей)

<a id="p106295"></a>II.11.20.1.2.1.1. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106296"></a>                  (преобразователей),  включающих  гибкие  датчики
<a id="p106297"></a>                  непрерывного   действия   или   сборки  датчиков
<a id="p106298"></a>                  дискретного действия  с  диаметром  либо  длиной
<a id="p106299"></a>                  менее 20 мм и расстоянием между элементами менее
<a id="p106300"></a>                  20 мм

<a id="p106301"></a>II.11.20.1.2.1.2. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106302"></a>                  (преобразователей),  имеющих  любой из следующих
<a id="p106303"></a>                  чувствительных элементов:

<a id="p106304"></a>II.11.20.1.2.1.2.1.    оптоволоконный;

<a id="p106305"></a>II.11.20.1.2.1.2.2.    пьезоэлектрический полимерный;

<a id="p106306"></a>II.11.20.1.2.1.2.3.    пьезоэлектрический из гибкой керамики

<a id="p106307"></a>II.11.20.1.2.1.3. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106308"></a>                  (преобразователей),     имеющих    гидрозвуковую
<a id="p106309"></a>                  чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине,
<a id="p106310"></a>                  без компенсации ускорения

<a id="p106311"></a>II.11.20.1.2.1.4. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106312"></a>                  (преобразователей),  разработанных для глубин не
<a id="p106313"></a>                  более  35  м,  с гидрозвуковой чувствительностью
<a id="p106314"></a>                  лучше -186 дБ и компенсацией ускорения

<a id="p106315"></a>II.11.20.1.2.1.5. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106316"></a>                  (преобразователей), разработанных для нормальной
<a id="p106317"></a>                  работы на глубинах более 35 м,  с  гидрозвуковой
<a id="p106318"></a>                  чувствительностью  лучше  -192 дБ и компенсацией
<a id="p106319"></a>                  ускорения

<a id="p106320"></a>II.11.20.1.2.1.6. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106321"></a>                  (преобразователей), разработанных для нормальной
<a id="p106322"></a>                  работы на глубинах свыше 100 м,  с гидрозвуковой
<a id="p106323"></a>                  чувствительностью лучше -204 дБ

<a id="p106324"></a>II.11.20.1.2.1.7. Конструкция и технология производства гидрофонов
<a id="p106325"></a>                  (преобразователей),  разработанных для работы на
<a id="p106326"></a>                  глубинах более 1000 м

<a id="p106327"></a>II.11.20.1.2.2.   Конструкция и       технология      производства
<a id="p106328"></a>                  буксируемых акустических гидрофонных решеток:

<a id="p106329"></a>II.11.20.1.2.2.1.      с расположением  гидрофонов  менее  чем  на
<a id="p106330"></a>                       12,5 м в решетке;

<a id="p106331"></a>II.11.20.1.2.2.2.      с расположением  гидрофонной группы от 12,5
<a id="p106332"></a>                       до 25 м,  разработанной или способной  быть
<a id="p106333"></a>                       модифицированной   для  работы  на  глубине
<a id="p106334"></a>                       более 25 м;

<a id="p106335"></a>II.11.20.1.2.2.3.      с расположением   гидрофонной   группы   на
<a id="p106336"></a>                       расстоянии  25  м или более,  разработанной
<a id="p106337"></a>                       для работы на глубине свыше 100 м;

<a id="p106338"></a>II.11.20.1.2.2.4.      разработанных или      способных       быть
<a id="p106339"></a>                       модифицированными  для  глубин более 35 м с
<a id="p106340"></a>                       головными    датчиками,    включенными    в
<a id="p106341"></a>                       соединительный  кабель  решетки  и имеющими
<a id="p106342"></a>                       точность    лучше  +-0,5   или   датчиками,
<a id="p106343"></a>                       смонтированными   снаружи   соединительного
<a id="p106344"></a>                       кабеля  решетки,  обладающими  способностью
<a id="p106345"></a>                       работать  с   вращением  на  360 на глубине
<a id="p106346"></a>                       более 35 м;

<a id="p106347"></a>II.11.20.1.2.2.5.      с неметаллическими усиливающими  элементами
<a id="p106348"></a>                       или  соединительным  кабелем  с  продольным
<a id="p106349"></a>                       усилением кабеля;

<a id="p106350"></a>II.11.20.1.2.2.6.      с диаметром гидрофонной решетки в собранном
<a id="p106351"></a>                       виде менее 40 мм;

<a id="p106352"></a>II.11.20.1.2.2.7.      с уплотненным групповым сигналом гидрофона;

<a id="p106353"></a>II.11.20.1.2.2.8.      с характеристиками гидрофона, определенными
<a id="p106354"></a>                       в пунктах I.10.11.1.2.1. - I.10.11.1.2.1.7.

<a id="p106355"></a>II.11.20.1.2.3.   Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p106356"></a>                  обработки сигналов, специально разработанной для
<a id="p106357"></a>                  акустических гидрофонных  решеток,  с  любой  из
<a id="p106358"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p106359"></a>II.11.20.1.2.3.1.      быстрым преобразованием  Фурье  или другими
<a id="p106360"></a>                       преобразованиями данных по 1024  или  более
<a id="p106361"></a>                       точкам  менее  чем за 20 мс без возможности
<a id="p106362"></a>                       программирования пользователем;

<a id="p106363"></a>II.11.20.1.2.3.2.      обработкой во   временной   или   частотной
<a id="p106364"></a>                       области и корреляцией, включая спектральный
<a id="p106365"></a>                       анализ,  цифровую фильтрацию и формирование
<a id="p106366"></a>                       луча      с     использованием     быстрого
<a id="p106367"></a>                       преобразования     Фурье     или     других
<a id="p106368"></a>                       преобразований или процессов с возможностью
<a id="p106369"></a>                       программирования пользователем

<a id="p106370"></a>II.11.20.2.       Специально разработанное программное обеспечение
<a id="p106371"></a>                  для формирования акустического луча, обработки в
<a id="p106372"></a>                  реальном масштабе  времени  акустических  данных
<a id="p106373"></a>                  при  пассивном приеме с использованием шланговых
<a id="p106374"></a>                  гидрофонных решеток

<a id="p106375"></a>II.11.20.3.       Программное обеспечение для обработки в реальном
<a id="p106376"></a>                  масштабе   времени   акустических   данных   для
<a id="p106377"></a>                  пассивного  приема  с  использованием  шланговых
<a id="p106378"></a>                  гидрофонных решеток

<a id="p106379"></a>II.11.20.4.       Конструкция и  технология  производства наземных
<a id="p106380"></a>                  геофонов,     обладающих     способностью      к
<a id="p106381"></a>                  преобразованию  в морские системы,  оборудования
<a id="p106382"></a>                  или   специально   разработанных    компонентов,
<a id="p106383"></a>                  указанных    в    пунктах    I.10.11.1.2.1.    -
<a id="p106384"></a>                  I.10.11.1.2.1.7.

<a id="p106385"></a>II.11.20.5.       Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p106386"></a>                  на    лагах    для   корреляционного   измерения
<a id="p106387"></a>                  горизонтальной       составляющей       скорости
<a id="p106388"></a>                  относительно  морского  дна на расстояниях между
<a id="p106389"></a>                  носителем и дном свыше 500 м


## <a id="p106390"></a>Раздел II.12. Двигатели и движители, системы и оборудование для них


<a id="p106392"></a>II.12.1.          Конструкция и       технологии      производства
<a id="p106393"></a>                  изолированных от атмосферы двигательных  систем,
<a id="p106394"></a>                  специально  спроектированных  для применения под
<a id="p106395"></a>                  водой

<a id="p106396"></a>II.12.1.1.        Конструкция и технология производства, ремонта и
<a id="p106397"></a>                  восстановления чистоты поверхности изолированных
<a id="p106398"></a>                  от атмосферы двигательных систем  с  двигателями
<a id="p106399"></a>                  циклов Брайтона,  Стирлинга или Ренкина, имеющих
<a id="p106400"></a>                  любую из следующих составляющих:

<a id="p106401"></a>II.12.1.1.1.           химические скрубберы     или     абсорберы,
<a id="p106402"></a>                       специально  спроектированные  для  удаления
<a id="p106403"></a>                       двуокиси    углерода    и     частиц     из
<a id="p106404"></a>                       рециркулируемого выхлопа двигателя;

<a id="p106405"></a>II.12.1.1.2.           системы, специально   спроектированные  для
<a id="p106406"></a>                       применения моноатомного газа;

<a id="p106407"></a>II.12.1.1.3.           приборы или      глушители,      специально
<a id="p106408"></a>                       спроектированные    для  снижения  шума под
<a id="p106409"></a>                       водой  с  частотами  ниже   10   кГц,   или
<a id="p106410"></a>                       специально   смонтированные   приборы   для
<a id="p106411"></a>                       смягчения хлопка выброса;

<a id="p106412"></a>II.12.1.1.4.           системы, специально  спроектированные   для
<a id="p106413"></a>                       прессования  продуктов реакции,  реформации
<a id="p106414"></a>                       топлива или хранения продуктов реакции  при
<a id="p106415"></a>                       противодавлении в 100 кПа или более

<a id="p106416"></a>II.12.1.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106417"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p106418"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p106419"></a>                  систем,  указанных   в   пунктах   I.11.1.1.   -
<a id="p106420"></a>                  I.11.1.1.4.

<a id="p106421"></a>II.12.1.3.        Конструкция и технологии производства, ремонта и
<a id="p106422"></a>                  восстановления  чистоты  поверхности   дизельных
<a id="p106423"></a>                  двигателей   (для   изолированных  от  атмосферы
<a id="p106424"></a>                  двигательных  систем),  имеющих  все   следующие
<a id="p106425"></a>                  составляющие:

<a id="p106426"></a>II.12.1.3.1.           химические скрубберы     или     абсорберы,
<a id="p106427"></a>                       специально  спроектированные  для  удаления
<a id="p106428"></a>                       двуокиси  углерода,  моноокиси  углерода  и
<a id="p106429"></a>                       частиц    из    рециркулируемого    выхлопа
<a id="p106430"></a>                       двигателя:

<a id="p106431"></a>II.12.1.3.2.           системы, специально   спроектированные  для
<a id="p106432"></a>                       применения моноатомного газа;

<a id="p106433"></a>II.12.1.3.3.           приборы или      глушители,      специально
<a id="p106434"></a>                       спроектированные   для  снижения  шума  под
<a id="p106435"></a>                       водой  с  частотами   ниже   10   кГц   или
<a id="p106436"></a>                       специально   смонтированные  для  смягчения
<a id="p106437"></a>                       хлопка выброса;

<a id="p106438"></a>II.12.1.3.4.           специально спроектированные       выхлопные
<a id="p106439"></a>                       системы   с   задержкой  выброса  продуктов
<a id="p106440"></a>                       сгорания

<a id="p106441"></a>II.12.1.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106442"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106443"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106444"></a>                  дизельных   двигателей,   указанных   в  пунктах
<a id="p106445"></a>                  I.11.1.2. - I.11.1.2.4.

<a id="p106446"></a>II.12.1.5.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p106447"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p106448"></a>                  поверхности топливных отсеков для  изолированных
<a id="p106449"></a>                  от  атмосферы  двигательных  систем  с  выходной
<a id="p106450"></a>                  мощностью, превышающей 2 кВт, имеющих какую-либо
<a id="p106451"></a>                  из следующих характеристик:

<a id="p106452"></a>II.12.1.5.1.           приборы или      глушители,      специально
<a id="p106453"></a>                       спроектированные  для  снижения  шума   под
<a id="p106454"></a>                       водой   с   частотами   ниже  10  кГц,  или
<a id="p106455"></a>                       специально   смонтированные   приборы   для
<a id="p106456"></a>                       смягчения хлопка выброса;

<a id="p106457"></a>II.12.1.5.2.           системы, специально   спроектированные  для
<a id="p106458"></a>                       прессования  продуктов  реакции   или   для
<a id="p106459"></a>                       реформации   топлива,   хранения  продуктов
<a id="p106460"></a>                       реакции или выхлопа продуктов  реакции  при
<a id="p106461"></a>                       противодавлении в 100 кПа или более

<a id="p106462"></a>II.12.1.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106463"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p106464"></a>                  проектирования и производства топливных отсеков,
<a id="p106465"></a>                  указанных в пунктах I. 11.1.3. - I.11.1.3.2.

<a id="p106466"></a>II.12.1.7.        Конструкция и технология производства  подъемных
<a id="p106467"></a>                  вентиляторов  с  уровнем мощности более 400 кВт,
<a id="p106468"></a>                  специально   спроектированных   для   судов    с
<a id="p106469"></a>                  поверхностным   эффектом,  указанных  в  пунктах
<a id="p106470"></a>                  I.13.1. 6. или I.13.1.7.

<a id="p106471"></a>II.12.1.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106472"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106473"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106474"></a>                  подъемных   вентиляторов,   указанных  в  пункте
<a id="p106475"></a>                  I.11.2.

<a id="p106476"></a>II.12.1.9.        Конструкция и      технология      производства,
<a id="p106477"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p106478"></a>                  поверхности систем движителей с  водяным  винтом
<a id="p106479"></a>                  или      передачи      мощности,      специально
<a id="p106480"></a>                  спроектированных  для  судов   с   поверхностным
<a id="p106481"></a>                  эффектом  (полностью изменяемой или неизменяемой
<a id="p106482"></a>                  поверхностной  конфигурацией),   для   судов   с
<a id="p106483"></a>                  гидрокрыльями  и  на  небольшом подводном крыле,
<a id="p106484"></a>                  указанных в пунктах I.13.1.6. - I.13.1.9.:

<a id="p106485"></a>II.12.1.9.1.           суперкавитационных,     супервентиляторных,
<a id="p106486"></a>                       частично    погруженных    или   опускаемых
<a id="p106487"></a>                       (проникающих через поверхность)  движителей
<a id="p106488"></a>                       с уровнем мощности более 7,5 МВт;

<a id="p106489"></a>II.12.1.9.2.           соосных гребных   винтов   противоположного
<a id="p106490"></a>                       вращения с  уровнем  передаваемой  мощности
<a id="p106491"></a>                       более 15 МВт;

<a id="p106492"></a>II.12.1.9.3.           систем, служащих  для  выравнивания потока,
<a id="p106493"></a>                       набегающего на движитель;

<a id="p106494"></a>II.12.1.9.4.           легковесного, высокого  качества  (значение
<a id="p106495"></a>                       К-фактора превышает 300) редуктора;

<a id="p106496"></a>II.12.1.9.5.           систем передачи   мощности  трансмиссионным
<a id="p106497"></a>                       валом,     включающих     компоненты     из
<a id="p106498"></a>                       композиционных     материалов  и  способных
<a id="p106499"></a>                       осуществлять передачу мощности,  большую  1
<a id="p106500"></a>                       Мвт

<a id="p106501"></a>II.12.1.10.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106502"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p106503"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p106504"></a>                  систем, указанных в пунктах I.11.3. - I.11.3.5.

<a id="p106505"></a>II.12.1.11.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p106506"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p106507"></a>                  поверхности движителей с водяным винтом, системы
<a id="p106508"></a>                  получения  и  передачи энергии для применения на
<a id="p106509"></a>                  судах:

<a id="p106510"></a>II.12.1.11.1.          гребных винтов  регулируемого шага и сборки
<a id="p106511"></a>                       ступицы с уровнем передачи  мощности  более
<a id="p106512"></a>                       30 МВт;

<a id="p106513"></a>II.12.1.11.2.          электрических двигателей      с     водяным
<a id="p106514"></a>                       внутренним охлаждением и выходной мощностью
<a id="p106515"></a>                       выше 2,5 МВт;

<a id="p106516"></a>II.12.1.11.3.          магнитогидродинамических движителей       с
<a id="p106517"></a>                       выходной  мощностью   более   0,1   МВт   с
<a id="p106518"></a>                       применением сверхпроводимости;

<a id="p106519"></a>II.12.1.11.4.          систем передачи   мощности  трансмиссионным
<a id="p106520"></a>                       валом,     включающих     компоненты     из
<a id="p106521"></a>                       композиционных   материалов   и   способных
<a id="p106522"></a>                       осуществлять передачу мощности,  большую  2
<a id="p106523"></a>                       МВт;

<a id="p106524"></a>II.12.1.11.5.          систем вентиляторных     (или    на    базе
<a id="p106525"></a>                       вентиляторных)     винтов     с     уровнем
<a id="p106526"></a>                       передаваемой мощности более 2,5 МВт

<a id="p106527"></a>II.12.1.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106528"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106529"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106530"></a>                  движителей,   указанных   в  пунктах  I.11.4.  -
<a id="p106531"></a>                  I.11.4.5.

<a id="p106532"></a>II.12.1.13.       Конструкция, технологии      производства      и
<a id="p106533"></a>                  капитального  ремонта  систем  снижения шума для
<a id="p106534"></a>                  применения на судах водоизмещением 1000 тонн или
<a id="p106535"></a>                  более:

<a id="p106536"></a>II.12.1.13.1.          систем снижения шума,  уменьшающих  уровень
<a id="p106537"></a>                       шума  частотой  ниже  500 Гц и состоящих из
<a id="p106538"></a>                       компаундных   акустических    сборок    для
<a id="p106539"></a>                       акустической изоляции дизельных двигателей,
<a id="p106540"></a>                       дизельгенераторных    установок,    газовых
<a id="p106541"></a>                       турбин,      газотурбинных     генераторных
<a id="p106542"></a>                       установок,   двигательных   установок   или
<a id="p106543"></a>                       редукторов, специально спроектированных для
<a id="p106544"></a>                       звуковой или вибрационной изоляции, имеющих
<a id="p106545"></a>                       усредненную массу свыше 30%  от массы всего
<a id="p106546"></a>                       монтируемого оборудования;

<a id="p106547"></a>II.12.1.13.2.          активных систем  снижения  шума   или   его
<a id="p106548"></a>                       погашения,  или  подшипников  на  магнитном
<a id="p106549"></a>                       подвесе,  специально  спроектированных  для
<a id="p106550"></a>                       мощных трансмиссионных систем, и включающих
<a id="p106551"></a>                       электронные системы  управления,  способные
<a id="p106552"></a>                       активно   снижать   вибрации   оборудования
<a id="p106553"></a>                       генерацией антишумовых или антивибрационных
<a id="p106554"></a>                       сигналов непосредственно у источника шума

<a id="p106555"></a>II.12.1.14.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106556"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106557"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p106558"></a>                  систем   снижения   шума,  указанных  в  пунктах
<a id="p106559"></a>                  I.11.5. - I.11.5.2.

<a id="p106560"></a>II.12.1.15.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p106561"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p106562"></a>                  поверхности   систем   движения   на    струйном
<a id="p106563"></a>                  двигателе    с    уровнем   выходной   мощности,
<a id="p106564"></a>                  превышающим 2,5 МВт,  использующих отклоняющееся
<a id="p106565"></a>                  сопло  и  технику  регулирования потока лопаткой
<a id="p106566"></a>                  (лопастью)  с  целью  увеличения   эффективности
<a id="p106567"></a>                  движителя или снижения генерируемых движителем и
<a id="p106568"></a>                  распространяемых под водой шумов

<a id="p106569"></a>II.12.1.16.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p106570"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p106571"></a>                  проектирования,  производства или  применения  в
<a id="p106572"></a>                  системах   движения   на   струйном   двигателе,
<a id="p106573"></a>                  указанных в пункте I.11.6.

<a id="p106574"></a>II.12.1.17.       Специфическое программное           обеспечение,
<a id="p106575"></a>                  специально  созданное  или  модифицированное для
<a id="p106576"></a>                  разработки,  производства,   текущего   ремонта,
<a id="p106577"></a>                  капитального  ремонта или восстановления чистоты
<a id="p106578"></a>                  поверхности (ремашинизации)  винтов,  специально
<a id="p106579"></a>                  спроектированных для снижения их шума под водой

<a id="p106580"></a>II.12.1.18.       Технология производства,    текущего    ремонта,
<a id="p106581"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p106582"></a>                  поверхности  (ремашинизации) винтов,  специально
<a id="p106583"></a>                  спроектированных для снижения их шума под водой

<a id="p106584"></a>II.12.2.          Конструкция и технология производства, ремонта и
<a id="p106585"></a>                  восстановления  морских газотурбинных двигателей
<a id="p106586"></a>                  с  эксплуатационной  мощностью  13,795  кВт  или
<a id="p106587"></a>                  более  и  удельным  расходом топлива менее 0,243
<a id="p106588"></a>                  кг/(кВт  х   ч)   и   специально   разработанных
<a id="p106589"></a>                  агрегатов и компонентов для таких двигателей

<a id="p106590"></a>II.12.3.          Программное обеспечение,     необходимое     для
<a id="p106591"></a>                  проектирования    и     производства     морских
<a id="p106592"></a>                  газотурбинных  двигателей,  указанных  в  пункте
<a id="p106593"></a>                  I.11.7.

<a id="p106594"></a>II.12.4.          Программное обеспечение,  необходимое для работы
<a id="p106595"></a>                  полностью     автономных     электронно-цифровых
<a id="p106596"></a>                  контроллеров для двигательных систем,  указанных
<a id="p106597"></a>                  в пункте I.11.7.

<a id="p106598"></a>II.12.5.          Конструкция и технология производства специально
<a id="p106599"></a>                  разработанных    агрегатов     и     компонентов
<a id="p106600"></a>                  газотурбинных двигателей

<a id="p106601"></a>II.12.5.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p106602"></a>                  многокупольных камер  сгорания,  работающих  при
<a id="p106603"></a>                  средних  температурах  на выходе из камеры свыше
<a id="p106604"></a>                  1643 К (1370 С) или камер  сгорания,  содержащих
<a id="p106605"></a>                  термически  разделенные  теплозащитные элементы,
<a id="p106606"></a>                  неметаллические   теплозащитные   элементы   или
<a id="p106607"></a>                  неметаллические корпуса

<a id="p106608"></a>II.12.5.2.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p106609"></a>                  компонентов,   изготовленных   из   органических
<a id="p106610"></a>                  композиционных    материалов    для   температур
<a id="p106611"></a>                  применения  свыше  588  К   (315   С)   или   из
<a id="p106612"></a>                  металлических      матричных     композиционных,
<a id="p106613"></a>                  керамических    матричных,    интерметаллических
<a id="p106614"></a>                  усиленных материалов, в том числе из материалов,
<a id="p106615"></a>                  указанных в пунктах I.3.3. - I.3.3.2.

<a id="p106616"></a>II.12.5.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p106617"></a>                  неохлаждаемых   турбинных   лопаток,   лопастей,
<a id="p106618"></a>                  верхних частей венцов  или  других  компонентов,
<a id="p106619"></a>                  спроектированных  для  работы в газовом потоке с
<a id="p106620"></a>                  температурой в 1323 К (1050 С) или выше

<a id="p106621"></a>II.12.5.4.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p106622"></a>                  охлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних
<a id="p106623"></a>                  частей венцов иных,  кроме указанных  в  пунктах
<a id="p106624"></a>                  I.11.8.1.  и I.11.8.2.,  работающих без тепловой
<a id="p106625"></a>                  защиты при температуре газа в 1643  К  (1370  С)
<a id="p106626"></a>                  или выше

<a id="p106627"></a>II.12.5.5.        Технология производства  и  крепления  турбинных
<a id="p106628"></a>                  лопаток  и  композитов,  способных   выдерживать
<a id="p106629"></a>                  более  чем  2000  кВт при скоростях потока свыше
<a id="p106630"></a>                  0,55 М

<a id="p106631"></a>II.12.5.6.        Конструкция и технология производства комбинаций
<a id="p106632"></a>                  лопасти  с  профилем  крыла - диском турбины,  с
<a id="p106633"></a>                  использованием  метода  соединения  элементов  в
<a id="p106634"></a>                  твердом состоянии

<a id="p106635"></a>II.12.5.7.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p106636"></a>                  высокоресурсных     вращающихся      компонентов
<a id="p106637"></a>                  газотурбинного      двигателя,      использующих
<a id="p106638"></a>                  материалы,  изготовленные   методом   порошковой
<a id="p106639"></a>                  металлургии

<a id="p106640"></a>II.12.5.8.        Конструкция и  технология  производства  системы
<a id="p106641"></a>                  автономного электронно-цифрового контроллера для
<a id="p106642"></a>                  газотурбинных     двигателей     и    двигателей
<a id="p106643"></a>                  комбинированного  цикла,  относящегося   к   ней
<a id="p106644"></a>                  диагностического    оборудования,   датчиков   и
<a id="p106645"></a>                  специально спроектированных элементов

<a id="p106646"></a>II.12.5.9.        Конструкция и  технология  производства   систем
<a id="p106647"></a>                  управления  геометрией  газового потока и систем
<a id="p106648"></a>                  управления в целом для:

<a id="p106649"></a>II.12.5.9.1.           газогенераторных турбин;

<a id="p106650"></a>II.12.5.9.2.           вентиляторных или мощных турбин
<a id="p106651"></a>                      Примечание. По    пунктам    II.12.5.9.    -
<a id="p106652"></a>                  II.12.5.9.2.     экспортный     контроль      не
<a id="p106653"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p106654"></a>                  производства систем управления газового  потока,
<a id="p106655"></a>                  осуществляемого с целью реверса тяги

<a id="p106656"></a>II.12.5.10.       Конструкция и  технология  производства   систем
<a id="p106657"></a>                  управления  зазором  между  венцом  и  лопатками
<a id="p106658"></a>                  ротора,   использующих    технологию    активной
<a id="p106659"></a>                  компенсации зазора турбинным кожухом

<a id="p106660"></a>II.12.5.11.       Конструкция и  технология  производства  газовых
<a id="p106661"></a>                  подшипников  для  сборок  ротора  газотурбинного
<a id="p106662"></a>                  двигателя

<a id="p106663"></a>II.12.5.12.       Конструкция и технология производства пустотелых
<a id="p106664"></a>                  лопаток  с  широкой  хордой  без   межпролетного
<a id="p106665"></a>                  крепления

<a id="p106666"></a>II.12.6.          Программное обеспечение,     необходимое     для
<a id="p106667"></a>                  проектирования   или   производства   специально
<a id="p106668"></a>                  разработанных     агрегатов     и    компонентов
<a id="p106669"></a>                  газотурбинных двигателей,  указанных  в  пунктах
<a id="p106670"></a>                  I.11.8. - I.11.8.13.

<a id="p106671"></a>II.12.7.          Программное обеспечение    в   коде   источника,
<a id="p106672"></a>                  объектном  или  машинном  коде,  требуемое   для
<a id="p106673"></a>                  применения  в  активных компенсационных системах
<a id="p106674"></a>                  для управления зазором между венцом и  лопатками
<a id="p106675"></a>                  ротора, указанных в пункте I.11.8.11.
<a id="p106676"></a>                      Примечание. По  пункту  II.12.7.  экспортный
<a id="p106677"></a>                  контроль  не  распространяется  на   программное
<a id="p106678"></a>                  обеспечение,  вложенное в не подлежащее контролю
<a id="p106679"></a>                  оборудование  или  требуемое  для   технического
<a id="p106680"></a>                  обслуживания,   связанного   с  калибровкой  или
<a id="p106681"></a>                  ремонтом или модернизацией системы управления  с
<a id="p106682"></a>                  активной компенсацией зазора

<a id="p106683"></a>II.12.8.          Технология производства              компонентов
<a id="p106684"></a>                  газотурбинных    двигателей    с     применением
<a id="p106685"></a>                  лазерного,  водоструйного или электроэрозионного
<a id="p106686"></a>                  электротехнического методов сверления  отверстий
<a id="p106687"></a>                  (полостей):

<a id="p106688"></a>II.12.8.1.             глубиной, более чем в  4  раза  большей  их
<a id="p106689"></a>                       диаметра, диаметром меньше 0,76 мм и углами
<a id="p106690"></a>                       наклона, равными или менее 25 град.;

<a id="p106691"></a>II.12.8.2.             глубиной, более чем  в  5  раз  большей  их
<a id="p106692"></a>                       диаметра,  диаметром меньше 0,4 мм и углами
<a id="p106693"></a>                       наклона более 25 град.
<a id="p106694"></a>                      Примечание. применительно к пункту  II.12.8.
<a id="p106695"></a>                  угол    наклона   измеряется   от   поверхности,
<a id="p106696"></a>                  обдуваемой потоком,  тангенциально в точке,  где
<a id="p106697"></a>                  ось отверстия пересекается с этой поверхностью

<a id="p106698"></a>II.12.9.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p106699"></a>                  вертолетных  систем передачи мощности или систем
<a id="p106700"></a>                  передачи мощности на заваленный несущий винт или
<a id="p106701"></a>                  заваленное    крыло    воздушного   летательного
<a id="p106702"></a>                  аппарата:

<a id="p106703"></a>II.12.9.1.             способных снизить   операционное  время  на
<a id="p106704"></a>                       смазку на 30 мин и более;

<a id="p106705"></a>II.12.9.2.             имеющих на  входе  соотношение  мощности  и
<a id="p106706"></a>                       веса 8,87 кВт/кг и более

<a id="p106707"></a>II.12.10.         Конструкция и технология производства поршневого
<a id="p106708"></a>                  дизельного  двигателя  наземных систем станции с
<a id="p106709"></a>                  силовой установкой, имеющей объем бокса 1,2 куб.
<a id="p106710"></a>                  м или меньше, полную выходную мощность более чем
<a id="p106711"></a>                  750  кВт,  плотность  мощности  более  чем   700
<a id="p106712"></a>                  кВт/куб. м объема бокса
<a id="p106713"></a>                      Примечание. Объем   бокса  определяется  как
<a id="p106714"></a>                  производная   трех   значений   перпендикуляров,
<a id="p106715"></a>                  измеренных следующим образом:
<a id="p106716"></a>                    длина:    длина коленчатого  вала от переднего
<a id="p106717"></a>                             фланца до лицевой плоскости маховика;
<a id="p106718"></a>                    ширина:   максимальное значение   из следующих
<a id="p106719"></a>                              измерений:
<a id="p106720"></a>                       внешнего расстояния от одной крайней крышки
<a id="p106721"></a>                       клапана до другой крайней крышки;
<a id="p106722"></a>                       расстояния между краями головок цилиндров;
<a id="p106723"></a>                       диаметра кожуха маховика;
<a id="p106724"></a>                    высота:    наибольшее из следующих измерений:
<a id="p106725"></a>                       расстояния от  оси  коленчатого   вала   до
<a id="p106726"></a>                       верхней  плоскости  клапанной  крышки  (или
<a id="p106727"></a>                       головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода
<a id="p106728"></a>                       поршня;
<a id="p106729"></a>                       диаметра кожуха маховика.

<a id="p106730"></a>II.12.11.         Конструкция и технология производства специально
<a id="p106731"></a>                  спроектированных   компонентов,  предназначенных
<a id="p106732"></a>                  для  дизельных  двигателей  с  высокой  выходной
<a id="p106733"></a>                  мощностью
<a id="p106734"></a>                      Примечание. Дизельные  двигатели  с  высокой
<a id="p106735"></a>                  выходной мощностью - это двигатели с номинальным
<a id="p106736"></a>                  значением  эффективного  давления торможения 1,8
<a id="p106737"></a>                  МПа или более при скорости вращения 2300 об/мин,
<a id="p106738"></a>                  обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин или
<a id="p106739"></a>                  более

<a id="p106740"></a>II.12.11.1.       Конструкция и  технология  производства   систем
<a id="p106741"></a>                  двигателя,  имеющего  гильзы цилиндров,  поршни,
<a id="p106742"></a>                  головки  цилиндров,  один   или   более   других
<a id="p106743"></a>                  компонентов    (включая   выхлопные   отверстия,
<a id="p106744"></a>                  турбонаддув,   направляющие   клапанов,   сборки
<a id="p106745"></a>                  клапана  или изолированные топливные инжекторы),
<a id="p106746"></a>                  изготовленные из керамических материалов

<a id="p106747"></a>II.12.11.2.       Конструкция и  технология  производства   систем
<a id="p106748"></a>                  турбонаддува  с  одноступенчатыми компрессорами,
<a id="p106749"></a>                  имеющих соотношение  давлений  (степень  сжатия)
<a id="p106750"></a>                  4:1  или выше,  расход топлива в диапазоне от 30
<a id="p106751"></a>                  до 130 кг/мин  и  способность  изменять  сечение
<a id="p106752"></a>                  потока внутри компрессора или секций турбины

<a id="p106753"></a>II.12.11.3.       Конструкция и   технология  производства  систем
<a id="p106754"></a>                  топливной      инжекции      со       специально
<a id="p106755"></a>                  спроектированной многотопливной (т.е.  дизельным
<a id="p106756"></a>                  или обычным топливом) способностью  к  изменению
<a id="p106757"></a>                  вязкости   топлива  в  диапазоне  от  дизельного
<a id="p106758"></a>                  топлива (2,5 сантистокса при 310,8 К  (37,8  С))
<a id="p106759"></a>                  до  бензина  (0,5  сантистокса при 310,8 К (37,8
<a id="p106760"></a>                  С)), имеющих инжектируемое количество больше чем
<a id="p106761"></a>                  230  куб.  м  на  один  впрыск  в один цилиндр и
<a id="p106762"></a>                  детали специально спроектированного электронного
<a id="p106763"></a>                  управления   для   регулятора   переключения   и
<a id="p106764"></a>                  автоматического   измерения   характеристик    в
<a id="p106765"></a>                  зависимости  от  определенного  значения момента
<a id="p106766"></a>                  вращения применением адаптивных датчиков

<a id="p106767"></a>II.12.12.         Конструкция и технология производства  дизельных
<a id="p106768"></a>                  двигателей   с   высокой  выходной  мощностью  с
<a id="p106769"></a>                  твердыми,  газофазными или жидкопленочными  (или
<a id="p106770"></a>                  их   комбинациями)  смазками  стенок  цилиндров,
<a id="p106771"></a>                  позволяющими      выдерживать       температуры,
<a id="p106772"></a>                  превышающие 723 К (450 С),  измеряемые на стенке
<a id="p106773"></a>                  цилиндра  в  верхней  предельной  точке  касания
<a id="p106774"></a>                  поршневого кольца


## <a id="p106775"></a>Раздел II.13. Лазеры и оптическое оборудование


<a id="p106776"></a>II.13.1.          Оптика

<a id="p106777"></a>II.13.1.1.        Конструкция и технология производства оптических
<a id="p106778"></a>                  зеркал (отражателей)

<a id="p106779"></a>II.13.1.1.1.      Конструкция и    технология    разработки    или
<a id="p106780"></a>                  производства деформируемых зеркал с непрерывными
<a id="p106781"></a>                  либо    многоэлементными     поверхностями     и
<a id="p106782"></a>                  специальными       компонентами,      способными
<a id="p106783"></a>                  динамически   менять   расположение    элементов
<a id="p106784"></a>                  поверхности с частотой свыше 100 Гц

<a id="p106785"></a>II.13.1.1.2.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p106786"></a>                  сверхлегких   монолитных   зеркал   со   средней
<a id="p106787"></a>                  эквивалентной  плотностью  менее  30 кг/кв.  м и
<a id="p106788"></a>                  суммарной массой более 10 кг

<a id="p106789"></a>II.13.1.1.3.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p106790"></a>                  сверхлегких   составных  или  пенных  зеркальных
<a id="p106791"></a>                  структур  со  средней  эквивалентной  плотностью
<a id="p106792"></a>                  менее 30 кг/кв. м и суммарной массой более 2 кг

<a id="p106793"></a>II.13.1.1.4.      Конструкция и   технология  производства  зеркал
<a id="p106794"></a>                  диаметром или с длиной большей оси более 100  мм
<a id="p106795"></a>                  и  с управлением лучом в полосе частот более 100
<a id="p106796"></a>                  Гц

<a id="p106797"></a>II.13.1.1.5.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p106798"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106799"></a>                  производства   зеркал,   указанных   в   пунктах
<a id="p106800"></a>                  I.12.1.1.1. - I.12.1.4.

<a id="p106801"></a>II.13.1.2.        Конструкция и технология производства оптических
<a id="p106802"></a>                  компонентов  из  селенида   цинка   (ZnSe)   или
<a id="p106803"></a>                  сульфида  цинка  (ZnS)  с  передачей в диапазоне
<a id="p106804"></a>                  длин волн свыше 3000 нм,  но не более 25000  нм,
<a id="p106805"></a>                  имеющих одну из следующих характеристик:

<a id="p106806"></a>II.13.1.2.1.           объем более 100 куб. см;

<a id="p106807"></a>II.13.1.2.2.           диаметр или длина большей оси более 80 мм и
<a id="p106808"></a>                       толщина (глубина) 20 мм и более

<a id="p106809"></a>II.13.1.2.3.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p106810"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106811"></a>                  производства оптических компонентов из  селенида
<a id="p106812"></a>                  цинка (ZnSe) или сульфида цинка (ZnS), указанных
<a id="p106813"></a>                  в пунктах I.12.1.2. - I. 12.1.2.2.

<a id="p106814"></a>II.13.1.3.        Технологии производства  компонентов  оптических
<a id="p106815"></a>                  систем для космических применений

<a id="p106816"></a>II.13.1.3.1.      Технология производства  сверхлегких  оптических
<a id="p106817"></a>                  элементов с эквивалентной плотностью  менее  чем
<a id="p106818"></a>                  20% по сравнению с твердотельными пластинами той
<a id="p106819"></a>                  же апертуры и толщины

<a id="p106820"></a>II.13.1.3.2.      Технология производства подложек с поверхностным
<a id="p106821"></a>                  покрытием       (однослойным,      многослойным,
<a id="p106822"></a>                  металлическим или  диэлектрическим,  проводящим,
<a id="p106823"></a>                  полупроводящим  или  изолирующим) или подложек с
<a id="p106824"></a>                  защитными пленками

<a id="p106825"></a>II.13.1.3.3.      Технология производства  сегментов   или   узлов
<a id="p106826"></a>                  зеркал  для  установки  в  космосе  в оптические
<a id="p106827"></a>                  системы с  общей  апертурой,  эквивалентной  или
<a id="p106828"></a>                  большей 1 м

<a id="p106829"></a>II.13.1.3.4.      Технология производства  компонентов  оптических
<a id="p106830"></a>                  систем,    изготовленных    из    композиционных
<a id="p106831"></a>                  материалов  с  коэффициентом линейного теплового
<a id="p106832"></a>                  расширения,  равным  или   меньшим   5x10E-6   в
<a id="p106833"></a>                  направлении любой координаты

<a id="p106834"></a>II.13.1.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106835"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106836"></a>                  производства  компонентов  оптических систем для
<a id="p106837"></a>                  космического  применения,  указанных  в  пунктах
<a id="p106838"></a>                  I.12.1.3. - I.12.1.3.4.

<a id="p106839"></a>II.13.1.5.        Технология производства оптических фильтров

<a id="p106840"></a>II.13.1.5.1.      Технология производства  оптических фильтров для
<a id="p106841"></a>                  длин волн более 250 нм,  включающих многослойные
<a id="p106842"></a>                  оптические покрытия и имеющих полосу пропускания
<a id="p106843"></a>                  до половинной интенсивности до 1 нм включительно
<a id="p106844"></a>                  и  пиковую  передачу  90%  и  более,  или полосу
<a id="p106845"></a>                  пропускания до 0,1  нм  включительно  и  пиковую
<a id="p106846"></a>                  передачу 50% и более
<a id="p106847"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p106848"></a>                  II.13.1.5.1.  не  распространяется на технологию
<a id="p106849"></a>                  производства оптических  фильтров  с  постоянным
<a id="p106850"></a>                  воздушным зазором или фильтров типа Лио

<a id="p106851"></a>II.13.1.5.2.      Технология производства оптических фильтров  для
<a id="p106852"></a>                  длин волн более 250 нм,  имеющих настраиваемость
<a id="p106853"></a>                  в  спектральном  диапазоне  500  нм   и   более,
<a id="p106854"></a>                  мгновенную полосу пропускания 1,25 нм или менее,
<a id="p106855"></a>                  установку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм  или
<a id="p106856"></a>                  лучше  в пределах перестраиваемого спектрального
<a id="p106857"></a>                  диапазона,  однопиковый коэффициент  пропускания
<a id="p106858"></a>                  91% или более

<a id="p106859"></a>II.13.1.5.3.      Технология производства               оптических
<a id="p106860"></a>                  переключателей  на  конденсаторах  (фильтрах)  с
<a id="p106861"></a>                  полем  обзора  30  или  шире и временем отклика,
<a id="p106862"></a>                  равным или менее 1 нс

<a id="p106863"></a>II.13.1.5.4.      Технология производства  оптических  фильтров  с
<a id="p106864"></a>                  шириной  полосы пропускания,  равной или меньшей
<a id="p106865"></a>                  10 нм, полем обзора более 10 и разрешением свыше
<a id="p106866"></a>                  0,75 пар линий на мм

<a id="p106867"></a>II.13.1.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106868"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106869"></a>                  производства  оптических  фильтров,  указанных в
<a id="p106870"></a>                  пунктах I.12.1.4. - I.12.1.4.3. и II.13.1.5.4.

<a id="p106871"></a>II.13.1.7.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p106872"></a>                  оптического контроля

<a id="p106873"></a>II.13.1.7.1.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p106874"></a>                  аппаратуры,   специально    разработанной    для
<a id="p106875"></a>                  обеспечения  качества поверхности или ориентации
<a id="p106876"></a>                  оптических  компонентов,  указанных  в   пунктах
<a id="p106877"></a>                  I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3.

<a id="p106878"></a>II.13.1.7.2.      Программное обеспечение,   специально  созданное
<a id="p106879"></a>                  для проектирования или производства  аппаратуры,
<a id="p106880"></a>                  специально разработанной для обеспечения расчета
<a id="p106881"></a>                  поверхности    или     ориентации     оптических
<a id="p106882"></a>                  компонентов, указанных в пункте I.12.1.5.1.

<a id="p106883"></a>II.13.1.7.3.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p106884"></a>                  аппаратуры,   имеющей   управление,    слежение,
<a id="p106885"></a>                  стабилизацию или подстройку резонатора с полосой
<a id="p106886"></a>                  частот,  равной или более 100 Гц, и погрешностью
<a id="p106887"></a>                  10 мкрад или менее

<a id="p106888"></a>II.13.1.7.4.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p106889"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106890"></a>                  производства   аппаратуры,  указанной  в  пункте
<a id="p106891"></a>                  I.12.1.5.2.

<a id="p106892"></a>II.13.1.7.5.      Конструкция и технология производства кардановых
<a id="p106893"></a>                  подвесов   с   максимальным  углом  поворота  5,
<a id="p106894"></a>                  шириной полосы частот более 100  Гц,  обладающих
<a id="p106895"></a>                  любой из следующих характеристик:

<a id="p106896"></a>II.13.1.7.5.1.         диаметр или длина большей оси более 0,15 м,
<a id="p106897"></a>                       но не более 1 м, чувствительность к угловым
<a id="p106898"></a>                       ускорениям более
<a id="p106899"></a>                              2
<a id="p106900"></a>                       2 рад/с, погрешность углового наведения 200
<a id="p106901"></a>                       мкрад или менее;

<a id="p106902"></a>II.13.1.7.5.2.
<a id="p106903"></a>                       специально разработанных    для   юстировки
<a id="p106904"></a>                       фазированных   решеток   или   фазированных
<a id="p106905"></a>                       систем   сегментных  зеркал,  состоящих  из
<a id="p106906"></a>                       зеркал с диаметром сегмента или его большей
<a id="p106907"></a>                       полуоси   1   м   или   более,   обладающих
<a id="p106908"></a>                       чувствительностью к угловым
<a id="p106909"></a>                                                 2
<a id="p106910"></a>                       ускорениям более 0,5 рад/с  и  погрешностью
<a id="p106911"></a>                       углового наведения 200 мкрад или менее

<a id="p106912"></a>II.13.1.7.6.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p106913"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106914"></a>                  производства  кардановых  подвесов,  указанных в
<a id="p106915"></a>                  пунктах I.12.1.5.3. - I.12.1.5.3.2.

<a id="p106916"></a>II.13.1.8.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p106917"></a>                  для измерения абсолютного значения отражательной
<a id="p106918"></a>                  способности с погрешностью +-0,1% или менее

<a id="p106919"></a>II.13.1.9.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p106920"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p106921"></a>                  производства    аппаратуры     для     измерения
<a id="p106922"></a>                  абсолютного значения отражательной способности с
<a id="p106923"></a>                  погрешностью +-0,1% или менее

<a id="p106924"></a>II.13.1.10.       Технология обработки   и   покрытия   оптических
<a id="p106925"></a>                  поверхностей  с  общими  потерями  (поглощение и
<a id="p106926"></a>                  рассеяние) менее чем  5x10E-3  и  диаметром  или
<a id="p106927"></a>                  длиной большей оси 500 мм и более, требуемая для
<a id="p106928"></a>                  достижения  однородности   оптических   покрытий
<a id="p106929"></a>                  99,5% или лучше

<a id="p106930"></a>II.13.1.11.       Технология производства    серийно   выпускаемых
<a id="p106931"></a>                  оптических компонентов с суммарной  поверхностью
<a id="p106932"></a>                  более  10 кв.  м в год,  или разовой продукции с
<a id="p106933"></a>                  площадью более 1 кв.  м  и  среднеквадратической
<a id="p106934"></a>                  погрешностью   обработки  1/10  длины  волны  на
<a id="p106935"></a>                  заданной длине волны

<a id="p106936"></a>II.13.1.12.       Методы одноточечного    вращения    алмазов    с
<a id="p106937"></a>                  получением     конечной     среднеквадратической
<a id="p106938"></a>                  точности обработки поверхности лучше чем  10  нм
<a id="p106939"></a>                  на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв.
<a id="p106940"></a>                  м

<a id="p106941"></a>II.13.2.          Конструкция и технология производства оптических
<a id="p106942"></a>                  датчиков

<a id="p106943"></a>II.13.2.1.        Конструкция и технология производства оптических
<a id="p106944"></a>                  детекторов
<a id="p106945"></a>                      Примечание. Экспортный контроль  по  пунктам
<a id="p106946"></a>                  II.13.2.1. - II.13.2.1.4. не распространяется на
<a id="p106947"></a>                  конструкцию    и     технологию     производства
<a id="p106948"></a>                  германиевых или кремниевых фотодиодов

<a id="p106949"></a>II.13.2.1.1.      Конструкция и технология производства оптических
<a id="p106950"></a>                  детекторов для использования в  космосе  в  виде
<a id="p106951"></a>                  единичного   элемента,   линейки   в   фокальной
<a id="p106952"></a>                  плоскости или двух двумерных элементов, имеющих:

<a id="p106953"></a>II.13.2.1.1.1.         групповой отклик  на длине волны короче 300
<a id="p106954"></a>                       нм  и  отклик   менее   0,1%   относительно
<a id="p106955"></a>                       пикового  отклика  на длине волны свыше 400
<a id="p106956"></a>                       нм;

<a id="p106957"></a>II.13.2.1.1.2.         пиковый отклик в диапазоне длин волн  свыше
<a id="p106958"></a>                       900 нм,  но не более 1200 нм,  и постоянную
<a id="p106959"></a>                       времени отклика 95 нс или менее;

<a id="p106960"></a>II.13.2.1.1.3.         пиковый отклик в диапазоне длин волн  более
<a id="p106961"></a>                       1200 нм, но не свыше 30000 нм

<a id="p106962"></a>II.13.2.1.2.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p106963"></a>                  электронно-оптических   усилителей   яркости   и
<a id="p106964"></a>                  специальных компонентов

<a id="p106965"></a>II.13.2.1.2.1.    Конструкция и      технология       производства
<a id="p106966"></a>                  электронно-оптических     усилителей    яркости,
<a id="p106967"></a>                  имеющих пиковый отклик  в  диапазоне  длин  волн
<a id="p106968"></a>                  свыше   400   нм,   но   не   более   1050   нм,
<a id="p106969"></a>                  микроканальный анод для  электронного  усилителя
<a id="p106970"></a>                  изображения  с шагом отверстий (расстояние между
<a id="p106971"></a>                  центрами) менее 25 мкм и фотокатоды S-20,  S-25,
<a id="p106972"></a>                  многощелевой  фотокатод  или  фотокатоды из GaAs
<a id="p106973"></a>                  или GaInAs

<a id="p106974"></a>II.13.2.1.2.2.    Конструкция и технология производства специально
<a id="p106975"></a>                  разработанных           компонентов          для
<a id="p106976"></a>                  электронно-оптических усилителей яркости:

<a id="p106977"></a>II.13.2.1.2.2.1.       оптоволоконных инверторов;

<a id="p106978"></a>II.13.2.1.2.2.2.       микроканальных анодов,  имеющих  15000  или
<a id="p106979"></a>                       более ламп с тлеющим разрядом  на  плате  и
<a id="p106980"></a>                       шаг  отверстий  (расстояние между центрами)
<a id="p106981"></a>                       менее 25 мкм;

<a id="p106982"></a>II.13.2.1.2.2.3.       фотокатодов из GaAs или GaInAs

<a id="p106983"></a>II.13.2.1.3.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p106984"></a>                  неэквидистантных линейных или двумерных матриц в
<a id="p106985"></a>                  фокальной   плоскости   с   одной  из  следующих
<a id="p106986"></a>                  характеристик:

<a id="p106987"></a>II.13.2.1.3.1.         имеющих отдельные    элементы   с   пиковым
<a id="p106988"></a>                       откликом в пределах  диапазона  волн  свыше
<a id="p106989"></a>                       900 нм,  но не более 1050 нм,  и постоянной
<a id="p106990"></a>                       времени отклика менее 0,5 нс;

<a id="p106991"></a>II.13.2.1.3.2.         имеющих отдельные   элементы   с    пиковым
<a id="p106992"></a>                       откликом  в  пределах  диапазона волн свыше
<a id="p106993"></a>                       1050 нм,  но не более 1200 нм, и постоянной
<a id="p106994"></a>                       времени 95 нс или меньше;

<a id="p106995"></a>II.13.2.1.3.3.         имеющих отдельные    элементы   с   пиковым
<a id="p106996"></a>                       откликом в пределах  диапазона  волн  свыше
<a id="p106997"></a>                       1200 нм, но не более 30000 нм;

<a id="p106998"></a>II.13.2.1.4.      Конструкция и технология производства  одиночных
<a id="p106999"></a>                  или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов
<a id="p107000"></a>                  или фототранзисторов вне фокальной  плоскости  с
<a id="p107001"></a>                  пиковым  откликом на длине волны более 1200 нм и
<a id="p107002"></a>                  постоянной времени отклика 0,5 нс или менее,  не
<a id="p107003"></a>                  предназначенных для космических применений
<a id="p107004"></a>                      Примечания: 1.   Пункты    II.13.2.1.3.    -
<a id="p107005"></a>                  II.13.2.1.4.  включают  конструкцию производства
<a id="p107006"></a>                  матриц фотопроводимости и солнечных батарей
                  2. <a id="p107007"></a>Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не
<a id="p107008"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p107009"></a>                  производства  кремниевых  матриц   в   фокальной
<a id="p107010"></a>                  плоскости,    многоэлементных   (не   более   16
<a id="p107011"></a>                  элементов) фотопроводящих элементов  в  оболочке
<a id="p107012"></a>                  или  пироэлектрических детекторов,  использующих
<a id="p107013"></a>                  любой из следующих материалов:
<a id="p107014"></a>                       сульфид свинца;
<a id="p107015"></a>                       сульфат триглицерина и его разновидности;
<a id="p107016"></a>                       титанат циркония-лантана-свинца    и    его
<a id="p107017"></a>                       разновидности;
<a id="p107018"></a>                       танталат лития;
<a id="p107019"></a>                       фторид поливиниллидена и его разновидности;
<a id="p107020"></a>                       ниобат бария-стронция и его варианты;
<a id="p107021"></a>                       селенид свинца

<a id="p107022"></a>II.13.2.2.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p107023"></a>                  многоспектральных формирователей изображений для
<a id="p107024"></a>                  применений в дистанционном зондировании, имеющих
<a id="p107025"></a>                  любую из следующих характеристик:

<a id="p107026"></a>II.13.2.2.1.           мгновенное поле обзора менее 200 мкрад;

<a id="p107027"></a>II.13.2.2.2.           специально сконструированных  для  работы в
<a id="p107028"></a>                       диапазоне длин волн свыше  400  нм,  но  не
<a id="p107029"></a>                       более   30000   нм,  обеспечивающих  данные
<a id="p107030"></a>                       изображения на выходе в цифровом формате  с
<a id="p107031"></a>                       использованием   детекторов,   отличных  от
<a id="p107032"></a>                       кремниевых    и     предназначенных     для
<a id="p107033"></a>                       космического  применения или для воздушного
<a id="p107034"></a>                       базирования

<a id="p107035"></a>II.13.2.3.        Программное обеспечение специально разработанное
<a id="p107036"></a>                  для        использования       многоспектральных
<a id="p107037"></a>                  формирователей изображений,  указанный в пунктах
<a id="p107038"></a>                  I.12.2.2. - I.12.2.2.2.

<a id="p107039"></a>II.13.2.4.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p107040"></a>                  формирования    изображений    непосредственного
<a id="p107041"></a>                  наблюдения  в видимом или инфракрасном диапазоне
<a id="p107042"></a>                  включающей одно из следующих устройств:

<a id="p107043"></a>II.13.2.4.1.           электронно-оптические преобразователи   для
<a id="p107044"></a>                       усиления яркости изображения,  указанные  в
<a id="p107045"></a>                       пункте I.12.2.1.2.1.;

<a id="p107046"></a>II.13.2.4.2.           матрицы в фокальной плоскости,  указанные в
<a id="p107047"></a>                       пунктах I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.
<a id="p107048"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p107049"></a>                  II.13.2.4.2.  не распространяется на конструкцию
<a id="p107050"></a>                  и технологию производства следующей аппаратуры с
<a id="p107051"></a>                  фотокатодами,  отличными от фотокатодов на  GaAs
<a id="p107052"></a>                  или GaInAs:
<a id="p107053"></a>                       промышленных или    гражданских    датчиков
<a id="p107054"></a>                       охраны, систем учета или контроля дорожного
<a id="p107055"></a>                       или производственного движения;
<a id="p107056"></a>                       медицинской аппаратуры;
<a id="p107057"></a>                       промышленной аппаратуры    для    контроля,
<a id="p107058"></a>                       анализа или сортировки материалов;
<a id="p107059"></a>                       детекторов пламени для промышленных печей;
<a id="p107060"></a>                       аппаратуры, специально  разработанной   для
<a id="p107061"></a>                       промышленного использования

<a id="p107062"></a>II.13.2.5.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p107063"></a>                  специализированных  компонентов  для  оптических
<a id="p107064"></a>                  датчиков;

<a id="p107065"></a>II.13.2.5.1.           космического применения    с     криогенным
<a id="p107066"></a>                       охлаждением;

<a id="p107067"></a>II.13.2.5.2.           некосмического применения    с   криогенным
<a id="p107068"></a>                       охлаждением;

<a id="p107069"></a>II.13.2.5.2.1.         замкнутого цикла   со   средним    временем
<a id="p107070"></a>                       наработки  на  отказ  или  средним временем
<a id="p107071"></a>                       между отказами свыше 2500 ч;

<a id="p107072"></a>II.13.2.5.2.2.         саморегулирующихся              охладителей
<a id="p107073"></a>                       Джоуля-Томсона  с диаметром отверстия менее
<a id="p107074"></a>                       8 мм;

<a id="p107075"></a>II.13.2.5.3.           оптоволоконных датчиков:

<a id="p107076"></a>II.13.2.5.3.1.         специально изготовленных композиционно  или
<a id="p107077"></a>                       структурно,   или   модифицированных  путем
<a id="p107078"></a>                       покрытия,     с     чувствительностью     к
<a id="p107079"></a>                       акустическим,   термическим,   инерционным,
<a id="p107080"></a>                       электромагнитным или ядерным эффектам;

<a id="p107081"></a>II.13.2.5.3.2.         модифицированных структурно для  достижения
<a id="p107082"></a>                       длины  биений  менее  чем 50 мм (наибольшее
<a id="p107083"></a>                       двулучепреломление)

<a id="p107084"></a>II.13.3.          Конструкция и технология производства камер

<a id="p107085"></a>II.13.3.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p107086"></a>                  инструментальных камер

<a id="p107087"></a>II.13.3.1.1.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p107088"></a>                  высокоскоростных  записывающих кинокамер с любым
<a id="p107089"></a>                  форматом пленки от 8 мм до 16 мм включительно, в
<a id="p107090"></a>                  которых  пленка  движется  в процессе записи и в
<a id="p107091"></a>                  которых запись может производиться со  скоростью
<a id="p107092"></a>                  свыше 13150 кадров в секунду
<a id="p107093"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p107094"></a>                  II.13.3.1.1.  не распространяется на конструкцию
<a id="p107095"></a>                  и    технологию   производства   кинокамер   для
<a id="p107096"></a>                  гражданских целей

<a id="p107097"></a>II.13.3.1.2.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107098"></a>                  механических высокоскоростных камер,  в  которых
<a id="p107099"></a>                  пленка  не  движется,  способных вести запись со
<a id="p107100"></a>                  скоростью свыше 10E6 кадров в секунду для пленки
<a id="p107101"></a>                  шириной  35  мм,  или  для пропорционально более
<a id="p107102"></a>                  высоких скоростей более узкой  пленки,  или  для
<a id="p107103"></a>                  пропорционально  меньших скоростей более широкой
<a id="p107104"></a>                  пленки

<a id="p107105"></a>II.13.3.1.3.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p107106"></a>                  механических           или           электронных
<a id="p107107"></a>                  камер-фотохронографов со скоростью записи  свыше
<a id="p107108"></a>                  10 мм/мкс

<a id="p107109"></a>II.13.3.1.4.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107110"></a>                  электронных кадровых камер  со  скоростью  свыше
<a id="p107111"></a>                  10E6 кадров в секунду

<a id="p107112"></a>II.13.3.1.5.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107113"></a>                  электронных камер, имеющих скорость электронного
<a id="p107114"></a>                  затвора  (скорость стробирования) менее 1 мкс на
<a id="p107115"></a>                  полный  кадр  и  время  считывания,  позволяющих
<a id="p107116"></a>                  получать более чем 125 полных кадров в секунду

<a id="p107117"></a>II.13.3.2.        Конструкция и  технология производства камер для
<a id="p107118"></a>                  получения видеоизображений
<a id="p107119"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p107120"></a>                  II.13.3.2.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p107121"></a>                  технологию    производства    телевизионных    и
<a id="p107122"></a>                  видеокамер для телевидения

<a id="p107123"></a>II.13.3.2.1.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107124"></a>                  видеокамер,       включающих       твердотельные
<a id="p107125"></a>                  чувствительные   элементы,   имеющие   одну   из
<a id="p107126"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p107127"></a>II.13.3.2.1.1.         более 4x10E6     активных    пикселей    на
<a id="p107128"></a>                       твердотельную   матрицу   для   монохромной
<a id="p107129"></a>                       (черно-белой) камеры;

<a id="p107130"></a>II.13.3.2.1.2.         более 4x10E6     активных    пикселей    на
<a id="p107131"></a>                       твердотельную матрицу для цветных  камер  с
<a id="p107132"></a>                       тремя твердотельными матрицами;

<a id="p107133"></a>II.13.3.2.1.3.         более 12x10E6    активных    пикселей    на
<a id="p107134"></a>                       твердотельную матрицу для цветных  камер  с
<a id="p107135"></a>                       одной твердотельной матрицей;

<a id="p107136"></a>II.13.3.2.2.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p107137"></a>                  сканирующих  камер  и  систем сканирующих камер,
<a id="p107138"></a>                  включающих линейную решетку детекторов  с  более
<a id="p107139"></a>                  чем 8192 элементами на решетке, и с механическим
<a id="p107140"></a>                  сканированием в одном направлении

<a id="p107141"></a>II.13.3.2.3.      Конструкция и технология производства камер  для
<a id="p107142"></a>                  получения      видеоизображения,      включающих
<a id="p107143"></a>                  преобразователь     для     усиления     яркости
<a id="p107144"></a>                  изображения, указанных в пункте I.12.2.1.2.1.

<a id="p107145"></a>II.13.3.2.4.      Конструкция и  технология производства камер для
<a id="p107146"></a>                  получения видеоизображения, включающих матрицы в
<a id="p107147"></a>                  фокальной   плоскости,   указанные   в   пунктах
<a id="p107148"></a>                  I.12.2.1.3. - I.12.2.1.3.3.

<a id="p107149"></a>II.13.4.          Конструкция и технология  производства  лазеров,
<a id="p107150"></a>                  компонентов оптического оборудования для них

<a id="p107151"></a>II.13.4.1.        Конструкция и  технология  производства  газовых
<a id="p107152"></a>                  лазеров

<a id="p107153"></a>II.13.4.1.1.      Конструкция и технология производства эксимерных
<a id="p107154"></a>                  лазеров,     имеющих     одну    из    следующих
<a id="p107155"></a>                  характеристик:

<a id="p107156"></a>II.13.4.1.1.1.         длину волны    выходного    излучения,   не
<a id="p107157"></a>                       превышающую 150 нм,  выходную энергию более
<a id="p107158"></a>                       50   мДж   на   импульс  или  среднюю,  или
<a id="p107159"></a>                       непрерывную мощность более 1 Вт;

<a id="p107160"></a>II.13.4.1.1.2.         длину волны выходного излучения  более  150
<a id="p107161"></a>                       нм,  но  не  превышающую  190 нм,  выходную
<a id="p107162"></a>                       энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или
<a id="p107163"></a>                       среднюю     или    непрерывную    мощность,
<a id="p107164"></a>                       превышающую 120 Вт;

<a id="p107165"></a>II.13.4.1.1.3.         длину волны      выходного       излучения,
<a id="p107166"></a>                       превышающую  190  нм,  но  не более 360 нм,
<a id="p107167"></a>                       выходную энергию на импульс, превышающую 10
<a id="p107168"></a>                       Дж,  или среднюю,  или непрерывную выходную
<a id="p107169"></a>                       мощность, превышающую 500 Вт;

<a id="p107170"></a>II.13.4.1.1.4.         длину волны      выходного       излучения,
<a id="p107171"></a>                       превышающую  369  нм,  выходную  энергию на
<a id="p107172"></a>                       импульс,  превышающую 1,5 Дж,  или среднюю,
<a id="p107173"></a>                       или  непрерывную выходную мощность более 30
<a id="p107174"></a>                       Вт

<a id="p107175"></a>II.13.4.1.2.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107176"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107177"></a>                  производства  эксимерных  лазеров,  указанных  в
<a id="p107178"></a>                  пунктах I.12.4.1.1. - I.12.4.1.1.1.4.

<a id="p107179"></a>II.13.4.1.3.      Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107180"></a>                  парах металлов:

<a id="p107181"></a>II.13.4.1.3.1.         конструкция и    технология    производства
<a id="p107182"></a>                       медных   (Cu)   лазеров   со   средней  или
<a id="p107183"></a>                       непрерывной выходной мощностью более 20 Вт;

<a id="p107184"></a>II.13.4.1.3.2.         конструкция и    технология    производства
<a id="p107185"></a>                       золотых   (Au)   лазеров   со  средней  или
<a id="p107186"></a>                       непрерывной выходной мощностью более 5 Вт;

<a id="p107187"></a>II.13.4.1.3.3.         конструкция и    технология    производства
<a id="p107188"></a>                       натриевых (Na) лазеров с выходной мощностью
<a id="p107189"></a>                       более 5 Вт;

<a id="p107190"></a>II.13.4.1.3.4.         конструкция и    технология    производства
<a id="p107191"></a>                       бариевых   (Ba)   лазеров  со  средней  или
<a id="p107192"></a>                       непрерывной выходной мощностью более 2 Вт

<a id="p107193"></a>II.13.4.1.4.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107194"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107195"></a>                  производства    лазеров   на   парах   металлов,
<a id="p107196"></a>                  указанных в пунктах I.12.4.1.2. - I.12.4.1.2.4.

<a id="p107197"></a>II.13.4.1.5.      Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107198"></a>                  моноокиси углерода (CO) с:

<a id="p107199"></a>II.13.4.1.5.1.         выходной энергией  более  2 Дж на импульс и
<a id="p107200"></a>                       импульсной пиковой мощностью более 5 кВт;

<a id="p107201"></a>II.13.4.1.5.2.         средней или непрерывной выходной  мощностью
<a id="p107202"></a>                       более 5 кВт

<a id="p107203"></a>II.13.4.1.6.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107204"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107205"></a>                  производства   лазеров   на   основе   моноокиси
<a id="p107206"></a>                  углерода,  указанных  в  пунктах  I.12.4.1.3.  -
<a id="p107207"></a>                  I.12.4.1.3.2.

<a id="p107208"></a>II.13.4.1.7.      Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107209"></a>                  двуокиси углерода (CO2) с:

<a id="p107210"></a>II.13.4.1.7.1.         непрерывной выходной  мощностью  более   10
<a id="p107211"></a>                       кВт;

<a id="p107212"></a>II.13.4.1.7.2.         импульсным излучением    с    длительностью
<a id="p107213"></a>                       импульса более  10  мкс,  средней  выходной
<a id="p107214"></a>                       мощностью   свыше  10  кВт  или  импульсной
<a id="p107215"></a>                       пиковой мощностью более 100 кВт;

<a id="p107216"></a>II.13.4.1.7.3.         импульсным излучением    с    длительностью
<a id="p107217"></a>                       импульса, равным или менее 10 мкс, энергией
<a id="p107218"></a>                       импульса более  5  Дж,  импульсной  пиковой
<a id="p107219"></a>                       мощностью  свыше  2,5 кВт или средней,  или
<a id="p107220"></a>                       непрерывной выходной  мощностью  более  2,5
<a id="p107221"></a>                       кВт

<a id="p107222"></a>II.13.4.1.8.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107223"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107224"></a>                  производства   лазеров   на  двуокиси  углерода,
<a id="p107225"></a>                  указанных в пунктах I.12.4.1.4. - I.12.4.1.4.3.

<a id="p107226"></a>II.13.4.1.9.      Конструкция и технология производства химических
<a id="p107227"></a>                  лазеров:

<a id="p107228"></a>II.13.4.1.9.1.         водородно-фторовых (HF) лазеров;

<a id="p107229"></a>II.13.4.1.9.2.         дейтерий-фторовых (DF) лазеров;

<a id="p107230"></a>II.13.4.1.9.3.         переходных лазеров:

<a id="p107231"></a>II.13.4.1.9.3.1.       кислородно-иодовых лазеров (O2-I);

<a id="p107232"></a>II.13.4.1.9.3.2.       дейтерий-фторовых-двуокись       углеродных
<a id="p107233"></a>                       (DF-CO2) лазеров

<a id="p107234"></a>II.13.4.1.10.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107235"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107236"></a>                  производства  химических  лазеров,  на   которые
<a id="p107237"></a>                  наложены   ограничения  пунктами  I.12.4.1.5.  -
<a id="p107238"></a>                  I.12.4.1.5.3.2.

<a id="p107239"></a>II.13.4.1.11.     Конструкция и      технология       производства
<a id="p107240"></a>                  газоразрядных   и   ионных   лазеров  (на  ионах
<a id="p107241"></a>                  криптона или аргона), имеющих:

<a id="p107242"></a>II.13.4.1.11.1.        выходную энергию  более 1,5 Дж на импульс и
<a id="p107243"></a>                       импульсную пиковую мощность более 50 Вт;

<a id="p107244"></a>II.13.4.1.11.2.        среднюю или непрерывную мощность  более  50
<a id="p107245"></a>                       Вт

<a id="p107246"></a>II.13.4.1.12.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107247"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107248"></a>                  производства  газоразрядных  и  ионных  лазеров,
<a id="p107249"></a>                  указанных в пунктах I.12.4.1.6. - I.12.4.1.6.2.

<a id="p107250"></a>II.13.4.1.13.     Конструкция и   технология  производства  других
<a id="p107251"></a>                  газовых лазеров,  за исключением азотных лазеров
<a id="p107252"></a>                  с:

<a id="p107253"></a>II.13.4.1.13.1.        длиной волны  выходного  излучения не более
<a id="p107254"></a>                       150 нм,  выходной энергией на импульс свыше
<a id="p107255"></a>                       50 мДж,  импульсной пиковой мощностью более
<a id="p107256"></a>                       1 Вт или средней,  или непрерывной выходной
<a id="p107257"></a>                       мощностью более 1 Вт;

<a id="p107258"></a>II.13.4.1.13.2.        длиной волны  выходного  излучения не более
<a id="p107259"></a>                       150  нм,  но  не  более  800  нм,  выходной
<a id="p107260"></a>                       энергией   более   1,5   Дж   на   импульс,
<a id="p107261"></a>                       импульсной пиковой мощностью  более  30  Вт
<a id="p107262"></a>                       или   средней,   или  непрерывной  выходной
<a id="p107263"></a>                       мощностью более 30 Вт;

<a id="p107264"></a>II.13.4.1.13.3.        длиной волны выходного излучения более  800
<a id="p107265"></a>                       нм,  но не более 1400 нм, выходной энергией
<a id="p107266"></a>                       на  импульс  более  0,25   Дж,   импульсной
<a id="p107267"></a>                       пиковой  мощностью более 10 Вт или средней,
<a id="p107268"></a>                       или непрерывной выходной мощностью более 10
<a id="p107269"></a>                       Вт;

<a id="p107270"></a>II.13.4.1.13.4.        длиной волны выходного излучения свыше 1400
<a id="p107271"></a>                       нм  и  средней  или  непрерывной  мощностью
<a id="p107272"></a>                       более 1 Вт

<a id="p107273"></a>II.13.4.1.14.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107274"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107275"></a>                  производства   газовых   лазеров,   указанных  в
<a id="p107276"></a>                  пунктах I.12.4.1. - I.12.4.1.7.4.

<a id="p107277"></a>II.13.4.2.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p107278"></a>                  полупроводниковых лазеров

<a id="p107279"></a>II.13.4.2.1.      Конструкция и  технология производства отдельных
<a id="p107280"></a>                  полупроводниковых    одномодовых    лазеров    с
<a id="p107281"></a>                  поперечной   модой,   имеющих  среднюю  выходную
<a id="p107282"></a>                  мощность свыше 100 мВт  или  длину  волны  более
<a id="p107283"></a>                  1050 нм

<a id="p107284"></a>II.13.4.2.2.      Конструкция и  технология производства отдельных
<a id="p107285"></a>                  полупроводниковых   многомодовых    лазеров    с
<a id="p107286"></a>                  поперечными модами или массивов лазеров с:

<a id="p107287"></a>II.13.4.2.2.1.         выходной энергией более 500 мкДж на импульс
<a id="p107288"></a>                       и импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт;

<a id="p107289"></a>II.13.4.2.2.2.         средней или  непрерывной выходной мощностью
<a id="p107290"></a>                       свыше 10 Вт;

<a id="p107291"></a>II.13.4.2.2.3.         длиной волны более 1050 нм

<a id="p107292"></a>II.13.4.2.3.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107293"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107294"></a>                  производства      полупроводниковых     лазеров,
<a id="p107295"></a>                  указанных в пунктах I.12.4.2.1. - I.12.4.2.2.3.

<a id="p107296"></a>II.13.4.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p107297"></a>                  твердотельных лазеров

<a id="p107298"></a>II.13.4.3.1.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107299"></a>                  перестраиваемых твердотельных  лазеров,  имеющих
<a id="p107300"></a>                  следующие характеристики:

<a id="p107301"></a>II.13.4.3.1.1.         длину волны   излучения   менее   600   нм,
<a id="p107302"></a>                       выходную энергию более 50 мДж  на  импульс,
<a id="p107303"></a>                       импульсную  пиковую мощность более 1 Вт или
<a id="p107304"></a>                       среднюю,  или непрерывную выходную мощность
<a id="p107305"></a>                       более 1 Вт;

<a id="p107306"></a>II.13.4.3.1.2.         длину волны  600 нм или более,  но не более
<a id="p107307"></a>                       1400 нм,  выходную энергию  более  1  Дж  в
<a id="p107308"></a>                       импульсе, импульсную пиковую мощность свыше
<a id="p107309"></a>                       20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
<a id="p107310"></a>                       мощность свыше 20 Вт;

<a id="p107311"></a>II.13.4.3.1.3.         длину волны  выходного излучения более 1400
<a id="p107312"></a>                       нм,  выходную  энергию  свыше  50  мДж   на
<a id="p107313"></a>                       импульс,  импульсную пиковую мощность более
<a id="p107314"></a>                       1 Вт или среднюю,  или непрерывную выходную
<a id="p107315"></a>                       мощность более 1 Вт
<a id="p107316"></a>                      Примечание. Пункт   II.13.4.3.1.    включает
<a id="p107317"></a>                  конструкцию     и     технологию    производства
<a id="p107318"></a>                  титаново-сапфировых    (Ti:Al2Оз),    тулий-YAG,
<a id="p107319"></a>                  тулий-YSGG  - александрит (Сr:BeAl2O4) лазеров и
<a id="p107320"></a>                  лазеров с окрашенным центром

<a id="p107321"></a>II.13.4.3.2.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p107322"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107323"></a>                  производства    перестраиваемых    твердотельных
<a id="p107324"></a>                  лазеров,  указанных  в  пунктах  I.12.4.3.1.   -
<a id="p107325"></a>                  I.12.4.3.1.3.

<a id="p107326"></a>II.13.4.3.3.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p107327"></a>                  неперестраиваемых лазеров
<a id="p107328"></a>                      Примечание. Пункты      II.13.4.3.3.       -
<a id="p107329"></a>                  II.13.4.3.3.7.4.    включают    конструкцию    и
<a id="p107330"></a>                  технологию производства твердотельных лазеров на
<a id="p107331"></a>                  атомных переходах

<a id="p107332"></a>II.13.4.3.3.1.    Конструкция и технология производства  рубиновых
<a id="p107333"></a>                  лазеров  с  выходной  энергией  более  20  Дж  в
<a id="p107334"></a>                  импульсе

<a id="p107335"></a>II.13.4.3.3.2.    Программное обеспечение,              специально
<a id="p107336"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107337"></a>                  производства  рубиновых   лазеров   с   выходной
<a id="p107338"></a>                  энергией более 20 Дж в импульсе

<a id="p107339"></a>II.13.4.3.3.3.    Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107340"></a>                  неодимовом стекле:

<a id="p107341"></a>II.13.4.3.3.3.1.       лазеров с модуляцией  добротности,  имеющих
<a id="p107342"></a>                       выходную  энергию свыше 20 Дж,  но не более
<a id="p107343"></a>                       50 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность
<a id="p107344"></a>                       более  10  Вт или выходную энергию свыше 50
<a id="p107345"></a>                       Дж в импульсе;

<a id="p107346"></a>II.13.4.3.3.3.2.       лазеров без модуляции добротности,  имеющих
<a id="p107347"></a>                       выходную  энергию свыше 50 Дж,  но не более
<a id="p107348"></a>                       100  Дж  в   импульсе,   среднюю   выходную
<a id="p107349"></a>                       мощность  более  20 Вт или выходную энергию
<a id="p107350"></a>                       более 100 Дж в импульсе

<a id="p107351"></a>II.13.4.3.3.4.    Программное обеспечение,              специально
<a id="p107352"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107353"></a>                  производства  лазеров  на   неодимовом   стекле,
<a id="p107354"></a>                  указанных     в    пунктах    I.12.4.3.2.2.    -
<a id="p107355"></a>                  I.12.4.3.2.2.2.

<a id="p107356"></a>II.13.4.3.3.5.    Конструкция и технология производства лазеров  с
<a id="p107357"></a>                  растворенным  неодимом с длиной волны более 1000
<a id="p107358"></a>                  нм, но не свыше 1100 нм:

<a id="p107359"></a>II.13.4.3.3.5.1.       лазеров с      модуляцией      добротности,
<a id="p107360"></a>                       импульсным  возбуждением  и  синхронизацией
<a id="p107361"></a>                       мод с длительностью импульса  менее  1  нс,
<a id="p107362"></a>                       имеющих   пиковую  мощность  более  5  ГВт,
<a id="p107363"></a>                       среднюю выходную мощность более 10  Вт  или
<a id="p107364"></a>                       импульсную энергию более 0,1 Дж;

<a id="p107365"></a>II.13.4.3.3.5.2.       лазеров с    модуляцией    добротности    и
<a id="p107366"></a>                       синхронизацией мод с длительностью импульса
<a id="p107367"></a>                       равной или большей 1 нс:

<a id="p107368"></a>II.13.4.3.3.5.2.1.     одномодовым излучением,   имеющим   пиковую
<a id="p107369"></a>                       мощность более 100  МВт,  среднюю  выходную
<a id="p107370"></a>                       мощность более 20 Вт или импульсную энергию
<a id="p107371"></a>                       свыше 2 Дж;

<a id="p107372"></a>II.13.4.3.3.5.2.2.     многомодовым излучением,  имеющим   пиковую
<a id="p107373"></a>                       мощность  более  200 МВт,  среднюю выходную
<a id="p107374"></a>                       мощность более 50 Вт или импульсную энергию
<a id="p107375"></a>                       более 2 Дж

<a id="p107376"></a>II.13.4.3.3.5.3.       лазеров с   импульсным   возбуждением   без
<a id="p107377"></a>                       модуляции добротности, имеющих:

<a id="p107378"></a>II.13.4.3.3.5.3.1.     одномодовое излучение с  пиковой  мощностью
<a id="p107379"></a>                       более   500   кВт   или   средней  выходной
<a id="p107380"></a>                       мощностью более 150 Вт;

<a id="p107381"></a>II.13.4.3.3.5.3.2.     многомодовое излучение с пиковой  мощностью
<a id="p107382"></a>                       более 1 МВт или средней мощностью свыше 500
<a id="p107383"></a>                       Вт

<a id="p107384"></a>II.13.4.3.3.5.4.       лазеров непрерывного возбуждения, имеющих:

<a id="p107385"></a>II.13.4.3.3.5.4.1.     одномодовое излучение с  пиковой  мощностью
<a id="p107386"></a>                       более 500 кВт или средней,  или непрерывной
<a id="p107387"></a>                       мощностью свыше 150 Вт;

<a id="p107388"></a>II.13.4.3.3.5.4.2.     многомодовое излучение с пиковой  мощностью
<a id="p107389"></a>                       более  1  МВт или средней,  или непрерывной
<a id="p107390"></a>                       мощностью свыше 500 Вт

<a id="p107391"></a>II.13.4.3.3.6.    Программное обеспечение,              специально
<a id="p107392"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107393"></a>                  производства лазеров  с  растворенным  неодимом,
<a id="p107394"></a>                  указанных     в    пунктах    I.12.4.3.2.3.    -
<a id="p107395"></a>                  I.12.4.3.2.3.4.2.

<a id="p107396"></a>II.13.4.3.3.7.    Конструкция и  технология  производства   других
<a id="p107397"></a>                  неперестраиваемых лазеров, имеющих:

<a id="p107398"></a>II.13.4.3.3.7.1.       длину волны менее 150 нм,  выходную энергию
<a id="p107399"></a>                       более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую
<a id="p107400"></a>                       мощность   более  1  Вт  или  среднюю,  или
<a id="p107401"></a>                       непрерывную  выходную мощность более 1 Вт;

<a id="p107402"></a>II.13.4.3.3.7.2.       длину волны не менее 150 нм,  но  не  более
<a id="p107403"></a>                       800  нм,  выходную  энергию более 1,5 Дж на
<a id="p107404"></a>                       импульс,  импульсную пиковую мощность более
<a id="p107405"></a>                       30 Вт или среднюю, или непрерывную мощность
<a id="p107406"></a>                       более 30 Вт;

<a id="p107407"></a>II.13.4.3.3.7.3.       длину волны более 800 нм,  но не более 1400
<a id="p107408"></a>                       нм:

<a id="p107409"></a>II.13.4.3.3.7.3.1.     лазеров с модуляцией добротности с выходной
<a id="p107410"></a>                       энергией   более   0,5   Дж   в   импульсе,
<a id="p107411"></a>                       импульсной  пиковой  мощностью  более 50 Вт
<a id="p107412"></a>                       или средней выходной мощностью, превышающей
<a id="p107413"></a>                       10  Вт  для одномодовых лазеров и 30 Вт для
<a id="p107414"></a>                       многомодовых лазеров;

<a id="p107415"></a>II.13.4.3.3.7.3.2.     лазеров без   модуляции    добротности    с
<a id="p107416"></a>                       выходной  энергией  более  2 Дж в импульсе,
<a id="p107417"></a>                       импульсной пиковой мощностью  свыше  50  Вт
<a id="p107418"></a>                       или   средней,   или  непрерывной  выходной
<a id="p107419"></a>                       мощностью более 50 Вт;

<a id="p107420"></a>II.13.4.3.3.7.4.       длину волны более 1400 нм, выходную энергию
<a id="p107421"></a>                       более   100   мДж  в  импульсе,  импульсную
<a id="p107422"></a>                       пиковую мощность более 1  Вт  или  среднюю,
<a id="p107423"></a>                       или непрерывную мощность более 1 Вт

<a id="p107424"></a>II.13.4.3.3.8.    Программное обеспечение,              специально
<a id="p107425"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107426"></a>                  производства      неперестраиваемых     лазеров,
<a id="p107427"></a>                  указанных    в    пунктах    I.12.4.3.2.4.     -
<a id="p107428"></a>                  I.12.4.3.2.4.4.

<a id="p107429"></a>II.13.4.4.        Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107430"></a>                  красителях и других жидкостях, имеющих:

<a id="p107431"></a>II.13.4.4.1.           длину волны менее 150 нм,  выходную энергию
<a id="p107432"></a>                       более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую
<a id="p107433"></a>                       мощность  свыше  1  Вт  или  среднюю,   или
<a id="p107434"></a>                       непрерывную выходную мощность более 1 Вт;

<a id="p107435"></a>II.13.4.4.2.           длину волны  150 нм или более,  но не свыше
<a id="p107436"></a>                       800 нм,  выходную энергию более  1,5  Дж  в
<a id="p107437"></a>                       импульсе, импульсную пиковую мощность свыше
<a id="p107438"></a>                       20  Вт,  или   среднюю,   или   непрерывную
<a id="p107439"></a>                       выходную мощность более 20 Вт,  или имеющие
<a id="p107440"></a>                       генератор  одиночной  продольной  моды   со
<a id="p107441"></a>                       средней  выходной  мощностью  более  1 Вт и
<a id="p107442"></a>                       частотой  повторения  более   1   кГц   при
<a id="p107443"></a>                       длительности импульса менее 100 нс;

<a id="p107444"></a>II.13.4.4.3.           длину волны более 800 нм,  но не свыше 1400
<a id="p107445"></a>                       нм,  выходную  энергию  более  500  мДж   в
<a id="p107446"></a>                       импульсе, импульсную пиковую мощность более
<a id="p107447"></a>                       10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную
<a id="p107448"></a>                       мощность более 10 Вт;

<a id="p107449"></a>II.13.4.4.4.           длину волны более 1400 нм, выходную энергию
<a id="p107450"></a>                       более  100  мДж  в   импульсе,   импульсную
<a id="p107451"></a>                       пиковую  мощность  более  1 Вт или среднюю,
<a id="p107452"></a>                       или непрерывную выходную мощность  более  1
<a id="p107453"></a>                       Вт

<a id="p107454"></a>II.13.4.5.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107455"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107456"></a>                  производства  лазеров  на  красителях  и  других
<a id="p107457"></a>                  жидкостях,  указанных  в  пунктах  I.12.4.4.   -
<a id="p107458"></a>                  I.12.4.4.4.

<a id="p107459"></a>II.13.4.6.        Конструкция и технология производства лазеров на
<a id="p107460"></a>                  свободных электронах

<a id="p107461"></a>II.13.4.7.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107462"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107463"></a>                  производства лазеров на свободных электронах

<a id="p107464"></a>II.13.4.8.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p107465"></a>                  компонентов для лазеров

<a id="p107466"></a>II.13.4.8.1.      Конструкция и  технология  производства  зеркал,
<a id="p107467"></a>                  охлаждаемых  либо  активным  охлаждением,   либо
<a id="p107468"></a>                  трубчатой охладительной системой

<a id="p107469"></a>II.13.4.8.2.      Конструкция и технология производства оптических
<a id="p107470"></a>                  зеркал или прозрачных,  или частично  прозрачных
<a id="p107471"></a>                  оптических,  или  электрооптических  компонентов
<a id="p107472"></a>                  для   использования   в   лазерах,    подлежащих
<a id="p107473"></a>                  экспортному контролю

<a id="p107474"></a>II.13.4.9.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107475"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107476"></a>                  производства  компонентов  лазеров,  указанных в
<a id="p107477"></a>                  пунктах I.12.4.6. - I.12.4.6.2.

<a id="p107478"></a>II.13.4.10.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p107479"></a>                  оптического оборудования

<a id="p107480"></a>II.13.4.10.1.     Конструкция и       технология      производства
<a id="p107481"></a>                  оборудования   динамического   измерения    фазы
<a id="p107482"></a>                  волнового   фронта   с  более  50  позициями  на
<a id="p107483"></a>                  волновом фронте луча с:

<a id="p107484"></a>II.13.4.10.1.1.        частотой кадра равной или более  100  Гц  и
<a id="p107485"></a>                       фазовой  дискриминацией  5%  и  более длины
<a id="p107486"></a>                       волны луча;

<a id="p107487"></a>II.13.4.10.1.2.        частотой кадра равной или более 1000  Гц  и
<a id="p107488"></a>                       фазовой  дискриминацией  20%  и более длины
<a id="p107489"></a>                       волны луча

<a id="p107490"></a>II.13.4.10.2.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107491"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107492"></a>                  производства  оборудования   для   динамического
<a id="p107493"></a>                  измерения  фазы  волнового фронта,  указанного в
<a id="p107494"></a>                  пунктах I.12.4.7.1. - I.12.4.7.1.2.

<a id="p107495"></a>II.13.4.10.3.     Конструкция и      технология       производства
<a id="p107496"></a>                  оборудования     лазерной     диагностики     со
<a id="p107497"></a>                  способностью измерения  ошибок  управления  луча
<a id="p107498"></a>                  лазера сверхвысокой мощности с точностью, равной
<a id="p107499"></a>                  или менее 10 мкрад

<a id="p107500"></a>II.13.4.10.4.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107501"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107502"></a>                  производства оборудования лазерной  диагностики,
<a id="p107503"></a>                  указанного в пункте I.12.4.7.2.

<a id="p107504"></a>II.13.4.10.5.     Конструкция и технология производства оптической
<a id="p107505"></a>                  аппаратуры,  узлов  и  компонентов  для  системы
<a id="p107506"></a>                  лазера   сверхвысокой  мощности  с  фазированным
<a id="p107507"></a>                  сложением лучей с точностью 1/10 длины волны или
<a id="p107508"></a>                  0,1 мкм (в зависимости от того, что меньше)

<a id="p107509"></a>II.13.4.10.6.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107510"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107511"></a>                  производства  аппаратуры,  узлов  и компонентов,
<a id="p107512"></a>                  указанных в пункте I.12.4.7.3.

<a id="p107513"></a>II.13.4.10.7.     Конструкция и технология производства защищенных
<a id="p107514"></a>                  объективов для использования с системами лазеров
<a id="p107515"></a>                  сверхвысокой мощности

<a id="p107516"></a>II.13.4.10.8.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p107517"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107518"></a>                  производства    защищенных    объективов     для
<a id="p107519"></a>                  использования  с  системами лазеров сверхвысокой
<a id="p107520"></a>                  мощности

<a id="p107521"></a>II.13.4.11.       Конструкция и технология производства специально
<a id="p107522"></a>                  разработанного       или       модифицированного
<a id="p107523"></a>                  оборудования,  включая  инструменты,  красители,
<a id="p107524"></a>                  контрольно-измерительные    приборы   и   другие
<a id="p107525"></a>                  специальные   компоненты    и    вспомогательные
<a id="p107526"></a>                  элементы:

<a id="p107527"></a>II.13.4.11.1.          для производства или осмотра:

<a id="p107528"></a>II.13.4.11.1.1.        магнитных систем   лазеров   на   свободных
<a id="p107529"></a>                       электронах;

<a id="p107530"></a>II.13.4.11.1.2.        фотоинжекторов лазеров     на     свободных
<a id="p107531"></a>                       электронах;

<a id="p107532"></a>II.13.4.11.2.          для юстировки    в    пределах    требуемой
<a id="p107533"></a>                       погрешности  продольного  магнитного   поля
<a id="p107534"></a>                       лазеров на свободных электронах

<a id="p107535"></a>II.13.4.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107536"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107537"></a>                  производства   специально   разработанного   или
<a id="p107538"></a>                  модифицированного  оборудования,  указанного   в
<a id="p107539"></a>                  пунктах I.12.4.8. - I.12.4.8.2.

<a id="p107540"></a>II.13.4.13.       Технология производства или методы использования
<a id="p107541"></a>                  специализированных диагностических  инструментов
<a id="p107542"></a>                  или   мишеней  в  испытательных  установках  для
<a id="p107543"></a>                  испытаний  лазеров  сверхвысокой  мощности  либо
<a id="p107544"></a>                  испытаний   или   оценки  стойкости  материалов,
<a id="p107545"></a>                  облучаемых излучением таких лазеров

<a id="p107546"></a>II.13.5.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p107547"></a>                  оптоволоконных кабелей связи, оптических волокон
<a id="p107548"></a>                  и   специально   разработанных   компонентов   и
<a id="p107549"></a>                  вспомогательного оборудования:

<a id="p107550"></a>II.13.5.1.        Технология производства  оптических  волокон или
<a id="p107551"></a>                  кабелей длиной свыше 50 м:

<a id="p107552"></a>II.13.5.1.1.           разработанных для     функционирования    в
<a id="p107553"></a>                       одномодовом режиме;

<a id="p107554"></a>II.13.5.1.2.           способных выдерживать            напряжение
<a id="p107555"></a>                       (механическое)  2x10E9 Н/кв.  м или более в
<a id="p107556"></a>                       контрольном тесте

<a id="p107557"></a>II.13.5.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107558"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107559"></a>                  производства  оптических  волокон  или  кабелей,
<a id="p107560"></a>                  указанных в пунктах I.12.5.1. - I.12.5.1.2.

<a id="p107561"></a>II.13.5.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p107562"></a>                  компонентов   и  вспомогательного  оборудования,
<a id="p107563"></a>                  специально разработанных для оптических  волокон
<a id="p107564"></a>                  или  кабелей,  указанных в пункте I.12.5.1.,  за
<a id="p107565"></a>                  исключением  соединителей  для  использования  с
<a id="p107566"></a>                  оптическими  волокнами  или  кабелями,  имеющими
<a id="p107567"></a>                  потери соединения 0,5 дБ или более

<a id="p107568"></a>II.13.5.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107569"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107570"></a>                  производства  компонентов   и   вспомогательного
<a id="p107571"></a>                  оборудования, указанного в пункте I.12.5.2.

<a id="p107572"></a>II.13.5.5.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p107573"></a>                  оптоволоконных   кабелей   и    вспомогательного
<a id="p107574"></a>                  оборудования,  разработанных  для  использования
<a id="p107575"></a>                  под водой  (для  оптоволоконных  соединителей  и
<a id="p107576"></a>                  измерителей    излучения   экспортный   контроль
<a id="p107577"></a>                  осуществляется   в   соответствии   с   пунктами
<a id="p107578"></a>                  I.13.2.1.3. и I.13.2.3.)

<a id="p107579"></a>II.13.5.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107580"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107581"></a>                  производства        оптоволоконных       кабелей
<a id="p107582"></a>                  вспомогательного   оборудования,   указанных   в
<a id="p107583"></a>                  пункте I.12.5.3.

<a id="p107584"></a>II.13.5.7.        Конструкция и  технология производства кабеля из
<a id="p107585"></a>                  волокон   на   основе   соединений   фтора   или
<a id="p107586"></a>                  оптических волокон с поглощением менее 4 дБ/км в
<a id="p107587"></a>                  диапазоне длин волн более 1000 нм,  но не  более
<a id="p107588"></a>                  3000 нм

<a id="p107589"></a>II.13.5.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107590"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p107591"></a>                  производства   кабеля   из   волокон  на  основе
<a id="p107592"></a>                  соединений фтора, указанного в пункте I.12.5.4.


## <a id="p107593"></a>Раздел II.14. Транспортные средства и специально разработанное для них оборудование


<a id="p107595"></a>II.14.1.          Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107596"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107597"></a>                  поверхности  подводных  аппаратов  или надводных
<a id="p107598"></a>                  судов

<a id="p107599"></a>II.14.1.1.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107600"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p107601"></a>                  поверхности пилотируемых человеком,  управляемых
<a id="p107602"></a>                  по       проводам      подводных      аппаратов,
<a id="p107603"></a>                  спроектированных  для  операций   на   глубинах,
<a id="p107604"></a>                  превышающих 1000 м

<a id="p107605"></a>II.14.1.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107606"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107607"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107608"></a>                  подводных   аппаратов,   указанных   в    пункте
<a id="p107609"></a>                  I.13.1.1.

<a id="p107610"></a>II.14.1.3.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107611"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107612"></a>                  поверхности        пилотируемых       человеком,
<a id="p107613"></a>                  неуправляемых по проводам подводных аппаратов:

<a id="p107614"></a>II.14.1.3.1.           спроектированных для автономного плавания и
<a id="p107615"></a>                       имеющих характеристику  по  подъемной  силе
<a id="p107616"></a>                       10%  или более их собственного веса (веса в
<a id="p107617"></a>                       воздухе) или 15 кН или более;

<a id="p107618"></a>II.14.1.3.2.           спроектированных для плавания на  глубинах,
<a id="p107619"></a>                       превышающих 1000 м;

<a id="p107620"></a>II.14.1.3.3.           спроектированных для  экипажа  из 4 и более
<a id="p107621"></a>                       человек,  предназначенных  для  автономного
<a id="p107622"></a>                       плавания   в  течение  10  часов  и  более,
<a id="p107623"></a>                       имеющих радиус действия 25 морских миль или
<a id="p107624"></a>                       более и длину 21 м или менее
<a id="p107625"></a>                      Примечания: 1.   При   автономном   плавании
<a id="p107626"></a>                  аппарат полностью погружается без шнорхеля,  все
<a id="p107627"></a>                  системы функционируют  и  обеспечивают  плавание
<a id="p107628"></a>                  при минимальной скорости, при которой погружение
<a id="p107629"></a>                  может   безопасно    управляться    (с    учетом
<a id="p107630"></a>                  необходимой  динамики  по  глубине погружения) с
<a id="p107631"></a>                  использованием  только  глубинных   рулей,   без
<a id="p107632"></a>                  участия   надводных  судов  поддержки  или  базы
<a id="p107633"></a>                  (береговой  или  корабля-матки),  аппарат  имеет
<a id="p107634"></a>                  двигательную  систему для движения в погруженном
<a id="p107635"></a>                  или надводном состоянии
                  2. <a id="p107636"></a>Подъемная сила задается для полезной нагрузки
<a id="p107637"></a>                  без учета массы экипажа
                  3. <a id="p107638"></a>Радиус действия равен половине  максимального
<a id="p107639"></a>                  расстояния,  которое  аппарат может преодолеть в
<a id="p107640"></a>                  погруженном состоянии

<a id="p107641"></a>II.14.1.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107642"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107643"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107644"></a>                  подводных   аппаратов,   указанных   в   пунктах
<a id="p107645"></a>                  I.13.1.2.1. - I.13.1.2.3.

<a id="p107646"></a>II.14.1.5.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107647"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107648"></a>                  поверхности     не    пилотируемых    человеком,
<a id="p107649"></a>                  управляемых  по  проводам  подводных  аппаратов,
<a id="p107650"></a>                  спроектированных   для   плавания  на  глубинах,
<a id="p107651"></a>                  превышающих   1000   м,   предназначенных    для
<a id="p107652"></a>                  самоходного   маневра,   используя  двигатели  и
<a id="p107653"></a>                  ускорители,  указанные в пункте I.13.2.1.2., или
<a id="p107654"></a>                  имеющих оптоволоконные линии обмена данными

<a id="p107655"></a>II.14.1.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107656"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107657"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107658"></a>                  подводных   аппаратов,   указанных   в   пунктах
<a id="p107659"></a>                  I.13.1.3. - I.13.1.3.2.

<a id="p107660"></a>II.14.1.7.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107661"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107662"></a>                  поверхности   не   пилотируемых   человеком,  не
<a id="p107663"></a>                  управляемых по проводам подводных аппаратов:

<a id="p107664"></a>II.14.1.7.1.           спроектированных для     решения     задачи
<a id="p107665"></a>                       достижения    (прокладки    курса)   любого
<a id="p107666"></a>                       географического   ориентира   без   участия
<a id="p107667"></a>                       человека в реальном масштабе времени;

<a id="p107668"></a>II.14.1.7.2.           имеющих канал  передачи акустических данных
<a id="p107669"></a>                       или команд;

<a id="p107670"></a>II.14.1.7.3.           имеющих оптоволоконную    линию    передачи
<a id="p107671"></a>                       данных    или    линию   передачи   команд,
<a id="p107672"></a>                       превышающую по длине 1000 м

<a id="p107673"></a>II.14.1.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107674"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107675"></a>                  проектирования,  производства или применения  не
<a id="p107676"></a>                  пилотируемых   человеком,   не   управляемых  по
<a id="p107677"></a>                  проводам  подводных   аппаратов,   указанных   в
<a id="p107678"></a>                  пунктах I.13.1.4. - I.13.1.4.3.

<a id="p107679"></a>II.14.1.9.        Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107680"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107681"></a>                  поверхности    океанских   систем   спасения   с
<a id="p107682"></a>                  подъемной силой,  превышающей 5 МН, для спасения
<a id="p107683"></a>                  объектов  с глубин,  превышающих 250 м,  имеющих
<a id="p107684"></a>                  одну из следующих характеристик:

<a id="p107685"></a>II.14.1.9.1.           системы динамического            управления
<a id="p107686"></a>                       положением,  способные  стабилизироваться в
<a id="p107687"></a>                       пределах   (внутри)   20   м   относительно
<a id="p107688"></a>                       заданной  точки,  фиксируемой навигационной
<a id="p107689"></a>                       системой;

<a id="p107690"></a>II.14.1.9.2.           системы придонной навигации и навигационной
<a id="p107691"></a>                       интеграции для глубин,  превышающих 1000 м,
<a id="p107692"></a>                       с   точностью   обеспечения   положения   в
<a id="p107693"></a>                       пределах   (внутри)   10   м   относительно
<a id="p107694"></a>                       заданной точки

<a id="p107695"></a>II.14.1.10.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107696"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107697"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p107698"></a>                  океанских      систем      спасения,     имеющих
<a id="p107699"></a>                  характеристики,  указанные в пунктах I.13.1.5. -
<a id="p107700"></a>                  I.13.1.5.2.

<a id="p107701"></a>II.14.1.11.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107702"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107703"></a>                  поверхности  судов  с  поверхностным эффектом (с
<a id="p107704"></a>                  полностью        изменяемой        поверхностной
<a id="p107705"></a>                  конфигурацией),      обладающих     максимальной
<a id="p107706"></a>                  проектной  скоростью,  превышающей  при   полной
<a id="p107707"></a>                  загрузке  30  узлов  при  высоте  волны  1,25  м
<a id="p107708"></a>                  (Морская статья  3)  или  более,  амортизирующим
<a id="p107709"></a>                  давлением   свыше   3830   Па   и   соотношением
<a id="p107710"></a>                  водоизмещения незагруженного и полнозагруженного
<a id="p107711"></a>                  судна менее чем 0,7

<a id="p107712"></a>II.14.1.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107713"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107714"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107715"></a>                  судов, указанных в пункте I.13.1.6.

<a id="p107716"></a>II.14.1.13.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107717"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p107718"></a>                  поверхности судов с  поверхностным  эффектом  (с
<a id="p107719"></a>                  неизменяемой   поверхностной   конфигурацией)  с
<a id="p107720"></a>                  максимальной  проектной  скоростью,  превышающей
<a id="p107721"></a>                  при  полной  загрузке  40 узлов при высоте волны
<a id="p107722"></a>                  3,25 м (Морская статья 5) или более

<a id="p107723"></a>II.14.1.14.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107724"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107725"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p107726"></a>                  судов, указанных в пункте I.13.1.7.

<a id="p107727"></a>II.14.1.15.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107728"></a>                  капитального ремонта  и  восстановления  чистоты
<a id="p107729"></a>                  поверхности  судов  с  гидрокрылом  и  активными
<a id="p107730"></a>                  системами для автоматического управления  крылом
<a id="p107731"></a>                  с  максимальной  проектной  скоростью при полной
<a id="p107732"></a>                  загрузке 40 узлов или более и высоте волны  3,25
<a id="p107733"></a>                  м (Морская статья 5) или более

<a id="p107734"></a>II.14.1.16.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107735"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107736"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107737"></a>                  судов, указанных в пункте I.13.1.8.

<a id="p107738"></a>II.14.1.17.       Конструкция и      технологии      производства,
<a id="p107739"></a>                  капитального  ремонта  и  восстановления чистоты
<a id="p107740"></a>                  поверхности судов на небольшом  подводном  крыле
<a id="p107741"></a>                  с:

<a id="p107742"></a>II.14.1.17.1.          водоизмещением при     полной     загрузке,
<a id="p107743"></a>                       превышающим 500 т, с максимальной проектной
<a id="p107744"></a>                       скоростью,  превышающей при полной загрузке
<a id="p107745"></a>                       35 узлов при высоте волны 3,25  м  (Морская
<a id="p107746"></a>                       статья 5) или более;

<a id="p107747"></a>II.14.1.17.2.          водоизмещением при     полной     загрузке,
<a id="p107748"></a>                       превышающим   1500   т,   с    максимальной
<a id="p107749"></a>                       проектной  скоростью  при  полной загрузке,
<a id="p107750"></a>                       превышающей 25 узлов при высоте волны  4  м
<a id="p107751"></a>                       (Морская статья 6) или более

<a id="p107752"></a>II.14.1.18.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107753"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107754"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107755"></a>                  судов,   указанных   в   пунктах   I.13.1.9.   -
<a id="p107756"></a>                  I.13.1.9.2.

<a id="p107757"></a>II.14.2.          Конструкция и  технология  производства систем и
<a id="p107758"></a>                  оборудования для транспортных средств

<a id="p107759"></a>II.14.2.1.        Конструкция и технология производства  следующих
<a id="p107760"></a>                  систем      или     оборудования,     специально
<a id="p107761"></a>                  спроектированных   или   модифицированных    для
<a id="p107762"></a>                  подводных  судов,  спроектированных для плавания
<a id="p107763"></a>                  на глубинах, превышающих 1000 м:

<a id="p107764"></a>II.14.2.1.1.           помещений под давлением  или  корпусов  под
<a id="p107765"></a>                       давлением    с    максимальным   внутренним
<a id="p107766"></a>                       диаметром камеры, превышающим 1,5 м;

<a id="p107767"></a>II.14.2.1.2.           электродвигателей постоянного   тока    или
<a id="p107768"></a>                       тяговых двигателей;

<a id="p107769"></a>II.14.2.1.3.           кабельных разъемов  и  соединителей,  в том
<a id="p107770"></a>                       числе использующих  оптоволокно  и  имеющих
<a id="p107771"></a>                       силовые     элементы    из    синтетических
<a id="p107772"></a>                       материалов

<a id="p107773"></a>II.14.2.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107774"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107775"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p107776"></a>                  систем   и  оборудования,  указанных  в  пунктах
<a id="p107777"></a>                  I.13.2.1. - I.13.2.1.3.

<a id="p107778"></a>II.14.2.3.        Конструкция и  технологии  производства  систем,
<a id="p107779"></a>                  специально спроектированных или модифицированных
<a id="p107780"></a>                  для   автоматического    управления    движением
<a id="p107781"></a>                  подводных судов,  указанных в пунктах I.13.1.  -
<a id="p107782"></a>                  I.13.1.5.2., использующих навигационные данные и
<a id="p107783"></a>                  имеющих     закрытые     с    обратной    связью
<a id="p107784"></a>                  сервоконтролирующие средства:

<a id="p107785"></a>II.14.2.3.1.           способных управлять   движением   судна   в
<a id="p107786"></a>                       пределах   (внутри)   10   м   относительно
<a id="p107787"></a>                       заданной точки водяного столба;

<a id="p107788"></a>II.14.2.3.2.           позволяющих поддерживать  положение судна в
<a id="p107789"></a>                       пределах   (внутри)   10   м   относительно
<a id="p107790"></a>                       заданной точки водяного столба;

<a id="p107791"></a>II.14.2.3.3.           позволяющих поддерживать  положение судна в
<a id="p107792"></a>                       пределах (внутри) 10 м  при  следовании  на
<a id="p107793"></a>                       морском   аппарате-матке   или   на   тросе
<a id="p107794"></a>                       (кабеле) под ним

<a id="p107795"></a>II.14.2.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107796"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107797"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107798"></a>                  систем,  указанных   в   пунктах   I.13.2.2.   -
<a id="p107799"></a>                  I.13.2.2.3.

<a id="p107800"></a>II.14.2.5.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p107801"></a>                  оптоволоконных    корпусных     разъемов     или
<a id="p107802"></a>                  соединителей,  специально  спроектированных  для
<a id="p107803"></a>                  применения под водой

<a id="p107804"></a>II.14.2.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107805"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107806"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p107807"></a>                  оптоволоконных     корпусных     разъемов    или
<a id="p107808"></a>                  соединителей,  специально  спроектированных  для
<a id="p107809"></a>                  применения под водой

<a id="p107810"></a>II.14.2.7.        Конструкция и  технология  производства  кромок,
<a id="p107811"></a>                  корпусов,  уплотнений  и  выдвижных   элементов,
<a id="p107812"></a>                  имеющих следующие характеристики:

<a id="p107813"></a>II.14.2.7.1.           спроектированных для  внешних  давлений   в
<a id="p107814"></a>                       3830  Па  или  более,  функционирующих  при
<a id="p107815"></a>                       высоте волны 1,25 м (Морская статья 3)  или
<a id="p107816"></a>                       более  и  специально  спроектированных  для
<a id="p107817"></a>                       судов с поверхностным  эффектом  (полностью
<a id="p107818"></a>                       изменяемой   поверхностной  конфигурацией),
<a id="p107819"></a>                       указанных в пункте I.13.1.6.

<a id="p107820"></a>II.14.2.7.2.           спроектированных для давлений в 6224 Па или
<a id="p107821"></a>                       более,  функционирующих  при  высоте  волны
<a id="p107822"></a>                       3,25 м  (Морская  статья  5)  или  более  и
<a id="p107823"></a>                       специально  спроектированных  для  судов  с
<a id="p107824"></a>                       поверхностным  эффектом   (с   неизменяемой
<a id="p107825"></a>                       поверхностной  конфигурацией),  указанных в
<a id="p107826"></a>                       пункте I.13.1.7.

<a id="p107827"></a>II.14.2.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p107828"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107829"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107830"></a>                  кромок,   корпусов,   уплотнений   и   выдвижных
<a id="p107831"></a>                  элементов   с   характеристиками,  указанными  в
<a id="p107832"></a>                  пунктах I.13.2.4. - I.13.2.4.2.

<a id="p107833"></a>II.14.2.9.        Конструкция и технология производства  полностью
<a id="p107834"></a>                  погружаемых         подкавитационных         или
<a id="p107835"></a>                  суперкавитационных   гидрокрыльев   для   судов,
<a id="p107836"></a>                  указанных в пункте I.13.1.8.

<a id="p107837"></a>II.14.2.10.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107838"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107839"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107840"></a>                  гидрокрыльев, указанных в пункте I.13.2.5.

<a id="p107841"></a>II.14.2.11.       Конструкция и технология  производства  активных
<a id="p107842"></a>                  систем   компенсации   движения  морской  среды,
<a id="p107843"></a>                  специально спроектированных или модифицированных
<a id="p107844"></a>                  для   обеспечения   автоматического   управления
<a id="p107845"></a>                  лодками  или  судами,   указанными   в   пунктах
<a id="p107846"></a>                  I.13.1.6. - I.13.1.9.

<a id="p107847"></a>II.14.2.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p107848"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p107849"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p107850"></a>                  систем, указанных в пункте I.13.2.6.

<a id="p107851"></a>II.14.3.          Конструкция и   технология   систем   управления
<a id="p107852"></a>                  летательных аппаратов

<a id="p107853"></a>II.14.3.1.        Исходная программа       для      интегрирования
<a id="p107854"></a>                  (объединения)    авиационной    электроники    и
<a id="p107855"></a>                  программы   полета,   которая   сочетает  данные
<a id="p107856"></a>                  датчиков и использует  научную  базу  экспертных
<a id="p107857"></a>                  систем

<a id="p107858"></a>II.14.3.2.        Исходная программа для разработки:

<a id="p107859"></a>II.14.3.2.1.           системы организации     работы     цифровой
<a id="p107860"></a>                       полетной     системы    для    полета    по
<a id="p107861"></a>                       оптимизированной траектории;

<a id="p107862"></a>II.14.3.2.2.           интегрального двигателя      и      системы
<a id="p107863"></a>                       управления полетом;

<a id="p107864"></a>II.14.3.2.3.           системы управления   по   проводам   и   по
<a id="p107865"></a>                       сигнальным огням;

<a id="p107866"></a>II.14.3.2.4.           отказоустойчивой и      самоперестраиваемой
<a id="p107867"></a>                       активной системы управления полетом;

<a id="p107868"></a>II.14.3.2.5.           бортового автоматического      оборудования
<a id="p107869"></a>                       ориентации;

<a id="p107870"></a>II.14.3.2.6.           систем воздушных  данных,   основанных   на
<a id="p107871"></a>                       данных о поверхностных помехах;

<a id="p107872"></a>II.14.3.2.7.           дисплея с   растровым   типом   головки   и
<a id="p107873"></a>                       объемного дисплея, имеющего три измерения

<a id="p107874"></a>II.14.3.3.        Технология производства  бортового автоматически
<a id="p107875"></a>                  управляемого   оборудования,   работающего    на
<a id="p107876"></a>                  частотах свыше 5 МГц

<a id="p107877"></a>II.14.3.4.        Технология создания  системы данных,  основанной
<a id="p107878"></a>                  только на информации о профиле поверхности, т.е.
<a id="p107879"></a>                  системы, полученной обычным зондированием

<a id="p107880"></a>II.14.3.5.        Технология производства    дисплеев    объемного
<a id="p107881"></a>                  изображения  (в  трех  измерениях)  с  растровым
<a id="p107882"></a>                  типом головки

<a id="p107883"></a>II.14.3.6.        Методы создания   активных   систем   управления
<a id="p107884"></a>                  полетом

<a id="p107885"></a>II.14.3.6.1.      Конструкция схемы  связи  множества   движущихся
<a id="p107886"></a>                  микроэлектронных     элементов    (в    бортовых
<a id="p107887"></a>                  компьютерах), позволяющей реализовать управление
<a id="p107888"></a>                  в реальном масштабе времени

<a id="p107889"></a>II.14.3.6.2.      Методы учета     (компенсации)    в    алгоритме
<a id="p107890"></a>                  управления       погрешностей        определения
<a id="p107891"></a>                  местоположения   датчика   или  аэродинамической
<a id="p107892"></a>                  нагрузки   на   корпус   (планер)   летательного
<a id="p107893"></a>                  аппарата, вызванных возмущениями внешней среды

<a id="p107894"></a>II.14.3.6.3.      Методы электронного    управления    избыточными
<a id="p107895"></a>                  данными   или   системами   резервирования   для
<a id="p107896"></a>                  определения   ошибки,   определения  допустимого
<a id="p107897"></a>                  отклонения  ошибки,  локализации  ошибки  и   ее
<a id="p107898"></a>                  реконфигурации
<a id="p107899"></a>                      Примечание. Экспортному контролю не подлежат
<a id="p107900"></a>                  методы проектирования физической избыточности

<a id="p107901"></a>II.14.3.6.4.      Методы создания системы управления  полетом  при
<a id="p107902"></a>                  воздействии  сил и моментов управления,  которая
<a id="p107903"></a>                  позволяет   осуществлять    перестройку    своей
<a id="p107904"></a>                  структуры  для обеспечения управления в реальном
<a id="p107905"></a>                  масштабе    времени    автономным    летательным
<a id="p107906"></a>                  аппаратом

<a id="p107907"></a>II.14.3.6.5.      Методы объединения цифрового управления полетом,
<a id="p107908"></a>                  навигационных   данных   и   данных   управления
<a id="p107909"></a>                  двигателем в цифровую систему управления полетом
<a id="p107910"></a>                  для  оптимизации  траектории  полета,   исключая
<a id="p107911"></a>                  методы  для самолетных средств,  предназначенные
<a id="p107912"></a>                  для  ненаправленного   радиомаяка   сверхвысокой
<a id="p107913"></a>                  частоты, дальномерной аппаратуры, системы слепой
<a id="p107914"></a>                  посадки, захода на посадку

<a id="p107915"></a>II.14.3.6.6.      Методы разработки  цифровой  системы  управления
<a id="p107916"></a>                  полетом   или   программы   организации   работы
<a id="p107917"></a>                  многодатчиковых управляющих систем, объединяющих
<a id="p107918"></a>                  научные экспертные системы

<a id="p107919"></a>II.14.3.7.        Методы разработки систем управления вертолетом

<a id="p107920"></a>II.14.3.7.1.      Методы разработки    многокоординатных   средств
<a id="p107921"></a>                  управления по  проводам  или  сигнальным  огням,
<a id="p107922"></a>                  которые  объединяют функции по крайней мере двух
<a id="p107923"></a>                  из нижеследующих элементов  в  один  управляющий
<a id="p107924"></a>                  элемент:

<a id="p107925"></a>                       коллективное управление;

<a id="p107926"></a>                       вращательное управление;

<a id="p107927"></a>                       управление рысканием

<a id="p107928"></a>II.14.3.7.2.      Методы разработки  системы  управления  моментом
<a id="p107929"></a>                  вращения и скручивающим усилием при вращательном
<a id="p107930"></a>                  движении

<a id="p107931"></a>II.14.3.7.3.      Методы разработки    вращающихся    лопастей   с
<a id="p107932"></a>                  переменной геометрией аэродинамического  профиля
<a id="p107933"></a>                  для использования в системах управления лопастью


## <a id="p107934"></a>Раздел II.15. Испытательное оборудование


<a id="p107935"></a>II.15.1.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p107936"></a>                  гидроканалов,  имеющих шумовой фон менее 100  дБ
<a id="p107937"></a>                  (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от
<a id="p107938"></a>                  0 до  500  Гц,  спроектированных  для  измерения
<a id="p107939"></a>                  акустических  полей,  генерируемых  гидропотоком
<a id="p107940"></a>                  около моделей системы движителя

<a id="p107941"></a>II.15.2.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p107942"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p107943"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p107944"></a>                  гидроканалов, указанных в пункте I.14.1.

<a id="p107945"></a>II.15.3.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p107946"></a>                  измерительно-информационных систем, работающих в
<a id="p107947"></a>                  реальном масштабе времени, инструментов (включая
<a id="p107948"></a>                  датчики) или автоматических накопителей  данных,
<a id="p107949"></a>                  специально  разработанных  для  использования  в
<a id="p107950"></a>                  следующих    аэродинамических     трубах     или
<a id="p107951"></a>                  установках:

<a id="p107952"></a>II.15.3.1.             в установках для моделирования  набегающего
<a id="p107953"></a>                       потока  с  числами  Маха,  превышающими  5,
<a id="p107954"></a>                       включая   тепловые,   плазменно-дуговые   и
<a id="p107955"></a>                       ударные  аэродинамические  трубы,  а  также
<a id="p107956"></a>                       аэродинамические трубы с газовым поршнем  и
<a id="p107957"></a>                       газовые пушки;

<a id="p107958"></a>II.15.3.2.             в аэродинамических  трубах  или установках,
<a id="p107959"></a>                       отличных    от     двумерных,     способных
<a id="p107960"></a>                       моделировать  обтекание потоками при числах
<a id="p107961"></a>                       Рейнольдса свыше 25x10E6

<a id="p107962"></a>II.15.4.          Программное обеспечение,     необходимое     для
<a id="p107963"></a>                  проектирования,   производства   и    применения
<a id="p107964"></a>                  измерительно-информационных систем,  указанных в
<a id="p107965"></a>                  пунктах I.14.2. - I.14.2.2.

<a id="p107966"></a>II.15.5.          Конструкция и технология производства  датчиков,
<a id="p107967"></a>                  специально  разработанных  для непосредственного
<a id="p107968"></a>                  измерения  поверхностного  трения  на  стенке  в
<a id="p107969"></a>                  потоке  с  температурой  торможения  свыше 833 К
<a id="p107970"></a>                  (560 С)

<a id="p107971"></a>II.15.6.          Программное обеспечение,     необходимое     для
<a id="p107972"></a>                  проектирования,    производства   и   применения
<a id="p107973"></a>                  датчиков   для    непосредственного    измерения
<a id="p107974"></a>                  поверхностного  трения  на  стенке  в  потоке  с
<a id="p107975"></a>                  температурой торможения свыше  833  К  (560  С),
<a id="p107976"></a>                  указанных в пункте I.14.3.

<a id="p107977"></a>II.15.7.          Программное обеспечение,     необходимое     для
<a id="p107978"></a>                  задействования       полностью       автономного
<a id="p107979"></a>                  электронно-цифрового       контроллера       для
<a id="p107980"></a>                  аэрокосмических  испытательных   установок   или
<a id="p107981"></a>                  воздуходувных установок для испытания двигателей

<a id="p107982"></a>II.15.8.          Программное обеспечение  для моделирования двух-
<a id="p107983"></a>                  или  трехвязкого   внутридвигательного   течения
<a id="p107984"></a>                  потока   в   аэродинамических   трубах  или  для
<a id="p107985"></a>                  обработки данных летных  испытаний,  позволяющих
<a id="p107986"></a>                  детально моделировать внутридвигательный поток

<a id="p107987"></a>II.15.9.          Программное обеспечение с допусками на аварийное
<a id="p107988"></a>                  выключение        двигательных        установок,
<a id="p107989"></a>                  ассоциированное в стендовое оборудование

<a id="p107990"></a>II.15.10.         Программное обеспечение  для испытаний воздушных
<a id="p107991"></a>                  газотурбинных     двигателей,     сборок     или
<a id="p107992"></a>                  компонентов,    специально   разработанное   для
<a id="p107993"></a>                  обобщения,  преобразования и  анализа  данных  в
<a id="p107994"></a>                  реальном масштабе времени,  способное обеспечить
<a id="p107995"></a>                  управление   с    обратной    связью,    включая
<a id="p107996"></a>                  динамическую  настройку  испытуемых  изделий или
<a id="p107997"></a>                  условий    испытаний    в    ходе     проведения
<a id="p107998"></a>                  экспериментов

<a id="p107999"></a>II.15.11.         Конструкция и       технология      производства
<a id="p108000"></a>                  аэродинамических      моделей      газотурбинных
<a id="p108001"></a>                  двигателей   для  испытания  в  аэродинамической
<a id="p108002"></a>                  трубе,   оборудованных    съемными    датчиками,
<a id="p108003"></a>                  способными  транслировать  данные  от  первичных
<a id="p108004"></a>                  сенсоров в систему сбора информации


## <a id="p108005"></a>Раздел II.16. Робототехника


<a id="p108006"></a>II.16.1.          Конструкция и технология  производства  роботов,
<a id="p108007"></a>                  специально   спроектированных   для   подводного
<a id="p108008"></a>                  применения,   управляемых    с    использованием
<a id="p108009"></a>                  программно-управляемой специализированной ЭВМ

<a id="p108010"></a>II.16.1.1.        Конструкция и  технология  производства роботов,
<a id="p108011"></a>                  имеющих  управляющие  системы  с  использованием
<a id="p108012"></a>                  информации от датчиков,  которые измеряют усилие
<a id="p108013"></a>                  или момент вращения,  прикладываемые к  внешнему
<a id="p108014"></a>                  объекту,  расстояние  до  внешнего  объекта  или
<a id="p108015"></a>                  контактное  (тактильное)  взаимодействие   между
<a id="p108016"></a>                  роботом и внешним объектом

<a id="p108017"></a>II.16.1.2.        Конструкция и  технология  производства роботов,
<a id="p108018"></a>                  способных создавать усилие в 250  Н  или  более,
<a id="p108019"></a>                  или  момент  вращения  250  Н  х м или более,  и
<a id="p108020"></a>                  использующих  сплавы  на   основе   титана   или
<a id="p108021"></a>                  волоконные    или    нитевидные   композиционные
<a id="p108022"></a>                  материалы в элементах конструкции

<a id="p108023"></a>II.16.2.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p108024"></a>                  спроектированное    или   модифицированное   для
<a id="p108025"></a>                  разработки, производства или применения роботов,
<a id="p108026"></a>                  указанных в пунктах I.15.1. - I.15.1.2.

<a id="p108027"></a>II.16.3.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p108028"></a>                  дистанционно        управляемых        шарнирных
<a id="p108029"></a>                  манипуляторов,  специально  спроектированных или
<a id="p108030"></a>                  модифицированных для использования с  подводными
<a id="p108031"></a>                  судами

<a id="p108032"></a>II.16.3.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108033"></a>                  манипуляторов,  имеющих   управляющие   системы,
<a id="p108034"></a>                  использующие информацию от датчиков,  измеряющих
<a id="p108035"></a>                  усилие или  момент  вращения,  прикладываемые  к
<a id="p108036"></a>                  внешнему  объекту,  или  контактное (тактильное)
<a id="p108037"></a>                  взаимодействие  между  манипулятором  и  внешним
<a id="p108038"></a>                  объектом

<a id="p108039"></a>II.16.3.2.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108040"></a>                  манипуляторов,       управляемых       способами
<a id="p108041"></a>                  пропорционального  управления  "ведущий-ведомый"
<a id="p108042"></a>                  или   с    применением    программно-управляемой
<a id="p108043"></a>                  специализированной  ЭВМ и имеющих пять или более
<a id="p108044"></a>                  степеней свободы движения

<a id="p108045"></a>II.16.4.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p108046"></a>                  спроектированное    или   модифицированное   для
<a id="p108047"></a>                  разработки,    производства    или    применения
<a id="p108048"></a>                  манипуляторов,  указанных  в  пунктах I.15.2.  -
<a id="p108049"></a>                  I.15.2.2.


## <a id="p108050"></a>Раздел II.17. Радиоэлектроника


<a id="p108051"></a>II.17.1.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p108052"></a>                  электронных приборов и элементной базы
<a id="p108053"></a>                      Примечания: 1.    Экспортный   контроль   по
<a id="p108054"></a>                  подразделу  II.17.1.  не   распространяется   на
<a id="p108055"></a>                  конструкцию     и    технологии    производства:
<a id="p108056"></a>                  микроволновых   транзисторов,   работающих    на
<a id="p108057"></a>                  частотах   ниже   31   ГГц;  интегральных  схем,
<a id="p108058"></a>                  указанных в пунктах I.16.1.1.  -  I.16.1.1.8.2.,
<a id="p108059"></a>                  использующих  проектные  нормы 1 мкм и выше и не
<a id="p108060"></a>                  содержащих многослойных структур
                  2. <a id="p108061"></a>Не   контролируется   экспорт    многослойной
<a id="p108062"></a>                  технологии  приборов,  содержащих  максимум  два
<a id="p108063"></a>                  металлических слоя и два слоя поликремния

<a id="p108064"></a>II.17.1.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108065"></a>                  интегральных схем

<a id="p108066"></a>II.17.1.1.1.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108067"></a>                  микропроцессорных  микросхем,  микрокомпьютерных
<a id="p108068"></a>                  микросхем и микросхем микроконтроллеров, имеющих
<a id="p108069"></a>                  хотя бы одну из следующих характеристик:
<a id="p108070"></a>                      Примечания: 1. Экспортный контроль по пункту
<a id="p108071"></a>                  II.17.1.1.1.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108072"></a>                  и     технологию     производства     кремниевых
<a id="p108073"></a>                  микрокомпьютерных    микросхем    и    микросхем
<a id="p108074"></a>                  микроконтроллеров,   имеющих   длину    операнда
<a id="p108075"></a>                  (данных) 8 бит и менее
                  2. <a id="p108076"></a>Экспортный контроль  по  пункту  II.17.1.1.1.
<a id="p108077"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p108078"></a>                  производства  цифровых  сигнальных  процессоров,
<a id="p108079"></a>                  цифровых   матричных   процессоров   и  цифровых
<a id="p108080"></a>                  сопроцессоров

<a id="p108081"></a>II.17.1.1.1.1.         разрядность внешней шины  данных  превышает
<a id="p108082"></a>                       32   бита   либо   разрядность   доступа  к
<a id="p108083"></a>                       арифметико-логическому устройству превышает
<a id="p108084"></a>                       32 бита;

<a id="p108085"></a>II.17.1.1.1.2.         тактовая частота превышает 40 МГц;

<a id="p108086"></a>II.17.1.1.1.3.         внешняя шина  данных  имеет  разрядность 32
<a id="p108087"></a>                       бита и более,  а  производительность  равна
<a id="p108088"></a>                       12,5 млн. команд в секунду и более;

<a id="p108089"></a>II.17.1.1.1.4.         процессор параллельного  типа  оснащен  для
<a id="p108090"></a>                       внешнего подключения более чем одной  шиной
<a id="p108091"></a>                       данных  или  команд,  или  последовательным
<a id="p108092"></a>                       портом  связи  с  пропускной   способностью
<a id="p108093"></a>                       свыше 2,4 Мбайт/с

<a id="p108094"></a>II.17.1.1.2.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108095"></a>                  интегральных схем памяти

<a id="p108096"></a>II.17.1.1.2.1.    Конструкция и       технология      производства
<a id="p108097"></a>                  электрически перепрограммируемых  полупостоянных
<a id="p108098"></a>                  запоминающих   устройств   с   емкостью  памяти,
<a id="p108099"></a>                  превышающей  1   кбит   на   один   корпус   или
<a id="p108100"></a>                  превышающей  256 кбит на один корпус,  и имеющих
<a id="p108101"></a>                  максимальное время доступа менее 80 нс

<a id="p108102"></a>II.17.1.1.2.2.    Конструкция и      технология       производства
<a id="p108103"></a>                  статических     запоминающих     устройств     с
<a id="p108104"></a>                  произвольной   выборкой   с   емкостью   памяти,
<a id="p108105"></a>                  превышающей   1   Мбит   на   один   корпус  или
<a id="p108106"></a>                  превышающей 256 кбит на один корпус,  и  имеющих
<a id="p108107"></a>                  максимальное время доступа менее 25 нс

<a id="p108108"></a>II.17.1.1.2.3.    Конструкция и       технология      производства
<a id="p108109"></a>                  интегральных  схем  памяти,   изготовленных   на
<a id="p108110"></a>                  основе сложного полупроводника

<a id="p108111"></a>II.17.1.1.3.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p108112"></a>                  электронно-оптических       или       оптических
<a id="p108113"></a>                  интегральных   схем   для   обработки  сигналов,
<a id="p108114"></a>                  имеющих:

<a id="p108115"></a>                       один внутренний лазерный диод или более;
<a id="p108116"></a>                       один внутренний светочувствительный элемент
<a id="p108117"></a>                       или более;
<a id="p108118"></a>                       оптические волноводы

<a id="p108119"></a>II.17.1.1.4.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p108120"></a>                  программируемых у пользователя базовых матричных
<a id="p108121"></a>                  кристаллов,  имеющих  хотя  бы одну из следующих
<a id="p108122"></a>                  характеристик:

<a id="p108123"></a>II.17.1.1.4.1.         эквивалентное количество   вентилей   свыше
<a id="p108124"></a>                       30000 (в пересчете на двухвходовые);

<a id="p108125"></a>II.17.1.1.4.2.         типовое время    задержки   распространения
<a id="p108126"></a>                       сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс

<a id="p108127"></a>II.17.1.1.5.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108128"></a>                  программируемых    у   пользователя   логических
<a id="p108129"></a>                  матриц,  имеющих  хотя  бы  одну  из   следующих
<a id="p108130"></a>                  характеристик:

<a id="p108131"></a>II.17.1.1.5.1.         эквивалентное количество   вентилей   свыше
<a id="p108132"></a>                       5000 (в пересчете на двухвходовые);

<a id="p108133"></a>II.17.1.1.5.2.         частота переключения превышает 100 МГц

<a id="p108134"></a>II.17.1.1.6.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108135"></a>                  интегральных схем для нейронных сетей

<a id="p108136"></a>II.17.1.1.7.      Конструкция и  технология  производства заказных
<a id="p108137"></a>                  интегральных  схем,  имеющих  хотя  бы  одну  из
<a id="p108138"></a>                  следующих характеристик:

<a id="p108139"></a>II.17.1.1.7.1.         число выводов свыше 144;

<a id="p108140"></a>II.17.1.1.7.2.         типовое время    задержки   распространения
<a id="p108141"></a>                       сигнала в базовом вентиле менее 0,4 нс;

<a id="p108142"></a>II.17.1.1.7.3.         рабочая частота свыше 3 ГГц

<a id="p108143"></a>II.17.1.1.8.      Конструкция и технология  производства  цифровых
<a id="p108144"></a>                  интегральных  схем,  отличающихся от описанных в
<a id="p108145"></a>                  пунктах I.16.1.1.1.  - I.16.1.1.7., созданных на
<a id="p108146"></a>                  основе  любого сложного полупроводника и имеющих
<a id="p108147"></a>                  хотя бы одну из следующих характеристик:

<a id="p108148"></a>II.17.1.1.8.1.         эквивалентное количество вентилей свыше 300
<a id="p108149"></a>                       (в пересчете на двухвходовые);

<a id="p108150"></a>II.17.1.1.8.2.         частота переключения свыше 1,2 ГГц

<a id="p108151"></a>II.17.1.2.        Конструкция и  технология  производства приборов
<a id="p108152"></a>                  микроволнового или миллиметрового диапазона

<a id="p108153"></a>II.17.1.2.1.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108154"></a>                  электронных вакуумных ламп и катодов
<a id="p108155"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по пунктам
<a id="p108156"></a>                  II.17.1.2.1.     -      II.17.1.2.1.3.2.      не
<a id="p108157"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p108158"></a>                  производства ламп,  предназначенных для работы в
<a id="p108159"></a>                  стандартном    диапазоне    частот   гражданской
<a id="p108160"></a>                  телекоммуникации,  с частотами,  не превышающими
<a id="p108161"></a>                  31 ГГц

<a id="p108162"></a>II.17.1.2.1.1.    Конструкция и   технология   производства   ламп
<a id="p108163"></a>                  бегущей   волны   импульсного  или  непрерывного
<a id="p108164"></a>                  действия:

<a id="p108165"></a>II.17.1.2.1.1.1.       работающих на частотах свыше 31 ГГц;

<a id="p108166"></a>II.17.1.2.1.1.2.       имеющих элемент    подогрева    катода   со
<a id="p108167"></a>                       временем от включения до  выхода  лампы  на
<a id="p108168"></a>                       номинальную радиочастотную мощность менее 3
<a id="p108169"></a>                       с;

<a id="p108170"></a>II.17.1.2.1.1.3.       с сопряженными    резонаторами    или    их
<a id="p108171"></a>                       модификации;

<a id="p108172"></a>II.17.1.2.1.1.4.       со спиралью  или  их  модификаций,  имеющих
<a id="p108173"></a>                       хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108174"></a>II.17.1.2.1.1.4.1.     мгновенная ширина полосы частот  составляет
<a id="p108175"></a>                       пол-октавы    и   более,   и   произведение
<a id="p108176"></a>                       номинальной средней  выходной  мощности  (в
<a id="p108177"></a>                       кВт)  на  максимальную  рабочую  частоту (в
<a id="p108178"></a>                       ГГц) превышает 0,2;

<a id="p108179"></a>II.17.1.2.1.1.4.2.     мгновенная ширина полосы частот  составляет
<a id="p108180"></a>                       менее пол-октавы и произведение номинальной
<a id="p108181"></a>                       средней  выходной  мощности  (в   кВт)   на
<a id="p108182"></a>                       максимальную   рабочую   частоту   (в  ГГц)
<a id="p108183"></a>                       превышает 0,4;

<a id="p108184"></a>II.17.1.2.1.1.4.3.     по техническим   условиям   пригодны    для
<a id="p108185"></a>                       космического применения

<a id="p108186"></a>II.17.1.2.1.2.    Конструкция и      технология       производства
<a id="p108187"></a>                  СВЧ-приборов  -  усилителей магнетронного типа с
<a id="p108188"></a>                  коэффициентом усиления более 17 дБ

<a id="p108189"></a>II.17.1.2.1.3.    Конструкция и      технология       производства
<a id="p108190"></a>                  импрегнированных  катодов  для электронных ламп,
<a id="p108191"></a>                  имеющих хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108192"></a>II.17.1.2.1.3.1.       время от включения до выхода на номинальную
<a id="p108193"></a>                       эмиссию менее 3 с;

<a id="p108194"></a>II.17.1.2.1.3.2.       плотность тока при  непрерывной  эмиссии  и
<a id="p108195"></a>                       штатных  условиях  функционирования свыше 5
<a id="p108196"></a>                       А/кв. см

<a id="p108197"></a>II.17.1.2.2.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108198"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108199"></a>                  производства   электронных   вакуумных   ламп  и
<a id="p108200"></a>                  катодов,  указанных  в  пунктах  I.16.1.2.1.   -
<a id="p108201"></a>                  I.16.1.2.1.3.2.

<a id="p108202"></a>II.17.1.2.3.      Конструкция и       технология      производства
<a id="p108203"></a>                  интегральных  схем  или  модулей  микроволнового
<a id="p108204"></a>                  диапазона, содержащих твердотельные интегральные
<a id="p108205"></a>                  схемы, работающие на частотах свыше 31 ГГц

<a id="p108206"></a>                  Примечание

<a id="p108207"></a>                  Экспортный контроль  по  пункту II.17.1.2.3.  не
<a id="p108208"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p108209"></a>                  производства  схем или модулей для оборудования,
<a id="p108210"></a>                  разработанного  или  пригодного  для  работы   в
<a id="p108211"></a>                  стандартном    диапазоне    частот   гражданской
<a id="p108212"></a>                  телекоммуникации с частотами, не превышающими 31
<a id="p108213"></a>                  ГГц

<a id="p108214"></a>II.17.1.2.4.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108215"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108216"></a>                  производства  интегральных  схем   или   модулей
<a id="p108217"></a>                  микроволнового  диапазона,  указанных  в  пункте
<a id="p108218"></a>                  I.16.1.2.2.

<a id="p108219"></a>II.17.1.2.5.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108220"></a>                  микроволновых транзисторов,  предназначенных для
<a id="p108221"></a>                  работы на частотах, превышающих 31 ГГц

<a id="p108222"></a>II.17.1.2.6.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108223"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108224"></a>                  производства     микроволновых     транзисторов,
<a id="p108225"></a>                  предназначенных    для   работы   на   частотах,
<a id="p108226"></a>                  превышающих 31 ГГц

<a id="p108227"></a>II.17.1.2.7.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108228"></a>                  микроволновых твердотельных усилителей:

<a id="p108229"></a>II.17.1.2.7.1.         работающих на  частотах  свыше  10,5  ГГц и
<a id="p108230"></a>                       имеющих ширину рабочей полосы частот  более
<a id="p108231"></a>                       чем пол-октавы;

<a id="p108232"></a>II.17.1.2.7.2.         работающих на частотах свыше 31 ГГц
<a id="p108233"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108234"></a>                  II.17.1.2.7.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108235"></a>                  и технологию производства усилителей:
<a id="p108236"></a>                  специально спроектированных   для    медицинских
<a id="p108237"></a>                  целей;
<a id="p108238"></a>                  специально спроектированных для простых  учебных
<a id="p108239"></a>                  приборов;
<a id="p108240"></a>                  имеющих выходную  мощность  не  более  10  Вт  и
<a id="p108241"></a>                  специально спроектированных для:
<a id="p108242"></a>                       промышленных или гражданских систем  защиты
<a id="p108243"></a>                       периметра,  обнаружения посторонних лиц или
<a id="p108244"></a>                       охранной сигнализации;
<a id="p108245"></a>                       автодорожных или     промышленных    систем
<a id="p108246"></a>                       управления движением и систем подсчета;
<a id="p108247"></a>                       систем обнаружения           экологического
<a id="p108248"></a>                       загрязнения воздуха или воды

<a id="p108249"></a>II.17.1.2.8.
<a id="p108250"></a>                  Программное обеспечение,              специально
<a id="p108251"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108252"></a>                  производства     микроволновых     твердотельных
<a id="p108253"></a>                  усилителей,  указанных в пунктах  I.16.1.2.4.  -
<a id="p108254"></a>                  I.16.1.2.4.2.

<a id="p108255"></a>II.17.1.2.9.      Конструкция и технология производства  полосовых
<a id="p108256"></a>                  или  заграждающих  фильтров  с  электронной  или
<a id="p108257"></a>                  магнитной   настройкой,    имеющих    свыше    5
<a id="p108258"></a>                  настраиваемых     резонаторов,    обеспечивающих
<a id="p108259"></a>                  настройку  в  полосе   частот   с   соотношением
<a id="p108260"></a>                  максимальной  и минимальной частот 1,5 менее чем
<a id="p108261"></a>                  за 10 мкс,  причем полоса пропускания составляет
<a id="p108262"></a>                  более  0,5%  от  резонансной  частоты или полоса
<a id="p108263"></a>                  подавления составляет менее 0,5%  от резонансной
<a id="p108264"></a>                  частоты

<a id="p108265"></a>II.17.1.2.10.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p108266"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108267"></a>                  производства    полосовых    или    заграждающих
<a id="p108268"></a>                  фильтров, указанных в пункте I.16.1.2.5.

<a id="p108269"></a>II.17.1.2.11.     Конструкция и      технология       производства
<a id="p108270"></a>                  микроволновых   сборок,  способных  работать  на
<a id="p108271"></a>                  частотах, превышающих 31 ГГц

<a id="p108272"></a>II.17.1.2.12.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p108273"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108274"></a>                  производства  микроволновых  сборок,   способных
<a id="p108275"></a>                  работать на частотах, превышающих 31 ГГц

<a id="p108276"></a>II.17.1.2.13.     Конструкция и   технология  производства  гибких
<a id="p108277"></a>                  волноводов,  спроектированных для  использования
<a id="p108278"></a>                  на частотах свыше 40 ГГц

<a id="p108279"></a>II.17.1.2.14.     Программное обеспечение,              специально
<a id="p108280"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108281"></a>                  производства гибких волноводов, спроектированных
<a id="p108282"></a>                  для использования на частотах свыше 40 ГГц

<a id="p108283"></a>II.17.1.3.        Конструкция и технология  производства  приборов
<a id="p108284"></a>                  на     акустических    волнах    и    специально
<a id="p108285"></a>                  спроектированных для них компонентов

<a id="p108286"></a>II.17.1.3.1.      Конструкция и технология  производства  приборов
<a id="p108287"></a>                  на  поверхностных  акустических  волнах в тонкой
<a id="p108288"></a>                  подложке (т.е.  приборов для обработки сигналов,
<a id="p108289"></a>                  использующих упругие волны в материале), имеющих
<a id="p108290"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108291"></a>II.17.1.3.1.1.         несущая частота превышает 1 ГГц;

<a id="p108292"></a>II.17.1.3.1.2.         несущая частота  1  ГГц и менее,  частотное
<a id="p108293"></a>                       подавление  боковых   лепестков   диаграммы
<a id="p108294"></a>                       направленности     превышает     55     дБ,
<a id="p108295"></a>                       произведение максимального времени задержки
<a id="p108296"></a>                       (в  мкс)  на  ширину  полосы частот (в МГц)
<a id="p108297"></a>                       больше  100  или  задержка  распространения
<a id="p108298"></a>                       превышает 10 мкс
<a id="p108299"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108300"></a>                  II.17.1.3.1.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108301"></a>                  и технологию производства  приборов,  специально
<a id="p108302"></a>                  спроектированных  для  бытовой  электроники  или
<a id="p108303"></a>                  развлечений

<a id="p108304"></a>II.17.1.3.2.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108305"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108306"></a>                  производства    приборов    на     поверхностных
<a id="p108307"></a>                  акустических волнах в тонкой подложке, указанных
<a id="p108308"></a>                  в пунктах I.16.1.3.1. - I.16.1. 3.1.2.

<a id="p108309"></a>II.17.1.3.3.      Конструкция и технология  производства  приборов
<a id="p108310"></a>                  на  объемных акустических волнах (т.е.  приборов
<a id="p108311"></a>                  для  обработки  сигналов,  использующих  упругие
<a id="p108312"></a>                  волны      в      материале),     обеспечивающих
<a id="p108313"></a>                  непосредственную обработку сигналов на  частотах
<a id="p108314"></a>                  свыше 1 ГГц

<a id="p108315"></a>II.17.1.3.4.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108316"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108317"></a>                  производства  приборов  на объемных акустических
<a id="p108318"></a>                  волнах, указанных в пункте I.16.1.3.2.

<a id="p108319"></a>II.17.1.3.5.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108320"></a>                  акустооптических  приборов  обработки  сигналов,
<a id="p108321"></a>                  использующих взаимодействие между  акустическими
<a id="p108322"></a>                  волнами   (объемными   или   поверхностными)   и
<a id="p108323"></a>                  световыми     волнами,     что      обеспечивает
<a id="p108324"></a>                  непосредственную    обработку    сигналов    или
<a id="p108325"></a>                  изображения,  включая анализ спектра, корреляцию
<a id="p108326"></a>                  или свертку
<a id="p108327"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108328"></a>                  II.17.1.3.5.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108329"></a>                  и технологию производства  приборов,  специально
<a id="p108330"></a>                  спроектированных  для  гражданского телевидения,
<a id="p108331"></a>                  видео- или амплитудно модулированной и  частотно
<a id="p108332"></a>                  модулированной широковещательной аппаратуры

<a id="p108333"></a>II.17.1.3.6.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108334"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108335"></a>                  производства акустооптических приборов обработки
<a id="p108336"></a>                  сигналов, указанных в пункте I.16.1.3.3.

<a id="p108337"></a>II.17.1.4.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108338"></a>                  электронных  приборов   или   схем,   содержащих
<a id="p108339"></a>                  элементы,   изготовленные   из   сверхпроводящих
<a id="p108340"></a>                  материалов,  специально   спроектированных   для
<a id="p108341"></a>                  работы   при   температурах   ниже   критической
<a id="p108342"></a>                  температуры хотя  бы  одной  из  сверхпроводящих
<a id="p108343"></a>                  составляющих,  имеющих хотя бы один из следующих
<a id="p108344"></a>                  признаков:

<a id="p108345"></a>II.17.1.4.1.           наличие электромагнитного    усиления    на
<a id="p108346"></a>                       частотах, равных или ниже 31 ГГц, с уровнем
<a id="p108347"></a>                       шумов ниже 0,5 дБ или на частотах свыше  31
<a id="p108348"></a>                       ГГц;

<a id="p108349"></a>II.17.1.4.2.           наличие токовых переключателей для цифровых
<a id="p108350"></a>                       схем, использующих сверхпроводящие вентили,
<a id="p108351"></a>                       у  которых произведение времени задержки на
<a id="p108352"></a>                       вентиль (в секундах) на рассеяние  мощности
<a id="p108353"></a>                       на вентиль (в ваттах) ниже 10E-14 Дж;

<a id="p108354"></a>II.17.1.4.3.           обеспечение селекции    частоты   на   всех
<a id="p108355"></a>                       диапазонах    частот    с    использованием
<a id="p108356"></a>                       резонансных  контуров  с добротностью свыше
<a id="p108357"></a>                       10000

<a id="p108358"></a>II.17.1.5.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108359"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108360"></a>                  производства  электронных  приборов  или   схем,
<a id="p108361"></a>                  содержащих     элементы,     изготовленные    из
<a id="p108362"></a>                  сверхпроводящих материалов,  указанных в пунктах
<a id="p108363"></a>                  I.16.1.4. - I.16.1.4.3.

<a id="p108364"></a>II.17.1.6.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108365"></a>                  вращающихся     преобразователей     абсолютного
<a id="p108366"></a>                  углового  положения вала в код,  имеющих хотя бы
<a id="p108367"></a>                  один из следующих признаков:

<a id="p108368"></a>II.17.1.6.1.           разрешение лучше чем  1/265000  от  полного
<a id="p108369"></a>                       диапазона (18 бит);

<a id="p108370"></a>II.17.1.6.2.           точность лучше чем +-2,5 угл. с

<a id="p108371"></a>II.17.1.7.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108372"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108373"></a>                  производства     вращающихся    преобразователей
<a id="p108374"></a>                  абсолютного  углового  положения  вала  в   код,
<a id="p108375"></a>                  указанных в пунктах I.16.1.5. - I.16.1.5.2.

<a id="p108376"></a>II.17.1.8.        Конструкция и  технология производства вакуумных
<a id="p108377"></a>                  микроэлектронных приборов

<a id="p108378"></a>II.17.1.9.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p108379"></a>                  полупроводниковых  приборов  с гетероструктурой,
<a id="p108380"></a>                  например,  транзисторов с  высокой  подвижностью
<a id="p108381"></a>                  электронов  (ВПЭТ),  биполярных  транзисторов на
<a id="p108382"></a>                  гетероструктуре  (ГБТ),  приборов   на   эффекте
<a id="p108383"></a>                  потенциальной ямы или приборов на сверхрешетках

<a id="p108384"></a>II.17.1.10.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p108385"></a>                  электронных приборов со сверхпроводимостью

<a id="p108386"></a>II.17.2.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p108387"></a>                  электронной аппаратуры общего назначения

<a id="p108388"></a>II.17.2.1.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108389"></a>                  записывающей аппаратуры

<a id="p108390"></a>II.17.2.1.1.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108391"></a>                  накопителей  на  магнитной  ленте для аналоговой
<a id="p108392"></a>                  аппаратуры,  включая накопители  с  возможностью
<a id="p108393"></a>                  записи   цифровых  сигналов  (т.е.  использующей
<a id="p108394"></a>                  модуль  цифровой  записи   высокой   плотности),
<a id="p108395"></a>                  имеющих хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108396"></a>II.17.2.1.1.1.         полоса частот   превышает    4    МГц    на
<a id="p108397"></a>                       электронный канал или дорожку;

<a id="p108398"></a>II.17.2.1.1.2.         полоса частот    превышает    2    МГц   на
<a id="p108399"></a>                       электронный канал  или  дорожку  при  числе
<a id="p108400"></a>                       дорожек более 42;

<a id="p108401"></a>II.17.2.1.1.3.         ошибка рассогласования    временной   шкалы
<a id="p108402"></a>                       менее +-0,1 мкс

<a id="p108403"></a>II.17.2.1.2.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108404"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108405"></a>                  производства  накопителей на магнитной ленте для
<a id="p108406"></a>                  аналоговой  аппаратуры,  указанных   в   пунктах
<a id="p108407"></a>                  I.16.2.1.1. - I.16.2.1.1.3.

<a id="p108408"></a>II.17.2.1.3.      Конструкция и  технология  производства цифровых
<a id="p108409"></a>                  видеомагнитофонов,     имеющих      максимальную
<a id="p108410"></a>                  пропускную   способность   цифрового  интерфейса
<a id="p108411"></a>                  свыше    180    Мбит/с,     кроме     специально
<a id="p108412"></a>                  спроектированных  для  телевизионной  записи  по
<a id="p108413"></a>                  стандартам или  рекомендациям  для  гражданского
<a id="p108414"></a>                  телевидения

<a id="p108415"></a>II.17.2.1.4.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108416"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108417"></a>                  производства     цифровых     видеомагнитофонов,
<a id="p108418"></a>                  указанных в пункте I.16.2.1.2.

<a id="p108419"></a>II.17.2.1.5.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p108420"></a>                  накопителей  на  магнитной  ленте  для  цифровой
<a id="p108421"></a>                  аппаратуры,  имеющих хотя бы один  из  следующих
<a id="p108422"></a>                  признаков:

<a id="p108423"></a>II.17.2.1.5.1.         максимальная пропускная         способность
<a id="p108424"></a>                       цифрового  интерфейса  свыше  60  Мбит/с  и
<a id="p108425"></a>                       использование      методов      спирального
<a id="p108426"></a>                       сканирования;

<a id="p108427"></a>II.17.2.1.5.2.         максимальная пропускная         способность
<a id="p108428"></a>                       цифрового интерфейса  свыше  120  Мбит/с  и
<a id="p108429"></a>                       использование    фиксированных    магнитных
<a id="p108430"></a>                       головок;

<a id="p108431"></a>II.17.2.1.5.3.         по техническим   условиям   пригодны    для
<a id="p108432"></a>                       космического применения
<a id="p108433"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108434"></a>                  II.17.2.5.3.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108435"></a>                  и технологию производства аналоговых накопителей
<a id="p108436"></a>                  на магнитной ленте,  оснащенных электроникой для
<a id="p108437"></a>                  преобразования   в   цифровую   запись   высокой
<a id="p108438"></a>                  плотности  и  предназначенных  для записи только
<a id="p108439"></a>                  цифровых данных

<a id="p108440"></a>II.17.2.1.6.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108441"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108442"></a>                  производства накопителей на магнитной ленте  для
<a id="p108443"></a>                  цифровой   аппаратуры,   указанных   в   пунктах
<a id="p108444"></a>                  I.16.2.1.3. - I.16.2.1.3.3.

<a id="p108445"></a>II.17.2.1.7.      Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p108446"></a>                  с максимальной пропускной способностью цифрового
<a id="p108447"></a>                  интерфейса свыше 60 Мбит/с, спроектированной для
<a id="p108448"></a>                  переделки     цифровых    видеомагнитофонов    в
<a id="p108449"></a>                  устройство записи данных цифровой аппаратуры

<a id="p108450"></a>II.17.2.1.8.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p108451"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108452"></a>                  производства  аппаратуры,  указанной  в   пункте
<a id="p108453"></a>                  I.16.2.1.4.

<a id="p108454"></a>II.17.2.2.        Конструкция и   технология  производства  сборок
<a id="p108455"></a>                  синтезаторов частоты, имеющих время переключения
<a id="p108456"></a>                  с одной заданной частоты на другую менее 1 мс

<a id="p108457"></a>II.17.2.3.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108458"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108459"></a>                  производства    сборок   синтезаторов   частоты,
<a id="p108460"></a>                  указанных в пункте I.16.2.2.

<a id="p108461"></a>II.17.2.4.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p108462"></a>                  анализаторов сигналов:

<a id="p108463"></a>II.17.2.4.1.           способных анализировать            частоты,
<a id="p108464"></a>                       превышающие 31 ГГц;

<a id="p108465"></a>II.17.2.4.2.           динамических анализаторов     сигналов    с
<a id="p108466"></a>                       полосой  пропускания  в  реальном  масштабе
<a id="p108467"></a>                       времени,  превышающей 25,6 кГц,  кроме тех,
<a id="p108468"></a>                       которые  используют   фильтры   с   полосой
<a id="p108469"></a>                       пропускания  фиксированных долей (известные
<a id="p108470"></a>                       также   как  октавные  или  дробно-октавные
<a id="p108471"></a>                       фильтры)

<a id="p108472"></a>II.17.2.5.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108473"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108474"></a>                  производства анализаторов сигналов,  указанных в
<a id="p108475"></a>                  пунктах I.16.2.3. - I.16.2.3.2.

<a id="p108476"></a>II.17.2.6.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108477"></a>                  генераторов  сигналов  синтезированных   частот,
<a id="p108478"></a>                  формирующих  выходные  частоты  с управлением по
<a id="p108479"></a>                  параметрам    точности,    кратковременной     и
<a id="p108480"></a>                  долговременной  стабильностью  на  основе  или с
<a id="p108481"></a>                  помощью внутренней  эталонной  частоты,  имеющих
<a id="p108482"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108483"></a>II.17.2.6.1.           максимальная синтезируемая         частота,
<a id="p108484"></a>                       превышающая 31 ГГц;

<a id="p108485"></a>II.17.2.6.2.           время переключения частоты с одной заданной
<a id="p108486"></a>                       частоты на другую менее 1 мс;

<a id="p108487"></a>II.17.2.6.3.
<a id="p108488"></a>                       фазовый шум  одной  боковой  полосы   (ОБП)
<a id="p108489"></a>                       лучше чем -(126+20lg(F)-20lg(f)) в единицах
<a id="p108490"></a>                       дБ/Гц,
<a id="p108491"></a>                       где F - смещение рабочей частоты в Гц,  а f
                       - <a id="p108492"></a>рабочая частота в МГц
<a id="p108493"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по пунктам
<a id="p108494"></a>                  II.17.2.6. - II.17.2.6.3. не распространяется на
<a id="p108495"></a>                  конструкцию     и     технологию    производства
<a id="p108496"></a>                  аппаратуры,  в  которой  выходная  частота  либо
<a id="p108497"></a>                  создается  путем сложения или вычитания частот с
<a id="p108498"></a>                  двух и более кварцевых генераторов,  либо  путем
<a id="p108499"></a>                  сложения  или вычитания с последующим умножением
<a id="p108500"></a>                  результирующей частоты

<a id="p108501"></a>II.17.2.7.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108502"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108503"></a>                  производства        генераторов         сигналов
<a id="p108504"></a>                  синтезированных   частот,  указанных  в  пунктах
<a id="p108505"></a>                  I.16.2.4. - I.16.2.4.3.

<a id="p108506"></a>II.17.2.8.        Конструкция и  технология  производства  сетевых
<a id="p108507"></a>                  анализаторов  с  максимальной  рабочей частотой,
<a id="p108508"></a>                  превышающей 31 ГГц
<a id="p108509"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108510"></a>                  II.17.2.8.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108511"></a>                  технологию  производства  сетевых анализаторов с
<a id="p108512"></a>                  качающейся частотой,  рабочая частота которых не
<a id="p108513"></a>                  превосходит  40  ГГц  и  которые  не  имеют шины
<a id="p108514"></a>                  данных для интерфейса дистанционного управления

<a id="p108515"></a>II.17.2.9.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108516"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108517"></a>                  производства  сетевых анализаторов,  указанных в
<a id="p108518"></a>                  пункте I.16.2.5.

<a id="p108519"></a>II.17.2.10.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p108520"></a>                  приемников-тестеров   микроволнового  диапазона,
<a id="p108521"></a>                  имеющих максимальную рабочую  частоту  более  31
<a id="p108522"></a>                  ГГц  и способных одновременно измерять амплитуду
<a id="p108523"></a>                  и фазу

<a id="p108524"></a>II.17.2.11.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108525"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108526"></a>                  производства приемников-тестеров  микроволнового
<a id="p108527"></a>                  диапазона, указанных в пункте I.16.2.6.

<a id="p108528"></a>II.17.2.12.       Конструкция и  технология  производства  атомных
<a id="p108529"></a>                  эталонов  частоты,  имеющих  хотя  бы  один   из
<a id="p108530"></a>                  следующих признаков:

<a id="p108531"></a>II.17.2.12.1.          долговременная стабильность      (старение)
<a id="p108532"></a>                       менее (лучше) 10E-11/ мес;

<a id="p108533"></a>II.17.2.12.2.          по техническим   условиям   пригодны    для
<a id="p108534"></a>                       космического применения
<a id="p108535"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108536"></a>                  II.17.12.1. не распространяется на конструкцию и
<a id="p108537"></a>                  технологию производства рубидиевых эталонов,  не
<a id="p108538"></a>                  предназначенных для космического применения

<a id="p108539"></a>II.17.2.13.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108540"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108541"></a>                  производства атомных эталонов частоты, указанных
<a id="p108542"></a>                  в пунктах I.16.2.7. - I.16.2.7.2.

<a id="p108543"></a>II.17.2.14.       Конструкция и технология производства эмуляторов
<a id="p108544"></a>                  микросхем,  указанных в пунктах I.16.1.1.1.  или
<a id="p108545"></a>                  I.16.1.1.6.
<a id="p108546"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108547"></a>                  II.17.2.14. не распространяется на конструкцию и
<a id="p108548"></a>                  технологию       производства        эмуляторов,
<a id="p108549"></a>                  спроектированных под семейство,  содержащее хотя
<a id="p108550"></a>                  бы один прибор,  на который не  распространяется
<a id="p108551"></a>                  экспортный  контроль по пунктам I.16.1.1.1.  или
<a id="p108552"></a>                  I.16.1.1.6.

<a id="p108553"></a>II.17.2.15.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108554"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108555"></a>                  производства эмуляторов микросхем,  указанных  в
<a id="p108556"></a>                  пункте I.16.2.8.

<a id="p108557"></a>II.17.3.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p108558"></a>                  оборудования  для   производства   и   испытания
<a id="p108559"></a>                  полупроводниковых приборов

<a id="p108560"></a>II.17.3.1.        Конструкция и технология производства снабженных
<a id="p108561"></a>                  программно-управляемым запоминающим  устройством
<a id="p108562"></a>                  установок для эпитаксиального выращивания

<a id="p108563"></a>II.17.3.1.1.      Конструкция и  технология производства установок
<a id="p108564"></a>                  для   эпитаксиального   выращивания,   способных
<a id="p108565"></a>                  выдерживать   толщину   эпитаксиального  слоя  с
<a id="p108566"></a>                  отклонением не более  +-2,5%  на  протяжении  не
<a id="p108567"></a>                  менее 75 мм вдоль пластины

<a id="p108568"></a>II.17.3.1.2.      Конструкция и  технология производства установок
<a id="p108569"></a>                  химического осаждения металлорганических  паров,
<a id="p108570"></a>                  специально   предназначенных   для   выращивания
<a id="p108571"></a>                  кристаллов  сложных  полупроводников  с  помощью
<a id="p108572"></a>                  химических   реакций   материалов,  указанных  в
<a id="p108573"></a>                  пунктах I.6.11. - I.6.11.4. или I.6.12.

<a id="p108574"></a>II.17.3.1.3.      Конструкция и технология производства  установок
<a id="p108575"></a>                  молекулярно-лучевой    эпитаксии,   использующих
<a id="p108576"></a>                  газовые источники

<a id="p108577"></a>II.17.3.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108578"></a>                  разработанное  для проектирования,  производства
<a id="p108579"></a>                  или  применения  установок  для  эпитаксиального
<a id="p108580"></a>                  выращивания,  указанных  в  пунктах I.16.3.1.  -
<a id="p108581"></a>                  I.16.3.1.3.

<a id="p108582"></a>II.17.3.3.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p108583"></a>                  многофункциональных фокусируемых ионно - лучевых
<a id="p108584"></a>                  систем,  снабженных  программно  -   управляемым
<a id="p108585"></a>                  запоминающим       устройством,       специально
<a id="p108586"></a>                  спроектированных  для   производства,   ремонта,
<a id="p108587"></a>                  анализа   физической  топологии  и  тестирования
<a id="p108588"></a>                  масок или  полупроводниковых  приборов,  имеющих
<a id="p108589"></a>                  хотя бы один из следующих признаков:

<a id="p108590"></a>II.17.3.3.1.           точность управления  положением  пучка   на
<a id="p108591"></a>                       мишени 0,25 мкм или лучше;

<a id="p108592"></a>II.17.3.3.2.           разрешающая способность   цифро-аналогового
<a id="p108593"></a>                       преобразования свыше 12 бит

<a id="p108594"></a>II.17.3.4.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108595"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108596"></a>                  или  применения многофункциональных фокусируемых
<a id="p108597"></a>                  ионно-лучевых  систем,   указанных   в   пунктах
<a id="p108598"></a>                  I.16.3.2. - I.16.3.2.2.

<a id="p108599"></a>II.17.3.5.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p108600"></a>                  многокамерного         центра          обработки
<a id="p108601"></a>                  полупроводниковых   пластин   с   автоматической
<a id="p108602"></a>                  загрузкой и программно-управляющим  запоминающим
<a id="p108603"></a>                  устройством,  имеющего устройства для загрузки и
<a id="p108604"></a>                  выгрузки  пластин,  к   которому   должны   быть
<a id="p108605"></a>                  присоединены      более      двух      установок
<a id="p108606"></a>                  технологической    обработки    полупроводников,
<a id="p108607"></a>                  образуя  комплексную вакуумированную систему для
<a id="p108608"></a>                  последовательной   многопозиционной    обработки
<a id="p108609"></a>                  пластин
<a id="p108610"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108611"></a>                  II.17.3.5.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108612"></a>                  технологию      производства      автоматических
<a id="p108613"></a>                  робототехнических  систем обработки пластин,  не
<a id="p108614"></a>                  предназначенных для работы в вакууме

<a id="p108615"></a>II.17.3.6.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108616"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108617"></a>                  или  применения  многокамерного центра обработки
<a id="p108618"></a>                  полупроводниковых пластин,  указанного в  пункте
<a id="p108619"></a>                  I.16.3.3.

<a id="p108620"></a>II.17.3.7.        Конструкция и  технология производства установок
<a id="p108621"></a>                  литографии,  снабженных   программно-управляющим
<a id="p108622"></a>                  запоминающим устройством

<a id="p108623"></a>II.17.3.7.1.      Конструкция и  технология производства установок
<a id="p108624"></a>                  многократного совмещения  и  экспонирования  для
<a id="p108625"></a>                  обработки  пластин  методами  фотооптической или
<a id="p108626"></a>                  рентгеновской литографии,  имеющих хотя бы  один
<a id="p108627"></a>                  из следующих признаков:

<a id="p108628"></a>II.17.3.7.1.1.         наличие источника  освещения с длиной волны
<a id="p108629"></a>                       короче 400 нм;

<a id="p108630"></a>II.17.3.7.1.2.         цифровая апертура свыше 0,40;

<a id="p108631"></a>II.17.3.7.1.3.         точность совмещения +-0,20  мкм  (3  сигма)
<a id="p108632"></a>                       или лучше
<a id="p108633"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108634"></a>                  II.17.3.7.1.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108635"></a>                  и      технологию     производства     установок
<a id="p108636"></a>                  многократного   совмещения   и   экспонирования,
<a id="p108637"></a>                  имеющих  длину  волны источника освещения 436 нм
<a id="p108638"></a>                  или больше,  цифровую апертуру 0,38 или  меньше,
<a id="p108639"></a>                  диаметр изображения 22 мм и меньше

<a id="p108640"></a>II.17.3.7.2.      Конструкция и технология производства установок,
<a id="p108641"></a>                  специально  спроектированных  для   производства
<a id="p108642"></a>                  масок или обработки полупроводниковых приборов с
<a id="p108643"></a>                  использованием    отклоняемого     фокусируемого
<a id="p108644"></a>                  электронного пучка,  ионного пучка или лазерного
<a id="p108645"></a>                  пучка,  имеющих  хотя  бы  один   из   следующих
<a id="p108646"></a>                  признаков:

<a id="p108647"></a>II.17.3.7.2.1.         размер пятна меньше чем 0,2 мкм;

<a id="p108648"></a>II.17.3.7.2.2.         способность производить     структуру     с
<a id="p108649"></a>                       минимальными размерами менее 1 мкм;

<a id="p108650"></a>II.17.3.7.2.3.         точность совмещения  лучше  +-0,20  мкм  (3
<a id="p108651"></a>                       сигма)

<a id="p108652"></a>II.17.3.8.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108653"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108654"></a>                  или применения установок литографии, указанных в
<a id="p108655"></a>                  пунктах I.16.3.4. - I.16.3.4.2.3.

<a id="p108656"></a>II.17.3.9.        Технология производства масок или фотошаблонов

<a id="p108657"></a>II.17.3.9.1.      Технология производства масок  или  фотошаблонов
<a id="p108658"></a>                  для   интегральных  схем,  указанных  в  пунктах
<a id="p108659"></a>                  I.16.1. - I.16.1.1.8.2.

<a id="p108660"></a>II.17.3.9.2.      Технология производства   многослойных    масок,
<a id="p108661"></a>                  оснащенных фазосдвигающим слоем

<a id="p108662"></a>II.17.3.10.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108663"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108664"></a>                  или применения масок или фотошаблонов, указанных
<a id="p108665"></a>                  в пунктах I.16.3.5. - I.16.3.5.2.

<a id="p108666"></a>II.17.3.11.       Информация по  способам  оптимизации   процессов
<a id="p108667"></a>                  совмещения  скрытых  локальных слоев и топологии
<a id="p108668"></a>                  интегральных схем  с  высокой  точностью  (лучше
<a id="p108669"></a>                  +-0,20 мкм)

<a id="p108670"></a>II.17.3.12.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p108671"></a>                  испытательной       аппаратуры,       снабженной
<a id="p108672"></a>                  программно-управляющим запоминающим устройством,
<a id="p108673"></a>                  специально   спроектированной   для    испытания
<a id="p108674"></a>                  полупроводниковых    приборов   и   бескорпусных
<a id="p108675"></a>                  кристаллов:

<a id="p108676"></a>II.17.3.12.1.          аппаратуры для  замера  параметров  матрицы
<a id="p108677"></a>                       рассеяния на частотах свыше 31 ГГц

<a id="p108678"></a>II.17.3.12.2.          аппаратуры для  испытания интегральных схем
<a id="p108679"></a>                       и   их    сборок,    способной    выполнять
<a id="p108680"></a>                       функциональное  тестирование  (по  таблицам
<a id="p108681"></a>                       истинности) с частотой  тестирования  строк
<a id="p108682"></a>                       свыше 40 МГц
<a id="p108683"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108684"></a>                  II.17.3.12.2. не распространяется на конструкцию
<a id="p108685"></a>                  и технологию производства аппаратуры, специально
<a id="p108686"></a>                  спроектированной для испытаний:

<a id="p108687"></a>                  сборок или класса сборок для бытовой электроники
<a id="p108688"></a>                  или развлечений;

<a id="p108689"></a>                  электронных компонентов, сборок или интегральных
<a id="p108690"></a>                  схем, не подлежащих экспортному контролю

<a id="p108691"></a>II.17.3.12.3.          аппаратуры для    испытания   микроволновых
<a id="p108692"></a>                       интегральных схем на частотах,  превышающих
<a id="p108693"></a>                       31 ГГц;
<a id="p108694"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108695"></a>                  II.17.3.12.3. не распространяется на конструкцию
<a id="p108696"></a>                  и технологию производства аппаратуры, специально
<a id="p108697"></a>                  спроектированной   для  испытаний  микроволновых
<a id="p108698"></a>                  интегральных     схем,     для     оборудования,
<a id="p108699"></a>                  предназначенного  или  пригодного по техническим
<a id="p108700"></a>                  условиям для работы  в  стандартном  гражданском
<a id="p108701"></a>                  диапазоне на частотах, не превышающих 31 ГГц

<a id="p108702"></a>II.17.3.12.4.          электронно-лучевых систем, спроектированных
<a id="p108703"></a>                       для работы ниже 3 кэВ, или лазерных лучевых
<a id="p108704"></a>                       систем  для   бесконтактного   зондирования
<a id="p108705"></a>                       запитанных    полупроводниковых   приборов,
<a id="p108706"></a>                       имеющих   одновременно    стробоскопический
<a id="p108707"></a>                       режим   либо  с  затенением  луча,  либо  с
<a id="p108708"></a>                       детекторным  стробированием  и  электронный
<a id="p108709"></a>                       спектрометр для замера напряжений менее 0,5
<a id="p108710"></a>                       В
<a id="p108711"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108712"></a>                  II.17.3.12.4. не распространяется на конструкцию
<a id="p108713"></a>                  и    технологию     производства     сканирующих
<a id="p108714"></a>                  электронных   микроскопов,  кроме  тех,  которые
<a id="p108715"></a>                  специально   спроектированы   и   оснащены   для
<a id="p108716"></a>                  бесконтактного      зондирования      запитанных
<a id="p108717"></a>                  полупроводниковых приборов

<a id="p108718"></a>II.17.3.13.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108719"></a>                  разработанное     для     проектирования     или
<a id="p108720"></a>                  производства         аппаратуры        испытаний
<a id="p108721"></a>                  полупроводниковых   приборов   и    бескорпусных
<a id="p108722"></a>                  кристаллов,  указанных  в  пунктах  I.16.3.6.  -
<a id="p108723"></a>                  I.16.3.6.4.

<a id="p108724"></a>II.17.3.14.       Программное обеспечение                   систем
<a id="p108725"></a>                  автоматизированного     проектирования    (САПР)
<a id="p108726"></a>                  полупроводниковых  приборов   или   интегральных
<a id="p108727"></a>                  схем,   имеющее   хотя   бы  один  из  следующих
<a id="p108728"></a>                  признаков:

<a id="p108729"></a>II.17.3.14.1.          имеются правила  проектирования или правила
<a id="p108730"></a>                       проверки (верификации) схем;

<a id="p108731"></a>II.17.3.14.2.          обеспечивается моделирование  схем  по   их
<a id="p108732"></a>                       физической топологии;

<a id="p108733"></a>II.17.3.14.3.          имеются имитаторы литографических процессов
<a id="p108734"></a>                       для проектирования
<a id="p108735"></a>                      Примечания: 1.    Имитатор   литографических
<a id="p108736"></a>                  процессов - это пакет программного  обеспечения,
<a id="p108737"></a>                  используемый   на   этапе   проектирования   для
<a id="p108738"></a>                  определения     последовательности      операций
<a id="p108739"></a>                  литографии,   травления   и  осаждения  с  целью
<a id="p108740"></a>                  воплощения структур на фотошаблонах в конкретные
<a id="p108741"></a>                  топологические       структуры      проводников,
<a id="p108742"></a>                  диэлектриков или полупроводников
                  2. <a id="p108743"></a>Экспортный контроль по пунктам II.17.3.14.  -
<a id="p108744"></a>                  II.17.3.14.3. не распространяется на программное
<a id="p108745"></a>                  обеспечение,  специально  созданное для описания
<a id="p108746"></a>                  принципиальных схем,  логического моделирования,
<a id="p108747"></a>                  раскладки  и  маршрутизации,  создания магнитных
<a id="p108748"></a>                  лент для верификации топологии или  формирования
<a id="p108749"></a>                  рисунка.   Библиотеки,   проектные   атрибуты  и
<a id="p108750"></a>                  сопутствующие    данные    для    проектирования
<a id="p108751"></a>                  полупроводниковых приборов или интегральных схем
<a id="p108752"></a>                  рассматриваются как технология

<a id="p108753"></a>II.17.4.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p108754"></a>                  радиолокационных  станций   (РЛС),   аппаратуры,
<a id="p108755"></a>                  узлов и специально разработанных компонентов
<a id="p108756"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по пунктам
<a id="p108757"></a>                  II.17.4 - II.17.4.20.2.  не распространяется  на
<a id="p108758"></a>                  конструкцию и технологию производства:
<a id="p108759"></a>                  РЛС с активным ответом;
<a id="p108760"></a>                  автомобильных РЛС       для       предотвращения
<a id="p108761"></a>                  столкновений;
<a id="p108762"></a>                  дисплеев и мониторов,  используемых для контроля
<a id="p108763"></a>                  воздушного движения, имеющих разрешение не более
<a id="p108764"></a>                  12 элементов на мм

<a id="p108765"></a>II.17.4.1.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108766"></a>                  работающих  на  частотах  от 40 ГГц до 230 ГГц и
<a id="p108767"></a>                  имеющих среднюю выходную мощность более 100 мВт

<a id="p108768"></a>II.17.4.2.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108769"></a>                  имеющих перестраиваемую частоту в пределах более
<a id="p108770"></a>                  чем +-6,25% от центральной рабочей частоты

<a id="p108771"></a>II.17.4.3.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108772"></a>                  имеющих  возможность  работать на двух или более
<a id="p108773"></a>                  несущих частотах

<a id="p108774"></a>II.17.4.4.        Конструкция и   технология   производства    РЛС
<a id="p108775"></a>                  воздушного   базирования,   имеющих  возможность
<a id="p108776"></a>                  функционирования   в   режимах   синтезированной
<a id="p108777"></a>                  апертуры,  обратной синтезированной апертуры или
<a id="p108778"></a>                  бокового обзора

<a id="p108779"></a>II.17.4.5.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108780"></a>                  включающих  фазированные  антенные  решетки  для
<a id="p108781"></a>                  электронного управления лучом

<a id="p108782"></a>II.17.4.6.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108783"></a>                  обладающих   способностью   нахождения  высотных
<a id="p108784"></a>                  одиночных целей
<a id="p108785"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108786"></a>                  II.17.4.6.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108787"></a>                  технологию производства  аппаратуры  РЛС  точной
<a id="p108788"></a>                  посадки,   удовлетворяющей  стандартам  ИКАО,  и
<a id="p108789"></a>                  метеорологических (погодных) РЛС

<a id="p108790"></a>II.17.4.7.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108791"></a>                  предназначенных    специально   для   воздушного
<a id="p108792"></a>                  базирования  и  имеющих  доплеровскую  обработку
<a id="p108793"></a>                  сигнала для обнаружения движущихся целей

<a id="p108794"></a>II.17.4.8.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108795"></a>                  использующих    обработку    сигнала    методами
<a id="p108796"></a>                  расширения спектра или перестройки частоты

<a id="p108797"></a>II.17.4.9.        Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108798"></a>                  обеспечивающих   наземное   функционирование   с
<a id="p108799"></a>                  максимальной  инструментальной  дальностью свыше
<a id="p108800"></a>                  185 км
<a id="p108801"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108802"></a>                  II.17.4.9.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108803"></a>                  технологию  производства наземных РЛС наблюдения
<a id="p108804"></a>                  рыбных косяков

<a id="p108805"></a>II.17.4.10.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108806"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108807"></a>                  или   применения   РЛС,   указанных   в  пунктах
<a id="p108808"></a>                  I.16.4.1. - I.16.4.9.

<a id="p108809"></a>II.17.4.11.       Конструкция и технология  производства  лазерных
<a id="p108810"></a>                  локационных  станций  или  лазерных  дальномеров
<a id="p108811"></a>                  (ЛИДАРов):

<a id="p108812"></a>II.17.4.11.1.          имеющих космическое применение;

<a id="p108813"></a>II.17.4.11.2.          использующих методы            когерентного
<a id="p108814"></a>                       гетеродинного        или        гомодинного
<a id="p108815"></a>                       детектирования и имеющих угловое разрешение
<a id="p108816"></a>                       менее (лучше) 20 мкрад
<a id="p108817"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по пунктам
<a id="p108818"></a>                  II.17.4.11. - II. 17.4.11.2. не распространяется
<a id="p108819"></a>                  на   конструкцию   и   технологию   производства
<a id="p108820"></a>                  ЛИДАРов,   специально    спроектированных    для
<a id="p108821"></a>                  метеорологических наблюдений

<a id="p108822"></a>II.17.4.12.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108823"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108824"></a>                  или  применения лазерных локационных станций или
<a id="p108825"></a>                  лазерных  дальномеров,   указанных   в   пунктах
<a id="p108826"></a>                  I.16.4.10. - I.16.4.10.2.

<a id="p108827"></a>II.17.4.13.       Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108828"></a>                  имеющих  подсистемы  обработки  сигнала  в  виде
<a id="p108829"></a>                  сжатия импульса с коэффициентом сжатия свыше 150
<a id="p108830"></a>                  или шириной импульса менее 200 нс

<a id="p108831"></a>II.17.4.14.       Конструкция и   технология   производства   РЛС,
<a id="p108832"></a>                  имеющих подсистемы обработки данных:

<a id="p108833"></a>II.17.4.14.1.          с автоматическим    сопровождением   целей,
<a id="p108834"></a>                       обеспечивающим при любом  вращении  антенны
<a id="p108835"></a>                       предполагаемое положение цели далее, чем до
<a id="p108836"></a>                       следующего прохождения луча антенны;
<a id="p108837"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108838"></a>                  II.17.4.14.1. не распространяется на конструкцию
<a id="p108839"></a>                  и технологию производства средств выдачи сигнала
<a id="p108840"></a>                  для  предупреждения  столкновений   в   системах
<a id="p108841"></a>                  контроля   воздушного   движения,   морских  или
<a id="p108842"></a>                  прибрежных РЛС

<a id="p108843"></a>II.17.4.14.2.          с вычислением  скорости  цели  относительно
<a id="p108844"></a>                       РЛС, имеющей непериодическое сканирование;

<a id="p108845"></a>II.17.4.14.3.          для автоматического  распознавания  образов
<a id="p108846"></a>                       (выделение  признаков) и сравнения с базами
<a id="p108847"></a>                       данных  характеристик  цели  (сигналов  или
<a id="p108848"></a>                       образов)      для     идентификации     или
<a id="p108849"></a>                       классификации целей;

<a id="p108850"></a>II.17.4.14.4.          с наложением,  корреляцией   или   слиянием
<a id="p108851"></a>                       данных    цели    от    двух    или   более
<a id="p108852"></a>                       пространственно распределенных на местности
<a id="p108853"></a>                       и    взаимосвязанных   датчиков   РЛС   для
<a id="p108854"></a>                       улучшения различения целей
<a id="p108855"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108856"></a>                  II.17.4.14.4. не распространяется на конструкцию
<a id="p108857"></a>                  и технологию производства систем, оборудования и
<a id="p108858"></a>                  узлов для контроля морского движения

<a id="p108859"></a>II.17.4.15.       Конструкция и технология производства импульсных
<a id="p108860"></a>                  РЛС  измерения  площади  поперечного  сечения  с
<a id="p108861"></a>                  длительностью  импульса  100  нс  или  менее   и
<a id="p108862"></a>                  специальными компонентами

<a id="p108863"></a>II.17.4.16.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108864"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108865"></a>                  или   применения   РЛС,   указанных   в  пунктах
<a id="p108866"></a>                  I.16.4.11. - I.16.4.13

<a id="p108867"></a>II.17.4.17.       Программное обеспечение для управления воздушным
<a id="p108868"></a>                  движением   на  компьютерах  общего  назначения,
<a id="p108869"></a>                  находящихся  в  центрах   управления   воздушным
<a id="p108870"></a>                  движением и обладающих следующими возможностями:

<a id="p108871"></a>II.17.4.17.1.          обработка и   отображение   более  чем  150
<a id="p108872"></a>                       одновременных траекторий;

<a id="p108873"></a>II.17.4.17.2.          прием РЛС информации о целях от  более  чем
<a id="p108874"></a>                       четырех первичных РЛС;

<a id="p108875"></a>II.17.4.17.3.          автоматическая обработка с передачей данных
<a id="p108876"></a>                       о  целях  от  первичных   РЛС   (в   случае
<a id="p108877"></a>                       отсутствия    корреляции    с   информацией
<a id="p108878"></a>                       наблюдения РЛС с активным ответом) с одного
<a id="p108879"></a>                       центра  управления  воздушным  движением на
<a id="p108880"></a>                       другой центр управления

<a id="p108881"></a>II.17.4.18.       Конструкция и технология  производства  антенных
<a id="p108882"></a>                  фазированных    решеток,    функционирующих   на
<a id="p108883"></a>                  частотах  выше  10,5  ГГц,  содержащих  активные
<a id="p108884"></a>                  элементы     и     распределенные    компоненты,
<a id="p108885"></a>                  позволяющие осуществлять электронное  управление
<a id="p108886"></a>                  формой   и  направлением  луча,  за  исключением
<a id="p108887"></a>                  систем посадки  с  аппаратурой,  удовлетворяющей
<a id="p108888"></a>                  стандартам ИКАО (система посадки СВЧ-диапазона)

<a id="p108889"></a>II.17.4.19.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p108890"></a>                  разработанное для  проектирования,  производства
<a id="p108891"></a>                  или  применения  антенных  фазированных решеток,
<a id="p108892"></a>                  указанных в пункте I.16.4.14.

<a id="p108893"></a>II.17.4.20.       Программное обеспечение   для   разработки   или
<a id="p108894"></a>                  производства обтекателей, которые:

<a id="p108895"></a>II.17.4.20.1.          специально разработаны      для      защиты
<a id="p108896"></a>                       фазированных    решеток    с    электронной
<a id="p108897"></a>                       перестройкой  луча,  указанных   в   пункте
<a id="p108898"></a>                       I.16.4.14.

<a id="p108899"></a>II.17.4.20.2.          ограничивают увеличение   среднего   уровня
<a id="p108900"></a>                       боковых лепестков менее чем на  13  дБ  для
<a id="p108901"></a>                       частот равных или выше 2 ГГц

<a id="p108902"></a>II.17.5.          Конструкция и      технология       производства
<a id="p108903"></a>                  телекоммуникационной    аппаратуры,    узлов   и
<a id="p108904"></a>                  компонентов

<a id="p108905"></a>II.17.5.1.        Конструкция и      технология       производства
<a id="p108906"></a>                  телекоммуникационного  оборудования любого типа,
<a id="p108907"></a>                  имеющего   хотя   бы   одну   из   перечисленных
<a id="p108908"></a>                  характеристик, свойств или качеств:

<a id="p108909"></a>II.17.5.1.1.           специально разработанное  для   защиты   от
<a id="p108910"></a>                       транзисторного          эффекта         или
<a id="p108911"></a>                       электромагнитного импульса, возникающих при
<a id="p108912"></a>                       ядерном взрыве;

<a id="p108913"></a>II.17.5.1.2.           специально разработанное    с    повышенной
<a id="p108914"></a>                       стойкостью к гамма, нейтронному или ионному
<a id="p108915"></a>                       излучению;

<a id="p108916"></a>II.17.5.1.3.           специально разработанное                для
<a id="p108917"></a>                       функционирования  за  пределами   интервала
<a id="p108918"></a>                       температур от 219 К (-54 град. C) до 397  К
<a id="p108919"></a>                       (124 град. C)
<a id="p108920"></a>                      Примечания: 1.       Пункт      II.17.5.1.3.
<a id="p108921"></a>                  применяется только  в  отношении  конструкции  и
<a id="p108922"></a>                  технологии производства электронной аппаратуры
                  2. <a id="p108923"></a>Пункты   II.17.5.1.2.   и   II.17.5.1.3.   не
<a id="p108924"></a>                  применяются в отношении конструкции и технологии
<a id="p108925"></a>                  производства бортовой аппаратуры спутников

<a id="p108926"></a>II.17.5.2.        Программное обеспечение,              специально
<a id="p108927"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p108928"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p108929"></a>                  телекоммуникационного оборудования, указанного в
<a id="p108930"></a>                  пунктах I.16.5.1. - I.16.5.1.3.

<a id="p108931"></a>II.17.6.          Конструкция и       технология      производства
<a id="p108932"></a>                  телекоммуникационной  аппаратуры  передачи   или
<a id="p108933"></a>                  специально     разработанных    компонентов    и
<a id="p108934"></a>                  вспомогательного оборудования, содержащих:

<a id="p108935"></a>II.17.6.1.             аппаратуру, использующую  цифровые  методы,
<a id="p108936"></a>                       включая   цифровую   обработку   аналоговых
<a id="p108937"></a>                       сигналов,         разработанную         для
<a id="p108938"></a>                       функционирования   при   скорости  цифровой
<a id="p108939"></a>                       передачи  на  верхнем  пределе   уплотнения
<a id="p108940"></a>                       свыше 45 Мбит/с или общей скорости цифровой
<a id="p108941"></a>                       передачи свыше 90 Мбит/с;
<a id="p108942"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108943"></a>                  II.17.6.1.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108944"></a>                  технологию производства  аппаратуры,  специально
<a id="p108945"></a>                  разработанной для включения и функционирования в
<a id="p108946"></a>                  любой    спутниковой    системе     гражданского
<a id="p108947"></a>                  назначения

<a id="p108948"></a>II.17.6.2.             аппаратуру цифровой      коммутации      со
<a id="p108949"></a>                       встроенным    программным   управлением   и
<a id="p108950"></a>                       скоростью  цифровой  передачи   свыше   8,5
<a id="p108951"></a>                       Мбит/с на порт;

<a id="p108952"></a>II.17.6.3.             аппаратуру, включающую:

<a id="p108953"></a>II.17.6.3.1.           модемы, использующие     полосу      одного
<a id="p108954"></a>                       телефонного  канала,  со скоростью цифровой
<a id="p108955"></a>                       передачи свыше 9600 бит/с;

<a id="p108956"></a>II.17.6.3.2.           контроллеры канала   связи    с    цифровым
<a id="p108957"></a>                       выходом,  имеющие  скорость  передачи свыше
<a id="p108958"></a>                       64000 бит/с на канал;

<a id="p108959"></a>II.17.6.3.3.           контроллеры доступа в сеть  и  связанную  с
<a id="p108960"></a>                       ними  общую  среду  со  скоростью  передачи
<a id="p108961"></a>                       свыше 33 Мбит/с;

<a id="p108962"></a>II.17.6.4.             аппаратуру, использующую  лазер  и  имеющую
<a id="p108963"></a>                       хотя бы одну из следующих характеристик:

<a id="p108964"></a>II.17.6.4.1.           длина волны излучения лазера свыше 1000 нм;

<a id="p108965"></a>II.17.6.4.2.           использование аналоговых  методов  и полосы
<a id="p108966"></a>                       частот более 45 МГц;

<a id="p108967"></a>II.17.6.4.3.           когерентная оптическая     передача     или
<a id="p108968"></a>                       когерентные        методы       оптического
<a id="p108969"></a>                       детектирования      (также       называемые
<a id="p108970"></a>                       оптическими  гетеродинными  или гомодинными
<a id="p108971"></a>                       методами);

<a id="p108972"></a>II.17.6.4.4.           использование методов     уплотнения      с
<a id="p108973"></a>                       разделением по длине волны;

<a id="p108974"></a>II.17.6.4.5.           осуществление оптического усиления;

<a id="p108975"></a>II.17.6.5.             радиоаппаратуру, функционирующую         на
<a id="p108976"></a>                       частотах  входного  или  выходного  сигнала
<a id="p108977"></a>                       свыше:

<a id="p108978"></a>II.17.6.5.1.           31 ГГц  для применения на наземных станциях
<a id="p108979"></a>                       систем спутниковой связи;

<a id="p108980"></a>II.17.6.5.2.           26,5 ГГц для других применений;
<a id="p108981"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108982"></a>                  II.17.6.5.2.  не распространяется на конструкцию
<a id="p108983"></a>                  и   технологию   производства   радиоаппаратуры,
<a id="p108984"></a>                  рассчитанной    на    гражданское    применение,
<a id="p108985"></a>                  функционирующей в диапазоне частот 26,5-31 ГГц в
<a id="p108986"></a>                  соответствии  с  рекомендациями   Международного
<a id="p108987"></a>                  союза электросвязи

<a id="p108988"></a>II.17.6.6.             радиоаппаратуру, использующую  квадратурную
<a id="p108989"></a>                       амплитудную  модуляцию  выше  уровня  4 или
<a id="p108990"></a>                       другие цифровые методы модуляции и  имеющую
<a id="p108991"></a>                       спектральную    эффективность    свыше    3
<a id="p108992"></a>                       бит/(с х Гц);
<a id="p108993"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p108994"></a>                  II.17.6.6.  не распространяется на конструкцию и
<a id="p108995"></a>                  технологию производства  аппаратуры,  специально
<a id="p108996"></a>                  разработанной  для  включения  и  работы в любой
<a id="p108997"></a>                  спутниковой системе гражданского назначения

<a id="p108998"></a>II.17.6.7.             радиоаппаратуру, функционирующую          в
<a id="p108999"></a>                       диапазоне   1,5 - 87,5   МГц    и   имеющую
<a id="p109000"></a>                       какую-либо из указанных ниже характеристик:

<a id="p109001"></a>II.17.6.7.1.           автоматические прогнозирование   и    выбор
<a id="p109002"></a>                       значений  частот  и общей скорости цифровой
<a id="p109003"></a>                       передачи для ее оптимизации;

<a id="p109004"></a>II.17.6.7.2.           наличие линейного    усилителя    мощности,
<a id="p109005"></a>                       способного     одновременно    поддерживать
<a id="p109006"></a>                       множественные сигналы с выходной  мощностью
<a id="p109007"></a>                       1  кВт  или  более  в  частотном  диапазоне
<a id="p109008"></a>                       1,5-30  МГц,  или  250  Вт  или   более   в
<a id="p109009"></a>                       частотном   диапазоне  30-87,5  МГц,  свыше
<a id="p109010"></a>                       пределов мгновенной полосы одной октавы или
<a id="p109011"></a>                       более,  с  содержанием гармоник и искажений
<a id="p109012"></a>                       на выходе лучше 80 дБ;

<a id="p109013"></a>II.17.6.7.3.           включающая адаптивные               методы,
<a id="p109014"></a>                       обеспечивающие  более  чем 15 дБ подавления
<a id="p109015"></a>                       помехового сигнала;

<a id="p109016"></a>II.17.6.8.             радиоаппаратуру, использующую    расширение
<a id="p109017"></a>                       спектра  или  методы  перестройки  частоты,
<a id="p109018"></a>                       имеющую  коды  расширения,  программируемые
<a id="p109019"></a>                       пользователем,   или  общую  ширину  полосы
<a id="p109020"></a>                       частот  передачи,  в  100  или  более   раз
<a id="p109021"></a>                       превышающую     полосу     частот    одного
<a id="p109022"></a>                       информационного канала и составляющую более
<a id="p109023"></a>                       чем 50 кГц;

<a id="p109024"></a>II.17.6.9.             радиоприемники с   цифровым  управлением  и
<a id="p109025"></a>                       более чем 1000 каналами,  которые ищут  или
<a id="p109026"></a>                       сканируют    в    части   электромагнитного
<a id="p109027"></a>                       спектра, идентифицируют принятый сигнал или
<a id="p109028"></a>                       тип  передатчика и имеют время переключения
<a id="p109029"></a>                       частоты менее 1 мс;

<a id="p109030"></a>II.17.6.10.            аппаратуру, обеспечивающую функцию цифровой
<a id="p109031"></a>                       обработки сигналов в виде:

<a id="p109032"></a>II.17.6.10.1.          кодирования речи  со  скоростью  менее 2400
<a id="p109033"></a>                       бит/с;

<a id="p109034"></a>II.17.6.10.2.          использования схем,          обеспечивающих
<a id="p109035"></a>                       программируемость     пользователем    схем
<a id="p109036"></a>                       цифровой  обработки  сигналов,  превышающих
<a id="p109037"></a>                       пределы, указанные в пункте I.16.9.7.;

<a id="p109038"></a>II.17.6.11.            системы подводной  связи,  имеющие любую из
<a id="p109039"></a>                       следующих характеристик:

<a id="p109040"></a>II.17.6.11.1.          использование акустической несущей  частоты
<a id="p109041"></a>                       за пределами интервала от 20 до 60 кГц;

<a id="p109042"></a>II.17.6.11.2.          использование электромагнитной      несущей
<a id="p109043"></a>                       частоты ниже 30 кГц;

<a id="p109044"></a>II.17.6.11.3.          использование методов          электронного
<a id="p109045"></a>                       сканирования луча

<a id="p109046"></a>II.17.7.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p109047"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109048"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p109049"></a>                  телекоммуникационной    передающей   аппаратуры,
<a id="p109050"></a>                  указанной в пунктах I.16.5.2. - I.16.5.2.11.3.

<a id="p109051"></a>II.17.8.          Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109052"></a>                  коммутации  с встроенным программным управлением
<a id="p109053"></a>                  и   связанными   системами   сигналообразования,
<a id="p109054"></a>                  имеющей любую из приведенных ниже характеристик,
<a id="p109055"></a>                  функций или качеств,  и специально разработанные
<a id="p109056"></a>                  компоненты и вспомогательное оборудование

<a id="p109057"></a>II.17.8.1.        Конструкция и   технология  производства  систем
<a id="p109058"></a>                  сигналообразования общего  канала,  указанных  в
<a id="p109059"></a>                  пункте I.16.5.3.1.

<a id="p109060"></a>II.17.8.2.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109061"></a>                  коммутации,  выполняющей функции цифровых  сетей
<a id="p109062"></a>                  интегрального  обслуживания (ЦСИО),  указанной в
<a id="p109063"></a>                  пунктах I.16.5.3.2. - I.16.5.3.2.2.

<a id="p109064"></a>II.17.8.3.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109065"></a>                  коммутации,  имеющей  многоуровневый приоритет и
<a id="p109066"></a>                  иерархию цепей коммутации,  указанной  в  пункте
<a id="p109067"></a>                  I.16.5.3.3.

<a id="p109068"></a>II.17.8.4.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109069"></a>                  коммутации,  имеющей   адаптивную   динамическую
<a id="p109070"></a>                  маршрутизацию, указанной в пункте I.16.5.3.4.

<a id="p109071"></a>II.17.8.5.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109072"></a>                  коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию
<a id="p109073"></a>                  дейтограммных   пакетов,   указанных   в  пункте
<a id="p109074"></a>                  I.16.5.3.5.

<a id="p109075"></a>II.17.8.6.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109076"></a>                  коммутации, имеющей маршрутизацию или коммутацию
<a id="p109077"></a>                  пакетов  быстрого  выбора,  указанной  в  пункте
<a id="p109078"></a>                  I.16.5.3.6.

<a id="p109079"></a>II.17.8.7.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109080"></a>                  коммутации,  разработанной  для  автоматического
<a id="p109081"></a>                  вызова   сотового   радио   к   другим   сотовым
<a id="p109082"></a>                  коммутаторам или для автоматического  соединения
<a id="p109083"></a>                  абонентов   с   централизованной  базой  данных,
<a id="p109084"></a>                  являющейся   общей   более   чем   для    одного
<a id="p109085"></a>                  коммутатора, указанной в пункте I.16.5.3.7.

<a id="p109086"></a>II.17.8.8.        Конструкция и       технология      производства
<a id="p109087"></a>                  коммутаторов пакетов, каналов и маршрутизаторов,
<a id="p109088"></a>                  указанных в пунктах I.16.5.3.8. - I.16.5.3.8.2.

<a id="p109089"></a>II.17.8.9.        Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109090"></a>                  оптической  коммутации,   указанной   в   пункте
<a id="p109091"></a>                  I.16.5.3.9.

<a id="p109092"></a>II.17.8.10.       Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109093"></a>                  коммутации,  использующей  методы   асинхронного
<a id="p109094"></a>                  режима передачи, указанной в пункте I.16.5.3.10.

<a id="p109095"></a>II.17.8.11.       Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109096"></a>                  коммутации,  содержащей  оборудование   цифровой
<a id="p109097"></a>                  кросс-коммутации   со   встроенным   программным
<a id="p109098"></a>                  управлением  со  скоростью  передачи  более  8,5
<a id="p109099"></a>                  Мбит/с на порт, указанной в пункте I.16.5.3.11.

<a id="p109100"></a>II.17.9.          Программное обеспечение,              специально
<a id="p109101"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109102"></a>                  проектирования    или    применения   аппаратуры
<a id="p109103"></a>                  коммутации,  указанной  в  пунктах  I.16.5.3.  -
<a id="p109104"></a>                  I.16.5.3.11

<a id="p109105"></a>II.17.10.         Конструкция и  технология производства комплекса
<a id="p109106"></a>                  аппаратуры  централизованного  управления  сети,
<a id="p109107"></a>                  указанной в пункте I.16.5.4.

<a id="p109108"></a>II.17.11.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109109"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109110"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109111"></a>                  комплекса      аппаратуры      централизованного
<a id="p109112"></a>                  управления сети, указанного в пункте I.16.5.4.

<a id="p109113"></a>II.17.12.         Технология для   разработки   или   производства
<a id="p109114"></a>                  телекоммуникационного  оборудования,  специально
<a id="p109115"></a>                  разработанного   для   использования   на  борту
<a id="p109116"></a>                  спутников

<a id="p109117"></a>II.17.13.         Конструкция и технология производства комплектов
<a id="p109118"></a>                  аппаратуры   лазерной   связи   со  способностью
<a id="p109119"></a>                  автоматического  захвата,  слежения  сигнала   и
<a id="p109120"></a>                  поддержания    связи    через    атмосферу   или
<a id="p109121"></a>                  подповерхностную среду (воду)

<a id="p109122"></a>II.17.14.         Технология для     производства      аппаратуры,
<a id="p109123"></a>                  использующей методы синхронной цифровой иерархии
<a id="p109124"></a>                  или синхронной оптической сети

<a id="p109125"></a>II.17.15.         Технология производства  коммутационных  центров
<a id="p109126"></a>                  со  скоростью  свыше 64 кбит/с на информационный
<a id="p109127"></a>                  канал,  отличных от цифровых кросс-соединителей,
<a id="p109128"></a>                  встроенных в переключатель (коммутатор)

<a id="p109129"></a>II.17.16.         Технология для    централизованного   управления
<a id="p109130"></a>                  сетью

<a id="p109131"></a>II.17.17.         Технология производства     цифровых     сотовых
<a id="p109132"></a>                  радиосистем

<a id="p109133"></a>II.17.18.         Технология для   производства   цифровых   сетей
<a id="p109134"></a>                  интегрального обслуживания (ЦСИО)

<a id="p109135"></a>II.17.19.         Общее программное  обеспечение  в  отличной   от
<a id="p109136"></a>                  машинно-исполняемой       форме,      специально
<a id="p109137"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109138"></a>                  использования  систем  или оборудования цифровой
<a id="p109139"></a>                  коммутации с встроенным программным управлением

<a id="p109140"></a>II.17.20.         Программное обеспечение    в     отличной     от
<a id="p109141"></a>                  машинно-исполняемой       форме,      специально
<a id="p109142"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109143"></a>                  использования  оборудования или систем цифрового
<a id="p109144"></a>                  сотового радио

<a id="p109145"></a>II.17.21.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109146"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109147"></a>                  обеспечения характеристик,  функций или  свойств
<a id="p109148"></a>                  аппаратуры,   указанных   в  пунктах  I.16.5.  -
<a id="p109149"></a>                  I.16.5.4.

<a id="p109150"></a>II.17.22.         Программное обеспечение,          обеспечивающее
<a id="p109151"></a>                  способность   восстановления  программного  кода
<a id="p109152"></a>                  телекоммуникационного программного  обеспечения,
<a id="p109153"></a>                  указанного в пунктах II.17.7. - II.17.21.

<a id="p109154"></a>II.17.23.         Конструкция и   технология  производства  систем
<a id="p109155"></a>                  аппаратуры,  специальных  узлов,   модулей   или
<a id="p109156"></a>                  интегральных схем для защиты информации и других
<a id="p109157"></a>                  специально разработанных компонентов

<a id="p109158"></a>II.17.23.1.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109159"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109160"></a>                  или   модифицированных   для   использования   в
<a id="p109161"></a>                  криптографии   с  применением  цифровых  методов
<a id="p109162"></a>                  обеспечения защиты информации

<a id="p109163"></a>II.17.23.2.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p109164"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109165"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p109166"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109167"></a>                  для использования  в  криптографии,  на  которые
<a id="p109168"></a>                  распространяется  экспортный  контроль по пункту
<a id="p109169"></a>                  I.16.6.1.

<a id="p109170"></a>II.17.23.3.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109171"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109172"></a>                  или     модифицированных     для      выполнения
<a id="p109173"></a>                  криптоаналитических функций

<a id="p109174"></a>II.17.23.4.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p109175"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109176"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109177"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109178"></a>                  или      модифицированных     для     выполнения
<a id="p109179"></a>                  криптоаналитических функций

<a id="p109180"></a>II.17.23.5.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109181"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109182"></a>                  или   модифицированных   для   использования   в
<a id="p109183"></a>                  криптографии  с  применением  аналоговых методов
<a id="p109184"></a>                  для обеспечения защиты информации,  указанных  в
<a id="p109185"></a>                  пункте I.16.6.3.

<a id="p109186"></a>II.17.23.6.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p109187"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109188"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109189"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109190"></a>                  или   модифицированных   для   использования   в
<a id="p109191"></a>                  криптографии с  применением  аналоговых  методов
<a id="p109192"></a>                  для  обеспечения защиты информации,  указанных в
<a id="p109193"></a>                  пункте I.16.6.3.

<a id="p109194"></a>II.17.23.7.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109195"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109196"></a>                  или     модифицированных     для      подавления
<a id="p109197"></a>                  нежелательной    утечки   сигнала,   содержащего
<a id="p109198"></a>                  информацию
<a id="p109199"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p109200"></a>                  II.17.23.7. не распространяется на конструкцию и
<a id="p109201"></a>                  технологию производства аппаратуры  специального
<a id="p109202"></a>                  подавления   утечки   излучений,   вредных   для
<a id="p109203"></a>                  здоровья или безопасности окружающих

<a id="p109204"></a>II.17.23.8.       Программное обеспечение,              специально
<a id="p109205"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109206"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p109207"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109208"></a>                  или     модифицированных     для      подавления
<a id="p109209"></a>                  нежелательной    утечки   сигнала,   содержащего
<a id="p109210"></a>                  информацию, указанных в пункте I.16.6.4.

<a id="p109211"></a>II.17.23.9.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109212"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109213"></a>                  или     модифицированных     для      применения
<a id="p109214"></a>                  криптографических    методов    генерации   кода
<a id="p109215"></a>                  расширения спектра или перестройки частоты

<a id="p109216"></a>II.17.23.10.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p109217"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109218"></a>                  проектирования,  производства   или   применения
<a id="p109219"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109220"></a>                  или     модифицированных     для      применения
<a id="p109221"></a>                  криптографических    методов    генерации   кода
<a id="p109222"></a>                  расширения спектра или перестройки частоты

<a id="p109223"></a>II.17.23.11.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p109224"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109225"></a>                  или     модифицированных     для     обеспечения
<a id="p109226"></a>                  сертифицированной  или  подлежащей  сертификации
<a id="p109227"></a>                  многоуровневой защиты или изоляции  пользователя
<a id="p109228"></a>                  на уровне,  превышающем класс В2 критерия оценки
<a id="p109229"></a>                  надежных компьютерных систем  или  эквивалентном
<a id="p109230"></a>                  ему уровне

<a id="p109231"></a>II.17.23.12.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p109232"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109233"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109234"></a>                  аппаратуры,  узлов и компонентов,  разработанных
<a id="p109235"></a>                  или     модифицированных     для     обеспечения
<a id="p109236"></a>                  сертифицированной  или  подлежащей  сертификации
<a id="p109237"></a>                  многоуровневой защиты или изоляции пользователя,
<a id="p109238"></a>                  на которые распространяется экспортный  контроль
<a id="p109239"></a>                  по пункту I.16.6.6.

<a id="p109240"></a>II.17.23.13.      Конструкция и  технология производства кабельных
<a id="p109241"></a>                  систем связи, разработанных или модифицированных
<a id="p109242"></a>                  с использованием механических, электрических или
<a id="p109243"></a>                  электронных     средств     для      обнаружения
<a id="p109244"></a>                  несанкционированного доступа

<a id="p109245"></a>II.17.23.14.      Программное обеспечение,              специально
<a id="p109246"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109247"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109248"></a>                  кабельных  систем  связи,  указанных  в   пункте
<a id="p109249"></a>                  I.16.6.7.

<a id="p109250"></a>II.17.24.         Программное обеспечение  с  характеристиками или
<a id="p109251"></a>                  выполняющее  функции  аппаратуры,  указанной   в
<a id="p109252"></a>                  пунктах I.16.6.1. - I.16.6.7.

<a id="p109253"></a>II.17.25.         Программное обеспечение     для     сертификации
<a id="p109254"></a>                  программного обеспечения,  указанного  в  пункте
<a id="p109255"></a>                  II.17.24.

<a id="p109256"></a>II.17.26.         Программное обеспечение,    разработанное    или
<a id="p109257"></a>                  модифицированное  для  защиты  против  нанесения
<a id="p109258"></a>                  преднамеренного ущерба, например, вирусов

<a id="p109259"></a>II.17.27.         Конструкция и  технология  производства цифровых
<a id="p109260"></a>                  ЭВМ,      специально      разработанных      или
<a id="p109261"></a>                  приспособленных для решения задач криптографии и
<a id="p109262"></a>                  оснащенных    оборудованием    и    программными
<a id="p109263"></a>                  средствами для защиты информации

<a id="p109264"></a>II.17.28.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109265"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109266"></a>                  проектирования,  производства  или использования
<a id="p109267"></a>                  цифровых ЭВМ, указанных в пункте I.16.7.

<a id="p109268"></a>II.17.29.         Конструкция и технология производства  гибридных
<a id="p109269"></a>                  ЭВМ,  а  также сборок и специально созданной для
<a id="p109270"></a>                  них элементной базы, указанных в пунктах I.16.8.
                  - <a id="p109271"></a>I.16.8.2.

<a id="p109272"></a>II.17.30.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109273"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109274"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109275"></a>                  гибридных  ЭВМ,  а  также  сборок  и  специально
<a id="p109276"></a>                  созданной  для них элементной базы,  указанных в
<a id="p109277"></a>                  пунктах I.16.8. - I.16.8.2.

<a id="p109278"></a>II.17.31.         Конструкция и технология  производства  цифровых
<a id="p109279"></a>                  ЭВМ,  их сборок и сопутствующего оборудования, а
<a id="p109280"></a>                  также специально созданной  для  них  элементной
<a id="p109281"></a>                  базы:

<a id="p109282"></a>II.17.31.1.       Конструкция и  технология  производства цифровых
<a id="p109283"></a>                  ЭВМ,  а  также  сборок,   спроектированных   для
<a id="p109284"></a>                  комбинированного   распознавания,   понимания  и
<a id="p109285"></a>                  интерпретации   изображений   или    непрерывной
<a id="p109286"></a>                  (связной) речи

<a id="p109287"></a>II.17.31.2.       Конструкция и  технология  производства цифровых
<a id="p109288"></a>                  ЭВМ,  а  также  сборок,   указанных   в   пункте
<a id="p109289"></a>                  I.16.9.2., спроектированных или модифицированных
<a id="p109290"></a>                  для обеспечения отказоустойчивости

<a id="p109291"></a>II.17.31.3.       Конструкция и технология  производства  цифровых
<a id="p109292"></a>                  ЭВМ,     имеющих     совокупную    теоретическую
<a id="p109293"></a>                  производительность  (СТП)  свыше  12,5  миллиона
<a id="p109294"></a>                  теоретических операций в секунду (мегатопсов)

<a id="p109295"></a>II.17.31.4.       Конструкция и   технология  производства  сборок
<a id="p109296"></a>                  цифровых ЭВМ,  специально  спроектированных  или
<a id="p109297"></a>                  модифицированных          для          повышения
<a id="p109298"></a>                  производительности       путем       объединения
<a id="p109299"></a>                  вычислительных  элементов,  указанных  в пунктах
<a id="p109300"></a>                  I.16.9.4. - I.16.9.4.2.

<a id="p109301"></a>II.17.31.5.       Конструкция и      технология       производства
<a id="p109302"></a>                  накопителей  на  дисках и твердотельных приборов
<a id="p109303"></a>                  памяти

<a id="p109304"></a>II.17.31.5.1.     Конструкция и      технология       производства
<a id="p109305"></a>                  накопителей   на   магнитных,   перезаписываемых
<a id="p109306"></a>                  оптических  или   магнитооптических   дисках   с
<a id="p109307"></a>                  максимальной   скоростью   передачи  информации,
<a id="p109308"></a>                  превышающей 25 Мбит/с

<a id="p109309"></a>II.17.31.5.2.     Конструкция и      технология       производства
<a id="p109310"></a>                  твердотельных приборов памяти,  не относящихся к
<a id="p109311"></a>                  оперативной   памяти   (известных   также    под
<a id="p109312"></a>                  названием  твердотельных  (жестких)  дисков  или
<a id="p109313"></a>                  дисков с произвольным доступом),  с максимальной
<a id="p109314"></a>                  скоростью  передачи  информации,  превышающей 36
<a id="p109315"></a>                  Мбит/с

<a id="p109316"></a>II.17.31.6.       Конструкция и технология производства  устройств
<a id="p109317"></a>                  управления вводом-выводом,  спроектированных для
<a id="p109318"></a>                  применения с оборудованием,  указанным в пунктах
<a id="p109319"></a>                  I.16.9.5.1. - I.16.9.5.2.

<a id="p109320"></a>II.17.31.7.       Конструкция и технология производства аппаратуры
<a id="p109321"></a>                  для обработки сигналов  или  улучшения  качества
<a id="p109322"></a>                  изображения,  имеющей  совокупную  теоретическую
<a id="p109323"></a>                  производительность    свыше     8,5     миллиона
<a id="p109324"></a>                  теоретических операций в секунду (мегатопсов)

<a id="p109325"></a>II.17.31.8.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p109326"></a>                  графических   акселераторов   или    графических
<a id="p109327"></a>                  сопроцессоров,  превышающих  скорость исчисления
<a id="p109328"></a>                  трехмерных  векторов,  равную  400000,  а   если
<a id="p109329"></a>                  аппаратно    поддерживаются   только   двумерные
<a id="p109330"></a>                  вектора,  то  превышающих  скорость   исчисления
<a id="p109331"></a>                  двумерных векторов, равную 600000
<a id="p109332"></a>                      Примечание. Пункт       II.17.31.9.       не
<a id="p109333"></a>                  распространяется  на  конструкцию  и  технологию
<a id="p109334"></a>                  производства  рабочих   станций,   созданных   и
<a id="p109335"></a>                  ограниченных  графическим  искусством (например,
<a id="p109336"></a>                  полиграфией,  книгопечатанием) или  отображением
<a id="p109337"></a>                  двумерных векторов

<a id="p109338"></a>II.17.31.9.       Конструкция и  технология  производства  цветных
<a id="p109339"></a>                  дисплеев   или   мониторов,   имеющих  более  12
<a id="p109340"></a>                  разрешающих элементов на миллиметр в направлении
<a id="p109341"></a>                  максимальной плотности пикселей
<a id="p109342"></a>                      Примечание. Экспортный  контроль  по  пункту
<a id="p109343"></a>                  II.17.31.9. не распространяется на конструкцию и
<a id="p109344"></a>                  технологию  производства дисплеев или мониторов,
<a id="p109345"></a>                  не спроектированных специально для ЭВМ

<a id="p109346"></a>II.17.31.10.      Конструкция и      технология       производства
<a id="p109347"></a>                  аппаратуры,    содержащей    в   своем   составе
<a id="p109348"></a>                  терминальный интерфейс,  превосходящий  пределы,
<a id="p109349"></a>                  установленные пунктом I.16.5.2.3.,  и на которую
<a id="p109350"></a>                  распространяется экспортный контроль  по  пункту
<a id="p109351"></a>                  I.16.9.10.

<a id="p109352"></a>II.17.32.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109353"></a>                  разработанное    или    модифицированное     для
<a id="p109354"></a>                  проектирования,   производства   или  применения
<a id="p109355"></a>                  цифровых   ЭВМ,    сборок    и    сопутствующего
<a id="p109356"></a>                  оборудования,  указанных  в  пунктах  I.16.9.  -
<a id="p109357"></a>                  I.16.9.10.

<a id="p109358"></a>II.17.33.         Конструкция и      технология       производства
<a id="p109359"></a>                  вычислительных      машин      и      специально
<a id="p109360"></a>                  спроектированного  сопутствующего  оборудования,
<a id="p109361"></a>                  их сборок и элементной базы

<a id="p109362"></a>II.17.33.1.       Конструкция и       технология      производства
<a id="p109363"></a>                  систолических матричных вычислительных машин

<a id="p109364"></a>II.17.33.2.       Конструкция и технология производства  нейронных
<a id="p109365"></a>                  вычислительных машин

<a id="p109366"></a>II.17.33.3.       Конструкция и технология производства оптических
<a id="p109367"></a>                  вычислительных машин

<a id="p109368"></a>II.17.34.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109369"></a>                  разработанное     или    модифицированное    для
<a id="p109370"></a>                  проектирования,  производства или  использования
<a id="p109371"></a>                  вычислительных      машин      и      специально
<a id="p109372"></a>                  спроектированного  сопутствующего  оборудования,
<a id="p109373"></a>                  указанных в пунктах I.16.10. - I.16.10.3.

<a id="p109374"></a>II.17.35.         Технология производства            оборудования,
<a id="p109375"></a>                  спроектированного  для  многопоточной  обработки
<a id="p109376"></a>                  данных

<a id="p109377"></a>II.17.36.         Технология производства  накопителей  на жестких
<a id="p109378"></a>                  магнитных  дисках   с   максимальной   скоростью
<a id="p109379"></a>                  передачи информации свыше 11 Мбит/с

<a id="p109380"></a>II.17.37.         Программное обеспечение,              специально
<a id="p109381"></a>                  разработанное или модифицированное для поддержки
<a id="p109382"></a>                  технологии,    на    которую    распространяется
<a id="p109383"></a>                  экспортный  контроль  по  пунктам   II.17.35   и
<a id="p109384"></a>                  II.17.36

<a id="p109385"></a>II.17.38.         Специальное программное обеспечение:

<a id="p109386"></a>II.17.38.1.       Программное обеспечение    для    доказательства
<a id="p109387"></a>                  корректности программы и  испытания  качества  с
<a id="p109388"></a>                  применением   математических   и   аналитических
<a id="p109389"></a>                  методов,  разработанное или модифицированное под
<a id="p109390"></a>                  программы,   имеющие   свыше   500000  команд  в
<a id="p109391"></a>                  исходных кодах

<a id="p109392"></a>II.17.38.2.       Программное обеспечение,             позволяющее
<a id="p109393"></a>                  автоматически   генерировать  исходные  коды  по
<a id="p109394"></a>                  данным, поступающим в режиме "он-лайн" с внешних
<a id="p109395"></a>                  датчиков, описанных в позициях данного перечня

<a id="p109396"></a>II.17.38.3.       Программное обеспечение   операционных   систем,
<a id="p109397"></a>                  инструментарий      разработки      программного
<a id="p109398"></a>                  обеспечения     и     компиляторы,    специально
<a id="p109399"></a>                  спроектированные для оборудования  многопоточной
<a id="p109400"></a>                  обработки данных в исходных кодах

<a id="p109401"></a>II.17.38.4.       Экспертные системы  или  программное обеспечение
<a id="p109402"></a>                  для  механизмов  логического  вывода  экспертных
<a id="p109403"></a>                  систем,     обладающие     обоими     признаками
<a id="p109404"></a>                  одновременно:

<a id="p109405"></a>                       правилами, зависящими от времени;

<a id="p109406"></a>                       примитивами для    работы    с   временными
<a id="p109407"></a>                       характеристиками правил и факторов

<a id="p109408"></a>II.17.38.5.       Операционные системы,                 специально
<a id="p109409"></a>                  спроектированные  для   оборудования   обработки
<a id="p109410"></a>                  информации    в   реальном   масштабе   времени,
<a id="p109411"></a>                  гарантирующие полное время обработки  прерывания
<a id="p109412"></a>                  меньше чем за 30 мкс



<a id="p109413"></a>

---