Постановление Правительства РФ от 08.09.2011 № 763
Правительство Российской Федерации · № 763 от 08.09.2011Действующий акт
«О внесении изменений в федеральную целевую программу „Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники“ на 2008 — 2015 годы»
ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 8 сентября 2011 г. № 763
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ»
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы, утвержденную Постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. № 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 51, ст. 6361; 2009, № 9, ст. 1130).
Утверждены Постановлением Правительства
Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. № 763
«РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
1. В паспорте Программы:
а) позицию, касающуюся государственных заказчиков Программы, изложить в следующей редакции:
"Государственные - Министерство промышленности и торговли заказчики Программы Российской Федерации,
Федеральное космическое агентство,
Министерство образования и науки
Российской Федерации,
Федеральная служба по техническому и
экспортному контролю, Государственная
корпорация по атомной энергии "Росатом";
б) в позиции, касающейся важнейших целевых индикатора и показателей:
в абзаце втором слова «Ожидается, что в 2008 году в организациях микроэлектроники будет освоен технологический уровень 0,18 мкм, что обеспечит» заменить словами «В организациях микроэлектроники в 2008 году освоен технологический уровень 0,18 мкм, что позволило обеспечить»;
в абзаце третьем цифры «0,09» заменить цифрами «0,13»;
в абзаце пятом цифры «64» заменить цифрами «62», цифры «117» заменить цифрами «114»;
в) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:
в абзаце первом цифры «187000» заменить цифрами «179224,366»;
в абзаце втором цифры «110000» заменить цифрами «106844,71», цифры «66000» заменить цифрами «63908,3», цифры «44000» заменить цифрами «42936,41»;
в абзаце третьем цифры «77000» заменить цифрами «72379,656;»
г) в позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности:
в абзаце тринадцатом цифры «198577,2» заменить цифрами «203443,4», цифры «125045,9» заменить цифрами «131640»;
в абзаце четырнадцатом цифры «2,7» заменить цифрами «2,8».
2. Предложения третье и четвертое абзаца четвертого подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II заменить текстом следующего содержания: «В результате реализации Программы в 41 организации электронной промышленности Министерства промышленности и торговли Российской Федерации будут созданы центры проектирования, а в 96 — осуществлены реконструкция и техническое перевооружение. Кроме того, техническое перевооружение будет осуществлено в одной организации, подведомственной Федеральной службе по техническому и экспортному контролю. Также к 2015 году центры проектирования будут созданы в 21 организации Государственной корпорации по атомной энергии „Росатом“, Федерального космического агентства и Министерства образования и науки Российской Федерации, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, а в 17 — осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.».
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры «187000» заменить цифрами «179224,366»;
б) в абзаце втором цифры «110000» заменить цифрами «106844,71»;
в) в абзаце третьем цифры «66000» заменить цифрами «63908,3»;
г) в абзаце четвертом цифры «44000» заменить цифрами «42936,41»;
д) в абзаце пятом цифры «77000» заменить цифрами «72379,656»;
е) в абзаце седьмом цифры «33000» заменить цифрами «32500».
4. В абзаце десятом раздела V слова «Федеральное агентство по науке и инновациям, Федеральное агентство по образованию» заменить словами «Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральная служба по техническому и экспортному контролю».
5. В разделе VI:
а) в абзаце пятом цифры «198577,2» заменить цифрами «203443,4»;
б) в абзаце шестом цифры «64374,4» заменить цифрами «64554,9»;
в) в абзаце седьмом цифры «125045,9» заменить цифрами «131640»;
г) в абзаце девятом цифры «1,52» заменить цифрами «1,54»;
д) в абзаце десятом цифры «2,7» заменить цифрами «2,8».
6. Приложения № 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. № 763)
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
«РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| Единица измерения | 2007 год | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
|---|
Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 уровень электроники
Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300 изделий электронной и радиоэлектронной техники
Количество разработанных — 3 - 5 16 — 20 80 — 90 125 — 135 179 — 185 210 230 250 260 — 270 базовых технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)
Количество объектов — 1 8 10 14 30 30 31 31 42 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - 1 1 1 4 4 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - 1 3 3 10 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - 1 1 2 2 3 5 5 7 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - 1 5 8 18 21 25 25 96 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - 1 1 1 1 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - — 1 1 9 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Росатома, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - — 1 1 8 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество завершенных — 1 3 9 9 — 10 10 — 12 12 — 14 14 — 16 16 — 18 20 — 22 поисковых технологических научно-исследовательских работ (нарастающим итогом)
Количество реализованных — 4 11 — 12 16 — 20 22 — 25 36 — 40 41 — 45 45 — 50 50 — 55 55 — 60 мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)
Количество создаваемых - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 4100 - 4400 - 4700 - 5000 - рабочих мест (нарастающим 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000
итогом)
Приложение № 2
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. № 763
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| Мероприятия | 2008 — 2015 годы | В том числе | |||||||
| - всего | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | |
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
производства мощных ------- -- ------ производства мощных
сверхвысокочастотных 84 44 40 сверхвысокочастотных
транзисторов на основе транзисторов на основе
гетероструктур гетероструктур материалов
материалов группы A B группы A B для бортовой и
3 5 3 5
наземной аппаратуры (2009
год), разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологии производства ------ ---- ---- ----- ---- ---- производства монолитных
монолитных 137,7 20 26 35,5 21,2 35 сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных микросхем и объемных приемо-
микросхем и объемных передающих
приемо-передающих сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных субмодулей X-диапазона на
субмодулей X-диапазона основе гетероструктур
материалов группы A B для
3 5
бортовой и наземной
аппаратуры радиолокации,
средств связи (2013 год),
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологии производства ------- ------ -- производства мощных
мощных 134,75 87,75 47 транзисторов
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотного
полупроводниковых диапазона на основе
приборов на основе нитридных
нитридных гетеро- гетероэпитаксиальных
эпитаксиальных структур структур для техники связи,
радиолокации (2009 год)
технологии и библиотеки --- -- ---- ---- --- --- производства на основе
элементов для 375 17 65 109 80 104 нитридных
проектирования и гетероэпитаксиальных
производства монолитных структур мощных
интегральных схем сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотного монолитных интегральных схем
диапазона на основе с рабочими частотами до 20
нитридных ГГц для техники связи,
гетероэпитаксиальных радиолокации (2013 год),
структур разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологии производства ------- ----- ---- производства компонентов для
сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 сверхвысокочастотных
компонентов и интегральных схем диапазона
сложнофункциональных 2 - 12 ГГц с высокой
блоков для степенью интеграции для
сверхвысокочастотных аппаратуры радиолокации и
интегральных схем связи бортового и наземного
высокой степени применения, а также бытовой
интеграции на основе и автомобильной электроники
гетероструктур "кремний (2009 год), разработка
- германий" комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологии производства ------ --- ---- ----- производства
сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 сверхвысокочастотных
интегральных схем интегральных схем диапазона
высокой степени 2 - 12 ГГц с высокой
интеграции на основе степенью интеграции для
гетероструктур аппаратуры радиолокации и
"кремний - германий" связи бортового и наземного
применения, а также бытовой
и автомобильной электроники
(2011 год), разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
библиотек ------ --- ------- библиотек
сложнофункциональных 308,75 169 139,75 сложнофункциональных блоков
блоков для для проектирования широкого
проектирования спектра сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных и интегральных схем на SiGe с
радиочастотных рабочими частотами до 150
интегральных ГГц, разработка комплектов
схем на основе документации в стандартах
гетероструктур "кремний единой системы
- германий" конструкторской,
технологической и
производственной
документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
технологий ------ -- ----- ----- ---- ---- проектирования на основе
проектирования кремний- 142 30 52 39,3 11,3 9,4 библиотеки
германиевых сложнофункциональных блоков
сверхвысокочастотных и широкого спектра
радиочастотных сверхвысокочастотных
интегральных схем на интегральных схем на SiGe с
основе аттестованной рабочими частотами до 150
библиотеки ГГц (2013 год), разработка
сложнофункциональных комплектов документации в
блоков стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологий производства ----- -- ---- производства элементной базы
элементной базы для ряда 74 40 34 для высокоплотных источников
силовых герметичных вторичного электропитания
модулей высокоплотных сверхвысокочастотных
источников вторичного приборов и узлов аппаратуры
электропитания вакуумных (2009 год), разработка
и твердотельных комплектов документации в
сверхвысокочастотных стандартах единой системы
приборов и узлов конструкторской,
аппаратуры технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологий производства ------- ------ ---- и технологии производства
ряда силовых герметичных 73,1 41,5 31,6 высокоэффективных,
модулей высокоплотных высокоплотных источников
источников вторичного вторичного электропитания
электропитания вакуумных сверхвысокочастотных
и твердотельных приборов и узлов аппаратуры
сверхвысокочастотных на основе гибридно-пленочной
приборов и узлов технологии с применением
аппаратуры бескорпусной элементной базы
(2011 год), разработка
комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
конструкций и технологии --- ----- ---- массового производства ряда
производства корпусов 152 102 50 корпусов мощных
мощных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных приборов для "бессвинцовой"
транзисторов X- , C-, S-, сборки (2009 год),
L- и P-диапазонов из разработка комплектов
малотоксичных материалов документации в стандартах
с высокой единой системы
теплопроводностью конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
конструкций ---- -- ---- -- конструктивных рядов
теплоотводящих элементов 55 8 27 20 элементов систем охлаждения
систем охлаждения аппаратуры X- и C-диапазонов
сверхвысокочастотных наземных, корабельных и
приборов X- и C- воздушно-космических
диапазонов на основе комплексов
новых материалов
технологии производства --- -- -- массового производства
теплоотводящих элементов 62 32 30 конструктивного ряда
систем охлаждения элементов систем охлаждения
сверхвысокочастотных аппаратуры X- и C-диапазонов
приборов X- и C- наземных, корабельных и
диапазонов на основе воздушно-космических
новых материалов комплексов (2011 год),
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологий производства -- -- массового производства
суперлинейных кремниевых 8 8 конструктивного ряда
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
транзисторов S- и L- транзисторов S- и L-
диапазонов диапазонов для техники
связи, локации и контрольной
аппаратуры (2009 год),
разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
конструктивно- ----- ----- -- параметрического ряда
параметрического ряда 115,9 69,9 46 сверхвысокочастотных
суперлинейных транзисторов S- и L-
кремниевых диапазонов для техники
сверхвысокочастотных связи, локации и контрольной
транзисторов S- и L- аппаратуры, разработка
диапазонов комплектов документации в
стандартах единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
измерений и базовых -- -- -- аппаратуры нового поколения
конструкций установок 22 12 10 для исследования и контроля
автоматизированного параметров полупроводниковых
измерения параметров структур, активных элементов
нелинейных моделей и сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем
полупроводниковых в производстве и при их
структур, мощных использовании
транзисторов и
сверхвысокочастотных
монолитных интегральных
схем X-, C-, S-, L- и P-
диапазонов для их
массового производства
разработка базовых ------- ------ ---- унифицированных
технологий для создания 102 59 43 сверхширокополосных приборов
нового поколения мощных среднего и большого уровня
вакуумно-твердотельных мощности сантиметрового
сверхвысокочастотных диапазона длин волн и
приборов и гибридных сверхвысокочастотных
малогабаритных магнитоэлектрических
сверхвысокочастотных приборов для перспективных
модулей с улучшенными радиоэлектронных систем и
массогабаритными аппаратуры связи
характеристиками, космического базирования
магнитоэлектрических (2009 год), разработка
приборов комплектов документации в
сверхвысокочастотного стандартах единой системы
диапазона, в том числе конструкторской,
циркуляторов и технологической и
фазовращателей, производственной
вентилей, документации, ввод в
высокодобротных эксплуатацию
резонаторов, производственной линии
перестраиваемых
фильтров, микроволновых
приборов со спиновым
управлением для
перспективных
радиоэлектронных систем
двойного назначения
конструкций и технологии ------ ---- ----- рядов и базовых технологий
производства нового 85,3 58 27,3 производства
поколения мощных сверхширокополосных приборов
вакуумно-твердотельных среднего и большого уровня
сверхвысокочастотных мощности сантиметрового
приборов и гибридных диапазона длин волн и
малогабаритных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных магнитоэлектрических
модулей с улучшенными приборов для перспективных
массогабаритными радиоэлектронных систем и
характеристиками, аппаратуры связи
магнитоэлектрических космического базирования
приборов (2011 год), разработка
сверхвысокочастотного комплектов документации в
диапазона, в том числе стандартах единой системы
циркуляторов и конструкторской,
фазовращателей, технологической и
вентилей, производственной
высокодобротных документации, ввод в
резонаторов, эксплуатацию
перестраиваемых производственной линии
фильтров, микроволновых
приборов со спиновым
управлением для
перспективных
радиоэлектронных систем
двойного назначения
разработка процессов и ----- ---- -- процессов производства
базовых технологий 75,5 45,5 30 нанопленочных малогабаритных
нанопленочных сверхвысокочастотных
малогабаритных резисторно-индуктивно-
сверхвысокочастотных емкостных матриц
резисторно-индуктивно- многофункционального
емкостных матриц назначения для печатного
многофункционального монтажа (2008 год), создание
назначения для печатного базовой технологии получения
монтажа и сверхбыстродействующих (до
сверхбыстродействующих 150 ГГц) приборов на
(до 150 ГГц) приборов на наногетероструктурах с
наногетероструктурах с квантовыми эффектами (2009
квантовыми дефектами год), разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
конструкций и технологии ---- -- ---- рядов и базовых технологий
производства 53 30 23 производства нанопленочных
нанопленочных малогабаритных
малогабаритных сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных резисторно-индуктивно-
резисторно-индуктивно- емкостных матриц
емкостных матриц многофункционального
многофункционального назначения для печатного
назначения для печатного монтажа (2011 год),
монтажа разработка комплектов
документации в стандартах
единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологии ------- ------ ------ производства элементов и
сверхвысокочастотных 88 42 46 специальных элементов и
p-i-n диодов, матриц, блоков портативной
узлов управления и аппаратуры миллиметрового
портативных фазированных диапазона длин волн для
блоков аппаратуры нового поколения средств
миллиметрового диапазона связи, радиолокационных
длин волн на основе станций, радионавигации,
магнитоэлектронных измерительной техники,
твердотельных и автомобильных радаров,
высокоскоростных охранных и сигнальных
цифровых приборов и устройств (2009 год),
устройств с функциями разработка комплектов
адаптации и цифрового документации в стандартах
диаграммообразования единой системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной линии
технологий создания -------- --- ------ ------- ------ --- ----- ------ --- рядов и базовых технологий
мощных вакуумных 1540,66 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 145,88 156 проектирования и
сверхвысокочастотных производства мощных и
устройств сверхмощных вакуумных
сверхвысокочастотных
приборов для аппаратуры
широкого назначения нового
поколения (2009 год, 2011
год), включая разработку:
конструкций многолучевых
электронно-оптических
систем, включая
автоэмиссионные катоды
повышенной мощности и
долговечности (2012 год);
мощных широкополосных ламп
бегущей волны импульсного и
непрерывного действия,
магнетронов, тетродов
миллиметрового диапазона
(2013 год);
малогабаритных ускорителей
электронов с энергией до 10
МЭВ для терапевтических и
технических приложений (2014
год)
- Разработка базовых 1661,182 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 118 112 143 создание базовых конструкций
технологий создания -------- ------- ------- ------- ------ ------ ----- --- --- и технологий изготовления
мощных твердотельных 1096,4 103 166,5 192,4 195,7 189,9 78,9 75 95 сверхвысокочастотных мощных
сверхвысокочастотных приборов на структурах с
устройств на базе использованием нитрида
нитрида галлия галлия (2008 год, 2010 год),
включая:
создание гетеропереходных
полевых транзисторов с
диодом Шоттки с удельной
мощностью до 30 - 40 Вт/мм и
рабочими напряжениями до
100 В;
исследования и разработку
технологий получения
гетероструктур на основе
слоев нитрида галлия на
изоляторе и высокоомных
подложках (2013 год);
разработка технологии
получения интегральных схем,
работающих в экстремальных
условиях (2015 год)
перспективных типов ------ ----- ----- ----- --- ----- принципов формирования
сверхвысокочастотных 724,12 106,8 67,02 200,3 205 145 перспективных
приборов и структур, сверхвысокочастотных
разработка приборов и структур, включая
технологических создание наногетероструктур,
принципов их использование
изготовления комбинированных (электронных
и оптических методов
передачи и преобразования
сигналов), определение
перспективных методов
формирования приборных
структур, работающих в
частотных диапазонах до
200 ГГц
методов проектирования и ------ ---- ----- ----- --- --- прикладных программ
моделирования 699,1 32,8 224,7 147,6 170 124 проектирования и оптимизации
сложнофункциональной сверхвысокочастотной
сверхвысокочастотной электронной компонентной
электронной компонентной базы, включая проектирование
базы активных приборов,
полосковых линий передачи,
согласующих компонентов,
формируемых в едином
технологическом процессе
Всего по направлению 1 9787,287 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1048,8 893,35 782,5 -------- ------- -------- ------- ------ ------ ------ ------ ----- 6468,08 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 700 595,88 520
Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
технологии радиационно ------ -- ----- изготовления микросхем с
стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 размерами элементов 0,5 мкм
интегральных схем уровня на структурах "кремний на
0,5 мкм на структурах сапфире" диаметром 150 мм
"кремний на сапфире" (2009 год), разработка
диаметром правил проектирования
150 мм базовых библиотек элементов
и блоков цифровых и
аналоговых сверхбольших
интегральных схем
расширенной номенклатуры для
организации производства
радиационно стойкой
элементной базы,
обеспечивающей выпуск
специальной аппаратуры и
систем, работающих в
экстремальных условиях
(атомная энергетика, космос,
военная техника)
технологии радиационно ------ ---- ------ ---- ---- изготовления микросхем с
стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 размерами элементов
интегральных схем уровня 0,35 мкм на структурах
0,35 мкм на структурах "кремний на сапфире"
"кремний на сапфире" диаметром 150 мм (2013 год),
диаметром разработка правил
150 мм проектирования базовых
библиотек элементов и блоков
цифровых и аналоговых
сверхбольших интегральных
схем, обеспечивающих
создание расширенной
номенклатуры
быстродействующей и
высокоинтегрированной
радиационно стойкой
элементной базы
проектирования и ------ --- ------- базиса (технология
конструктивно- 164 87 77 проектирования, базовые
технологических решений технологии), позволяющего
библиотеки логических и разрабатывать радиационно
аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие
оперативных запоминающих интегральные схемы на
устройств, постоянных структурах "кремний на
запоминающих устройств, изоляторе" с проектной
сложнофункциональных нормой до 0,25 мкм
радиационно стойких (2009 год)
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,25 мкм
проектирования и ----- ----- ------ ---- ---- базиса (технология
конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 проектирования, базовые
технологических решений технологии), позволяющего
библиотеки логических и разрабатывать радиационно
аналоговых элементов, стойкие сверхбольшие
оперативных запоминающих интегральные схемы на
устройств, постоянных структурах "кремний на
запоминающих устройств, изоляторе" с проектной
сложнофункциональных нормой до 0,18 мкм
радиационно стойких
блоков контроллеров по
технологии "кремний на
изоляторе" с проектными
нормами до 0,18 мкм
технологических ------ -- ----- процесса изготовления
процессов изготовления 97,65 63 34,65 сверхбольших интегральных
радиационно стойкой схем энергонезависимой,
элементной базы для радиационно стойкой
сверхбольших сегнетоэлектрической памяти
интегральных схем уровня 0,35 мкм и базовой
энергозависимой технологии создания,
пьезоэлектрической и изготовления и аттестации
магниторезистивной радиационно стойкой
памяти с проектными пассивной электронной
нормами 0,35 мкм и компонентной базы (2009 год)
пассивной радиационно
стойкой элементной базы
технологических ------ ---- ----- ---- ---- процесса изготовления
процессов изготовления 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 сверхбольших интегральных
радиационно стойкой схем энергонезависимой
элементной базы для радиационно стойкой
сверхбольших сегнетоэлектрической памяти
интегральных схем уровня 0,18 мкм (2010 год) и
энергозависимой создания, изготовления и
пьезоэлектрической и аттестации радиационно
магниторезистивной стойкой пассивной
памяти с проектными электронной компонентной
нормами 0,18 мкм и базы (2013 год)
пассивной радиационно
стойкой элементной базы
"кремний на сапфире" ------- ------ ------ цифровых процессоров,
изготовления ряда 73 38 35 микроконтроллеров,
лицензионно-независимых оперативных запоминающих
радиационно стойких программируемых и
комплементарных полевых перепрограммируемых
полупроводниковых устройств, аналого-цифровых
сверхбольших преобразователей в
интегральных схем радиационно стойком
цифровых процессоров исполнении для создания
обработки сигналов, специальной аппаратуры
микроконтроллеров и схем нового поколения
интерфейса
структур с ультратонким ------ ----- ------ ---- ---- проектирования и
слоем кремния на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления микросхем и
сложнофункциональных блоков
на основе ультратонких слоев
на структуре "кремний на
сапфире", позволяющей
разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие
интегральные схемы с высоким
уровнем радиационной
стойкости (2013 год)
технологии и приборно- ------ -- ------ модели интегральных
технологического базиса 73,15 40 33,15 элементов и технологического
производства радиационно маршрута изготовления
стойких сверхбольших радиационно стойких
интегральных схем сверхбольших интегральных
"система на кристалле", схем типа "система на
радиационно стойкой кристалле" с расширенным
силовой электроники для температурным диапазоном,
аппаратуры питания и силовых транзисторов и
управления модулей для бортовых и
промышленных систем
управления с пробивными
напряжениями до 75 В и
рабочими токами коммутации
до 10 А (2009 год)
базы радиационно стойких ------ ---- ------ микронанотриодов и
интегральных схем на 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с наивысшей
основе полевых радиационной стойкостью для
эмиссионных долговечной аппаратуры
микронанотриодов космического базирования
базы радиационно стойкой ----- ---- ---- ---- ----- расчета радиационной
электронной компонентной 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 стойкости электронной
базы, содержащей модели компонентной базы для
интегральных определения технически
компонентов, обоснованных норм испытаний
функционирующих в
условиях радиационных
воздействий, создание
математических моделей
стойкости электронной
компонентной базы,
создание методик
испытаний и аттестации
электронной компонентной
базы
стандартных элементов и ----- --- ----- ----- ----- --- проектирования и
сложнофункциональных 650 70 123 187,5 139,5 130 изготовления микросхем и
блоков для создания сложнофункциональных блоков
радиационно стойких на основе ультратонких слоев
сверхбольших на структуре "кремний на
интегральных схем сапфире", позволяющей
разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие
интегральные схемы с высоким
уровнем радиационной
стойкости (2012 год,
2015 год)
ряда радиационно стойких ------ ----- --- ----- ------ ----- цифровых процессоров,
сверхбольших 650 125 123 108,5 160 133,5 микроконтроллеров,
интегральных схем для оперативных запоминающих
специальной аппаратуры программируемых и
связи, обработки и перепрограммируемых
передачи информации, устройств, аналого-цифровых
систем управления преобразователей в
радиационно стойком
исполнении для создания
специальной аппаратуры
нового поколения, разработка
конструкции и модели
интегральных элементов и
технологического маршрута
изготовления радиационно
стойких сверхбольших
интегральных схем типа
"система на кристалле" с
расширенным температурным
диапазоном, силовых
транзисторов и модулей для
бортовых и промышленных
систем управления с пробивными
напряжениями до 75 В и
рабочими токами коммутации
до 10 А, создание ряда
микронанотриодов и
микронанотриодов с наивысшей
радиационной стойкостью для
долговечной аппаратуры
космического базирования
совершенствование --- -- --- ----- ----- --- расчета радиационной
методов моделирования и 634 50 183 153,5 130,5 117 стойкости электронной
проектирования компонентной базы для
радиационно стойкой определения технически
элементной базы обоснованных норм испытаний
совершенствование ------ --- --- ----- ------ ----- базиса (технология
базовых технологий и 650 120 123 113,5 160 133,5 проектирования, базовые
конструкций радиационно технологии), позволяющего
стойких сверхбольших разрабатывать радиационно
интегральных схем на стойкие сверхбольшие
структурах "кремний на интегральные схемы на
сапфире" и "кремний на структурах "кремний на
изоляторе" с изоляторе" с проектной
топологическими нормами нормой не менее
не менее 0,18 мкм 0,18 мкм (2014 год),
создание технологического
базиса (технология
проектирования, базовые
технологии), позволяющего
разрабатывать радиационно
стойкие сверхбольшие
интегральные схемы на
структурах "кремний на
изоляторе" с проектной
нормой не менее
0,18 мкм (2015 год)
Всего по направлению 2 6204,432 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 1051,9 881,9 778,5 -------- ------- ------- ------- ----- ----- ----- ----- ----- 4103,35 292,1 245,95 161,7 819,6 780 700 590 514
Направление 3. Микросистемная техника
технологий микро- ------- ------- ------ (2009 год) и комплектов
электромеханических 117,9 105,9 12 технологической документации
систем на изготовление
микроэлектромеханических
систем контроля давления,
микроакселерометров с
чувствительностью по двум и
трем осям, микромеханических
датчиков угловых скоростей,
микроактюаторов
конструкций ------- ------ ------ --- ---- ---- конструкций и комплектов
микроэлектромеханических 273,8 42,1 49,7 72 55 55 необходимой конструкторской
систем документации на изготовление
чувствительных элементов и
микросистем контроля
давления,
микроакселерометров,
микромеханических датчиков
угловых скоростей,
микроактюаторов с
напряжением управления,
предназначенных для
использования в транспортных
средствах, оборудовании
топливно-энергетического
комплекса, машиностроении,
медицинской технике,
робототехнике, бытовой
технике
технологий микроакусто- ------- ------- ------ (2009 год) и комплектов
электромеханических 108,15 78,55 29,6 необходимой технологической
систем документации на изготовление
микроакустоэлектромеханических
систем, основанных на
использовании поверхностных
акустических волн (диапазон
частот до 2 ГГц) и объемно-
акустических волн (диапазон
частот до 8 ГГц),
пьезокерамических элементов,
совместимых с интегральной
технологией микроэлектроники
конструкций микро- ------- -- ------ ---- конструкций и комплектов
акустоэлектромеханических 147,3 28 60,3 59 необходимой конструкторской
систем документации на изготовление
пассивных датчиков
физических величин
микроакселерометров,
микрогироскопов на
поверхностных акустических
волнах, датчиков давления и
температуры, датчиков
деформации, крутящего
момента и микроперемещений,
резонаторов
технологий -- -- изготовления элементов
микроаналитических 25 25 микроаналитических систем,
систем чувствительных к газовым,
химическим и биологическим
компонентам внешней среды,
предназначенных для
использования в аппаратуре
жилищно-коммунального
хозяйства, в медицинской и
биомедицинской технике для
обнаружения токсичных,
горючих и взрывчатых
материалов
конструкций --- -- -- -- микроаналитических систем,
микроаналитических 78 20 40 18 предназначенных для
систем аппаратуры жилищно-
коммунального хозяйства,
медицинской и биомедицинской
техники;
разработка датчиков и
аналитических систем
миниатюрных размеров с
высокой чувствительностью к
сверхмалым концентрациям
химических веществ для
осуществления мониторинга
окружающей среды, контроля
качества пищевых продуктов и
контроля утечек опасных и
вредных веществ в
технологических процессах
технологий микро- ----- ----- ------ выпуска трехмерных
оптоэлектромеханических 27 10,2 16,8 оптических и
систем акустооптических
функциональных элементов,
микрооптоэлектромеханических
систем для коммутации и
модуляции оптического
излучения, акустооптических
перестраиваемых фильтров,
двухмерных управляемых
матриц микрозеркал,
микропереключателей и
фазовращателей (2009 год)
конструкций микро- ------- ----- ------ -- конструкций и комплектов
оптоэлектромеханических 70 21 31 18 конструкторской документации
систем на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и
модуляции оптического
излучения
технологий микросистем ------ ------ изготовления микросистем
анализа магнитных полей 36 36 анализа магнитных полей на
основе анизотропного и
гигантского
магниторезистивного
эффектов, квазимонолитных и
монолитных гетеромагнитных
пленочных структур (2008
год)
конструкций микросистем ------- ------ -- -- конструкций и комплектов
анализа магнитных полей 98,018 22,018 62 14 конструкторской документации
на магниточувствительные
микросистемы для применения
в электронных системах
управления приводами, в
датчиках положения и
потребления, бесконтактных
переключателях
технологий ------- ------ ------ производстве базовых
радиочастотных 80,662 28,45 52,212 технологий изготовления
микроэлектро- радиочастотных
механических систем микроэлектромеханических
систем и компонентов,
включающих микрореле,
коммутаторы,
микропереключатели
(2009 год)
конструкций ------- ---- ------ ---- конструкций и комплектов
радиочастотных 96 25 42 29 конструкторской документации
микроэлектромеханических на изготовление
систем радиочастотных
микроэлектромеханических
систем - компонентов,
позволяющих получить резкое
улучшение массогабаритных
характеристик, повышение
технологичности и снижение
стоимости изделий
средств обеспечения ------ ------ контроля и измерения
создания и производства 22,8 22,8 параметров и характеристик
изделий микросистемной изделий микросистемотехники,
техники разработка комплектов
стандартов и нормативных
документов по безопасности и
экологии
технологий и конструкций ---- --- --- --- --- выпуска трехмерных
микро- 770 230 210 180 150 оптических и
оптоэлектромеханических акустооптических
систем для оптической функциональных элементов,
аппаратуры, систем микрооптоэлектромеханических
отображения изображений, систем для коммутации и
научных исследований и модуляции оптического
специальной техники излучения (2012 год),
акустооптических
перестраиваемых фильтров
(2012 год), двухмерных
управляемых матриц
микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей (2013 год),
разработка базовых
технологий, конструкций и
комплектов, конструкторской
документации на изготовление
микрооптоэлектромеханических
систем коммутации и
модуляции оптического
излучения (2015 год)
совершенствование ---- --- ----- ----- --- --- контроля и измерения
методов и средств 760 100 175 155 180 150 параметров и характеристик
контроля, испытаний и изделий микросистемотехники,
аттестации изделий разработка комплектов
микросистемотехники стандартов и нормативных
документов по безопасности и
экологии
технологий и конструкций ---- --- --- --- --- технологий изготовления
микроаналитических 780 240 210 170 160 элементов микроаналитических
систем для аппаратуры систем, чувствительных к
контроля и обнаружения газовым, химическим и
токсичных, горючих, биологическим компонентам
взрывчатых и внешней среды,
наркотических веществ предназначенных для
использования в аппаратуре
жилищно-коммунального
хозяйства (2012 год,
2013 год, 2014 год)
Всего по направлению 3 5330,301 476,964 466,233 442,103 465 1050 945 795 690 -------- ------- ------- ------- --- --- --- --- --- 3490,63 306,9 268,73 285 310 700 630 530 460
Направление 4. Микроэлектроника
развитие методологии ------- ----- ------ нормативно-технической
проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 документации по
микроэлектроники: проектированию изделий
разработка и освоение микроэлектроники, создание
современной технологии отраслевой базы данных с
проектирования каталогами библиотечных
универсальных элементов и
микропроцессоров, сложнофункциональных блоков
процессоров обработки с каталогизированными
сигналов, микро- результатами аттестации на
контроллеров и "системы физическом уровне,
на кристалле" на основе разработка комплекта
каталогизированных нормативно-технической и
сложнофункциональных технологической документации
блоков и библиотечных по взаимодействию центров
элементов, в том числе проектирования в сетевом
создание отраслевой базы режиме
данных и технологических
файлов для
автоматизированных
систем проектирования;
освоение и развитие
технологии
проектирования для
обеспечения
технологичности
производства и
стабильного выхода
годных изделий с целью
размещения заказов на
современной базе
контрактного
производства с
технологическим уровнем
до 0,13 мкм
базовой технологии ------ ---- ----- технологической документации
производства 22,7 14,7 8 и организационно-
фотошаблонов с распорядительной
технологическим уровнем документации по
до 0,13 мкм с целью взаимодействию центров
обеспечения проектирования и центра
информационной защиты изготовления фотошаблонов
проектов изделий
микроэлектроники при
использовании
контрактного
производства
(отечественного и
зарубежного)
серий изделий ------- ------- ------- документации в стандартах
микроэлектроники: 490,2 190,1 300,1 единой системы
универсальных конструкторской,
микропроцессоров для технологической и
встроенных применений; производственной
универсальных документации, изготовление
микропроцессоров для опытных образцов изделий и
серверов и рабочих организация серийного
станций; цифровых производства
процессоров обработки
сигналов; сверхбольших
интегральных схем,
программируемых
логических интегральных
схем; сверхбольших
интегральных схем
быстродействующей
динамической и
статической памяти;
микроконтроллеров со
встроенной
энергонезависимой
электрически
программируемой памятью;
схем интерфейса
дискретного
ввода/вывода; схем
аналогового интерфейса;
цифроаналоговых и
аналого-цифровых
преобразователей на
частотах выше 100 МГц с
разрядностью более
8 - 12 бит; схем
приемопередатчиков
шинных интерфейсов;
изделий интеллектуальной
силовой микро-
электроники для
применения в аппаратуре
промышленного и бытового
назначения; встроенных
интегральных источников
питания
серийных технологий -------- ------- ------ --- документации в стандартах
изделий 1299 592,3 616,7 90 единой системы
микроэлектроники: конструкторской,
цифроаналоговых и технологической и
аналого-цифровых производственной
преобразователей на документации, изготовление
частотах выше 100 МГц с опытных образцов изделий и
разрядностью более организация серийного
14 - 16 бит; производства
микроэлектронных
устройств различных
типов, включая сенсоры с
применением наноструктур
и биосенсоров; сенсоров
на основе магнито-
электрических и
пьезоматериалов;
встроенных интегральных
антенных элементов для
диапазонов частот 5 ГГц,
10 - 12 ГГц; систем на
кристалле, в том числе в
гетероинтеграции
сенсорных и
исполнительных элементов
методом беспроводной
сборки с применением
технологии матричных
жестких выводов
освоение производства ------- ----- ------- документации в стандартах
изделий микроэлектроники 308,8 168,3 140,5 единой системы
с технологическим конструкторской,
уровнем 0,13 мкм технологической документации
и ввод в эксплуатацию
производственной линии
технологии формирования ------ --- --- --- ------ документации в стандартах
многослойной разводки 587,3 102 240 99 146,3 единой системы
(7 - 8 уровней) конструкторской,
сверхбольших технологической и
интегральных схем на производственной
основе Al и Cu документации,
ввод в эксплуатацию
производственной линии
организация производства ------- ------- ------- ---- документации в стандартах
многокристальных 288,9 101 110,9 77 единой системы
микроэлектронных модулей конструкторской,
для мобильных применений технологической и
с использованием производственной
полимерных и документации,
металлополимерных ввод в эксплуатацию
микроплат и носителей производственной линии
технологических ----- -- ---- производственной
испытаний изделий 133,8 67 66,8 документации, ввод в
микроэлектроники, эксплуатацию
гарантирующих их специализированных участков
повышенную надежность в
процессе долговременной
(более 100 000 часов)
эксплуатации, на основе
использования типовых
оценочных схем и
тестовых кристаллов
методов анализа отказов ------ ----- ------ документации, включая
изделий микроэлектроники 243,77 131,9 111,87 утвержденные отраслевые
с применением методики, ввод в
ультраразрешающих эксплуатацию
методов (ультразвуковая модернизированных участков и
гигагерцовая лабораторий анализа отказов
микроскопия,
сканирование
синхротронным
излучением, атомная и
туннельная силовая
микроскопия, электронно-
и ионно-лучевое
зондирование и другие)
субмикронных технологий ------ --- --- --- ----- сверхбольших интегральных
уровней 800 200 245 200 155 схем;
0,065 - 0,045 мкм создание базовой технологии
формирования многослойной
разводки сверхбольших
интегральных схем
топологического уровня
0,065 - 0,045 мкм (2015 год),
освоение и развитие
технологии проектирования и
изготовления для обеспечения
технологичности производства
и стабильного выхода годных
изделий, а также с целью
размещения заказов на
современной базе
контрактного производства с
технологическим уровнем до
0,045 мкм, разработка
комплекта технологической
документации и
организационно-
распорядительной
документации по
взаимодействию центров
технологических ------- --- ------ --- --- сверхбольших интегральных
процессов и структур для 915,7 245 245,7 235 190 схем технологических уровней
субмикронных технологий 65 - 45 нм, организация
уровней 0,032 мкм опытного производства и
исследование технологических
уровней 0,032 мкм
(2015 год)
технологий и конструкций ------- ------ ------ --- ----- ----- конструкций перспективных
изделий интеллектуальной 959,7 110,7 261,8 230 205 152,2 изделий интеллектуальной
силовой электроники для силовой микроэлектроники для
применения в аппаратуре применения в аппаратуре
бытового и промышленного промышленного и бытового
применения, на назначения;
транспорте, в топливно- создание встроенных
энергетическом комплексе интегральных источников
и в специальных системах питания (2013 - 2015 годы)
технологий сборки ------ --- ----- --- --- ----- технологии многокристальных
сверхбольших 1100 200 224,2 123 290 262,8 микроэлектронных модулей для
интегральных схем в мобильных применений с
многовыводные корпуса, в использованием полимерных и
том числе корпуса с металлополимерных микроплат
матричным расположением и носителей (2015 год)
выводов и технологий
многокристальной сборки,
включая создание "систем
в корпусе"
Всего по направлению 4 11689,829 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1552,9 1450,5 1183 -------- ------- -------- ------- ------ ------ ------ ------ ---- 7328,27 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 990 930 760
Направление 5. Электронные материалы и структуры
производства новых -- -- -- диэлектрических материалов
диэлектрических 49 32 17 на основе ромбоэдрической
материалов на основе модификации нитрида бора и
ромбоэдрической подложек из
модификации нитрида бора поликристаллического алмаза
и подложек из с повышенной
поликристаллического теплопроводностью и
алмаза электропроводностью для
создания нового поколения
высокоэффективных и надежных
сверхвысокочастотных
приборов
производства ------ ------ ----- производства
гетероэпитаксиальных 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных
структур и структур структур и структур
гетеробиполярных гетеробиполярных
транзисторов на основе транзисторов на основе
нитридных соединений нитридных соединений A B
A B для мощных 3 5
3 5 для обеспечения разработок и
полупроводниковых изготовления
приборов и сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем
монолитных интегральных и мощных транзисторов
схем (2011 год)
технологии производства ------ ------ ---- производства гетероструктур
метаморфных структур на 49,8 32 17,8 и псевдоморфных структур на
основе GaAs и подложках InP для
псевдоморфных структур перспективных
на подложках InP для полупроводниковых приборов и
приборов сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотной монолитных интегральных схем
электроники диапазона 60 диапазона 60 - 90 ГГц (2009
- 90 ГГц год)
производства ------- ------ -- -- магнитных материалов и
спинэлектронных 82 16 30 36 микроволновых структур со
магнитных материалов, спиновым управлением для
радиопоглощающих и создания перспективных
мелкодисперсных микроволновых
ферритовых материалов сверхвысокочастотных
для сверхвысокочастотных приборов повышенного
приборов быстродействия и низкого
энергопотребления
производства ---- ---- ---- массового производства
высокочистых химических 47,3 31 16,3 высокочистых химических
материалов (аммиака, материалов (аммиака, арсина,
арсина, фосфина, фосфина, тетрахлорида
тетрахлорида кремния) кремния) для выпуска
для обеспечения полупроводниковых подложек
производства нитрида галлия, арсенида
полупроводниковых галлия, фосфида индия,
подложек нитрида галлия, кремния и
арсенида галлия, фосфида гетероэпитаксиальных
индия, кремния и структур на их основе
гетероэпитаксиальных (2009 год)
структур на их основе
производства ----- -- ----- -- производства
поликристаллических 45,38 12 23,38 10 поликристаллических алмазов
алмазов и их пленок для и его пленок для мощных
теплопроводных сверхвысокочастотных
конструкций мощных приборов (2012 год)
выходных транзисторов и
сверхвысокочастотных
приборов
разработка технологии -- -- -- изготовления новых
изготовления новых 38 24 14 микроволокон на основе
микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и
двухмерных металлодиэлектрических
диэлектрических и микро- и наноструктур для
металлодиэлектрических новых классов
микро- и наноструктур, а микроструктурных приборов,
также полупроводниковых магниторезисторов,
нитей с наноразмерами осцилляторов, устройств
при вытяжке стеклянного оптоэлектроники (2009 год)
капилляра, заполненного
жидкой фазой
полупроводника
выращивания слоев ------ --- ------ -- технологии пьезокерамических
пьезокерамики на 39 3 18 18 элементов, совместимой с
кремниевых подложках для комплементарной металло-
формирования оксидной полупроводниковой
комплексированных технологией для разработки
устройств микросистемной нового класса активных
техники пьезокерамических устройств,
интегрированных с
микросистемами (2011 год)
базовых технологий ------ ------ -- травления и изготовления
создания многослойных 38 24 14 кремниевых трехмерных
кремниевых структур с базовых элементов
использованием микроэлектромеханических
"жертвенных" и систем с использованием
"стопорных" диффузионных "жертвенных" и "стопорных"
и диэлектрических слоев слоев для серийного
для производства силовых производства элементов
приборов и элементов микроэлектромеханических
микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых
систем структур с использованием
силикатных стекол, моно-,
поликристаллического и
пористого кремния и диоксида
кремния
технологий получения ----- ----- ---- получения алмазных
алмазных 22 11 11 полупроводниковых
полупроводниковых наноструктур и наноразмерных
наноструктур и органических покрытий,
наноразмерных алмазных полупроводящих
органических покрытий с пленок для
широким диапазоном конкурентоспособных
функциональных свойств высокотемпературных и
радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения
(2011 год)
разработка технологии ------- ------ ------ изготовления гетероструктур
роста эпитаксиальных 88,55 38 50,55 и эпитаксиальных структур на
слоев карбида кремния, основе нитридов для создания
структур на основе радиационно стойких
нитридов, а также сверхвысокочастотных и
формирования изолирующих силовых приборов нового
и коммутирующих слоев в поколения (2009 год)
приборах экстремальной
электроники
производства радиационно ------- -- ------- производства структур
стойких сверхбольших 90 35 55 "кремний на сапфире"
интегральных схем на диаметром до 150 мм с
ультратонких толщиной приборного слоя до
гетероэпитаксиальных 0,1 мкм и топологическими
структурах кремния на нормами до 0,18 мкм для
сапфировой подложке для производства электронной
производства электронной компонентной базы
компонентной базы специального и двойного
специального и двойного назначения (2009 год)
назначения
производства ------- -- ------ производства радиационно
высокоомного радиационно 89,7 36 53,7 облученного кремния и
облученного кремния, пластин кремния до 150 мм
слитков и пластин для выпуска мощных
кремния диаметром до транзисторов и сильноточных
150 мм для производства тиристоров нового поколения
силовых (2009 год)
полупроводниковых
приборов
производства кремниевых ---- ---- ---- освоение получения
подложек и структур для 58,9 24 34,9 высококачественных подложек
силовых и структур для использования
полупроводниковых в производстве силовых
приборов с глубокими полупроводниковых приборов,
высоколегированными с глубокими
слоями p- и n-типов высоколегированными слоями и
проводимости и скрытыми скрытыми слоями носителей с
слоями носителей с повышенной рекомбинацией
повышенной рекомбинацией (2009 год)
производства ------- ------ ----- производства пластин кремния
электронного кремния, 162 48 114 диаметром до 200 мм и
кремниевых пластин эпитаксиальных структур
диаметром уровня 0,25 - 0,18 мкм
до 200 мм и кремниевых (2009 год)
эпитаксиальных структур
уровня технологии
0,25 - 0,18 мкм
конструктивно- ------ ----- ----- -- -- корпусирования интегральных
технических решений и 161 38 83 20 20 схем и полупроводниковых
перспективной базовой приборов на основе
технологии использования многослойных
корпусирования кремниевых структур со
интегральных схем и сквозными токопроводящими
полупроводниковых каналами, обеспечивающей
приборов на основе сокращение состава сборочных
использования операций и формирование
многослойных кремниевых трехмерных структур
структур со сквозными (2013 год)
токопроводящими каналами
производства ------- ------ --- -- -- производства гетероструктур
гетероструктур SiGe для 143 13 90 20 20 SiGe для выпуска
разработки сверхбольших быстродействующих
интегральных схем с сверхбольших интегральных
топологическими нормами схем с топологическими
0,25 - 0,18 мкм нормами 0,25 - 0,18 мкм
(2011 год, 2013 год)
выращивания и обработки, ------ ------ -- выращивания и обработки
в том числе 34 22 12 пьезоэлектрических
плазмохимической, новых материалов акустоэлектроники
пьезоэлектрических и акустооптики для
материалов для обеспечения производства
акустоэлектроники и широкой номенклатуры
акустооптики акустоэлектронных устройств
нового поколения (2009 год)
производства ------ ------ -- -- --- массового производства
соединений A B и 58 12 22 15 9 исходных материалов и
3 5 структур для перспективных
тройных структур для: приборов лазерной и
производства сверхмощных оптоэлектронной техники, в
лазерных диодов; том числе:
высокоэффективных производства сверхмощных
светодиодов белого, лазерных диодов (2010 год);
зеленого, синего и высокоэффективных
ультрафиолетового светодиодов белого,
диапазонов; зеленого, синего и
фотоприемников среднего ультрафиолетового диапазонов
инфракрасного диапазона (2011 год);
фотоприемников среднего
инфракрасного диапазона
(2013 год)
разработка технологии ----- ----- ---- производства принципиально
получения гетероструктур 30 22 8 новых материалов
с вертикальными полупроводниковой
оптическими резонаторами электроники на основе
на основе квантовых ям и сложных композиций для
квантовых точек для перспективных приборов
производства вертикально лазерной и оптоэлектронной
излучающих лазеров для техники (2009 год)
устройств передачи
информации и матриц для
оптоэлектронных
переключателей нового
поколения
производства современных ------ ------ --- производства компонентов для
компонентов для 17 12 5 специализированных
специализированных электронно-лучевых
фотоэлектронных (2010 год),
приборов, в том числе: электронно-оптических и
катодов и отклоняющих систем
газопоглотителей; (2010 год),
электронно-оптических и стеклооболочек и деталей из
отклоняющих систем; электровакуумного стекла
стеклооболочек и деталей различных марок (2011 год)
из электровакуумного
стекла различных марок
производства особо ------ ------ -- производства особо тонких
тонких гетерированных 32 20 12 гетерированных нанопримесями
нанопримесями полупроводниковых структур
полупроводниковых для изготовления
структур для высокоэффективных
высокоэффективных фотокатодов электронно-
фотокатодов, электронно- оптических преобразователей
оптических и фотоэлектронных
преобразователей и умножителей, приемников
фотоэлектронных инфракрасного диапазона,
умножителей, приемников солнечных элементов и других
инфракрасного диапазона приложений (2009 год)
и солнечных элементов с
высокими значениями
коэффициента полезного
действия
технологии производства ------ ------ -- монокристаллов AlN для
монокристаллов AlN для 24 12 12 изготовления изолирующих и
изготовления изолирующих проводящих подложек для
и проводящих подложек создания полупроводниковых
для гетероструктур высокотемпературных и мощных
сверхвысокочастотных
приборов нового поколения
(2011 год)
технологии производства ------ ------ ------ вакуумно-плотной спецстойкой
наноструктурированных 29,2 19,85 9,35 керамики из
оксидов металлов нанокристаллических порошков
(корунда и т.п.) для и нитридов металлов для
производства вакуумно- промышленного освоения
плотной нанокерамики, в спецстойких приборов нового
том числе с заданными поколения (2009 год), в том
оптическими свойствами числе микрочипов,
сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-матриц, а
также особо прочной
электронной компонентной
базы оптоэлектроники и
фотоники
технологии производства ------ ------ - производства полимерных и
полимерных и гибридных 13 11 2 композиционных материалов с
органо-неорганических использованием поверхностной
наноструктурированных и объемной модификации
защитных материалов для полимеров
электронных компонентов наноструктурированными
нового поколения наполнителями для создания
прецизионных и изделий с высокой
сверхвысокочастотных механической, термической и
резисторов, радиационной стойкостью при
терминаторов, работе в условиях длительной
аттенюаторов и эксплуатации и воздействии
резисторно-индукционно- комплекса специальных
емкостных матриц, внешних факторов (2011 год)
стойких к воздействию
комплекса специальных
внешних факторов
разработка перспективных ------ ---- ---- --- ----- --- производства гетероструктур,
гетероструктурных и 930 150 179 206 215 180 структур и псевдоморфных
наноструктурированных структур на подложках InP
материалов с для перспективных
экстремальными полупроводниковых приборов и
характеристиками для сверхвысокочастотных
перспективных монолитных интегральных схем
электронных приборов и диапазона 60 - 90 ГГц (2012
радиоэлектронной год), создание технологии
аппаратуры специального получения алмазных
назначения полупроводниковых
наноструктур и наноразмерных
органических покрытий (2013
год), алмазных
полупроводящих пленок для
конкурентоспособных
высокотемпературных и
радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения,
создание технологии
изготовления гетероструктур
и эпитаксиальных структур на
основе нитридов (2015 год)
разработка экологически ---- --- ----- ----- --- конструкционных и
чистых материалов и 930 290 255 185 200 технологических материалов
методов их использования для уровней технологии 0,065
в производстве - 0,032 мкм и обеспечения
электронной компонентной высокого процента выхода
базы и радиоаппаратуры, годных изделий,
включая бессвинцовые экологических требований по
композиции для сборки международным стандартам
(2012 год, 2015 год)
технологий получения ---- --- ----- ----- ---- технологий производства
ленточных материалов 920 270 245 205 200 компонентов для
(полимерные, специализированных
металлические, электронно-лучевых,
плакированные и другие) электронно-оптических и
для радиоэлектронной отклоняющих систем,
аппаратуры и сборочных стеклооболочек и деталей из
операций электронной электровакуумного стекла
компонентной базы различных марок (2013 год),
создание технологии
производства полимерных и
композиционных материалов с
использованием поверхностной
и объемной модификации
полимеров
наноструктурированными
наполнителями (2015 год)
Всего по направлению 5 6532,174 621,754 658,169 365,251 717 1260 1132,5 907,5 870 -------- ------- ------- ------- --- ---- ------ ----- --- 4275,07 407,85 431,6 177,62 478 840 755 605 580
Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
выпуска прецизионных ------ -- ------ резонаторов с повышенной
температуростабильных 20 12 8 кратковременной и
высокочастотных долговременной стабильностью
до 1,5 - 2 ГГц для создания контрольной
резонаторов на аппаратуры и техники связи
поверхностно двойного назначения
акустических волнах до
1,5 ГГц с полосой до
70 процентов и
длительностью сжатого
сигнала до 2 - 5 нс
лицензируемых и ---- -- -- ---- конструкции
нелицензируемых 45 14 22 9 акустоэлектронных пассивных
международных частотных и активных меток-
диапазонах транспондеров для применения
860 МГц и 2,45 ГГц ряда в логистических приложениях
радиочастотных пассивных на транспорте, в торговле и
и активных промышленности (2010 год,
акустоэлектронных меток- 2011 год)
транспондеров, в том
числе работающих в
реальной помеховой
обстановке, для систем
радиочастотной
идентификации и систем
управления доступом
конструкции и ---- -- ---- проектирования и базовых
промышленной технологии 19,5 11 8,5 конструкций
производства пьезоэлектрических фильтров
пьезокерамических в малогабаритных корпусах
фильтров в корпусах для для поверхностного монтажа
поверхностного монтажа при изготовлении техники
связи массового применения
(2009 год)
проектирования, базовой ----- ----- акустоэлектронных приборов
технологии производства 23 23 для перспективных систем
и конструирования связи, измерительной и
акустоэлектронных навигационной аппаратуры
устройств нового нового поколения: подвижных,
поколения и фильтров спутниковых, тропосферных и
промежуточной частоты с радиорелейных линий связи,
высокими цифрового интерактивного
характеристиками для телевидения,
современных систем радиоизмерительной
связи, включая аппаратуры, радиолокационных
высокоизбирательные станций, спутниковых
высокочастотные навигационных систем
устройства частотной (2008 год)
селекции на
поверхностных и
приповерхностных волнах
и волнах Гуляева-
Блюштейна с предельно
низким уровнем вносимого
затухания для частотного
диапазона до 5 ГГц
проектирования и базовой ------ ------ ------ производства
технологии производства 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной
функциональных электронной компонентной
законченных устройств базы типа "система в
стабилизации, селекции корпусе" для вновь
частоты и обработки разрабатываемых и
сигналов типа "система в модернизируемых сложных
корпусе" радиоэлектронных систем и
комплексов (2010 год)
конструкции и технологии -- -- -- -- и базовой конструкции
изготовления 42 14 14 14 микроминиатюрных
высокочастотных высокодобротных фильтров для
резонаторов и фильтров малогабаритной и носимой
на объемных акустических аппаратуры навигации и связи
волнах для (2013 год)
телекоммуникационных и
навигационных систем
базовой конструкции -- -- оптоэлектронных приборов для
фоточувствительных 23 23 обеспечения задач
приборов с матричными предотвращения аварий и
приемниками высокого контроля
разрешения для видимого
и ближнего инфракрасного
диапазона для аппаратуры
контроля изображений
технологии ------ ------ ---- нового поколения приборов
унифицированных 21,9 10 11,9 контроля тепловых полей для
электронно-оптических задач теплоэнергетики,
преобразователей, медицины, поисковой и
микроканальных пластин, контрольной аппаратуры на
пироэлектрических матриц транспорте, продуктопроводах
и камер на их основе с и в охранных системах
чувствительностью до 0,1 (2009 год)
К и широкого
инфракрасного диапазона
технологии создания -- -- -- (2008 год) и конструкции
интегрированных 53 30 23 новых типов приборов,
гибридных сочетающих фотоэлектронные и
фотоэлектронных твердотельные технологии, с
высокочувствительных и целью получения экстремально
высокоразрешающих достижимых характеристик для
приборов и усилителей задач контроля и наблюдения
для задач космического в системах двойного
мониторинга и назначения
специальных систем
наблюдения, научной и
метрологической
аппаратуры
технологий мощных ------ ------ ------ (2008 год) и конструкций
полупроводниковых 64 30 34 принципиально новых мощных
лазерных диодов диодных лазеров,
(непрерывного и предназначенных для широкого
импульсного излучения), применения в изделиях
специализированных двойного назначения,
лазерных медицины, полиграфического
полупроводниковых оборудования и системах
диодов, фотодиодов и открытой оптической связи
лазерных волоконно-
оптических модулей для
создания аппаратуры и
систем нового поколения
базовых технологий для ---- -- -- ---- комплекта основных
лазерных навигационных 37 10 20 7 оптоэлектронных компонентов
приборов, включая для лазерных гироскопов
интегральный оптический широкого применения (2010
модуль лазерного год), создание комплекса
гироскопа на базе технологий обработки и
сверхмалогабаритных формирования структурных и
кольцевых приборных элементов,
полупроводниковых оборудования контроля и
лазеров инфракрасного аттестации, обеспечивающих
диапазона, новый уровень технико-
оптоэлектронные экономических показателей
компоненты для широкого производства
класса инерциальных
лазерных систем
управления движением
гражданских и
специальных средств
транспорта
конструкций и технологий -- -- твердотельных чип-лазеров
создания квантово- 15 15 для лазерных дальномеров,
электронных приемо- твердотельных лазеров с
передающих модулей для пикосекундными
малогабаритных лазерных длительностями импульсов для
дальномеров нового установок по прецизионной
поколения на основе обработке композитных
твердотельных чип- материалов, для создания
лазеров с элементов и изделий
полупроводниковой микромашиностроения и в
накачкой, производстве электронной
технологических лазерных компонентной базы нового
установок широкого поколения, мощных лазеров
спектрального диапазона для применения в
машиностроении,
авиастроении,
автомобилестроении,
судостроении, в составе
промышленных технологических
установок обработки и
сборки, систем
экологического мониторинга
окружающей
среды, контроля выбросов
патогенных веществ, контроля
утечек в продуктопроводах
(2008 год, 2009 год)
технологий формирования ------ ----- ------ получения широкоапертурных
конструктивных узлов и 43 37 6 элементов на основе
блоков для лазеров алюмоиттриевой легированной
нового поколения и керамики композитных
технологии создания составов для лазеров с
полного комплекта диодной накачкой (2008 год),
электронной компонентной высокоэффективных
базы для производства преобразователей частоты
лазерного устройства лазерного излучения,
определения наличия организация промышленного
опасных, взрывчатых, выпуска оптических изделий и
отравляющих и лазерных элементов широкой
наркотических веществ в номенклатуры
контролируемом
пространстве
технологий, базовой -- -- -- низковольтных
конструкции и 35 17 18 катодолюминесцентных и
организация производства других дисплеев с широким
интегрированных диапазоном эргономических
катодолюминесцентных и характеристик и свойств по
других дисплеев двойного условиям применения для
назначения со встроенным информационных и контрольных
микроэлектронным систем
управлением
базовых конструкций ------ ----- ------ новых светоизлучающих
высокояркостных 29 16 13 приборов с минимальными
светодиодов и геометрическими размерами,
индикаторов основных высокой надежностью и
цветов свечения для устойчивостью к механическим
систем подсветки в и климатическим
приборах нового воздействиям, обеспечивающих
поколения энергосбережение за счет
замены ламп накаливания в
системах подсветки
аппаратуры и освещения
технологии и конструкции ------- ------ ----- -- производства нового
оптоэлектронных приборов 59 10 37 12 поколения оптоэлектронной
(оптроны, оптореле, высокоэффективной и надежной
светодиоды) в электронной компонентной
миниатюрных корпусах для базы для промышленного
поверхностного монтажа оборудования и систем связи
(2010 год, 2011 год)
схемотехнических решений ------ -- ------ классов носимой и
и унифицированных 33,5 16 17,5 стационарной аппаратуры,
базовых конструкций и экранов отображения
технологий формирования информации коллективного
твердотельных пользования повышенных
видеомодулей на емкости и формата (2009 год)
полупроводниковых
светоизлучающих
структурах для носимой
аппаратуры, экранов
индивидуального и
коллективного
пользования с бесшовной
стыковкой
технологии изготовления ------ ------ ------ массового производства
высокоэффективных 37 20 17 солнечных элементов для
солнечных элементов на индивидуального и
базе использования коллективного использования
кремния, полученного по в труднодоступных районах,
"бесхлоридной" развития солнечной
технологии и технологии энергетики в жилищно-
"литого" кремния коммунальном хозяйстве для
прямоугольного сечения обеспечения задач
энергосбережения (2009 год)
технологии и освоение -- -- -- массового производства
производства 19 12 7 нового класса
оптоэлектронных реле с оптоэлектронных приборов для
повышенными техническими широкого применения в
характеристиками для радиоэлектронной аппаратуре
поверхностного монтажа (2009 год)
и разработка технологий ----- -- -- ---- массового производства
получения новых классов 71,8 22 34 15,8 экранов с предельно низкой
органических удельной стоимостью для
(полимерных) информационных и обучающих
люминофоров, пленочных систем (2010 год, 2011 год)
транзисторов на основе
"прозрачных" материалов,
полимерной пленочной
основы и технологий
изготовления
крупноформатных гибких и
особо плоских экранов, в
том числе на базе
высокоразрешающих
процессов струйной
печати и непрерывного
процесса изготовления
типа "с катушки на
катушку"
конструкций и технологии ------- -- ------ ------ конструкции активно-
активных матриц и 100,5 30 8,5 62 матричных органических
драйверов плоских электролюминесцентных,
экранов на основе жидкокристаллических и
аморфных, катодолюминесцентных
поликристаллических и дисплеев, стойких к внешним
кристаллических специальным и климатическим
кремниевых интегральных воздействиям (2010 год)
структур на различных
подложках и создание на
их основе перспективных
видеомодулей, включая
органические
электролюминесцентные,
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные,
создание базовой
технологии серийного
производства монолитных
модулей двойного
назначения
конструкции и технологии ------ ------ -- -- базовых конструкций
крупноформатных полно- 46 10 20 16 полноцветных газоразрядных
цветных газоразрядных видеомодулей специального и
видеомодулей двойного назначения для
наборных экранов
коллективного пользования
(2010 год)
сверхпрецизионных ------ ------ ------ ------ сверхпрецизионных
резисторов и гибридных 42 16 12 14 резисторов, гибридных
интегральных схем цифро- интегральных схем
аналоговых и аналого- цифроаналоговых и аналого-
цифровых цифровых преобразователей с
преобразователей на их параметрами, превышающими
основе в уровень существующих
металлокерамических отечественных и зарубежных
корпусах для аппаратуры изделий, для аппаратуры
двойного назначения связи, диагностического
контроля, медицинского
оборудования, авиастроения,
станкостроения,
измерительной техники (2010
год)
технологии особо -- -- -- -- сверхпрецизионных резисторов
стабильных и особо 50 20 20 10 с повышенной удельной
точных резисторов мощностью рассеяния,
широкого диапазона высоковольтных высокоомных
номиналов, прецизионных резисторов для измерительной
датчиков тока для техники, приборов ночного
измерительной и видения и аппаратуры
контрольной аппаратуры и контроля (2013 год)
освоение их производства
базовых конструкций ------- ---- ------ ----- -- ----- и конструкции резисторов с
резисторов и резистивных 100,2 7 13 16,5 30 33,7 повышенными значениями
структур нового стабильности, удельной
поколения для мощности в чип-исполнении на
поверхностного монтажа, основе многослойных
в том числе резисторов с монолитных структур (2010
повышенными год, 2013 год)
характеристиками,
ультранизкоомных
резисторов,
малогабаритных
подстроечных резисторов,
интегральных сборок
серии нелинейных
полупроводниковых
резисторов в
многослойном исполнении
чип-конструкции
формирования ----- ------ ------ производства датчиков на
интегрированных 30,95 24 6,95 резистивной основе с
резистивных структур с высокими техническими
повышенными технико- характеристиками и
эксплуатационными надежностью (2009 год)
характеристиками на
основе
микроструктурированных
материалов и методов
групповой сборки
технологии ------ ------ ------ автоматизированного
автоматизированного 39 20 19 производства чип- и
производства микрочип-резисторов
толстопленочных чип- и (в габаритах 0402, 0201 и
микрочип-резисторов менее) для применения в
массовой аппаратуре
(2009 год)
технологий и --- -- -- -- производства конденсаторов с
конструктивных решений 83 16 17 50 качественно улучшенными
изготовления танталовых характеристиками с
оксидно- электродами из неблагородных
полупроводниковых и металлов при сохранении
оксидно- высокого уровня надежности
электролитических (2010 год)
конденсаторов и чип-
конденсаторов и
организация производства
конденсаторов с
повышенным удельным
зарядом, сверхнизким
значением внутреннего
сопротивления и
улучшенными
потребительскими
характеристиками
базовой технологии и ------ ------ ----- конденсаторов и ионисторов
организация производства 18 13 5 на основе полимерных
конденсаторов с материалов с повышенным
органическим удельным зарядом и
диэлектриком и энергоемких накопительных
повышенными удельными конденсаторов с повышенной
характеристиками и удельной энергией (2009 год)
ионисторов с повышенным
током разряда
базовых конструкций ------ ---- ------ ---- базовых конструкций нового
высоковольтных 62 15 26 21 поколения выключателей для
(быстродействующих, радиоэлектронной аппаратуры
мощных) вакуумных с повышенными тактико-
выключателей нового техническими
поколения с предельными характеристиками и
характеристиками для надежностью (2011 год)
радиотехнической
аппаратуры с высокими
сроками службы
создания газонаполненных ------ ------ ------ изготовления коммутирующих
высоковольтных 33,5 16,5 17 устройств для токовой
высокочастотных коммутации цепей в широком
коммутирующих устройств диапазоне напряжений и токов
для токовой коммутации для радиоэлектронных и
цепей с повышенными электротехнических систем
техническими (2009 год)
характеристиками
комплекта электронной ---- ---- устройств грозозащиты в
компонентной базы для 17,5 17,5 индивидуальном, промышленном
создания модульного и гражданском строительстве,
устройства грозозащиты строительстве пожароопасных
зданий и сооружений с объектов (2008 год)
обеспечением требований
по международным
стандартам
конструкций и технологий -- -- - формирования
изготовления 37 31 6 высококачественных
малогабаритных гальванических покрытий,
переключателей с технологии прецизионного
повышенными сроками формирования изделий для
службы для печатного автоматизированных систем
монтажа изготовления коммутационных
устройств широкого
назначения (2009 год)
и разработка пленочных --- ----- --- ------ --- ----- разработка технологий
технологий изготовления 550 53,7 121 150,3 130 95 получения новых классов
высокоэкономичных органических светоизлучающих
крупноформатных гибких и диодов (ОСИД), полимерной
особо плоских экранов пленочной основы и
технологий изготовления
гибких ОСИД-экранов, в том
числе на базе
высокоразрешающих процессов
струйной печати, процессов
наноимпринта и рулонной
технологии изготовления
(2013 год); создание базовой
технологии производства
ОСИД-экранов для применения
в различных системах
(2015 год)
перспективных --- -- ----- --- --- ----- формирования нового
конструкций и 532 50 145 112 130 95 поколения оптоэлектронных
технологических комплексированных приборов,
принципов формирования обеспечивающих создание
оптоэлектронных и "системы на кристалле" с
квантовых структур и оптическими входами-выходами
приборов нового (2014 год, 2015 год)
поколения
технологий промышленного ----- --- ----- --- --- технологии массового
изготовления солнечных 541 170 165 120 86 производства солнечных
высокоэффективных элементов для
элементов индивидуального и
коллективного использования
(2015 год)
Всего по направлению 6 4623,784 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 727 570 415 -------- ------- ------- ------- ----- ----- --- --- --- 3034,25 456 365,35 336,9 235 500 485 380 276
Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции
технологий создания -------- ------- ------ ------ --- ---- --- --- --- современной и перспективной
рядов приемо-передающих 2911,4 90,1 113,6 87,7 420 691 553 486 470 отечественной электронной
унифицированных компонентной элементной базы
электронных модулей для и последних достижений в
аппаратуры связи, разработке алгоритмов сжатия
радиолокации, видеоизображений приемо-
телекоммуникаций, передающих унифицированных
бортовых электронных модулей
радиотехнических средств аппаратуры связи,
телекоммуникаций, цифрового
телевидения, бортовых
радиотехнических средств,
активных фазированных
антенных решеток с
параметрами:
диапазон частот до
100 ГГц;
скорость передачи
информации до
100 Гбит/с;
создание базовых технологий
и конструкции для создания
унифицированных рядов
приемо-передающих
унифицированных электронных
модулей аппаратуры
волоконно-оптических линий
связи когерентных,
высокоскоростных каналов со
спектральным уплотнением,
телекоммуникаций, цифрового
телевидения, обеспечивающих
импортозамещение в этой
области;
разработка новых технологий
технологий создания -------- ------ ------- ------ --- --- --- --- --- технологий и современной
нового класса 1932,4 61,1 104,9 56,4 310 540 365 233 262 отечественной твердотельной
унифицированных компонентной электронной
электронных модулей для базы унифицированных
обработки аналоговых и электронных модулей нового
цифровых сигналов на поколения для обработки
основе устройств аналоговых и цифровых
функциональной сигналов РЛС и других
электроники, приборов радиотехнических систем в
обработки сигналов высокочастотных, ПЧ и
аналого-цифровых и сверхвысокочастотных
цифроаналоговых диапазонах, освоение
преобразователей, производства нового класса
сенсоров и многофункциональных
преобразователей радиоэлектронных устройств,
разработка унифицированных
электронных модулей
преобразователей физических
и химических величин для
измерения и контроля широкой
номенклатуры параметров
микромеханических систем
технологий создания -------- ------ ------ ------ --- --- --- --- --- унифицированных электронных
рядов унифицированных 1160,25 32,5 42,2 45,55 190 313 197 167 173 модулей для систем
электронных модулей для телеметрии, управления,
систем телеметрии, радиолокационных,
управления, навигации робототехнических,
(угловых и линейных телекоммуникационных систем
перемещений, ориентации, и навигации (ориентации,
стабилизации, стабилизации,
позиционирования, позиционирования, наведения,
наведения, радиопеленгации, единого
радиопеленгации, единого времени), позволяющих резко
времени) снизить стоимость и
организовать крупносерийное
производство
радиоэлектронных средств
широкого применения
технологий создания -------- ------ ------ ------ --- --- --- --- --- современной и перспективной
рядов унифицированных 2145,54 40 53,5 42,04 360 658 348 328 316 отечественной электронной
электронных модулей компонентной базы
процессоров, скоростного унифицированных электронных
и сверхскоростного модулей широкой номенклатуры
ввода-вывода данных, для применения в различных
шифрования и информационных системах, в
дешифрования данных, том числе унифицированных
интерфейсов обмена, электронных модулей
систем сбора и хранения шифрования и дешифрования
информации, периферийных данных;
устройств, систем разработка базовых
идентификации и технологий и конструкций
управления доступом, унифицированных электронных
конверторов, модулей на поверхностных
информационно- акустических волнах систем
вычислительных систем радиочастотной и
биометрической
идентификации, систем
идентификации личности,
транспортных средств,
электронных паспортов,
логистики, контроля доступа
на объекты повышенной
безопасности, объектов
атомной энергетики.
В создаваемых
унифицированных электронных
модулях будет обеспечена
скорость обмена и передачи
информации до 30 Гб/с
технологий создания -------- ------ ------ ------ --- --- --- --- --- перспективных отечественных
рядов унифицированных 1132,4 32,7 43,2 46,5 180 303 197 167 163 сверхбольших интегральных
электронных цифровых схем типа "система на
модулей для кристалле" базового ряда
перспективных электронных модулей для
магистрально-модульных создания перспективных
архитектур магистрально-модульных
архитектур, обеспечивающих
создание защищенных средств
вычислительной техники
нового поколения
(автоматизированные рабочие
места, серверы, средства
высокоскоростных линий
волоконной связи),
функционирующих с
использованием современных
высокоскоростных
последовательных и
параллельных системных
интерфейсов
технологий создания ряда -------- ------ ------ ------ --- --- --- --- --- современной и перспективной
унифицированных 1338,2 35,5 61,9 40,8 220 364 224 198 194 отечественной электронной
электронных модулей для компонентной базы рядов
контрольно- унифицированных электронных
измерительной, модулей, обеспечивающих
метрологической и возможность создания по
поверочной аппаратуры, модульному принципу
аппаратуры тестового контрольно-измерительной,
контроля, диагностики метрологической и поверочной
блоков радиоэлектронной аппаратуры, аппаратуры
аппаратуры, для тестового контроля и
стандартных и встроенных диагностики на основе
систем контроля и базовых несущих конструкций;
измерений создание комплекта
сложнофункциональных блоков,
определяющих ядро
измерительных приборов,
систем и комплексов,
разработка законченных
функциональных модулей,
предназначенных для
выполнения
процессорных и интерфейсных
функций поверки и
диагностики сверхбольших
интегральных схем типа
"система на кристалле" для
систем управления, а также
систем проектирования и
изготовления модулей систем
управления и бортовых
электронно-вычислительных
машин, систем обработки
информации и вычислений
технологий создания ------- ---- ------ ------ --- --- --- --- --- технологий создания
нового поколения 1908 41 62 55 320 574 278 318 260 системообразующих
унифицированных рядов унифицированных рядов
средств электропитания и средств (систем, источников,
преобразователей сервисных устройств) и
электроэнергии для преобразователей
радиоэлектронных систем электроэнергии нового
и аппаратуры поколения межвидового и
гражданского и двойного межведомственного
назначения применения, в том числе
средств электропитания с
высокой плотностью упаковки
элементов с применением
бескорпусных изделий,
плоских моточных изделий
пленочной технологии, новых
методов экранирования,
отвода и рассеяния тепла,
основанных на применении
наноразмерных материалов с
высокой анизотропной
теплопроводностью
Будут разработаны базовые
технологии создания:
унифицированных рядов
источников электропитания;
преобразователей
электрической энергии;
источников и систем
бесперебойного
электропитания;
фильтров сетевых модулей
автоматического переключения
каналов;
модулей защиты от сетевых
помех;
адаптеров
оптимизированной системы -------- -- ------ -- --- --- --- --- --- несущих конструкций,
базовых несущих 2089,5 28 54,5 57 350 612 343 333 312 изготавливаемых на основе
конструкций первого, прогрессивных технологий и
второго и третьего обеспечивающих техническую
уровней для наземной, совместимость со всеми
морской, авиационной и видами современных объектов
космической с использованием новых
радиоэлектронной полимерных материалов.
аппаратуры специального Применение оптимизированных
и двойного назначения, базовых несущих конструкций
предназначенной для позволит сократить сроки
жестких условий разработки радиоэлектронной
эксплуатации, в том аппаратуры в 1,2 раза,
числе работающей в снизить трудоемкость
негерметизированном изготовления базовых несущих
отсеке с использованием конструкций в 1,5 - 2 раза,
прогрессивных технологий на 25 процентов уменьшить
материалоемкость и сократить
затраты на производство
радиоэлектронной аппаратуры
в 1,2 - 1,3 раза, обеспечить
эффективное импортозамещение
технологий комплексно -------- ----- ------ ------ --- --- --- --- --- конструкций с функциями
интегрированных базовых 1159,68 33 45,3 41,38 190 320 184 180 166 контроля, в том числе
несущих конструкций с контроля температуры,
функциями контроля, влажности, задымления в
диагностики, индикации корпусах радиоэлектронной
функционирования аппаратуры, уровня вибрации,
контроля параметров
составных частей
радиоэлектронной аппаратуры
- унифицированных
электронных модулей,
индикации рабочих режимов и
аварийных сигналов для
идентификации контролируемых
параметров, разработка
герметичных и
перфорированных базовых
несущих конструкций,
обеспечивающих нормальный
тепловой режим
радиоэлектронной аппаратуры
и выполняющих функции
измерения и регулирования в
требуемом диапазоне
температуры и влажности
воздуха внутри герметичных и
перфорированных базовых
несущих конструкций. Это
позволит в 1,5 - 2 раза
повысить надежность
радиоэлектронной аппаратуры
технологий создания -------- ------ ---- -- --- --- --- --- --- массогабаритных
облегченных паяных 856,2 20 22,2 24 140 240 138 135 137 характеристик бортовой
базовых несущих аппаратуры на 30 процентов и
конструкций для повышение прочности при
радиоэлектронной внешних воздействиях в 1,5 -
аппаратуры авиационного 2 раза
и космического
базирования на основе
существующих и
перспективных
алюминиевых сплавов
повышенной прочности,
обеспечивающих отвод
тепла по элементам
конструкции
базовых несущих ------ -- ---- -- --- --- --- --- --- интеграции и
конструкций с 698,4 14 20,4 24 120 180 123 110 107 комплексирования средств и
унифицированными систем, повышение
интерфейсными средствами конкурентоспособности не
для комплексирования менее чем в 2 раза,
бортовых и наземных обеспечение функционирования
систем и комплексов аппаратуры в условиях
различного назначения внешних жестких воздействий
Всего по направлению 7 26068,549 649,773 963,649 815,127 4200 7157 4425 4000 3858
--------- ------- ------- ------- ---- ---- ---- ---- ----
17331,97 427,9 623,7 520,37 2800 4795 2950 2655 2560
Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
изготовления -------- -- ------ ------ --- --- --- --- --- технологий:
высокоплотных 2094 30 50 44 370 575 365 345 315 производства печатных плат
теплонагруженных и 5-го и выше классов
сильноточных печатных точности, включая платы со
плат встроенными пассивными
элементами;
создания межслойных
соединений с переходными
сопротивлениями до 1 мОм
для силовых цепей
электропитания;
формирования слоев меди
(в том числе с толщиной до
200 - 400 мкм), серебра,
никеля с высокими
показателями проводимости;
формирования финишных
покрытий для бессвинцовой
технологии производства
изделий;
производства многослойных
печатных плат под высокие
температуры пайки;
лазерных процессов
изготовления печатных плат;
прямой металлизации сквозных
и глухих отверстий
изготовления -------- ------ ------ ------ --- --- --- --- --- технологий:
прецизионных 1343,3 25 35 33,3 240 363 232 215 200 изготовления коммутационных
коммутационных плат на плат для жестких условий
основе керамики (в том эксплуатации и широкого
числе диапазона частот;
низкотемпературной), получения коммутационных
металла, углепластика и плат с температурным
других функциональных коэффициентом расширения,
материалов соответствующим тепловым
характеристикам
многовыводных корпусов (в
том числе керамических)
современных приборов;
обеспечения предельно
минимального газовыделения в
замкнутом пространстве
герметичных модулей;
снижения энергоемкости
технологических процессов за
счет применения
прогрессивных материалов и
методов обработки, в том
числе низкотемпературной
керамики;
интеграции в коммутационную
плату теплостоков и
низкоомных проводников,
пассивных элементов;
прогрессивных методов
формообразования элементов
коммутационных плат;
обеспечения совмещенного
монтажа компонентов методами
пайки и сварки на одной
плате
сборки, монтажа -------- ------ ------- ------ --- ---- --- --- --- технологий:
электронных модулей, 2460,6 43 63 44,6 410 689 445 400 366 новых методов присоединения,
многокристальных модулей сварки, пайки, в том числе с
и микросборок на основе применением бессвинцовых
новой компонентной базы, припоев;
перспективных высокоточного дозирования
технологических и материалов, применяемых при
конструкционных сборке (флюсы, припои и
материалов припойные пасты, клеи, лаки,
компаунды и т.п.);
новых методов сборки и пайки
корпусов типа BGA, CSP,
Flip-chip и других на
различные коммутационные
платы;
монтажа новой электронной
компонентной базы, в том
числе бескорпусных
кристаллов силовых ключей на
токовые шины;
сборки и монтажа
низкопрофильных магнитных
компонентов;
настройки и ремонта сложных
модулей, в том числе
демонтажа и повторного
монтажа многовыводных
компонентов с
восстановлением влагозащиты
создания межблочных ---- -- ---- ---- --- --- --- --- --- технологий:
соединений для 927 19 24 24 150 255 165 150 140 изготовления антенно-
коммутации сигналов в фидерных устройств, в том
широком диапазоне частот числе гибких волноводов,
и мощностей вращающихся сочленений с
различными видами
охлаждения;
оптоволоконной коммутации,
устойчивой к воздействию
жестких условий эксплуатации
для различных условий
применения, в том числе для
систем дистанционного
управления и мониторинга;
изготовления устройств
коммутации (разъемов,
переключателей и т.п.)
различного назначения, в том
числе многовыводных,
герметичных, врубных,
сильноточных и других
средств и технологии -------- ------ ----- ------ --- --- --- --- --- годных изделий, снижение
автоматизированного 955,5 23 41 31,5 150 255 165 150 140 потерь на 15 - 30 процентов;
контроля коммутационных обеспечение разработки:
плат, узлов, электронных неразрушающих методов
модулей и приборов контроля качества монтажных
специального и общего соединений и многослойных
применения на этапах структур за счет
разработки и использования различного
производства излучения и цифровой
обработки информации;
методов выявления
напряженных состояний
элементов конструкции и
потенциальных неисправностей
изделий;
унифицированных методов и
средств тестового и
функционального контроля
изделий различного
назначения
- Разработка технологии 3587,206 57,178 81,504 73,524 600 1037 642 592 504 импортозамещение специальных
производства специальных -------- ------ ------ ------ --- ---- --- --- --- конструкционных и
технологических и 2388,12 36 53,15 48,97 400 658 428 395 369 технологических материалов,
конструкционных обеспечивающих процессы
материалов и базовой бессвинцовой и
технологии защиты комбинированной пайки,
электронных модулей от изготовления коммутационных
воздействия в жестких плат;
условиях эксплуатации разработка влагозащитных
электроизоляционных покрытий
с минимальным газовыделением
со сроком эксплуатации 25 и
более лет;
разработка
быстроотверждающихся,
эластичных, с низким
газовыделением в вакууме
клеев, компаундов;
разработка материалов и
технологии их применения для
формирования теплостоков в
высокоплотной аппаратуре;
разработка высокоэффективных
ферритов для планарных
трансформаторов повышенной
мощности;
обеспечение разработки
технологий:
локальной защиты
чувствительных компонентов,
общей защиты модулей
органическими материалами, в
том числе
наноструктурированными;
вакуумно-плотной
герметизации узлов и блоков
со свободным внутренним
объемом до 5 - 10 л методами
пайки и сварки;
изготовления вакуумно-
плотных корпусов
многокристальных модулей и
микросборок под
поверхностный монтаж на
платы;
формирования покрытий,
обеспечивающих длительную
защиту от дестабилизирующих
факторов внешней среды,
включая ионизирующие
излучения;
нанесения локальных покрытий
с заданными свойствами на
элементы конструкции модулей
Всего по направлению 8 15271,82 267,186 414,441 340,193 2580 4227 2707 2485 2251 -------- ------- ------- ------- ---- ---- ---- ---- ---- 10168,52 176 266,15 226,37 1720 2795 1800 1655 1530
Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов
создания систем и -------- ------ ------ ---- --- --- --- --- --- отечественного программно-
оборудования 1751 40 59 52 290 590 245 240 235 аппаратного обеспечения и
автоматизации средств разработки для
проектирования автоматизированного
радиоэлектронных систем проектирования
и комплексов радиоэлектронного
оборудования с
использованием различных
технологических процессов;
повышение качества и
сокращение сроков разработки
радиоэлектронной продукции;
создание технологий
обеспечения информационной
безопасности
функционирования
информационно-управляющих
систем;
существенное повышение
уровней защиты информации в
информационно-управляющих
системах, создание базовых
универсальных функциональных
модулей защиты информации от
несанкционированного
доступа, вирусных атак,
средств разведки и
считывания информации,
криптозащиты каналов систем;
реализация полного
технологического цикла
проектирования, испытаний и
производства унифицированной
высокоэффективной,
импортозамещающей,
конкурентоспособной
аппаратуры
моделирования сложных -------- ---- ----- ------ --- ---- --- --- --- моделирования:
информационно- 2052,9 49,8 80 53,1 350 705 286 270 259 комбинированного способа
управляющих систем, в моделирования, позволяющего
том числе систем существенным образом
реального времени повысить быстродействие
вычислений при сохранении
точности расчета выходных
показателей эффективности;
способа операционно-
динамического моделирования;
снижение сроков разработки и
испытаний радиоэлектронной
продукции;
повышение достоверности
математического и
имитационного моделирования
радиоэлектронных систем и
комплексов, обеспечение
максимальной сходимости
результатов с результатами
натурных испытаний и
экспериментов
полунатурных и стендовых -------- ------ ----- ------ --- --- --- --- --- аттестованной
испытаний сложных 1615,65 30 45,65 50 270 650 190 190 190 унифицированной стендовой
информационно- испытательной базы для
управляющих систем проведения научно-
исследовательских и опытно-
конструкторских работ;
снижение сроков разработки и
стоимости испытаний
радиоэлектронной продукции;
существенное повышение
достоверности полунатурного
моделирования
радиоэлектронных систем и
комплексов, обеспечение
максимальной сходимости
результатов с результатами
натурных испытаний
конструирования и ------- ----- ----- ----- --- --- --- --- --- технологий, элементов и
производства, а также 1502,61 30 48,65 43,96 250 605 179 180 166 конструкций для создания
аппаратно-программного парка измерительных систем и
обеспечения приборов, необходимых для
метрологических систем разработки и испытаний
различного назначения радиотехнических
для создания нового информационно-управляющих
поколения отечественного систем, систем связи и
парка измерительной телекоммуникаций
аппаратуры
Всего по направлению 9 10412,902 225,436 371,883 305,583 1740 3824 1351 1320 1275 --------- ------- ------- ------- ---- ---- ---- ---- ---- 6922,16 149,8 233,3 199,06 1160 2550 900 880 850
Направление 10. Обеспечивающие работы
организационных -- - - - -- -- -- -- -- методической и научно-
принципов и научно- 89 6 6 7 10 18 14 14 14 технической документации для
технической базы обеспечения функционирования
обеспечения систем проектирования и
проектирования и производства электронной
производства электронной компонентной базы в
компонентной базы в соответствии с требованиями
соответствии с Всемирной торговой
требованиями Всемирной организации
торговой организации
функционирования системы ----- ---- -- -- -- -- -- -- -- совершенствование
испытаний электронной 125 13 20 13 19 18 14 14 14 существующих методов
компонентной базы, испытаний электронной
обеспечивающей поставку компонентной базы,
изделий с разработка методов
гарантированной отбраковочных испытаний
надежностью для перспективной электронной
комплектации систем компонентной базы,
специального и двойного обеспечение поставки изделий
назначения с гарантированной
надежностью для комплектации
систем специального
назначения (атомная
энергетика, космические
программы, транспорт,
системы двойного назначения)
совершенствование ----- --- -- - -- -- -- -- -- методов расчетно-
методов, обеспечивающих 99 7 12 9 11 18 15 14 13 экспериментальной оценки
качество и надежность показателей надежности
сложнофункциональной электронной компонентной
электронной компонентной базы, разрешенной для
базы на этапах опытно- применения в аппаратуре,
конструкторских работ, функционирующей в
освоения и производства специальных условиях и с
длительными сроками
активного существования
основополагающих ---- -- ---- -- -- -- -- -- технологий обеспечения
документов по 86 7 9 10 18 15 14 13 жизненного цикла изделия при
обеспечению жизненного создании широкой
цикла изделия на этапах номенклатуры электронной
проектирования, компонентной базы
производства, применения
и утилизации электронной
компонентной базы
Программы, в том числе --- -- -- -- -- -- -- -- -- выполняемых комплексов
определение 127 13 20 15 19 18 15 14 13 научно-исследовательских и
технологического и опытно-конструкторских работ
технического уровней по развитию электронной
развития отечественной и компонентной базы в рамках
импортной электронной Программы и определение
компонентной базы на перспективных направлений
основе их рубежных создания новых классов
технико-экономических электронной компонентной
показателей, разработка базы с установлением системы
"маршрутных карт" технико-экономических и
развития групп рубежных технологических
электронной компонентной показателей, разработка
базы "маршрутных карт"
развития по направлениям
электронной компонентной
базы
информационно- ----- -- ---- - -- -- -- -- -- экономической оптимизации
аналитической 98 7 12 9 10 18 15 14 13 выполнения комплексных
автоматизированной годовых мероприятий
системы по развитию подпрограммы, создание
электронной компонентной системы действенного
базы, охватывающей финансового и технического
деятельность заказчика- контроля выполнения
координатора, заказчиков Программы
и организаций,
участвующих в выполнении
комплекса программных
мероприятий, с целью
оптимизации состава
участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и
достижения заданных
технико-экономических
показателей
разрабатываемой
электронной компонентной
базы
развития российской --- -- -- - - -- -- -- -- ориентированных материалов
электронной компонентной 93 7 10 8 8 18 15 14 13 по экономике, технологиям
базы на основе анализа проектирования и
динамики сегментов производству электронной
мирового и компонентной базы, обобщение
отечественного рынков и анализ мирового опыта для
радиоэлектронной выработки технически и
продукции и действующей экономически обоснованных
производственно- решений развития электронной
технологической базы компонентной базы
результатов выполнения -- -- -- - - -- - - - учета и планирования
комплекса мероприятий 69 8 11 8 7 14 7 7 7 развития разработки,
Программы на основе производства и применения
создания отраслевой электронной компонентной
системы планирования и базы
учета развития
разработки, производства
и применения электронной
компонентной базы по
основным технико-
экономическим
показателям
Всего по направлению 10 831,8 95,8 118 69 94 140 110 105 100 ----- ---- --- -- -- --- --- --- --- 786 68 100 69 94 140 110 105 100 Итого по разделу I 96752,876 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25 12203 --------- -------- -------- -------- ----- -------- ------- -------- ----- 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150
| Мероприятия | 2008 — 2015 годы — всего | В том числе | Сроки реализации | Площадь объекта | |||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | (кв. м) | |||
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ)
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
техническое ----- --- ----- --- 2010 производственно-
перевооружение 696,5 315 191,5 190 технологического
производства комплекса по выпуску
сверхвысоко- твердотельных
частотной техники сверхвысоко-
федерального частотных субмодулей
государственного мощностью 100 тыс.
унитарного шт. в год
предприятия
"Научно-
производственное
предприятие
"Исток",
г. Фрязино,
Московская область
техническое ----- ----- ----- ----- --- 2011 производственной
перевооружение 580,5 110 170,5 90 210 технологической
федерального линии по выпуску
государственного сверхвысоко-
унитарного частотных приборов и
предприятия модулей на
"Научно- широкозонных
производственное полупроводниках
предприятие мощностью
"Пульсар", 360 тыс. шт. в год
г. Москва
техническое ----- -- --- 2011 по производству
перевооружение 140 50 90 активных элементов и
федерального <*> сверхвысоко-
государственного частотных монолитных
унитарного интегральных схем с
предприятия повышенной
"Научно- радиационной
производственное стойкостью с 15 до
предприятие 35 тыс. шт. в год
"Салют", <**>
г. Нижний Новгород
перевооружение ---- ---- --- 2011 по производству
федерального 140 90 50 новейших образцов
государственного <*> ламп бегущей волны и
унитарного других сверхвысоко-
предприятия частотных приборов,
"Научно- в том числе в
производственное миллиметровом
предприятие диапазоне <**>
"Алмаз",
г. Саратов
техническое ----- ---- --- 2011 производственной
перевооружение 200 65 135 линии по выпуску
федерального <*> новых сверхмощных
государственного сверхвысоко-
унитарного частотных приборов с
предприятия повышенным уровнем
"Научно- технических
производственное параметров,
предприятие надежности и
"Торий", долговечности
г. Москва мощностью 88 шт. в
год <**>
перевооружение --- -- -- 2011 производственной
федерального 60 30 30 линии для выпуска
государственного <*> новых изделий
унитарного радиационно стойкой
предприятия электронной
"Новосибирский компонентной базы,
завод полупроводни- необходимой для
ковых приборов организаций Росатома
с ОКБ", и Роскосмоса <**>
г. Новосибирск
перевооружение --- -- -- 2011 производственных
федерального 90 50 40 мощностей по выпуску
государственного <*> радиационно стойкой
унитарного электронной
предприятия компонентной базы в
"Научно- количестве 80 - 100
производственное тыс. шт. в год для
предприятие комплектования
"Восток", важнейших
г. Новосибирск специальных систем
<**>
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> перевооружение
открытого 760 250 190 160 160 завода для выпуска
акционерного <*> сверхбольших
общества "НИИ интегральных схем с
молекулярной топологическими
электроники и завод нормами 0,18 мкм
"Микрон", г. Москва, <**>
г. Зеленоград
перевооружение --- ---- ----- 2011 прецизионной
федерального 120 24,6 95,4 оптической и
государственного <*> механической
унитарного обработки деталей
предприятия для лазерных
"Научно- излучателей,
исследовательский твердотельных
институт "Полюс" лазеров и
им. М.Ф. Стельмаха", бескарданных
г. Москва лазерных гироскопов
нового поколения
мощностью 442 шт. в
год <**>
перевооружение --- --- --- ---- ---- 2015 <***> производственных
открытого 210 55 50 52,5 52,5 мощностей для
акционерного <*> выпуска
общества микроэлектронных
"Светлана", датчиков физических
г. Санкт-Петербург величин и
электронных датчиков
для экспресс-
контроля параметров
крови и
жизнедеятельности
человека <**>
техническое --- ----- потребности в
перевооружение 150 150 базовых несущих
централизованного <*> конструкциях, в том
производства числе импортозамеща-
базовых несущих ющих, предприятий
конструкций на приборостроения,
федеральном машиностроения,
государственном судостроения и
унитарном других отраслей
предприятии промышленности <**>
"Производственное
объединение
"Квант",
г. Великий Новгород
перевооружение -- -- перевооружение
федерального 60 60 действующего
государственного <*> производства
унитарного электронной
предприятия компонентной базы и
"Научно- микросистемотехники
исследовательский для создания новых
институт рядов конкуренто-
электронно- способных изделий
механических электронной техники
приборов", <**>
г. Пенза
перевооружение ---- ---- перевооружение
федерального 30 30 действующих
государственного производственных
унитарного мощностей по выпуску
предприятия сверхбольших
"Научно- интегральных схем и
исследовательский мощных сверхвысоко-
институт частотных
электронной транзисторов с
техники", объемом выпуска
г. Воронеж сверхбольших
интегральных схем 50
тыс. шт. в год,
мощных сверхвысоко-
частотных
транзисторов 10 тыс.
шт. в год
<**>
перевооружение --- --- серийного
федерального 80 80 производства
государственного <*> параметрических
унитарного рядов мембранных
предприятия датчиков мощностью
"Научно- 10 млн. шт. в год и
исследовательский чувствительных
институт физических элементов для
проблем имени сканирующей зондовой
Ф.В. Лукина", микроскопии
г. Москва мощностью
0,3 млн. шт. в год
<**>
техническое --- -- --- --- --- ---- ---- 2015 производства
перевооружение 420 32 55 120 90 61,5 61,5 перспективных
производства <*> тонкостенных
перспективных антенно-фидерных
тонкостенных устройств и
антенно-фидерных волноводных трактов
устройств и сверхвысокочас-
волноводных трактов тотного диапазона,
сверхвысоко- увеличение выпуска в
частотного 1,5 раза
диапазона в мощностью
открытом 44,76 тыс. шт. в год
акционерном <**>
обществе "Рыбинский
завод приборостроения",
г. Рыбинск,
Ярославская область
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 <***> производства модулей
реконструкция 500 150 140 105 105 для обработки и
технологической и <*> передачи сигналов
лабораторной базы радиолокационных,
производства и навигационных и
контроля посадочных систем до
перспективных 250 шт. в год <**>
радиоэлектронных
модулей в открытом
акционерном
обществе
"Челябинский
радиозавод "Полет",
г. Челябинск
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 <***> эффективности,
реконструкция 900 280 250 185 185 надежности и
производства и <*> конкуренто-
лабораторной базы способности
для разработки и отечественных
производства радиоэлектронных
перспективных модулей, изделий,
радиоэлектронных комплексов и систем
модулей, изделий в открытого
открытом акционерного
акционерном общества "Концерн
обществе "Концерн радиостроения "Вега"
радиостроения <**>
"Вега",
г. Москва
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 <***> и качества конечной
реконструкция 600 180 170 125 125 продукции открытого
производственно- <*> акционерного
технологической, общества "Концерн
контрольно- радиостроения
испытательной базы "Вега", создание
нового поколения конкурентоспособных
антенных систем изделий мирового
дистанционного уровня, увеличение
зондирования Земли годового объема
в открытом производства до 6
акционерном систем в год <**>
обществе "Научно-
исследовательский
институт "Кулон",
г. Москва
перевооружение для ------- ------ --- --- 2011 комплексного
создания 148,66 23,66 55 70 испытательного
производства нового <*> стенда для
поколения исследования
радиоэлектронных образцов техники
модулей в открытом мощностью 800 шт. в
акционерном год <**>
обществе "Научно-
производственное
предприятие
"Рубин",
г. Пенза
перевооружение ----- ---- -- -- -- -- -- 2015 радиочастотной
производственно- 200 23 35 40 30 36 36 идентификации <**>
технологической, <*>
контрольно-
испытательной базы
в открытом
акционерном
обществе
"Инженерно-
маркетинговый центр
ОАО "Концерн
радиостроения
"Вега",
г. Москва
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 <***> производства
реконструкция 500 120 150 115 115 микропроцессорных
мощностей для <*> систем управления и
производства контроля гибридных
микропроцессорных двигательных
систем управления и установок различного
контроля гибридных класса в объеме до
двигательных 1000 шт. в месяц
установок <**>
различного класса в
открытом
акционерном
обществе
"Конструкторское
бюро "Луч",
г. Рыбинск,
Ярославская область
техническое ---- --- --- --- --- 2015 <***> прецизионных
перевооружение в 860 250 240 185 185 лазерных и
целях создания <*> пьезокерамических
специализированного гироскопов для
производства перспективных
прецизионных летательных
лазерных и пьезо- аппаратов <**>
керамических
гироскопов в
открытом
акционерном
обществе "Ижевский
электромеханический
завод "Купол",
г. Ижевск,
Удмуртская
Республика
перевооружение и ----- --- --- --- --- 2015 <***> унифицированных
реконструкция 610 190 180 120 120 твердотельных
специализированного <*> низкочастотных
производства типовых элементов
унифицированных замены для
низкочастотных информационных
типовых элементов средств и модулей
замены и модулей активных
активных фазированных
фазированных антенных решеток для
антенных решеток в локационных систем
открытом различного
акционерном применения,
обществе "Марийский перспективных
машиностроительный средств связи и
завод", г. Йошкар- управления воздушным
Ола, Республика движением <**>
Марий Эл
техническое --- --- --- --- -- -- 2015 производства и
перевооружение 360 70 130 100 30 30 внедрение
производства <*> современной
унифицированных технологии с
электронных модулей соответствующим
межвидового переоснащением
применения на высокопроизводительным
открытом оборудованием,
акционерном увеличение объема
обществе ежегодного
"Федеральный производства
научно- продукции с
производственный 2370 млн. рублей в
центр 2007 году до 5028
"Нижегородский млн. рублей в 2015
научно- году <**>
исследовательский
институт
радиотехники",
г. Нижний Новгород
перевооружение --- --- ------ --- ------ ------ 2015 производства,
специализированного 485 120 138,81 120 53,095 53,095 повышение качества и
производства <*> надежности
твердотельных твердотельных
передающих и передающих и
приемных систем, приемных систем,
приемо-передающих приемо-передающих
модулей активных модулей активных
фазированных фазированных
антенных решеток в антенных решеток L-
открытом диапазона для
акционерном перспективных
обществе средств связи и
"Научно- управления воздушным
производственное движением <**>
объединение
"Правдинский
радиозавод",
г. Балахна,
Нижегородская
область
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 <***> производства,
реконструкция 615 180 165 135 135 повышение качества и
специализированного <*> надежности
производства твердотельных
твердотельных передающих и
передающих и приемных систем,
приемных систем, приемо-передающих
приемо-передающих модулей активных
модулей активных фазированных
фазированных антенных решеток C-
антенных решеток и S-диапазонов волн
в открытом для перспективных
акционерном средств связи и
обществе управления воздушным
"Научно- движением <**>
производственное
объединение
"Лианозовский
электромеханический
завод",
г. Москва
перевооружение и --- --- --- --- --- 2015 <***> унифицированных
реконструкция 400 120 100 90 90 твердотельных
специализированного <*> высокочастотных
производства типовых элементов
унифицированных замены для
высокочастотных локационных систем
типовых элементов различного
замены в открытом применения,
акционерном перспективных
обществе "Рязанский средств связи и
завод "Красное управления воздушным
Знамя", г. Рязань движением,
увеличение объема
производства типовых
элементов замены в
1,5 раза <**>
перевооружение и --- --- --- --- --- 2015 <***> унифицированных
реконструкция 480 130 120 115 115 автоматизированных
специализированного <*> рабочих мест
производства операторов
унифицированных информационных и
рабочих мест специального
операторов назначения
информационных управляющих систем в
систем в открытом 1,7 раза <**>
акционерном
обществе "Уральское
производственное
предприятие
"Вектор",
г. Екатеринбург
техническое --- --- --- --- --- 2015 <***> современных
перевооружение для 480 150 120 105 105 технологий с
создания <*> соответствующим
регионального переоснащением
контрактного высокопроизводи-
производства тельным
унифицированных оборудованием для
электронных модулей организации
в открытом контрактного
акционерном производства <**>
обществе "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж
лабораторной, ---- --- --- --- --- 2015 <***> конкурентоспособной
технологической и 1030 320 280 215 215 продукции мирового
производственной <*> уровня, освоение
базы для технологий двойного
обеспечения назначения,
разработки, увеличение объема
производства и выпуска изделий
испытаний нового до 2 - 2,5 млрд.
поколения рублей в год <**>
телекоммуникационных
систем и
комплексов в
открытом
акционерном
обществе "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж
техническое ----- ----- <***> по изготовлению
перевооружение 97,3 97,3 спецтехники нового
производственно- <*> поколения,
технологической и обеспечивающей
лабораторно- защиту специальной
испытательной базы информации в
на федеральном информационно-
государственном коммуникационных
унитарном системах <**>
предприятии
"Калужский
электромеханический
завод", г. Калуга
перевооружение --- --- --- -- 2013 выпуска продукции в
производства 285 55 190 40 1,3 - 1,5 раза,
перспективных <*> повышение качества и
коротковолновых конкурентоспособ-
радиостанций в ности продукции <**>
открытом
акционерном
обществе
"Тамбовский завод
"Октябрь",
г. Тамбов
техническое --- -- -- -- -- 2015 <***> производства и
перевооружение 175 45 40 45 45 внедрение
производства <*> современной
наземной аппаратуры технологии с
подвижной связи в соответствующим
открытом переоснащением
акционерном высокопроизводи-
обществе тельного
"Тамбовский завод оборудования <**>
"Революционный
труд", г. Тамбов
перевооружение --- --- --- --- -- -- 2015 повышение качества
производственно- 300 100 60 60 40 40 разработки
технологической и <*> мультисервисных
лабораторно- сетей ведомственной
испытательной базы и профессиональной
в открытом связи, ожидаемый
акционерном экономический эффект
обществе 3 млрд. рублей <**>
"Воронежский
научно-
исследовательский
институт "Вега",
г. Воронеж
перевооружение --- --- повышение качества
лабораторной и 110 110 разработки
производственно- <*> перспективных
технологической программно
базы нового реализуемых сетей
поколения узлов радиосвязи и серии
связи в открытом унифицированных
акционерном электронных модулей
обществе для построения
"Тамбовский научно- указанных сетей <**>
исследовательский
институт
радиотехники
"Эфир", г. Тамбов
перевооружение ----- --- --- ----- ----- 2015 <***> производство
производства 457,7 200 180 38,85 38,85 перспективной
открытого <*> номенклатуры
акционерного резисторов, в том
общества числе чип-резисторов
"Российская в объеме 350 - 400
электроника", млн. руб. в год <**>
г. Москва
техническое --- --- --- 2013 <***> производство
перевооружение для 360 200 160 инфракрасных
создания серийного <*> оптоэлектронных
производства компонентов и
инфракрасных комплекса
оптоэлектронных электронных средств
компонентов в для обеспечения
открытом безопасности
акционерном промышленных
обществе объектов <**>
"РЭ Комплексные
системы",
г. Санкт-Петербург
перевооружение с ----- ---- -- 2010 производства
целью создания 136,5 76,5 60 в 1,5 раза <**>
производства новых <*> мощностью 4327 шт. в
электровакуумных год
приборов на
открытом
акционерном
обществе "Научно-
производственное
предприятие
"Контакт",
г. Саратов
перевооружение и ------ ------ ------ ---- 2010 увеличения объема
реконструкция 150 50 50 50 выпуска продукции до
производства по <*> 0,8 - 1,2 млрд.
выпуску рублей в год,
электровакуумных увеличения ресурса
приборов изделий, создания
сверхвысокочастот- новых приборов
ного диапазона и мощностью 706 шт. в
специального год <**>
технологического
оборудования в
открытом
акционерном
обществе
"Владыкинский
механический
завод", г. Москва
перевооружение для --- --- --- -- -- 2015 <***> производства с
создания сборочного 400 250 100 25 25 использованием
производства <*> микроминиатюрной
электронных модулей элементной базы,
с использованием в том числе
новейшей микропроцессоров
электронной базы и матриц BGA <**>
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Электромехани-
ческий завод
"Звезда",
г. Сергиев Посад,
Московская
область
техническое --- --- --- -- -- 2015 <***> выпуска продукции до
перевооружение с 210 70 50 45 45 520 млн. рублей в
целью создания <*> год <**>
контрактного
производства
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Калужский завод
телеграфной
аппаратуры",
г. Калуга
перевооружение и --- -- -- -- -- 2015 <***> современных
реконструкция 151 40 35 38 38 технологий, создание
производства и <*> комплекса для
приборно- проведения контроля
измерительной базы технологических
на федеральном параметров и
государственном испытаний.
унитарном Увеличение объема
предприятии выпуска продукции в
"Таганрогский 1,5 раза <**>
научно-
исследовательский
институт связи",
г. Таганрог
перевооружение и --- --- --- -- -- 2015 <***> наногетеро-
реконструкция 240 80 70 45 45 структурных
пилотной <*> сверхвысокочастотных
технологической транзисторов и
линии по монолитных
изготовлению интегральных схем
наногетеро- для систем связи,
структурных измерительной
сверхвысоко- техники,
частотных радиолокации и
транзисторов и сверхвысокочастотной
монолитных радиометрии <**>
интегральных схем
для систем связи,
измерительной
техники,
радиолокации и
сверхвысоко-
частотной
радиометрии в
Учреждении
Российской академии
наук Институт
сверхвысоко-
частотной
полупроводниковой
электроники РАН,
г. Москва
перевооружение и --- -- -- ---- ---- 2015 <***> функционального ряда
реконструкция 150 40 35 37,5 37,5 массовых
производства <*> отечественных
испытательной базы микроминиатюрных
нового поколения пьезоэлектрических
пьезоэлектрических генераторов,
генераторов, фильтров,
фильтров, резонаторов.
резонаторов в Увеличение объема
открытом выпуска продукции
акционерном до 230 - 250 млн.
обществе "Завод рублей в год <**>
"Метеор",
г. Волжский,
Волгоградская
область
техническое --- --- --- -- -- 2015 <***> производственных
перевооружение 200 60 60 40 40 площадей выпуска
научно- <*> приемо-передающих
производственной и модулей на
лабораторной базы 720 кв. м <**>
в открытом
акционерном
обществе "Ордена
Трудового Красного
Знамени федеральный
научно-
производственный
центр по
радиоэлектронным
системам и
информационным
технологиям имени
В.И. Шимко",
г. Казань,
Республика
Татарстан
перевооружение --- --- --- -- -- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 200 60 60 40 40 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 1,8 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Нижегородский
завод имени
М.В. Фрунзе",
г. Нижний
Новгород
перевооружение ------- -- ------- 2009 контрактной сборки
с целью создания 150 60 90 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 2,5 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии "Омское
производственное
объединение
"Иртыш",
г. Омск
перевооружение ---- -- -- ---- ---- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 40 35 37,5 37,5 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в
в открытом 1,5 раза <**>
акционерном
обществе
"Авангард",
г. Санкт-Петербург
перевооружение ---- ------ --- ------ ------ 2015 <***> изготовления
с целью создания 500 190,26 140 84,87 84,87 печатных плат с
контрактного <*> новыми финишными
производства по покрытиями до
изготовлению 20 000 кв. м в год;
печатных плат выше обеспечение
5-го класса изготовления
точности и унифицированных
унифицированных электронных модулей
электронных модулей на печатных платах в
на федеральном количестве до 400
государственном тыс. шт. в год <**>
унитарном
предприятии
"Пензенское
производственное
объединение
"Электроприбор",
г. Пенза
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> современной
и реконструкция 300 100 80 60 60 технологии с
производства <*> соответствующим
электронных переоснащением
сверхвысокочас- высокопроизводительным
тотных модулей на оборудованием.
федеральном Увеличение объема
государственном выпуска продукции в
унитарном 1,5 раза <**>
предприятии
"Нижегородский
научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород
перевооружение --- --- --- -- -- 2015 <***> разработки,
и реконструкция 255 105 80 35 35 производства и
производства <*> аттестации средств
систем, комплексов комплексов и систем
и средств, защиты защиты информации.
информации на Увеличение объема
федеральном выпуска продукции до
государственном 0,8 - 1,2 млрд.
унитарном рублей <**>
предприятии
"Научно-
исследовательский
институт
автоматики",
г. Москва
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 <***> потребности
и реконструкция 150 40 35 37,5 37,5 организаций в
регионального <*> базовых несущих
производства конструкциях для
базовых несущих всех видов
конструкций (БНК) радиоэлектронной
на федеральном аппаратуры.
государственном Увеличение объема
унитарном выпуска продукции в
предприятии 2 раза <**>
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
"Градиент",
г. Ростов-на-Дону
и техническое --- -- -- -- -- 2015 <***> разработки,
перевооружение 180 45 45 45 45 производства и
производственно- <*> аттестации
технологической и комплексов средств
лабораторно- автоматизации
испытательной базы информационно-
для создания управляющих систем.
комплексов средств Увеличение объема
автоматизации выпуска продукции до
информационно- 0,52 млрд. рублей
управляющих систем <**>
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии "Ордена
Трудового Красного
Знамени научно-
исследовательский
институт
автоматической
аппаратуры
им. академика
В.С. Семенихина",
г. Москва
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 40 35 37,5 37,5 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 1,8 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Калугаприбор",
г. Калуга
перевооружение --- --- -- ---- ---- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 40 35 37,5 37,5 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 1,7 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Ростовский-на-Дону
научно-
исследовательский
институт
радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 40 35 37,5 37,5 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 2,5 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии "Ордена
Трудового Красного
Знамени научно-
исследовательский
институт
автоматической
аппаратуры
им. академика
В.С. Семенихина",
г. Москва
перевооружение --- -- -- -- -- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 35 45 35 35 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 2,5 раза
в открытом <**>
акционерном
обществе "Курский
завод "Маяк",
г. Курск
перевооружение --- --- --- -- -- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 200 50 100 25 25 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в 1,8 раза
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Научно-
исследовательский
институт "Полюс"
имени
М.Ф. Стельмаха,
г. Москва
перевооружение --- --- --- -- -- 2015 <***> контрактной сборки
с целью создания 150 50 50 25 25 массовой продукции,
контрактного <*> увеличение объема
производства производства
унифицированных контрактной
электронных модулей продукции в
на федеральном 1,7 раза <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Научно-
исследовательский
институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург
перевооружение --- -- -- -- -- 2015 <***> производства
с целью создания 120 30 30 30 30 в 1,5 раза <**>
мощностей по <*>
выпуску источников
вторичного
электропитания в
открытом
акционерном
обществе
"Специальное
конструкторско-
технологическое
бюро по релейной
технике",
г. Великий Новгород
техническое --- --- --- -- -- 2015 <***> производства
перевооружение 200 50 70 40 40 радиоэлектронных
производства и <*> изделий на 170 млн.
испытательной базы рублей <**>
широкополосных
сверхвысоко-
частотных устройств
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Брянский
электромеханический
завод", г. Брянск
перевооружение и -- --- <***> выпуска продукции на
реконструкция 50 50 100 млн. рублей,
производственно- <*> освоение серийного
испытательных производства изделий
мощностей на "Орион-3М", "Орион-
федеральном 3СМ", "Анализ",
государственном "Страж-ПМ" и других
унитарном <**>
предприятии
"Государственное
конструкторское
бюро аппаратно-
программных средств
"Связь",
г. Ростов-на-Дону
перевооружение и --- --- --- --- --- 2015 <***> выпуска продукции до
реконструкция 400 100 120 90 90 1,5 - 2 млрд. рублей
научно-технического <*> в год, снижение
и производственного себестоимости
комплексов по продукции <**>
выпуску
электровакуумных
приборов
сверхвысоко-
частотного
диапазона на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Научно-
производственное
предприятие
"Торий", г. Москва
перевооружение и ------ ----- ----- 2009 выпуска продукции
реконструкция 169,8 100 69,8 в 2 раза <**>
регионального <*>
производства
базовых несущих
конструкций на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Научно-
производственное
предприятие
"Полет",
г. Нижний Новгород
перевооружение и --- --- --- -- -- 2015 <***> производства
реконструкция 240 100 90 25 25 базисных материалов
производства, <*> и элементов для
метрологической и разработки приборов
стендовой базы для и устройств контроля
наноструктури- сверхмалых количеств
рованных химических и
материалов, биологических
слоистых структур веществ с
и композитов на их использованием
основе в открытом наноструктурированных
акционерном материалов,
обществе слоистых структур и
"Центральный композитов на их
научно- основе <**>
исследовательский
технологический
институт
"Техномаш",
г. Москва
техническое --- --- --- --- --- 2015 <***> производства изделий
перевооружение 200 50 50 50 50 до 1,9 млн. шт. и
испытательного <*> 650 млн. рублей <**>
центра для
обеспечения
комплекса работ по
корпусированию и
испытаниям
сложнофункцио-
нальных
интегральных схем
в открытом
акционерном
обществе
"Российский научно-
исследовательский
институт
"Электронстандарт",
г. Санкт-Петербург
техническое --- --- --- --- --- 2015 <***> выпуска продукции на
перевооружение 350 90 80 90 90 2 млрд. рублей <**>
технологической <*>
линии по
производству
прецизионных
многослойных
печатных плат в
открытом
акционерном
обществе "Омский
приборостроительный
ордена Трудового
Красного Знамени
завод им.
Н.Г. Козицкого",
г. Омск
техническое ----- ----- ----- ----- --- 2011 конкурентоспособных
перевооружение 403 110 88 95 110 изделий мирового
производственно- <*> уровня. Разработка
технологической и технологий двойного
лабораторно- назначения.
испытательной базы Увеличение объема
на федеральном производства в 1,5
государственном раза <**>
унитарном
предприятии
"Научно-
исследовательский
институт "Экран",
г. Самара
техническое ----- ---- ----- --- --- --- --- 2015 конкурентоспособной
перевооружение 360 10,4 39,6 90 70 75 75 аппаратуры
производственно- <*> специальной
технологической и радиосвязи и
лабораторной базы управления.
для комплексов Увеличение объема
специальной выпуска продукции в
радиосвязи и 1,5 раза <**>
управления на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии "Омский
научно-
исследовательский
институт
приборостроения",
г. Омск
техническое --- -- -- -- -- 2015 <***> конкурентоспособности,
перевооружение 140 35 35 35 35 снижение сроков
моделирующего <*> разработки на 4 - 5
центра в открытом месяцев.
акционерном Создание
обществе "Научно- поведенческих
исследовательский моделей систем
институт реального времени,
вычислительных использование систем
комплексов поддержки принятия
им. М.А. Карцева", решений, проведение
г. Москва и анализ
полунатурных
испытаний, отработка
алгоритмов
искусственного
интеллекта.
Сокращение сроков
испытания
в 1,5 - 2 раза.
Применение CALS-
технологий с целью
сокращения затрат и
поддержки жизненного
цикла
разрабатываемых
систем <**>
перевооружение и --- --- --- ---- ---- 2015 <***> выпуска продукции до
реконструкция 280 80 85 57,5 57,5 421,5 млн. рублей
производственно- <*> <**>
технологической и
лабораторно-
испытательной базы
по созданию
модернизированной
системы
идентификации на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Пензенское
производственное
объединение
электронной
вычислительной
техники",
г. Пенза
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> метрологической,
и реконструкция 300 100 80 60 60 испытательной базы
метрологической, <*> для разработки и
испытательной базы производства
и производства контрольно-
оптических изделий измерительной
на федеральном аппаратуры
государственном миллиметрового
унитарном диапазона длин волн.
предприятии Увеличение объема
"Нижегородский производства
научно- квантовых рубидиевых
исследовательский стандартов частоты в
приборостроительный 3 раза <**>
институт "Кварц",
г. Нижний
Новгород
перевооружение --- --- -- 2013 <***> сверхширокополосных
и реконструкция 95 50 45 измерительных
стендовой и <*> комплексов для
испытательной базы измерения параметров
сложных одиночных антенн и
радиоэлектронных линейных, плоских и
систем и комплексов объемных решеток
в открытом систем навигации,
акционерном посадки и
обществе радиолокации в
"Производственное ближней и дальней
объединение зонах (до 1000 м) и
"Азимут", модернизация
г. Махачкала, существующей в
Республика организации
Дагестан испытательной базы
для проведения
научно-
исследовательских и
опытно-
конструкторских
работ <**>
перевооружение --- -- --- --- --- --- 2015 выпуска продукции до
производственно- 285 35 70 60 60 60 3 - 3,5 млрд. рублей
технологической и <*> в год <**>
лабораторно-
испытательной базы
в открытом
акционерном
обществе "Научно-
исследовательский
институт
полупроводниковых
приборов", г. Томск
перевооружение ---- ----- --- --- ------ ------ 2015 производства
и реконструкция 580 36,62 140 160 121,69 121,69 монолитно-
производства <*> интегральных и
сверхвысоко- гибридно-монолитных
частотной техники приборов и
на федеральном электронных
государственном компонентов (в том
унитарном числе
предприятии импортозамещающих)
"Научно- до 250 тыс. шт. в
производственное год,
предприятие электровакуумных и
"Салют", вакуумно-
г. Нижний Новгород твердотельных
модулей (в том числе
на основе
микроминиатюрных
ламп бегущей волны)
до 1 тыс. шт. в год,
унифицированных
приемо-передающих
модулей (в диапазоне
частот 20 - 150 ГГц)
до 1,5 тыс. шт. в
год <**>
и техническое --- --- --- 2013 <***> выпуска продукции до
перевооружение для 112 60 52 761,5 млн. рублей в
выпуска <*> год. Серийный выпуск
теплоотводящих электронных
керамических компонентов,
подложек для керамических
твердотельных подложек,
сверхвысоко- керамических
частотных устройств корпусов,
и IGBT-модулей в обеспечивающих
открытом увеличение объемов
акционерном производства в
обществе различных отраслях
"Холдинговая промышленности,
компания сверхвысокочастотной
"Новосибирский техники и силовой
электровакуумный полупроводниковой
завод - Союз", электроники <**>
г. Новосибирск
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> опытного
и реконструкция 320 100 100 60 60 производства с
опытного приборного <*> учетом реализации
производства в новых технологий по
открытом изготовлению
акционерном интегральных сборок,
обществе "Концерн датчиков на
"Океанприбор", пьезопленках и
г. Санкт-Петербург других <**>
и техническое --- --- --- --- --- 2015 <***> дооснащение базовых
перевооружение 416 100 120 98 98 технологий
организации для <*> производства
совершенствования электронных средств
судовой вычислительной
электротехнической техники с целью
продукции в импортозамещения и
Федеральном научно- повышения
производственном конкурентоспособности;
центре открытом создание
акционерном экспериментально-
обществе "Научно- лабораторного
производственное комплекса для
объединение "Марс", проведения контроля
г. Ульяновск технологических
параметров и
испытаний <**>
и техническое --- -- -- -- -- 2015 <***> перевооружение
перевооружение 120 40 30 25 25 обеспечит:
опытно- <*> внедрение
экспериментального современных
производства технологий
модулей производства модулей
функциональной функциональной
микроэлектроники микроэлектроники;
в открытом рост объема
акционерном производства
обществе "Концерн функциональных
"Гранит - модулей в 2 - 2,5
Электрон", раза;
г. Санкт-Петербург расширение
номенклатуры без
существенных затрат
на подготовку
производства;
промышленное
освоение технологий
влагозащиты и
электроизоляции
модулей <**>
производственного ---- --- --- ----- ----- 2015 <***> производству
комплекса для 550 140 135 137,5 137,5 кремниевых датчиков,
массового <*> многослойных плат,
производства сборке и
компонентов корпусированию
инерциальных инерциальных
микромеханических микромеханических
датчиков двойного изделий <**>
назначения на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Центральный
научно-
исследовательский
институт
"Электроприбор",
г. Санкт-Петербург
инженерно- --- --- --- --- --- 2015 <***> современных базовых
испытательного 310 80 130 50 50 технологий
корпуса в открытом <*> производства
акционерном электронных модулей
обществе цифровой и
"Концерн "Гранит - цифроаналоговой
Электрон", вычислительной
г. Санкт-Петербург техники;
обеспечение
разработки и
производства базовых
унифицированных
электронных модулей.
Увеличение объема
поставок до 10000
шт. в год <**>
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 <***> оптической
производственно- 230 40 35 77,5 77,5 элементной базы
технологического <*> перспективных
комплекса по оптико-электронных
созданию оптико- систем,
электронной обеспечивающей
компонентной базы предельно возможные
на открытом технические
акционерном параметры систем, в
обществе "Научно- том числе
производственное комплексированных и
объединение многоспектральных
"Государственный оптических каналов
институт прикладной <**>
оптики", г. Казань,
Республика
Татарстан
производственно- --- --- --- --- --- 2015 <***> испытания, опытные
испытательного 320 80 100 70 70 поставки и серийное
комплекса <*> производство новых
федерального видов оптико-
государственного электронных систем,
унитарного обеспечивающих
предприятия предельно возможные
"Научно- технические
производственная параметры изделий
корпорация <**>
"Государственный
оптический институт
имени
С.И. Вавилова",
г. Санкт-Петербург
корпуса 2Ж для --- --- --- --- --- 2015 <***> аналитического
создания 350 90 80 90 90 центра по
лабораторно- <*> исследованиям и
аналитического сертификации
центра инфракрасной важнейших материалов
фото- и и компонентов
оптоэлектроники инфракрасной
на федеральном фотоэлектроники <**>
государственном
унитарном
предприятии "НПО
"Орион",
г. Москва
перевооружение ---- ---- --- ---- ---- 2015 <***> производственно-
производственно- 1860 500 150 605 605 технологического
технологического <*> комплекса, который
комплекса по обеспечит
созданию промышленный выпуск
оптоэлектронной изделий компонентной
компонентной базы базы 2-го и 3-го
на федеральном поколений и оптико-
государственном электронных систем
унитарном на их основе с
предприятии "НПО параметрами,
"Орион", г. Москва превышающими
современный и
прогнозируемый
мировой уровень <**>
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> инфракрасных
производственно- 300 80 70 75 75 матричных
технологической <*> фотоприемных
базы в открытом устройств нового
акционерном поколения и
обществе организация на их
"Московский завод основе производства
"Сапфир", г. Москва тепловизионной
аппаратуры широкого
применения <**>
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 <***> возможности
стендово- 210 35 30 72,5 72,5 проведения испытаний
экспериментальной <*> опытных образцов
базы на федеральном источников
государственном электроэнергии,
унитарном статических
предприятии преобразователей и
"Научно- аппаратуры защиты и
исследовательский коммутации для
институт проекта "полностью
авиационного электрический
оборудования", самолет" <**>
г. Жуковский,
Московская
область
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 <***> конкурентоспособных
производственной 260 70 60 65 65 изделий авиационной
базы, освоение <*> техники,
инновационных соответствующих
технологий для современным и
изготовления перспективным
радиоэлектронных международным
изделий авиационной стандартам <**>
техники с
использованием
новых уровней
технологий на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Научно-
исследовательский
институт
авиационного
оборудования",
г. Жуковский,
Московская
область
техническое --- -- -- ---- ---- 2015 <***> производственных
перевооружение 188 35 30 61,5 61,5 мощностей по
экспериментально- <*> производству
технологической современной
базы для микроэлектронной
производства аппаратуры <**>
микроэлектронных
изделий в открытом
акционерном
обществе "Казанское
приборостроительное
конструкторское
бюро", г. Казань,
Республика
Татарстан
и техническое --- -- -- -- -- 2015 <***> конкурентоспособной
перевооружение цеха 115 30 25 30 30 продукции,
по производству <*> обладающей
первичных современными
преобразователей показателями по
и вторичной надежности,
аппаратуры в быстродействию и
открытом массогабаритным
акционерном характеристикам <**>
обществе "Казанское
приборостроительное
конструкторское
бюро", г. Казань,
Республика
Татарстан
и техническое --- -- -- --- --- 2015 <***> производство широкой
перевооружение 229 40 35 77 77 номенклатуры
производства <*> статических
электронных систем преобразователей
самолетного напряжения
энергоснабжения в авиационных
открытом перспективных
акционерном объектов (проект
обществе "полностью
"Агрегатное электрический
конструкторское самолет",
бюро "Якорь", истребитель 5-го
г. Москва поколения, программа
развития гражданской
авиационной техники)
<**>
электронного ---- --- --- ----- ----- 2015 <***> проводить работы с
полигона по 535 140 130 132,5 132,5 радиоэлектронной
исследованиям, <*> аппаратурой в
отработке и условиях реального
сертификации полета с учетом
бортового информационного
авиационного взаимодействия с
радиоэлектронного наземными и
оборудования на самолетными
федеральном системами
государственном обеспечения
унитарном воздушного движения
предприятии "Летно- в реальных условиях
исследовательский естественных и
институт имени промышленных помех
М.М. Громова", <**>
г. Жуковский,
Московская
область
сертификации --- --- --- --- --- 2015 <***> позиции для
аппаратных средств 200 50 50 50 50 проведения
бортовой <*> сертификации
вычислительной аппаратных модулей
техники на бортовой
федеральном вычислительной
государственном техники, включающей:
унитарном аппаратное и
предприятии программное
"Государственный оснащение центра
научно- сертификации;
исследовательский создание и освоение
институт базовых инженерных
авиационных методик проведения
систем", г. Москва сертификации;
акты ввода в
эксплуатацию центра
сертификации <**>
распределенной --- --- --- ---- ---- 2015 <***> распределенной
отраслевой 250 60 75 57,5 57,5 информационно-
стендово- <*> связанной сети
имитационной среды стендов, на которой
исследований, будут проводиться
отработки исследования
прикладного архитектур и
математического информационных
обеспечения, потоков,
отладки и испытаний соответствующих
систем и комплексов различным условиям
авиационного полета, интерфейсов,
бортового отработка системного
радиоэлектронного и функционального
оборудования на математического
федеральном обеспечения, отладка
государственном прикладного
унитарном математического
предприятии обеспечения и
"Государственный радиоэлектронной
научно- бортовой аппаратуры,
исследовательский наземные
институт сертификационные
авиационных испытания
систем", г. Москва радиоэлектронных
систем и комплексов
<**>
перевооружение ---- --- --- --- --- 2015 <***> базовой конструкции
производства в 520 130 120 135 135 фоточувствительных
открытом <*> приборов с
акционерном матричными
обществе "Научно- приемниками высокого
производственный разрешения для
комплекс видимого и ближнего
"Технокомплекс", инфракрасного
г. Раменское, диапазона на основе
Московская применения
область отечественной
электронной
компонентной базы;
технологии создания
фоточувствительных
приборов с
матричными
приемниками высокого
разрешения для
видимого и ближнего
инфракрасного
диапазона на основе
применения
отечественной
электронной
компонентной базы
<**>
перевооружение --- -- -- -- -- 2015 <***> производственных
участков монтажа 148 40 40 34 34 линий с высокой
электронных систем <*> степенью
и электронно- автоматизации
оптических модулей производства
на федеральном современной
государственном авиационной
унитарном радиоэлектронной и
предприятии "Санкт- оптико-электронной
Петербургское аппаратуры для
опытно- коммерческой и
конструкторское военной авиации
бюро <**>
"Электроавтоматика"
имени
П.А. Ефимова",
г. Санкт-Петербург
2. <a id="p100345"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
перевооружение ------ --- межотраслевого
федерального 50 <*> 50 базового центра
государственного системного
унитарного проектирования <**>
предприятия
"Научно-
производственное
предприятие
"Пульсар",
г. Москва, для
создания
межотраслевого
базового центра
системного
проектирования
техническое ------- ------- центра системного
перевооружение 60 60 проектирования
открытого производительностью
акционерного 40 аппаратно-
общества программных
"Информационные комплексов в год <**>
телекоммуникацион-
ные технологии",
г. Санкт-Петербург,
для создания
базового центра
полного цикла
проектирования и
производства
аппаратно-
программных
комплексов
перевооружение для ------- --- проектирования,
создания базового 60 <*> 60 производства,
центра системного испытаний, контроля,
проектирования тестирования и
микроэлектронных сертификации
модулей нового перспективных
поколения на основе изделий, включая
технологии "систем климатические,
в модуле" двойного механические,
и специального надежностные и
применения на другие
открытом специализированные
акционерном испытания, а также
обществе "Научно- сертификации
исследовательский выпускаемых изделий
институт "Вектор", по требованиям
г. Санкт-Петербург различных категорий
заказчиков и
производств <**>
перевооружение ------ -- центра системного
открытого 25 <*> 25 проектирования <**>
акционерного
общества
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
радиотехники",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
перевооружение ------- -- --- 2011 центра системного
открытого 270 <*> 40 230 проектирования <**>
акционерного
общества "НИИ
молекулярной
электроники и завод
"Микрон",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------ ----- центра системного
перевооружение 30 <*> 30 проектирования <**>
федерального
государственного
унитарного
предприятия
"Научно-
исследовательский
институт
автоматики",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
перевооружение ----- --- центра системного
федерального 70 <*> 70 проектирования <**>
государственного
унитарного
предприятия
"Научно-
производственное
предприятие
"Восток",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра
проектирования
перевооружение ------- ---- --- 2011 центра системного
открытого 100 <*> 40 60 проектирования <**>
акционерного
общества "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж, для
создания базового
центра
проектирования
перевооружение ------- --- центра системного
открытого 100 <*> 100 проектирования
акционерного площадью 998 кв. м
общества "Концерн <**>
радиостроения
"Вега", г. Москва,
для создания
базового центра
проектирования
техническое ------ ----- центра системного
перевооружение 60 <*> 60 проектирования
федерального площадью 500 кв. м
государственного <**>
унитарного
предприятия
"Ростовский-на-Дону
научно-
исследовательский
институт
радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону,
для создания
базового центра
проектирования
техническое ------ -- центра системного
перевооружение 17 <*> 17 проектирования
федерального площадью 500 кв. м
государственного <**>
унитарного
предприятия "Омский
научно-
исследовательский
институт
приборостроения",
г. Омск
(развитие базового
центра системного
проектирования
СБИС)
перевооружение ------ --- центра системного
открытого 60 <*> 60 проектирования
акционерного площадью 490 кв. м
общества <**>
"Российский
институт
радионавигации и
времени", г. Санкт-
Петербург, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------- --- --- 2013 центра системного
перевооружение 116 <*> 60 56 проектирования
открытого площадью 800 кв. м
акционерного <**>
общества
"Светлана",
г. Санкт-Петербург,
для создания
базового центра
проектирования
техническое --------- --------- центра системного
перевооружение 80 <****> 80 <****> проектирования
открытого площадью 800 кв. м
акционерного <**>
общества
"Центральный
научно-
исследовательский
институт "Циклон",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
272.1. Техническое 200 200 2011 648 создание базового перевооружение --- --- центра системного федерального 100 100 проектирования государственного площадью 648 кв. м унитарного <**> мощностью 360 предприятия тыс. шт.
"Государственный
завод "Пульсар",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------ ---- центра системного
перевооружение 60 <*> 60 проектирования <**>
федерального
государственного
унитарного
предприятия
"Научно-
исследовательский
институт "Аргон",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------ --- --- 2015 центра системного
перевооружение 15 <*> 7,5 7,5 проектирования
федерального площадью 500 кв. м
государственного <**>
унитарного
предприятия "НПО
"Орион", г. Москва,
для создания
базового центра
проектирования
техническое ------ ----- центра системного
перевооружение 60 <*> 60 проектирования
федерального площадью 500 кв. м
государственного <**>
унитарного
предприятия
"Новосибирский
завод
полупроводниковых
приборов с ОКБ",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------ ----- центра системного
перевооружение 80 <*> 80 проектирования
федерального площадью 600 кв. м
государственного <**>
унитарного
предприятия
"Научно-
исследовательский
институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург,
для создания
базового центра
проектирования
перевооружение ------ --- центра системного
открытого 70 <*> 70 проектирования
акционерного площадью 600 кв. м
общества "Концерн <**>
"Океанприбор",
г. Санкт-Петербург,
для создания
базового центра
проектирования
техническое -------- ---- центра системного
перевооружение 72,7 <*> 72,7 проектирования <**>
федерального
государственного
унитарного
предприятия
"Нижегородский
научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород,
для создания
базового центра
проектирования
перевооружение и ------ --- центра системного
реконструкция 80 <*> 80 проектирования
открытого площадью 650 кв. м
акционерного <**>
общества
"Корпорация
"Тактическое
ракетное
вооружение",
г. Королев,
Московская область,
для создания
базового центра
системного
проектирования
перевооружение ------- --- центра системного
федерального 120 <*> 120 проектирования
государственного площадью 1134,5 кв.
унитарного м <**> мощностью 2000
предприятия шт.
"Научно-
исследовательский
институт "Экран",
г. Самара, для
создания базового
центра
проектирования
центра ------- --- --- ---- ---- 2015 <***> центра по
проектирования на 250 <*> 65 80 52,5 52,5 проектированию,
базе федерального моделированию,
государственного изготовлению,
унитарного тестированию и
предприятия сертификации
"Научно- перспективных
производственная оптических систем и
корпорация оптико-электронного
"Государственный оборудования <**>
оптический институт
имени
С.И. Вавилова",
г. Санкт-Петербург
техническое -------- --- --- ----- ----- 2015 <***> надежности систем
перевооружение 1100 <*> 295 260 272,5 272,5 цифровой обработки,
открытого систем твердотельных
акционерного передающих и
общества "Концерн приемных систем,
ПВО "Алмаз-Антей", приемо-передающих
г. Москва, для модулей активных
создания базового фазированных
центра системных решеток C-
проектирования диапазона для
систем цифровой перспективных
обработки, средств связи,
твердотельных управления воздушным
передающих и движением и
приемных систем, формирования
приемо-передающих сигналов на
модулей кристалле для
радиолокационных
станций различного
применения <**>
техническое ------- ------ --- ------ ------ 2015 <***> центра
перевооружение для 250 <*> 96,19 60 46,905 46,905 проектирования
создания базового сложных
центра функциональных
проектирования в блоков и
открытом сверхбольших
акционерном интегральных схем
обществе "Концерн типа "система на
"Созвездие", кристалле" для
г. Воронеж нового поколения
аппаратуры и
мобильных
телекоммуникационных
систем;
создание
конкурентоспособных
изделий для нового
поколения мобильных
телекоммуникационных
систем гражданского
и двойного
назначения <**>
перевооружение для ------- --- производства
создания базового 220 <*> 220 комплексных средств
центра системного автоматизации для
проектирования управления
(дизайн-центра) автомобильным и
радиоэлектронных железнодорожным
модулей и узлов транспортом,
стационарных и объектами топливно-
мобильных средств энергетического
автоматизации в комплекса <**>
открытом
акционерном
обществе "Научно-
производственное
предприятие
"Рубин", г. Пенза
центра системного ------- -- --- 2011 возможности
проектирования 100 <*> 45 55 изготовления
унифицированных разработанных
электронных модулей электронных модулей
на основе по современным
современной технологиям;
электронной повышение надежности
компонентной базы в и качества и
открытом ускорение разработки
акционерном конкурентоспособных
обществе изделий мирового
"Челябинский уровня;
радиозавод "Полет", разработка
г. Челябинск технологий двойного
назначения <**>
центра системного ------- ----- возможности
проектирования 100 <*> 100 изготовления
унифицированных разработанных
электронных модулей электронных модулей
на основе по современным
современной технологиям;
электронной разработка
компонентной базы в технологий двойного
открытом назначения <**>
акционерном мощностью 5 модулей
обществе "Рыбинский в год
завод
приборостроения",
г. Рыбинск,
Ярославская область
перевооружение для ------ --- проектирования,
создания базового 90 <*> 90 производства,
центра системного испытаний, контроля,
проектирования тестирования и
микроэлектронных сертификации
модулей нового перспективных
поколения на основе изделий, включая
технологии "систем климатические,
в модуле" двойного механические,
и специального надежностные и
применения на другие
открытом специализированные
акционерном испытания, а также
обществе "Калужский сертификации
научно- выпускаемых изделий
исследовательский по требованиям
институт различных категорий
телемеханических заказчиков и
устройств", производств <**>
г. Калуга
центра системного --------- --------- проектирования,
проектирования 30 <****> 30 <****> производства,
микроэлектронных испытаний, контроля,
модулей нового тестирования и
поколения на основе сертификации
технологии "систем перспективных
в модуле" двойного изделий, включая
и специального климатические,
применения в механические,
открытом надежностные и
акционерном другие
обществе специализированные
"Московский научно- испытания, а также
исследовательский сертификации
институт связи", выпускаемых изделий
г. Москва по требованиям
различных категорий
заказчиков и
производств <**>
центра системного ------- ----- --- ----- ----- 2015 <***> возможностей и
проектирования по 160 <*> 70,7 50 19,65 19,65 объемов базового
проектированию центра системного
радиоэлектронной проектирования,
аппаратуры на базе перевод ключевых
сверхбольших проектов,
интегральных схем выполняемых
"система на концерном, на
кристалле" в использование
открытом технологии
акционерном современного
обществе "Концерн системного
радиостроения проектирования.
"Вега", г. Москва Ускорение процесса
получения готовых
проектов не менее
чем в 2 раза <**>
перевооружение для ------- --- проектирования,
создания базового 105 <*> 105 производства
центра системного высокоплотных
проектирования электронных узлов на
высокоплотных основе технологии
электронных узлов многокристальных
на основе модулей как ключевой
технологии технологии
многокристальных достижения высоких
модулей в открытом технических
акционерном характеристик
обществе "Научно- разрабатываемых и
исследовательский производимых
институт "Кулон", изделий. Планируемый
г. Москва объем выпуска
многокристальных
модулей до 3,5 тыс.
шт. в год <**>
центра системного ------- ---- --- 2011 проектирования,
проектирования 105 <*> 45 60 производства
высокоплотных высокоплотных
электронных узлов электронных узлов на
на основе основе технологии
технологии многокристальных
многокристальных модулей как ключевой
модулей в открытом технологии
акционерном достижения высоких
обществе технических
"Конструкторское характеристик
бюро "Луч", разрабатываемых и
г. Рыбинск, производимых
Ярославская область изделий. Планируемый
объем выпуска
многокристальных
модулей до 3,5 тыс.
шт. <**>
техническое ------- --- --- 2015 <***> центра
перевооружение 250 <*> 125 125 проектирования и
федерального разработки
государственного высокопроизводитель-
унитарного ных сверхбольших
предприятия интегральных схем и
"Московский ордена микропроцессорной
Трудового Красного техники, оснащенного
Знамени научно- современными
исследовательский средствами
радиотехнический проектирования,
институт", разработки и отладки
г. Москва, для сверхбольших
создания базового интегральных схем
центра типа "система на
проектирования кристалле", а также
универсальных матричных корпусов
цифровых устройств, для сверхбольших
комплексов и систем интегральных схем с
на базе современных большим количеством
лицензионных систем выводов,
автоматизированного контроллеров
проектирования и перспективных
технических средств периферийных
интерфейсов для
разработки на их
базе перспективных
сложнофункциональных
блоков и
радиоэлектронной
аппаратуры для
систем и средств
связи двойного и
гражданского
применения <**>
перевооружение для ------- ------ -- 2011 центра разработки
создания базового 125 <*> 80 45 высокопроизводитель-
центра <****> ной микропроцессорной
проектирования техники двойного
универсальных назначения,
микропроцессоров, оснащенного
систем на современной
кристалле, цифровых технологией
приборов обработки разработки
сигналов и других многоядерных систем
цифровых устройств, на кристалле,
комплексов и систем матричных корпусов
на базе современных для сверхбольших
лицензионных систем интегральных схем с
автоматизированного большим количеством
проектирования и выводов,
технических средств контроллеров
открытого перспективных
акционерного периферийных
общества "Институт интерфейсов для
электронных разработки на их
управляющих машин базе
им. И.С. Брука", высокопроизводитель-
г. Москва ных вычислительных
систем широкого
применения <**>
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> проектирования и
реконструкция 420 <*> 110 150 80 80 отработки технологии
базового производства
регионального перспективных
научно- устройств
технологического микросистемотехники
центра по для комплектования
микросистемотехнике аппаратуры
федерального управления, средств
государственного телекоммуникации и
унитарного связи, высокоточного
предприятия "Омский оружия,
научно- робототехнических
исследовательский комплексов,
институт мониторинга
приборостроения", окружающей среды,
г. Омск зданий и сооружений,
систем
трубопроводов, водо-
и газоснабжения,
цифровых и
аналоговых устройств
средств контроля,
учета и
дистанционного
управления подачей
энергоресурсов
Ожидаемый
экономический эффект
составит 1500 млн.
рублей <**>
техническое ------- --- --- ---- ---- 2015 <***> конкурентоспособных
перевооружение 245 <*> 60 80 52,5 52,5 изделий мирового
центра системного уровня двойного
проектирования и назначения для
производства комплексов
радиоэлектронных аппаратуры
средств спутниковой спутниковой связи
связи федерального <**>
государственного
унитарного
предприятия
"Научно-
производственный
центр "Вигстар",
г. Москва
техническое ------- --- --- --- --- 2015 <***> центра площадью 2000
перевооружение 540 <*> 140 130 135 135 кв. м и увеличение
федерального выпуска продукции на
государственного 500 млн. рублей в
унитарного год <**>
предприятия
"Научно-
производственное
предприятие
"Алмаз",
г. Саратов, с целью
создания дизайн-
центра и
производства
сверхвысокочастот-
ных и силовых
устройств
перевооружение для ------ --- конкурентоспособной
создания центра 45 <*> 45 технологии
проектирования автоматизированного
перспективной проектирования
электронной кристаллов
компонентной базы сверхбольших
на федеральном интегральных схем и
государственном систем на кристалле
унитарном с проектными нормами
предприятии 0,18 - 0,13 мкм и
"Научно- степенью интеграции
исследовательский до 100 млн. вентилей
институт на кристалле, что
электронной позволит обеспечить
техники", ускоренную
г. Воронеж разработку
сложнофункциональных
блоков, сверхбольших
интегральных схем и
систем на кристалле,
соответствующих по
техническим
характеристикам
современным мировым
образцам <**>
отраслевого центра ------- -- --- -- -- 2015 <***> современного центра
системного уровня 170 <*> 45 87 19 19 системного уровня
проектирования проектирования на
интеллектуальных основе отечественной
датчиков различного электронной
назначения на компонентной базы:
федеральном микромеханических
государственном датчиков;
унитарном датчиков
предприятии акустического
"Центральный давления;
научно- датчиков угловых
исследовательский перемещений и других
институт <**>
"Электроприбор",
г. Санкт-Петербург
отраслевого центра ------- -- ---- ---- 2015 <***> центра
проектирования 180 <*> 45 67,5 67,5 проектирования
сложных (дизайн-центра)
функциональных сложных
блоков и функциональных
сверхбольших блоков и
интегральных схем сверхбольших
типа "система на интегральных схем
кристалле" в типа "система на
открытом кристалле" для
акционерном обеспечения новейшей
обществе "Концерн цифровой техникой
"Моринформсистема- приборостроительных
Агат", г. Москва организаций
судостроительной
отрасли <**>
3. <a id="p100388"></a>Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств)
для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
техническое ------ --- ------ ---- 2010 межотраслевого
перевооружение 590,75 78 352,75 160 центра
открытого <*> проектирования,
акционерного каталогизации и
общества изготовления
"Российская фотошаблонов с
электроника", объемом производства
г. Москва (включая не менее 1200 шт. в
приобретение год <**>
программно-
технических
средств), с целью
создания
межотраслевого
центра
проектирования,
каталогизации и
изготовления
фотошаблонов
Итого по 70057,49 1618,71 1643,48 2125,3 5813,24 18026,52 15250 12790,12 12790,12 Минпромторгу России -------- ------- ------- ------ ------- ------- ----- -------- ------- 36710,41 1267,7 1412,71 1695 2906,62 9013,26 7625 6395,06 6395,06
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ «РОСАТОМ» (ГОСКОРПОРАЦИЯ «РОСАТОМ»)
1. <a id="p100392"></a>Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
перевооружение ------ -- -- -- -- 2013 технологического
федерального 98 <*> 20 24 24 30 комплекса для
государственного производства
унитарного сверхвысокочастотных
предприятия монолитных
"Федеральный интегральных схем на
научно- широкозонных
производственный полупроводниковых
центр Научно- материалах <**>
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- -- -- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 220 <*> 30 40 75 75 технологического
целью производства участка в
структур "кремний межведомственном
на изоляторе" для центре по разработке
субмикронных и производству
радиационно стойких радиационно стойкой
сверхбольших электронной
интегральных схем компонентной базы
на федеральном <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- -- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 210 <*> 40 50 60 60 технологического
целью производства участка в
фотошаблонов межведомственном
субмикронных центре по разработке
радиационно стойких и производству
сверхбольших радиационно стойкой
интегральных схем электронной
на федеральном компонентной базы
государственном <**>
унитарном
предприятии
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- -- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 190 <*> 40 50 50 50 технологического
целью производства участка в
структур "кремний межведомственном
на сапфире" с центре по разработке
ультратонким и производству
приборным слоем для радиационно стойкой
субмикронных электронной
радиационно стойких компонентной базы
сверхбольших <**>
интегральных схем
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 200 <*> 50 50 50 50 технологического
целью производства участка изготовления
радиационно стойких изделий
изделий микроэлектроники для
микроэлектроники с систем автоматики
применением методов специзделий <**>
нанотехнологий на
федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
автоматики",
г. Москва
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 476 <*> 100 80 133 163 технологического
целью производства участка в
быстродействующих межведомственном
радиационно стойких центре по разработке
монолитных и производству
интегральных схем радиационно стойкой
на федеральном электронной
государственном компонентной базы
унитарном <**>
предприятии
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 250 <*> 50 60 70 70 технологического
целью производства участка в
радиационно стойких межведомственном
изделий центре по разработке
оптоэлектроники на и производству
федеральном радиационно стойкой
государственном электронной
унитарном компонентной базы
предприятии <**>
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 390 <*> 100 90 100 100 технологического
целью производства участка в
радиационно стойких межведомственном
изделий центре по разработке
микросистемотехники и производству
на федеральном радиационно стойкой
государственном электронной
унитарном компонентной базы
предприятии <**>
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
перевооружение и ------- --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
реконструкция с 410 <*> 96 90 112 112 технологических
целью производства участков по
радиационно стойких изготовлению
изделий радиационно стойких
микроэлектроники на изделий
федеральном микроэлектроники <**>
государственном
унитарном
предприятии
"Российский
федеральный ядерный
центр -
Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
экспериментальной
физики", г. Саров,
Нижегородская
область
2. <a id="p100402"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
дизайн-центра ------- -- -- -- 2011 дизайн-центра <**>
радиационно-стойкой 100 <*> 40 34 26 мощностью 1 млн.
электронной транзисторов в год
компонентной базы
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Федеральный
научно-
производственный
центр Научно-
исследовательский
институт
измерительных
систем имени
Ю.Е. Седакова",
г. Нижний Новгород
дизайн-центра ------ -- -- -- 2014 <***> дизайн-центра <**>
радиационно стойкой 40 <*> 10 20 10
электронной
компонентной базы
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
автоматики",
г. Москва
дизайн-центра ------ -- -- -- 2014 <***> дизайн-центра <**>
радиационно стойкой 40 <*> 10 20 10
электронной
компонентной базы
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Российский
федеральный ядерный
центр -
Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
экспериментальной
физики", г. Саров,
Нижегородская
область
дизайн-центра ------ -- -- -- 2014 <***> дизайн-центра <**>
радиационно стойкой 50 <*> 20 20 10
электронной
компонентной базы
на федеральном
государственном
унитарном
предприятии
"Российский
федеральный ядерный
центр -
Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
технической физики
имени академика
Е.И. Забабахина",
г. Снежинск,
Челябинская область
Итого по 5348 80 68 40 100 1140 1200 1360 1360 Госкорпорации ---- -- -- -- --- ---- ---- ---- ---- "Росатом": 2674 40 34 20 50 570 600 680 680
ФЕДЕРАЛЬНОЕ КОСМИЧЕСКОЕ АГЕНТСТВО (РОСКОСМОС)
1. <a id="p100409"></a>Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
техническое ------- --- ---- ---- 2015 <***> производство
перевооружение 160 <*> 55 52,5 52,5 многокристальных
открытого систем в корпусе,
акционерного микро- и
общества радиоэлектронных
"Российская модулей, в том числе
корпорация ракетно- на основе устройств
космического микросистемной
приборостроения и техники;
информационных оснащенное
систем", г. Москва, отраслевое
с целью создания автоматизированное
производства хранилище
многокристальных производимых и
систем в корпусе, приобретаемых
микро- и электронных
радиоэлектронных компонентов со
модулей, в том встроенной системой
числе на основе мониторинга и
устройств прогнозирования
микросистемной состояния хранимой
техники продукции <**>
техническое ------- --- -- -- 2015 <***> производства по
перевооружение 160 <*> 100 30 30 выпуску:
открытого параметрического
акционерного ряда модулей
общества "Научно- сверхвысокочастотных
исследовательский устройств;
институт точных узлов и
приборов", крупноблочных
г. Москва, для радиоэлектронных
создания функциональных
производства модулей приемо-
модулей передающей
сверхвысокочастот- аппаратуры.
ных устройств для Реализация указанных
особо жестких мероприятий
условий обеспечивает:
эксплуатации сокращение сроков
изготовления изделий
радиолокационной
техники и техники
связи в 2 - 3 раза;
расширение
номенклатуры
сверхвысокочастотных
изделий в 1,5 раза
<**>
техническое ------ -- -- -- 2015 <***> производственной
перевооружение 80 <*> 30 25 25 линии для выпуска
открытого облегченных
акционерного сверхвысокочастотных
общества волноводов;
"Информационные увеличение
спутниковые производства
системы" имени сверхвысокочастотных
академика волноводов с низким
М.Ф. Решетнева", уровнем потерь и
г. Железногорск, улучшенными
Красноярский край, массовыми
с целью создания характеристиками;
производственной оснащение
линии для отраслевого
изготовления автоматизированного
облегченных хранилища для
сверхвысокочастот- модулей
ных волноводов радиоэлектронных и
миллиметрового навигационных систем
диапазона со встроенной
системой мониторинга
и прогнозирования
состояния хранимой
продукции <**>
техническое ------- -- -- -- 2015 <***> производства
перевооружение 100 <*> 40 30 30 электромеханических
федерального и радиоэлектронных
государственного компонентов для
унитарного микромодульных
предприятия средств автономного
"Научно- управления и
производственное контроля;
объединение увеличение
автоматики имени производства изделий
академика бортовой и
Н.А. Семихатова", промышленной
г. Екатеринбург, радиоэлектроники на
для создания 35 процентов и
производства более;
электромеханических оснащение
и радиоэлектронных отраслевого
компонентов автоматизированного
микромодульных хранилища для
средств автономного радиоэлектронных
управления и модулей со
контроля встроенной системой
мониторинга и
прогнозирования
состояния хранимой
продукции <**>
техническое ------- --- -- 2013 производства
перевооружение 290 <*> 250 40 модульных лазерных
открытого средств высокоточных
акционерного измерений,
общества "Научно- дальнометрии и
производственная передачи информации
корпорация "Системы в бортовых и
прецизионного промышленных
приборостроения", системах различного
г. Москва, для назначения <**>
создания
производства
лазерных средств
высокоточных
измерений
техническое ------- -- -- -- 2015 <***> межотраслевой
перевооружение 100 <*> 40 30 30 лаборатории контроля
открытого стойкости
акционерного электронной
общества компонентной базы
"Российская для специальной
корпорация ракетно- радиоэлектронной
космического аппаратуры в
приборостроения и условиях
информационных космического
систем", г. Москва, пространства, что
для создания обеспечит:
отраслевой внедрение
лаборатории технологических
контроля стойкости процессов прямого (в
электронной том числе
компонентной базы неразрушающего)
радиоэлектронной контроля стойкости
аппаратуры к электронной
дестабилизирующим компонентной базы и
факторам экспериментально-
космического аналитического
пространства прогноза деградации
характеристик
электронной
компонентной базы и
радиоэлектронной
аппаратуры;
определение
характеристик
стойкости к условиям
открытого
космического
пространства;
увеличение сроков
активного
функционирования
аппаратуры до
20 лет <**>
техническое ------- -- -- -- 2015 <***> производственных
перевооружение 100 <*> 40 30 30 линий для
открытого изготовления
акционерного встроенных модульных
общества "Научно- пассивных
производственный радиоэлементов для
центр "Полюс" систем бортовой и
г. Томск, для промышленной
технического радиоэлектроники и
перевооружения вторичных источников
действующего питания с
производства совмещенными линиями
передачи данных и
электропитания;
расширение
номенклатуры и
увеличение
производства
встроенных вторичных
источников питания с
совмещенными линиями
передачи данных и
электропитания для
средств бортовой и
промышленной
электроники на 70
процентов и более
<**>
техническое ------- -- -- -- 2015 <***> производства
перевооружение 100 <*> 40 30 30 матричных оптико-
федерального электронных модулей
государственного для работы в составе
унитарного оптико-электронных
предприятия преобразователей
"Научно- высокого разрешения
исследовательский и матричных
институт сверхвысокочастотных
микроприборов - К", приборов для модулей
г. Москва, для фазированных
создания матричных антенных решеток,
оптико-электронных что позволит:
модулей на основе расширить
кремниевых мембран номенклатуру
и гетеропереходов выпускаемой
на основе арсенида мелкосерийной
галлия и нитрида продукции в 2 раза;
галлия увеличить объем
выпускаемых
дискретных и
модульных элементов
в 10 раз <**>
2. <a id="p100418"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
техническое ------- --- --- 2013 центра системного
перевооружение 363 <*> 243 120 проектирования
открытого площадью 3500 кв. м
акционерного <**>
общества
"Российская
корпорация ракетно-
космического
приборостроения и
информационных
систем", г. Москва,
для создания
базового центра
проектирования
техническое ------- --- --- -- --- --- 2012 центра
перевооружение для 461 <*> 60 60 18 80 243 автоматизированного
создания проектирования и
отраслевого центра функциональной
автоматизированного поддержки процессов
проектирования на изготовления и
открытом эксплуатации
акционерном параметрических
обществе "Научно- рядов
исследовательский сверхвысокочастотных
институт точных модулей
приборов", унифицированных
г. Москва сверхвысокочастотных
трактов, базовых
несущих конструкций
активных
фазированных
антенных решеток,
радиолокационных и
связных модульных
приборов площадью
500 кв. м <**>
техническое ------- --- -- -- 2015 проектирования
перевооружение для 140 <*> 50 45 45 унифицированных
создания центра микроэлектронных
проектирования датчиков площадью
унифицированных 380 кв. м для
микроэлектронных проектирования
датчиков для работы унифицированных
в особо жестких полупроводниковых
условиях микродатчиков и
эксплуатации на преобразователей
открытом физических величин в
акционерном системах управления,
обществе "Научно- контроля и
исследовательский диагностики
институт физических динамических
измерений", объектов <**>
г. Пенза
техническое ------- -- -- -- 2015 центра площадью
перевооружение для 100 <*> 40 30 30 350 кв. м для
создания базового системного
центра системного проектирования с
проектирования полным циклом
интегральных проектирования и
микроэлектронных производства
датчиков и параметрического
датчикопреобразую- ряда интегральных
щей аппаратуры на микроэлектронных
открытом датчиков и
акционерном нанодатчиков для
обществе "Научно- контрольной
производственное аппаратуры на основе
объединение специализированных
измерительной электронных узлов по
техники", технологии "кремний
г. Королев, на изоляторе" для
Московская область особо жестких
условий
эксплуатации <**>
техническое ------ -- -- 2015 центра сквозного
перевооружение для 80 <*> 40 40 системного
создания базового проектирования и
центра сквозного функциональной
системного поддержки
проектирования на радиоэлектронных
федеральном средств с улучшенной
государственном электромагнитной
унитарном совместимостью
предприятии площадью 450 кв. м
"Научно- (в том числе для
производственное создания встроенных
предприятие бесконтактных систем
Всероссийский управления
научно- электродвигателями и
исследовательский приводами,
институт оптоэлектронных и
электромеханики с радиотехнических
заводом имени приборов) <**>
А.Г. Иосифьяна",
г. Москва
техническое ------ --- -- -- 2015 проектирования
перевооружение для 90 <*> 50 20 20 интегральных
создания центра сверхвысокочастотных
проектирования на модулей специального
федеральном и промышленного
государственном применения для
унитарном унифицированных
предприятии приемо-передающих
"Центральный радиоэлектронных
научно- трактов площадью 340
исследовательский кв. м. (в том числе
радиотехнический для создания
институт имени испытательного
академика центра
А.И. Берга", радиоэлектронной
г. Москва аппаратуры
космического и
промышленного
назначения) <**>
техническое ------ -- -- 2015 площадью 220 кв. м
перевооружение для 40 <*> 20 20 для системного
создания центра проектирования
проектирования матричных
матричных преобразователей и
преобразователей и микроэлектронных
микроэлектронных сигнальных
сигнальных процессоров
процессоров на высокоточных
федеральном навигационных
государственном приборов бортового и
унитарном промышленного
предприятии назначения <**>
"Научно-
производственный
центр автоматики и
приборостроения
имени академика
Н.А. Пилюгина",
г. Москва
техническое ------- --- --- 2013 центра площадью
перевооружение для 320 <*> 70 250 370 кв. м для
создания центра системного
проектирования проектирования
особо стойкого радиационно стойкой,
модульного ядра помехоустойчивой
отказоустойчивой электронной
радиоэлектронной компонентной базы, в
аппаратуры с особо том числе изделий
жесткими условиями "система на
эксплуатации на кристалле" для
федеральном построения особо
государственном стойкого модульного
унитарном ядра
предприятии радиоэлектронной
"Центральный аппаратуры с особо
научно- жесткими условиями
исследовательский эксплуатации, в том
институт "Комета", числе для
г. Москва космического,
авиационного и
промышленного
применения <**>
техническое ------ -- -- -- 2015 центра сквозного
перевооружение для 74 <*> 40 17 17 системного
создания базового проектирования и
центра системного функциональной
проектирования и поддержки в процессе
технического эксплуатации
перевооружения аппаратуры модульных
действующего средств связи и
производства на навигации для
открытом бортовых и
акционерном промышленных систем
обществе площадью 300 кв. м
"Информационные <**>
спутниковые
системы" имени
академика
М.Ф. Решетнева",
г. Железногорск,
Красноярский край
техническое ------- -- -- -- 2015 центра сквозного
перевооружение для 100 <*> 40 30 30 системного
создания базового проектирования и
центра сквозного функциональной
системного поддержки в процессе
проектирования на эксплуатации
федеральном площадью 350 кв. м
государственном (в том числе для
унитарном радиоэлектронных
предприятии функциональных
"Научно- модулей
производственное роботизированных
объединение имени транспортных средств
С.А. Лавочкина", повышенной
г. Химки, живучести) <**>
Московская обл.
Итого по Роскосмосу 5708 120 120 28 160 1612 1950 859 859 ---- --- --- -- --- ---- ---- ----- ----- 2858 60 60 18 80 806 975 429,5 429,5
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ (МИНОБРНАУКИ РОССИИ)
Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
перевооружение ------ -- -- 2010 центра системного
государственного 54 <*> 24 30 проектирования
образовательного площадью 515,1 кв. м
учреждения высшего <**>
профессионального
образования
"Московский
государственный
институт
электронной
техники"
(технический
университет),
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое -- -- центра системного
перевооружение 25 25 проектирования
государственного площадью 500 кв. м
образовательного <**>
учреждения высшего
профессионального
образования
"Московский
государственный
институт
радиотехники,
электроники и
автоматики"
(технический
университет),
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------- --- центра системного
перевооружение 100 <*> 100 проектирования
государственного площадью 400 кв. м
образовательного <**>
учреждения высшего
профессионального
образования
"Томский
государственный
университет",
г. Томск, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------- --- центра системного
перевооружение 100 <*> 100 проектирования
государственного площадью 400 кв. м
образовательного <**>
учреждения высшего
профессионального
образования
"Московский
государственный
технический
университет имени
Н.Э. Баумана",
г. Москва, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------- --- центра системного
перевооружение 100 <*> 100 проектирования
федерального площадью 400 кв. м
государственного <**>
автономного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Южный
федеральный
университет",
г. Ростов-на-Дону,
для создания
базового центра
проектирования
техническое ------- --- --- 2015 центра системного
перевооружение 100 <*> 50 50 проектирования
государственного площадью 400 кв. м
образовательного <**>
учреждения высшего
профессионального
образования
"Новосибирский
государственный
университет",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра
проектирования
техническое ------- ---- ---- 2015 центра системного
перевооружение 115 <*> 57,5 57,5 проектирования
федерального площадью 600 кв. м
государственного <**>
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Санкт-
Петербургский
государственный
университет",
г. Санкт-Петербург,
для создания
базового центра
проектирования
Итого по 1158 50 48 30 200 400 215 215 Минобрнауки России ---- -- -- -- --- --- ----- ----- 594 25 24 30 100 200 107,5 107,5
ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ И ЭКСПОРТНОМУ КОНТРОЛЮ (ФСТЭК РОССИИ)
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
перевооружение --- ----- ----- 2012 производственных
федерального 100 33,38 66,62 мощностей по выпуску
государственного оптоволоконных
унитарного соединителей изделий
предприятия микромеханики <**>
"Производственное
объединение
"Октябрь",
г. Каменск-
Уральский,
Свердловская
область
Итого по ФСТЭК 200 66,76 133,24 России --- ----- ------ 100 33,38 66,62 Итого по разделу II 82471,49 1868,71 1879,48 2223,3 6140 21111,76 18800 15224,12 15224,12 -------- ------- ------- ------ ---- -------- ------ -------- ------- 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06
<*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
<**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
<***> Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта.
<****> Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.
Примечание: 1. Срок получения предусмотренных настоящим перечнем результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе — размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
Приложение № 3
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. № 763)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
ОБЪЕМОВ ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО
БЮДЖЕТА ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ
ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| 2008 — 2015 | В том числе | |||||||
| годы | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
Всего по 106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 Программе
из них:
Министерство 91812,53 4757,7 5157,21 4952,62 11976,62 21733,26 15955 14005,06 13275,06 промышленности и торговли Российской Федерации
Федеральное 7008 290 320 168 430 2096 1815 939,5 949,5 космическое агентство
Государственная 6395,88 240 246,5 179,38 400 1424,12 1300 1325,88 1280 корпорация по атомной энергии «Росатом»
Министерство 1528,3 85 48,3 100 160 260 350 267,5 257,5 образования и науки Российской Федерации
Федеральная 100 — - - 33,38 66,62 — - - служба по техническому и экспортному контролю
Капитальные 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 вложения — всего
из них:
Министерство 36710,41 1267,7 1412,71 1695 2906,62 9013,26 7625 6395,06 6395,06 промышленности и торговли Российской Федерации
Федеральное 2858 60 60 18 80 806 975 429,5 429,5 космическое агентство
Государственная 2674 40 34 20 50 570 600 680 680 корпорация по атомной энергии «Росатом»
Министерство 594 25 24 30 — 100 200 107,5 107,5 образования и науки Российской Федерации
Федеральная 100 — - - 33,38 66,62 — - - служба по техническому и экспортному контролю
Научно- 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150 исследовательские и опытно- конструкторские работы — всего
Министерство 55102,12 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8330 7610 6880 промышленности и торговли Российской Федерации
Федеральное 4150 230 260 150 350 1290 840 510 520 космическое агентство
Государственная 3721,88 200 212,5 159,38 350 854,12 700 645,88 600 корпорация по атомной энергии «Росатом»
Министерство 934,3 60 24,3 70 160 160 150 160 150 образования и науки Российской Федерации
Приложение № 4
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции Постановления
Правительства Российской Федерации
от 8 сентября 2011 г. № 763)
ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ»
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ
(млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
| 2008 — 2015 годы | В том числе | |||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | |
Всего по 179224,366 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12 Программе
в том числе:
федеральный 106844,71 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 бюджет
внебюджетные 72379,656 2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06 средства
Капитальные 82471,49 1868,71 1879,48 2223,3 6140 21111,76 18800 15224,12 15224,12 вложения — всего
в том числе:
федеральный 42936,41 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 бюджет
внебюджетные 39535,08 476,01 348,77 460,3 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 средства
Научно- 96752,876 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 15051,1 13408,25 12203 исследовательские и опытно- конструкторские работы — всего
в том числе:
федеральный 63908,3 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 10020 8925,88 8150 бюджет
внебюджетные 32844,576 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 5031,1 4482,37 4053». средства
7. В приложении № 5 к указанной Программе:
а) абзац одиннадцатый дополнить словами «и Федеральным законом „О страховых взносах в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования“;»
б) в абзаце пятнадцатом цифры «18700» заменить цифрами «179224,366», цифры «110000» заменить цифрами «106844,71», цифры «77000» заменить цифрами «72379,66», цифры «64374,4» заменить цифрами «64554,9», цифры «125045,9» заменить цифрами «131640»;
в) в абзаце шестнадцатом цифры «198577,2» заменить цифрами «203443,4»;
г) в абзаце семнадцатом цифры «8,1» заменить цифрами «7,9»;
д) в абзаце восемнадцатом цифры «1,52» и «2,7» заменить соответственно цифрами «1,54» и «2,8»;
принятые для расчета коммерческой и бюджетной
эффективности реализации федеральной целевой программы
«Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
| Показатели | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | 2016 год | 2017 год | За расчетный период |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости), процентов | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | - |
| Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж) | 58000 | 70000 | 90000 | 110000 | 170000 | 210000 | 240000 | 270000 | 340000 420000 |
Инвестиции из всех 7903,837 8478,112 8267,417 21035 43629,41 33851,1 28632,37 27427,12 - - 179224,366 источников финансирования по Программе
в том числе:
средства 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 — - 106844,71 федерального бюджета на научно- исследовательс- кие и опытно- конструкторские работы,
капитальные вложения и прочие нужды
из них:
капитальные 1392,7 1530,71 1763 3070 10555,88 9400 7612,06 7612,06 — - 42936,41 вложения
внебюджетные 2531,137 2706,102 2867,42 8035 18049,41 14431,1 12094,43 11665,06 — - 72379,66 средства на научно- исследовательс- кие и опытно- конструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.)
налогооблагаемая 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 — база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)
Рентабельность 10 10 12 14 16 18 20 20 20 20 — реализованной продукции, процентов
Амортизационные 3,5 3,8 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 — отчисления, процентов себестоимости
Материалы, 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 — процентов себестоимости
Фонд оплаты труда, 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 — процентов себестоимости
Налог на 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 — имущество, процентов
Налог на прибыль, 24 20 20 20 20 20 20 20 20 20 — процентов
Подоходный налог, 13 13 13 13 13 13 13 13 13 13 — процентов
Страховые взносы в 26 26 26 34 34 34 34 34 34 34 — Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования, процентов
Налог на 18 18 18 18 18 18 18 18 18 18 — добавленную стоимость, процентов
Налог с продаж, — - - — - - — - - — - процентов
Норма дисконта — - - — - - — - - — 0,1
(средняя за
расчетный период),
процентов
коммерческой и бюджетной эффективности реализации
федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
| Наименование показателей | Расчетный период | За расчетный | |||||||||
| 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | период | |
| номер шага (m) | |||||||||||
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ||
Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 — реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость
Себестоимость 52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 — годового объема реализованной продукции отрасли
Прибыль от 5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 — реализации продукции
Налогооблагаемая 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 — база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)
Налог на 660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 — имущество
Налогооблагаемая 4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 — прибыль
Налог на прибыль 1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 - Чистая прибыль 3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 - Амортизационные 1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 -
отчисления в структуре себестоимости
Материальные 26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666,7 175000 — затраты в структуре себестоимости
Фонд оплаты труда 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 — в структуре себестоимости
Налог на 4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 — добавленную стоимость
Налог с продаж - - - - - - - - - - - Подоходный налог 1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 - Страховые взносы 3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 12456,9 15127,1 170000 19125 24083,3 29750 -
в ПФ, ФСС, ФФОМС и ТФОМС
Налоги, 10546,4 12631,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)
Сальдо от 5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 — операционной деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)
Коэффициент 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 — дисконтирования (норма дисконта E = 0,10)
Сальдо от 5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 операционной деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования
Величина 7903,8 8478,1 8267,4 21035 43629,4 33851,1 28632,4 27427,1 — - 179224,366 инвестиций из всех источников финансирования (оттоки)
Сальдо суммарного -2572,1 -1478,1 2121,2 -6426,2 -18106 795,3 14407,6 22117,9 63806,7 80570 — потока от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования
Величина 7903,8 7707,4 6832,6 15803,9 29799,5 21018,9 16162,2 14074,4 — - 119302,7 инвестиций из всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования
Сальдо суммарного -2572,1 -1343,7 1753 -4828,1 -12366,6 493,8 8132,7 11350 29766,3 34169,5 64554,9 потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Сальдо — - - — - - — - - — - накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)
Чистый -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6990,9 -19357,5 -18863,7 -10730,9 619 30385,3 64554,9 — дисконтированный доход
Срок окупаемости — - - — - - — - - — 7,9 инвестиций (период возврата), лет
Индекс доходности — - - — - - — - - — 1,54 (рентабельность инвестиций)
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства 5372,7 5772,01 5400 13000 25580 19420 16537,94 15762,06 — - 106844,71 федерального бюджета на научно- исследовательские и опытно- конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)
Налоги, 10546,4 12621,8 15787 20781,9 31229,5 37848 42580 47887,5 60011,7 73865 353158,7 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды
Налоги, 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31326 203443,4 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Отток бюджетных 5372,7 5772 5400 13000 25580 19420 16537,9 15762,1 — - - средств
Отток бюджетных 5372,7 5247,3 4462,8 9767,1 17471,5 12058,3 9335,2 8088,4 — - 71803,33 средств с учетом дисконтирования
Сальдо суммарного 5173,7 6227,1 8584,3 5846,7 3858,7 11442,3 14700,1 16485,4 27995,9 31326 131640 потока от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Чистый 5173,7 11400,8 19985 25831,7 29640,4 41132,7 55832,8 72318,2 100314,1 131640 — дисконтированный доход государства или бюджетный эффект
Индекс доходности 2 2,2 2,9 1,6 1,2 1,9 2,6 3 — - 2,8 бюджетных средств
Налоги, 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 21330,2 23500,6 24035,3 24573,9 27995,9 31226 203443,4 поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Удельный вес 0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,57 0,58 0,57 — - 0,6 средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)
Период возврата — - - — - - — - - — 1 год бюджетных
средств, лет
Уровень 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68
безубыточности
эффективности реализации федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы
| Наименование показателей | 2008 — 2017 годы |
|---|---|
| Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) | 179224,366 |
| в том числе: | |
| средства федерального бюджета | 106844,71 |
| внебюджетные средства | 72379,656 |
| Показатели коммерческой эффективности | |
| Чистый дисконтированный доход в 2017 году | 64554,9 |
| Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации, лет | 7,9 |
| Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли | 1,54 |
| Уровень безубыточности | 0,68 |
| Показатели бюджетной эффективности | |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования | 203443,4 |
| Бюджетный эффект | 131640 |
| Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям | 2,8 |
| Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) | 0,6 |
| Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям, лет | 1 год». |
8. В приложении № 6 к указанной Программе:
а) в разделе «Показатели коммерческой эффективности»:
в абзаце двадцать третьем слова «13 процентов» заменить словами «8 процентов» и слова «15 процентов» заменить словами «10 процентов»;
абзац двадцать четвертый исключить;
б) абзац четырнадцатый раздела «Показатели бюджетной эффективности» изложить в следующей редакции:
«страховые взносы в Пенсионный фонд Российской Федерации, Фонд социального страхования Российской Федерации, Федеральный фонд обязательного медицинского страхования и территориальные фонды обязательного медицинского страхования в размере 34 процентов фонда оплаты труда.».