---
title: "Постановление Правительства РФ от 03.04.1996 N 404"
number: "404"
issuer: "Правительство Российской Федерации"
issued_on: 1996-04-03
status: действует
canonical: "https://bukva.ai/docs/postanovlenie-404-1996/statya-9"
---

# Статья 9

### <a id="p100030"></a>Статья 9


<a id="p100031"></a>Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия Соглашения о своем намерении прекратить его действие.
<a id="p100032"></a>Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого внутригосударственных процедур.

<div align="center">

<a id="p100033"></a>**Совершено в ______________ "____" ______________ 1996 г. в двух экземплярах на русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.**

</div>


<a id="p100034"></a>За Правительство
Российской Федерации

<div align="center">

<a id="p100035"></a>**За Правительство**<br>
**Республики Белоруссия**

</div>






<a id="p100036"></a>Приложение
к Соглашению
между Правительством
Российской Федерации
и Правительством Республики
Белоруссия о сотрудничестве

<div align="right">

в области создания оптико -<br>
механического и контрольного<br>
оборудования для производства<br>
сверхбольших интегральных<br>
схем с топологическими<br>
элементами 0,8 - 0,5 мкм

<a id="p100037"></a>СОВМЕСТНАЯ<br>
РОССИЙСКО-БЕЛОРУССКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА<br>
"РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО И КОНТРОЛЬНОГО<br>
ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ<br>
СХЕМ С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 0,8 - 0,5 МКМ"

</div>





<div align="right">

<a id="p100039"></a>Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются - СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).<br>
<a id="p100040"></a>Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.

</div>





<div align="right">

<a id="p100042"></a>Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям "Субмикро". Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны - научно-техническая ассоциация "Субмикро", с Белорусской Стороны - государственный научно - производственный концерн точного машиностроения "Планар".

</div>





<div align="center">

<a id="p100044"></a>**Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8 - 0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.**

</div>







<div align="center">

<a id="p100047"></a>**Прецизионность - +/- 0,15 мкм**<br>
<a id="p100048"></a>**Погрешность совмещения - не более 0,15 мкм**<br>
<a id="p100049"></a>**Размер единичного модуля - 20 x 20 мм**<br>
<a id="p100050"></a>**Диаметр пластин - 150 мм**

</div>

<a id="p100051"></a>Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
<a id="p100052"></a>Производительность - не менее 40 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля - 400 кв. мм).


<div align="center">

<a id="p100054"></a>**Прецизионность - +/- 0,1 мкм**<br>
<a id="p100055"></a>**Погрешность совмещения - не более 0,1 мкм**<br>
<a id="p100056"></a>**Размер единичного модуля - 15 x 20 мм**

</div>

<a id="p100057"></a>Диаметр пластин - 150 мм
<a id="p100058"></a>Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
<a id="p100059"></a>Производительность - не менее 30 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля - 300 кв. мм).






<a id="p100062"></a>степперы для СБИС 0,8 мкм;

<div align="center">

<a id="p100063"></a>**степперы для СБИС 0,6 мкм;**<br>
<a id="p100064"></a>**степперы для СБИС 0,4 - 0,5 мкм.**

</div>

<a id="p100065"></a>5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.
<a id="p100066"></a>5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.
<a id="p100067"></a>5.4. Отработка технологических процессов - по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.




<a id="p100069"></a>Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 - 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60 - 200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70 - 80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.
<a id="p100070"></a>Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80 - 100 млрд. рублей в год в ценах мая 1995 г.




<a id="p100072"></a>(млн. рублей, в ценах мая 1995 г.)

<table>
<colgroup><col width="21%"><col width="20%"><col width="14%"><col width="14%"><col width="16%"><col width="16%"></colgroup>
<tr><td rowspan="2"><a id="p100074"></a>Стороны</td><td rowspan="2">Затраты - всего</td><td colspan="4">в том числе</td></tr>
<tr><td><a id="p100076"></a>1996 г.</td><td>1997 г.</td><td>1998 г.</td><td>1999 г.</td></tr>
<tr><td><a id="p100078"></a>Российская Федерация</td><td>24000</td><td>2000</td><td>16000</td><td>6000</td><td>-</td></tr>
<tr><td><a id="p100081"></a>Республика Белоруссия</td><td>24000</td><td>2000</td><td>8000</td><td>10000</td><td>4000</td></tr>
</table>


<a id="p100084"></a>Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.
<a id="p100085"></a>Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20 - 25 степперов и 30 - 40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.





<table>
<colgroup><col width="5%"><col width="29%"><col width="11%"><col width="6%"><col width="6%"><col width="6%"><col width="6%"><col width="29%"></colgroup>
<tr><td colspan="2" rowspan="2"><a id="p100088"></a>Наименование оборудования</td><td rowspan="2"><a id="p100090"></a>Сроки выполнения</td><td colspan="4">Объемы финансирования (млн. рублей, в ценах мая 1995 г.)</td><td rowspan="2">Ожидаемые результаты</td></tr>
<tr><td><a id="p100092"></a>1996 год</td><td>1997 год</td><td>1998 год</td><td>всего</td></tr>
<tr><td><a id="p100095"></a>1.</td><td><a id="p100096"></a>Установка совмещения и мультипликации для изготовления СБИС технологического уровня 0,8 мкм (размер модуля 16 x 16 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм)</td><td>апрель 1996 г. - апрель 1998 г.</td><td>650</td><td>2900</td><td>350</td><td>3900</td><td><a id="p100102"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка, изготовление и испытание двух опытных образцов, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100105"></a>2.</td><td><a id="p100106"></a>Экспериментальная установка совмещения и мультипликации для изготовления СБИС технологического уровня 0,6 мкм (размеры модуля 15 x 15 мм и 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм)</td><td>апрель 1996 г. - декабрь 1998 г.</td><td>300</td><td>1700</td><td>1200</td><td>3200</td><td><a id="p100114"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка, изготовление и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы</td></tr>
<tr><td><a id="p100116"></a>3.</td><td><a id="p100117"></a>Экспериментальная установка совмещения и проекционного глубокого ультрафиолетового экспонирования с мультипликацией для исследования ультрабольших и сверхскоростных интегральных схем технологического уровня 0,5 мкм (разрешение 0,35 - 0,45 мкм, размер модуля 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 15 x 20 мм)</td><td>октябрь 1996 г. - декабрь 1998 г.</td><td>50</td><td>2050</td><td>1900</td><td>4000</td><td>Разработка технического задания.<br>Разработка, изготовление и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы</td></tr>
<tr><td><a id="p100131"></a>4.</td><td><a id="p100132"></a>Установка лазерного устранения дефектов промежуточных шаблонов</td><td><a id="p100134"></a>июль 1996 г. - июнь 1998 г.</td><td>50</td><td>1700</td><td>250</td><td>2000</td><td><a id="p100135"></a><a id="p100139"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка базовой установки комбинированной ретуши промежуточных шаблонов, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100143"></a>5.</td><td><a id="p100144"></a>Доработка и изготовление установки контроля топологии на промежуточных шаблонах (ЭМ-6029А) с адаптацией к системе автоматизированного проектирования заказчика</td><td>июнь 1996 г. - май 1998 г.</td><td>200</td><td>900</td><td>100</td><td>1200</td><td><a id="p100150"></a>Разработка технического задания.<br>Доработка установки, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска установок контроля топологического рисунка для СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит</td></tr>
<tr><td><a id="p100158"></a>6.</td><td><a id="p100159"></a>Установка автоматического контроля привносимых дефектов промежуточных шаблонов</td><td>август 1996 г. - декабрь 1998 г.</td><td>60</td><td>1115</td><td>525</td><td>1700</td><td><a id="p100162"></a><a id="p100164"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка, изготовление и испытание опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100168"></a>7.</td><td><a id="p100169"></a>Автоматизированный микроскоп для оперативного визуального контроля промежуточных шаблонов с пленочной защитой</td><td>июль 1996 г. -<br>декабрь 1998 г.</td><td>125</td><td>840</td><td>210</td><td>1175</td><td><a id="p100173"></a><a id="p100176"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка микроскопа для контроля промежуточных шаблонов с пелликлами, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100180"></a>8.</td><td><a id="p100181"></a>Доработка опытного образца установки контроля микродефектов на полупроводниковых пластинах (ЭМ-6069) с автоматизированной загрузкой</td><td>май 1996 г. - декабрь 1997 г.</td><td>180</td><td>800</td><td>70</td><td>1050</td><td><a id="p100186"></a><a id="p100191"></a>Разработка технического задания.<br>Доработка установки автоматического контроля дефектов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100195"></a>9.</td><td><a id="p100196"></a>Доработка опытного образца установки контроля макродефектов (ЭМ-6079)</td><td><a id="p100198"></a>июль 1996 г. -<br>декабрь 1997 г.</td><td>80</td><td>340</td><td>-</td><td>420</td><td><a id="p100199"></a><a id="p100203"></a>Разработка технического задания.<br>Доработка установки контроля дефектов технологической обработки пластин, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100207"></a>10.</td><td><a id="p100208"></a>Установка измерения координат элементов топологии промежуточных шаблонов с контролем совмещаемости комплекта</td><td>июль 1996 г. -<br>август 1998 г.</td><td>75</td><td>975</td><td>125</td><td>1175</td><td><a id="p100212"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка установки, обеспечивающей контроль промежуточных шаблонов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств 16 - 64 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100222"></a>11.</td><td><a id="p100223"></a>Установка контроля профиля полупроводниковых структур с автоматической загрузкой</td><td>июль 1996 г. -<br>декабрь 1998 г.</td><td>50</td><td>730</td><td>270</td><td>1050</td><td><a id="p100226"></a><a id="p100230"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка установки контроля технологических структур, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100234"></a>12.</td><td><a id="p100235"></a>Модернизация установки измерения микроразмеров (ЭМ-6059)</td><td><a id="p100237"></a>август 1996 г. - июль 1998 г.</td><td>100</td><td>790</td><td>185</td><td>1075</td><td><a id="p100238"></a><a id="p100241"></a>Разработка технического задания.<br>Модернизация установки измерения микроразмеров, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td><a id="p100245"></a>13.</td><td><a id="p100246"></a>Зондовый автомат для пластин диаметром 200 мм и элементом контактирования 1 мкм</td><td>июль 1996 г. -<br>ноябрь 1998 г.</td><td>80</td><td>1160</td><td>815</td><td>2055</td><td><a id="p100249"></a><a id="p100252"></a>Разработка технического задания.<br>Разработка зондового автомата, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации.<br>Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска</td></tr>
<tr><td colspan="2"><a id="p100256"></a>ИТОГО:</td><td></td><td>2000</td><td>16000</td><td>6000</td><td>24000</td><td></td></tr>
</table>


<a id="p100258"></a>*Примечания.* 1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.
2. <a id="p100259"></a>Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным технологиям "Субмикро".



<a id="p100260"></a>

---