Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия Соглашения о своем намерении прекратить его действие.
Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого внутригосударственных процедур.
Совершено в ______________ «____» ______________ 1996 г. в двух экземплярах на русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.
За Правительство
Российской Федерации
За Правительство
Республики Белоруссия
Приложение
к Соглашению
между Правительством
Российской Федерации
и Правительством Республики
Белоруссия о сотрудничестве
в области создания оптико -
механического и контрольного
оборудования для производства
сверхбольших интегральных
схем с топологическими
элементами 0,8 — 0,5 мкм
СОВМЕСТНАЯ
РОССИЙСКО-БЕЛОРУССКАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА
«РАЗРАБОТКА И СОЗДАНИЕ ОПТИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО И КОНТРОЛЬНОГО
ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СВЕРХБОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ
СХЕМ С ТОПОЛОГИЧЕСКИМИ ЭЛЕМЕНТАМИ 0,8 — 0,5 МКМ»
Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются — СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).
Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.
Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям «Субмикро». Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны — научно-техническая ассоциация «Субмикро», с Белорусской Стороны — государственный научно — производственный концерн точного машиностроения «Планар».
Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8 — 0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.
Прецизионность — +/- 0,15 мкм
Погрешность совмещения — не более 0,15 мкм
Размер единичного модуля — 20 x 20 мм
Диаметр пластин — 150 мм
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) — не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
Производительность — не менее 40 пластин/час (диаметр — 150 мм, площадь единичного модуля — 400 кв. мм).
Прецизионность — +/- 0,1 мкм
Погрешность совмещения — не более 0,1 мкм
Размер единичного модуля — 15 x 20 мм
Диаметр пластин — 150 мм
Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) — не более 0,05 дефектов/кв. см на слой
Производительность — не менее 30 пластин/час (диаметр — 150 мм, площадь единичного модуля — 300 кв. мм).
степперы для СБИС 0,8 мкм;
степперы для СБИС 0,6 мкм;
степперы для СБИС 0,4 — 0,5 мкм.
5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.
5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.
5.4. Отработка технологических процессов — по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.
Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 — 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60 — 200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70 — 80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.
Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80 — 100 млрд. рублей в год в ценах мая 1995 г.
(млн. рублей, в ценах мая 1995 г.)
| Стороны | Затраты — всего | в том числе |
| 1996 г. | 1997 г. | 1998 г. | 1999 г. |
| Российская Федерация | 24000 | 2000 | 16000 | 6000 | - |
| Республика Белоруссия | 24000 | 2000 | 8000 | 10000 | 4000 |
Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.
Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20 — 25 степперов и 30 — 40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.
| Наименование оборудования | Сроки выполнения | Объемы финансирования (млн. рублей, в ценах мая 1995 г.) | Ожидаемые результаты |
| 1996 год | 1997 год | 1998 год | всего |
| 1. | Установка совмещения и мультипликации для изготовления СБИС технологического уровня 0,8 мкм (размер модуля 16 x 16 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм) | апрель 1996 г. — апрель 1998 г. | 650 | 2900 | 350 | 3900 | Разработка технического задания.
Разработка, изготовление и испытание двух опытных образцов, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 2. | Экспериментальная установка совмещения и мультипликации для изготовления СБИС технологического уровня 0,6 мкм (размеры модуля 15 x 15 мм и 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 20 x 20 мм) | апрель 1996 г. — декабрь 1998 г. | 300 | 1700 | 1200 | 3200 | Разработка технического задания.
Разработка, изготовление и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы |
| 3. | Экспериментальная установка совмещения и проекционного глубокого ультрафиолетового экспонирования с мультипликацией для исследования ультрабольших и сверхскоростных интегральных схем технологического уровня 0,5 мкм (разрешение 0,35 — 0,45 мкм, размер модуля 10 x 20 мм с проработкой возможности увеличения до 15 x 20 мм) | октябрь 1996 г. — декабрь 1998 г. | 50 | 2050 | 1900 | 4000 | Разработка технического задания.
Разработка, изготовление и испытание экспериментального образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение порядка дальнейшей работы |
| 4. | Установка лазерного устранения дефектов промежуточных шаблонов | июль 1996 г. — июнь 1998 г. | 50 | 1700 | 250 | 2000 | Разработка технического задания.
Разработка базовой установки комбинированной ретуши промежуточных шаблонов, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 5. | Доработка и изготовление установки контроля топологии на промежуточных шаблонах (ЭМ-6029А) с адаптацией к системе автоматизированного проектирования заказчика | июнь 1996 г. — май 1998 г. | 200 | 900 | 100 | 1200 | Разработка технического задания.
Доработка установки, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска установок контроля топологического рисунка для СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит |
| 6. | Установка автоматического контроля привносимых дефектов промежуточных шаблонов | август 1996 г. — декабрь 1998 г. | 60 | 1115 | 525 | 1700 | Разработка технического задания.
Разработка, изготовление и испытание опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 7. | Автоматизированный микроскоп для оперативного визуального контроля промежуточных шаблонов с пленочной защитой | июль 1996 г. -
декабрь 1998 г. | 125 | 840 | 210 | 1175 | Разработка технического задания.
Разработка микроскопа для контроля промежуточных шаблонов с пелликлами, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 8. | Доработка опытного образца установки контроля микродефектов на полупроводниковых пластинах (ЭМ-6069) с автоматизированной загрузкой | май 1996 г. — декабрь 1997 г. | 180 | 800 | 70 | 1050 | Разработка технического задания.
Доработка установки автоматического контроля дефектов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 9. | Доработка опытного образца установки контроля макродефектов (ЭМ-6079) | июль 1996 г. -
декабрь 1997 г. | 80 | 340 | - | 420 | Разработка технического задания.
Доработка установки контроля дефектов технологической обработки пластин, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 10. | Установка измерения координат элементов топологии промежуточных шаблонов с контролем совмещаемости комплекта | июль 1996 г. -
август 1998 г. | 75 | 975 | 125 | 1175 | Разработка технического задания.
Разработка установки, обеспечивающей контроль промежуточных шаблонов уровня СБИС динамических оперативных запоминающих устройств 16 — 64 мегабит, изготовление опытного образца, корректировка технической документации. Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 11. | Установка контроля профиля полупроводниковых структур с автоматической загрузкой | июль 1996 г. -
декабрь 1998 г. | 50 | 730 | 270 | 1050 | Разработка технического задания.
Разработка установки контроля технологических структур, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 12. | Модернизация установки измерения микроразмеров (ЭМ-6059) | август 1996 г. — июль 1998 г. | 100 | 790 | 185 | 1075 | Разработка технического задания.
Модернизация установки измерения микроразмеров, изготовление опытного образца, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| 13. | Зондовый автомат для пластин диаметром 200 мм и элементом контактирования 1 мкм | июль 1996 г. -
ноябрь 1998 г. | 80 | 1160 | 815 | 2055 | Разработка технического задания.
Разработка зондового автомата, изготовление двух опытных образцов, корректировка технической документации.
Принятие темы, определение объема дальнейшего выпуска |
| ИТОГО: | | 2000 | 16000 | 6000 | 24000 | |
Примечания. 1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.
2. Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением осуществляет научно-техническая ассоциация по микроэлектронным технологиям «Субмикро».