Постановление Правительства РФ от 22.04.2013 № 359
Правительство Российской Федерации · № 359 от 22.04.2013Действующий акт
Актуально на 30.10.2026.
Как цитировать: Постановление Правительства РФ от 22.04.2013 N 359. 359. 22.04.2013. https://bukva.ai/docs/postanovlenie-359-2013
«О внесении изменений в федеральную целевую программу „Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники“ на 2008 — 2015 годы»
ПРАВИТЕЛЬСТВО РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ от 22 апреля 2013 г. № 359
О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
Правительство Российской Федерации постановляет:
Утвердить прилагаемые изменения, которые вносятся в федеральную целевую программу «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы, утвержденную постановлением Правительства Российской Федерации от 26 ноября 2007 г. № 809 (Собрание законодательства Российской Федерации, 2007, № 51, ст. 6361; 2009, № 9, ст. 1130; 2011, № 38, ст. 5383).
ИЗМЕНЕНИЯ, КОТОРЫЕ ВНОСЯТСЯ В ФЕДЕРАЛЬНУЮ ЦЕЛЕВУЮ ПРОГРАММУ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
1. В паспорте Программы:
а) в абзаце пятом позиции, касающейся важнейших целевых индикаторов и показателей, цифры «114» заменить цифрами «112»;
б) в позиции, касающейся объемов и источников финансирования Программы:
в абзаце первом цифры «179224,366» заменить цифрами «175613,905»;
в абзаце втором цифры «106844,71» заменить цифрами «104663,296», цифры «63908,3» заменить цифрами «62686,506», цифры «42936,41» заменить цифрами «41976,79»;
в абзаце третьем цифры «72379,656» заменить цифрами «70950,609»;
в) в абзаце тринадцатом позиции, касающейся ожидаемых конечных результатов реализации Программы и показателей социально-экономической эффективности, цифры «203443,4» заменить цифрами «196247,7», цифры «131640» заменить цифрами «125754,3».
2. В абзаце четвертом подраздела, касающегося целевых индикатора и показателей реализации Программы, раздела II:
а) в предложении третьем слова «в 41 организации» заменить словами «в 43 организациях»;
б) предложение пятое изложить в следующей редакции: «Также к 2015 году в 19 организациях Министерства образования и науки Российской Федерации, Федерального космического агентства и Государственной корпорации по атомной энергии „Росатом“, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса, будут созданы центры проектирования, а в 15 — осуществлены реконструкция и техническое перевооружение.».
3. В разделе IV:
а) в абзаце первом цифры «179224,366» заменить цифрами «175613,905»;
б) в абзаце втором цифры «106844,71» заменить цифрами «104663,296»;
в) в абзаце третьем цифры «63908,3» заменить цифрами «62686,506»;
г) в абзаце четвертом цифры «42936,41» заменить цифрами «41976,79»;
д) в абзаце пятом цифры «72379,656» заменить цифрами «70950,609»;
е) в абзаце седьмом цифры «32500» заменить цифрами «32215,149».
4. В разделе VI:
а) в абзаце пятом цифры «203443,4» заменить цифрами «196247,7»;
б) в абзаце шестом цифры «64554,9» заменить цифрами «66746,5»;
в) в абзаце седьмом цифры «131640» заменить цифрами «125754,3»;
г) в абзаце девятом цифры «1,54» заменить цифрами «1,57».
5. Приложения № 1 - 4 к указанной Программе изложить в следующей редакции:
«Приложение № 1
к федеральной целевой программе
„Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники“
на 2008 — 2015 годы
(в редакции постановления
Правительства Российской Федерации
от 22 апреля 2013 г. № 359)»
ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
«РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| Единица измерения | 2007 год | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
|---|
Достигаемый технологический мкм 0,18 0,18 0,13 0,13 0,09 0,09 0,09 0,09 0,045 уровень электроники
Увеличение объемов продаж млрд. рублей 19 58 70 95 130 170 210 250 300 изделий электронной и радиоэлектронной техники
Количество разработанных базовых — 3 - 5 16 — 20 80 — 90 125 — 135 179 — 185 210 230 250 260 — 270 технологий в области электронной компонентной базы и радиоэлектроники (нарастающим итогом)
Количество объектов — 1 8 10 14 29 29 30 35 44 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - 1 1 1 3 4 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Госкорпорации «Росатом», производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - 1 2 4 6 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - 1 1 2 2 3 5 7 9 реконструкции и технического перевооружения производств для создания базовых центров системного проектирования в организациях Минобрнауки России, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - 1 5 8 18 22 34 37 96 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Минпромторга России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - 1 1 1 1 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях ФСТЭК России (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - — 1 1 8 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Госкорпорации «Росатом», производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество объектов — - - — - - — - - 7 реконструкции и технического перевооружения радиоэлектронных производств в организациях Роскосмоса, производящих продукцию в интересах радиоэлектронного комплекса (нарастающим итогом)
Количество завершенных поисковых — 1 3 9 9 — 10 10 — 12 12 — 14 14 — 16 16 — 18 20 — 22 технологических научно- исследовательских работ (нарастающим итогом)
Количество реализованных — 4 11 — 12 16 — 20 22 — 25 36 — 40 41 — 45 45 — 50 50 — 55 55 — 60 мероприятий по созданию электронной компонентной базы, соответствующей мировому уровню (типов, классов новой электронной компонентной базы) (нарастающим итогом)
Количество создаваемых рабочих - 450 1020 - 1800 - 3000 - 3800 - 4100 - 4400 - 4700 - 5000 - мест (нарастающим итогом) 1050 2200 3800 4100 4400 4700 5000 6000
Приложение № 2
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции постановления
Правительства Российской Федерации
от 22 апреля 2013 г. № 359)
ПЕРЕЧЕНЬ
МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ
ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»
НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| 2008 — 2015 | В том числе | |||||||
| годы — всего | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы
Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника
производства мощных ------- -- ------ технологии
сверхвысокочастотных 84 44 40 производства мощных
транзисторов на основе сверхвысокочастотных
гетероструктур материалов транзисторов на
группы A B основе гетероструктур
3 5 материалов группы
A B для бортовой и
3 5
наземной аппаратуры
(2009 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии производства --- ---- ---- ----- ---- ----- технологии
монолитных сверхвысоко- 134 20 26 35,5 21,2 31,3 производства
частотных микросхем и монолитных
объемных приемо-передающих сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных микросхем и объемных
субмодулей X-диапазона приемо-передающих
сверхвысокочастотных
субмодулей X-
диапазона на основе
гетероструктур
материалов группы
A B для бортовой и
3 5
наземной аппаратуры
радиолокации, средств
связи (2013 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии производства ------- ------ -- производства мощных
мощных сверхвысоко- 134,75 87,75 47 транзисторов
частотных сверхвысокочастотного
полупроводниковых приборов диапазона на основе
на основе нитридных нитридных
гетероэпитаксиальных гетероэпитаксиальных
структур структур для техники
связи, радиолокации
(2009 год)
технологии и библиотеки --- -- ---- ----- --- ---- производства на
элементов для 375 17 65 109 80 104 основе нитридных
проектирования и гетероэпитаксиальных
производства монолитных структур мощных
интегральных схем сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотного монолитных
диапазона на основе интегральных схем с
нитридных рабочими частотами до
гетероэпитаксиальных 20 ГГц для техники
структур связи, радиолокации
(2013 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии производства ------- ------ ---- технологии
сверхвысокочастотных 101,7 59,7 42 производства
компонентов и сложно- компонентов для
функциональных блоков для сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных интегральных схем
интегральных схем высокой диапазона 2 - 12 ГГц
степени интеграции на с высокой степенью
основе гетероструктур интеграции для
"кремний - германий" аппаратуры
радиолокации и связи
бортового и наземного
применения, а также
бытовой и
автомобильной
электроники (2009
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии производства ------ --- ---- ------ технологии
сверхвысокочастотных 158,1 5 35 118,1 производства
интегральных схем высокой сверхвысокочастотных
степени интеграции на интегральных схем
основе гетероструктур диапазона 2 - 12 ГГц
"кремний - германий" с высокой степенью
интеграции для
аппаратуры
радиолокации и связи
бортового и наземного
применения, а также
бытовой и
автомобильной
электроники (2011
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
библиотек сложно- ------- --- ------- аттестованных
функциональных блоков для 308,75 169 139,75 библиотек
проектирования сложнофункциональных
сверхвысокочастотных и блоков для
радиочастотных проектирования
интегральных схем на широкого спектра
основе гетероструктур сверхвысокочастотных
"кремний - германий" интегральных схем на
SiGe с рабочими
частотами до 150 ГГц,
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации,
ввод в эксплуатацию
производственной
линии
технологий проектирования ------ -- ----- ----- ---- ---- технологий
кремний-германиевых 142 30 52 39,3 11,3 9,4 проектирования на
сверхвысокочастотных и основе библиотеки
радиочастотных сложнофункциональных
интегральных схем на блоков широкого
основе аттестованной спектра
библиотеки сложно- сверхвысокочастотных
функциональных блоков интегральных схем на
SiGe с рабочими
частотами до 150 ГГц
(2013 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологий производства ----- -- ---- технологий
элементной базы для ряда 74 40 34 производства
силовых герметичных элементной базы для
модулей высокоплотных высокоплотных
источников вторичного источников вторичного
электропитания вакуумных и электропитания
твердотельных сверхвысоко- сверхвысокочастотных
частотных приборов и узлов приборов и узлов
аппаратуры аппаратуры (2009
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологий производства ------- ------ ---- конструкций и
ряда силовых герметичных 73,1 41,5 31,6 технологии
модулей высокоплотных производства
источников вторичного высокоэффективных,
электропитания вакуумных и высокоплотных
твердотельных сверхвысоко- источников вторичного
частотных приборов и узлов электропитания
аппаратуры сверхвысокочастотных
приборов и узлов
аппаратуры на основе
гибридно-пленочной
технологии с
применением
бескорпусной
элементной базы (2011
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
конструкций и технологии --- ----- ---- массового
производства корпусов 152 102 50 производства ряда
мощных сверхвысоко- корпусов мощных
частотных транзисторов X-, сверхвысокочастотных
C-, S-, L- и P-диапазонов приборов для
из малотоксичных "бессвинцовой" сборки
материалов с высокой (2009 год),
теплопроводностью разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
конструкций теплоотводящих ---- -- ---- -- конструктивных рядов
элементов систем 55 8 27 20 элементов систем
охлаждения сверхвысоко- охлаждения аппаратуры
частотных приборов X- и C- X- и C-диапазонов
диапазонов на основе новых наземных, корабельных
материалов и воздушно-
космических
комплексов
технологии производства --- -- -- массового
теплоотводящих элементов 62 32 30 производства
систем охлаждения конструктивного ряда
сверхвысокочастотных элементов систем
приборов X- и C-диапазонов охлаждения аппаратуры
на основе новых материалов X- и C-диапазонов
наземных, корабельных
и воздушно-
космических
комплексов (2011
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологий производства -- -- массового
суперлинейных кремниевых 8 8 производства
сверхвысокочастотных конструктивного ряда
транзисторов S- и L- сверхвысокочастотных
диапазонов транзисторов S- и L-
диапазонов для
техники связи,
локации и контрольной
аппаратуры (2009
год), разработка
комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
параметрического ряда ----- ----- -- конструктивно-
суперлинейных кремниевых 115,9 69,9 46 параметрического ряда
сверхвысокочастотных сверхвысокочастотных
транзисторов S- и L- транзисторов S- и L-
диапазонов диапазонов для
техники связи,
локации и контрольной
аппаратуры,
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
измерений и базовых -- -- -- метрологической
конструкций установок 22 12 10 аппаратуры нового
автоматизированного поколения для
измерения параметров исследования и
нелинейных моделей контроля параметров
сверхвысокочастотных полупроводниковых
полупроводниковых структур, активных
структур, мощных элементов и
транзисторов и сверхвысокочастотных
сверхвысокочастотных монолитных
монолитных интегральных интегральных схем в
схем X-, C-, S-, L- и P- производстве и при их
диапазонов для их использовании
массового производства
базовых технологий для ------- ------ ---- унифицированных
создания нового поколения 102 59 43 сверхширокополосных
мощных вакуумно- приборов среднего и
твердотельных сверхвысоко- большого уровня
частотных приборов и мощности
гибридных малогабаритных сантиметрового
сверхвысокочастотных диапазона длин волн и
модулей с улучшенными сверхвысокочастотных
массогабаритными магнитоэлектрических
характеристиками, приборов для
магнитоэлектрических перспективных
приборов сверхвысоко- радиоэлектронных
частотного диапазона, в систем и аппаратуры
том числе циркуляторов и связи космического
фазовращателей, вентилей, базирования (2009
высокодобротных год), разработка
резонаторов, комплектов
перестраиваемых фильтров, документации в
микроволновых приборов со стандартах единой
спиновым управлением для системы
перспективных конструкторской,
радиоэлектронных систем технологической и
двойного назначения производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
конструкций и технологии ------ ---- ----- конструктивных рядов
производства нового 85,3 58 27,3 и базовых технологий
поколения мощных вакуумно- производства
твердотельных сверхвысоко- сверхширокополосных
частотных приборов и приборов среднего и
гибридных малогабаритных большого уровня
сверхвысокочастотных мощности
модулей с улучшенными сантиметрового
массогабаритными диапазона длин волн и
характеристиками, сверхвысокочастотных
магнитоэлектрических магнитоэлектрических
приборов приборов для
сверхвысокочастотного перспективных
диапазона, в том числе радиоэлектронных
циркуляторов и систем и аппаратуры
фазовращателей, вентилей, связи космического
высокодобротных базирования (2011
резонаторов, год), разработка
перестраиваемых фильтров, комплектов
микроволновых приборов со документации в
спиновым управлением для стандартах единой
перспективных системы
радиоэлектронных систем конструкторской,
двойного назначения технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
процессов и базовых ----- ---- -- технологических
технологий нанопленочных 75,5 45,5 30 процессов
малогабаритных производства
сверхвысокочастотных нанопленочных
резисторно-индуктивно- малогабаритных
емкостных матриц сверхвысокочастотных
многофункционального резисторно-
назначения для печатного индуктивно-
монтажа и сверхбыстродей- емкостных матриц
ствующих (до 150 ГГц) многофункционального
приборов на наногетеро- назначения для
структурах с квантовыми печатного монтажа
эффектами (2008 год), создание
базовой технологии
получения
сверхбыстродействующих
(до 150 ГГц)
приборов на
наногетероструктурах
с квантовыми
эффектами (2009 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации,
ввод в эксплуатацию
производственной
линии
конструкций и технологий ----- --- ----- конструктивных рядов
производства нанопленочных 53 30 23 и базовых технологий
малогабаритных производства
сверхвысокочастотных нанопленочных
резисторно-индуктивно- малогабаритных
емкостных матриц сверхвысокочастотных
многофункционального резисторно-
назначения для печатного индуктивно-
монтажа емкостных матриц
многофункционального
назначения для
печатного монтажа
(2011 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии сверхвысоко- -------- ------- ------- технологии
частотных p-i-n диодов, 88 42 46 производства
матриц, узлов управления и элементов и
портативных фазированных специальных элементов
блоков аппаратуры и блоков портативной
миллиметрового диапазона аппаратуры
длин волн на основе миллиметрового
магнитоэлектронных диапазона длин волн
твердотельных и для нового поколения
высокоскоростных цифровых средств связи,
приборов и устройств с радиолокационных
функциями адаптации и станций,
цифрового радионавигации,
диаграммообразования измерительной
техники,
автомобильных
радаров, охранных и
сигнальных устройств
(2009 год),
разработка комплектов
документации в
стандартах единой
системы
конструкторской,
технологической и
производственной
документации, ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологий создания мощных --------- ---- ------- -------- ------ ---- ------ ------- ------ конструктивных рядов
вакуумных сверхвысоко- 1528,566 230 193,1 226,98 253,9 210 124,8 140,086 149,7 и базовых технологий
частотных устройств проектирования и
производства мощных и
сверхмощных вакуумных
сверхвысокочастотных
приборов для
аппаратуры широкого
назначения нового
поколения (2009 год,
2011 год), включая
разработку
конструкций
многолучевых
электронно-оптических
систем, включая
автоэмиссионные
катоды повышенной
мощности и
долговечности (2012
год), мощных
широкополосных ламп
бегущей волны
импульсного и
непрерывного
действия,
магнетронов, тетродов
миллиметрового
диапазона (2013 год),
малогабаритных
ускорителей
электронов с энергией
до 10 МЭВ для
терапевтических и
технических
приложений (2014 год)
- Разработка базовых 1658,481 158,001 253,012 296,269 293,55 287,35 122,05 109,875 138,374 создание базовых
технологий создания мощных -------- ------- -------- -------- ------ ------- ------- -------- ------- конструкций и
твердотельных сверхвысоко- 1094,1 103 166,5 192,4 195,7 189,9 81,1 73,25 92,25 технологий
частотных устройств на изготовления
базе нитрида галлия сверхвысокочастотных
мощных приборов на
структурах с
использованием
нитрида галлия (2008
год, 2010 год),
включая:
создание
гетеропереходных
полевых транзисторов
с барьером Шоттки с
удельной мощностью до
3 - 4 Вт/мм и
рабочими напряжениями
до 30 В, исследования
и разработку
технологий получения
гетероструктур на
основе слоев нитрида
галлия на изоляторе и
высокоомных подложках
(2013 год),
разработку технологии
получения
интегральных схем,
работающих в
экстремальных
условиях (2015 год)
типов сверхвысоко- -------- ------ ------ ------ ------- ------- технологических
частотных приборов и 698,32 106,8 67,02 183 199,25 142,25 принципов
структур, разработка формирования
технологических принципов перспективных
их изготовления сверхвысокочастотных
приборов и структур,
включая создание
наногетероструктур,
использование
комбинированных
(электронных и
оптических методов
передачи и
преобразования
сигналов),
определение
перспективных методов
формирования
приборных структур,
работающих в
частотных диапазонах
до 200 ГГц
методов проектирования и -------- ----- ------ ------ ------- ------ состава прикладных
моделирования 684,4 32,8 224,7 147,6 161,5 117,8 программ
сложнофункциональной проектирования и
сверхвысокочастотной оптимизации
электронной компонентной сверхвысокочастотной
базы электронной
компонентной базы,
включая
проектирование
активных приборов,
полосковых линий
передачи, согласующих
компонентов,
формируемых в едином
технологическом
процессе
Всего по направлению 1 9697,875 1485,57 1392,821 1375,395 1603,5 1205,35 1021,1 861,134 753,005 --------- -------- -------- -------- ------ -------- -------- -------- -------- 6409,486 993,95 929,35 855,78 1069 804,12 681,2 574,086 502
Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база
технологии радиационно ------- --- ------ изготовления
стойких сверхбольших 79,65 38 41,65 микросхем на
интегральных схем уровня структурах "кремний
0,5 мкм на структурах на сапфире" диаметром
"кремний на сапфире" 150 мм (2009 год),
диаметром 150 мм разработка правил
проектирования
базовых библиотек
элементов и блоков
цифровых и аналоговых
сверхбольших
интегральных схем
расширенной
номенклатуры для
организации
производства
радиационно стойкой
элементной базы,
обеспечивающей выпуск
специальной
аппаратуры и систем,
работающих в
экстремальных
условиях (атомная
энергетика, космос,
военная техника)
технологии радиационно ------- ----- ------ ---- ----- изготовления
стойких сверхбольших 188,1 19,6 113,5 37,2 17,8 микросхем с размерами
интегральных схем уровня элементов 0,35 мкм на
0,35 мкм на структурах структурах "кремний
"кремний на сапфире" на сапфире" диаметром
диаметром 150 мм 150 мм (2013 год),
разработка правил
проектирования
базовых библиотек
элементов и блоков
цифровых и аналоговых
сверхбольших
интегральных схем,
обеспечивающих
создание расширенной
номенклатуры
быстродействующей и
высокоинтегрированной
радиационно стойкой
элементной базы
проектирования и -------- ---- ------- технологического
конструктивно- 164 87 77 базиса (технология
технологических решений проектирования,
библиотеки логических и базовые технологии),
аналоговых элементов, позволяющего
оперативных запоминающих разрабатывать
устройств, постоянных радиационно стойкие
запоминающих устройств, сверхбольшие
сложнофункциональных интегральные схемы на
радиационно стойких блоков структурах "кремний
контроллеров по технологии на изоляторе" с
"кремний на изоляторе" с проектной нормой до
проектными нормами до 0,25 0,25 мкм (2009 год)
мкм
проектирования и ------ ----- ------ ----- ----- технологического
конструктивно- 235 54,3 110,7 52,6 17,4 базиса (технология
технологических решений проектирования,
библиотеки логических и базовые технологии),
аналоговых элементов, позволяющего
оперативных запоминающих разрабатывать
устройств, постоянных радиационно стойкие
запоминающих устройств, сверхбольшие
сложнофункциональных интегральные схемы на
радиационно стойких блоков структурах "кремний
контроллеров по технологии на изоляторе" с
"кремний на изоляторе" с проектной нормой до
проектными нормами до 0,18 0,18 мкм
мкм
технологических процессов ------- --- ------ технологического
изготовления радиационно 97,65 63 34,65 процесса изготовления
стойкой элементной базы сверхбольших
для сверхбольших интегральных схем
интегральных схем энергонезависимой,
энергозависимой радиационно стойкой
пьезоэлектрической и сегнетоэлектрической
магниторезистивной памяти памяти уровня 0,35
с проектными нормами 0,35 мкм и базовой
мкм и пассивной технологии создания,
радиационно стойкой изготовления и
элементной базы аттестации
радиационно стойкой
пассивной электронной
компонентной базы
(2009 год)
технологических процессов ------- ----- ------ ------ ---- технологического
изготовления радиационно 159,2 37,3 86,9 28,2 6,8 процесса изготовления
стойкой элементной базы сверхбольших
для сверхбольших интегральных схем
интегральных схем энергонезависимой
энергозависимой радиационно стойкой
пьезоэлектрической и сегнетоэлектрической
магниторезистивной памяти памяти уровня 0,18
с проектными нормами 0,18 мкм (2010 год) и
мкм и пассивной создания,
радиационно стойкой изготовления и
элементной базы аттестации
радиационно стойкой
пассивной электронной
компонентной базы
(2013 год)
"кремний на сапфире" -------- ------- ------ расширенного ряда
изготовления ряда 73 38 35 цифровых процессоров,
лицензионно-независимых микро-контроллеров,
радиационно стойких оперативных
комплементарных полевых запоминающих
полупроводниковых программируемых и
сверхбольших интегральных перепрограммируемых
схем цифровых процессоров устройств, аналого-
обработки сигналов, цифровых
микроконтроллеров и схем преобразователей в
интерфейса радиационно стойком
исполнении для
создания специальной
аппаратуры нового
поколения
структур с ультратонким -------- ------ ------ ----- ----- проектирования и
слоем кремния на сапфире 231,7 39,8 126,9 48,4 16,6 изготовления
микросхем и
сложнофункциональных
блоков на основе
ультратонких слоев на
структуре "кремний на
сапфире", позволяющей
разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие
интегральные схемы с
высоким уровнем
радиационной
стойкости (2013 год)
технологии и приборно- ------- --- ------- конструкции и модели
технологического базиса 73,15 40 33,15 интегральных
производства радиационно элементов и
стойких сверхбольших технологического
интегральных схем "система маршрута изготовления
на кристалле", радиационно радиационно стойких
стойкой силовой сверхбольших
электроники для аппаратуры интегральных схем
питания и управления типа "система на
кристалле" с
расширенным
температурным
диапазоном, силовых
транзисторов и
модулей для бортовых
и промышленных систем
управления с
пробивными
напряжениями до 75 В
и рабочими токами
коммутации до 10 А
(2009 год)
радиационно стойких ------ ----- ------- микронанотриодов и
интегральных схем на 50,6 26,1 24,5 микронанодиодов с
основе полевых эмиссионных наивысшей
микронанотриодов радиационной
и микронанодиодов стойкостью для
долговечной
аппаратуры
космического
базирования
базы радиационно стойкой ------- ----- ---- ---- ------ моделей расчета
электронной компонентной 167,3 10,7 16,6 61,6 78,4 радиационной
базы, содержащей модели стойкости электронной
интегральных компонентов, компонентной базы для
функционирующих в условиях определения
радиационных воздействий, технически
создание математических обоснованных норм
моделей стойкости испытаний
электронной компонентной
базы, создание методик
испытаний и аттестации
электронной компонентной
базы
стандартных элементов и -------- ---- ------ ------ -------- ------- проектирования и
сложнофункциональных 577,531 70 123 167,5 133,531 83,5 изготовления
блоков для создания микросхем и
радиационно стойких сложнофункциональных
сверхбольших интегральных блоков на основе
схем ультратонких слоев на
структуре "кремний на
сапфире", позволяющей
разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие
интегральные схемы с
высоким уровнем
радиационной
стойкости (2012 год,
2015 год)
ряда радиационно стойких -------- ------ ---- ------- -------- -------- расширенного ряда
сверхбольших интегральных 625,825 125 123 94 153,5 130,325 цифровых процессоров,
схем для специальной микро-контроллеров,
аппаратуры связи, оперативных
обработки и передачи запоминающих
информации, систем программируемых и
управления перепрограммируемых
устройств, аналого-
цифровых
преобразователей в
радиационно стойком
исполнении для
создания специальной
аппаратуры нового
поколения, разработка
конструкции и модели
интегральных
элементов и
технологического
маршрута изготовления
радиационно стойких
сверхбольших
интегральных схем
типа "система на
кристалле" с
расширенным
температурным
диапазоном, силовых
транзисторов и
модулей для бортовых
и промышленных систем
управления с
пробивными
напряжениями до 75 В
и рабочими токами
коммутации до 10 А,
создание ряда
микронанотриодов и
микронанодиодов с
наивысшей
радиационной
стойкостью для
долговечной
аппаратуры
космического
базирования
совершенствование методов ---- --- ---- ------- ------- ------ моделей расчета
моделирования и 625 50 183 140,5 124,5 127 радиационной
проектирования радиационно стойкости электронной
стойкой элементной базы компонентной базы для
определения
технически
обоснованных норм
испытаний
совершенствование базовых -------- ---- --- ------ ------- ----- технологического
технологий и конструкций 629,7 120 123 113,5 139,7 133,5 базиса (технология
радиационно стойких проектирования,
сверхбольших интегральных базовые технологии),
схем на структурах позволяющего
"кремний на сапфире" и разрабатывать
"кремний на изоляторе" с радиационно стойкие
топологическими нормами не сверхбольшие
менее 0,18 мкм интегральные схемы на
структурах "кремний
на сапфире" с
проектной нормой не
менее 0,18 мкм (2014
год), создание
технологического
базиса (технология
проектирования,
базовые технологии),
позволяющего
разрабатывать
радиационно стойкие
сверхбольшие
интегральные схемы на
структурах "кремний
на изоляторе" с
проектной нормой не
менее 0,18 мкм (2015
год)
Всего по направлению 2 6016,817 427,809 344,371 326,752 1229,5 1163,7 980,6 826,847 717,238 --------- -------- -------- -------- ------ ------- ------- -------- -------- 3977,406 292,1 245,95 161,7 819,6 780 652,5 551,231 474,325
Направление 3. Микросистемная техника
технологий микро- -------- -------- ------- технологий (2009 год)
электромеханических систем 117,9 105,9 12 и комплектов
технологической
документации на
изготовление
микроэлектромеха-
нических систем
контроля давления,
микроакселерометров
с чувствительностью
по двум и трем осям,
микромеханических
датчиков угловых
скоростей,
микроактюаторов
конструкций микроэлектро- -------- ------- ------- ---- ----- ------ конструкций и
механических систем 263,8 42,1 49,7 72 55 45 комплектов
необходимой
конструкторской
документации на
изготовление
чувствительных
элементов и
микросистем контроля
давления,
микроакселерометров,
микромеханических
датчиков угловых
скоростей,
микроактюаторов с
напряжением
управления,
предназначенных для
использования в
транспортных
средствах,
оборудовании
топливно-
энергетического
комплекса,
машиностроении,
медицинской технике,
робототехнике,
бытовой технике
технологий микроакусто- -------- -------- -------- --- технологий (2009 год)
электромеханических систем 132,15 78,55 29,6 24 и комплектов
необходимой
технологической
документации на
изготовление
микроакустоэлект-
ромеханических
систем, основанных на
использовании
поверхностных
акустических волн
(диапазон частот до 2
ГГц) и объемно-
акустических волн
(диапазон частот до 8
ГГц),
пьезокерамических
элементов,
совместимых с
интегральной
технологией
микроэлектроники
конструкций микро- -------- --- -------- ----- -------- конструкций и
акустоэлектромеханических 258,8 28 60,3 59 111,5 комплектов
систем необходимой
конструкторской
документации на
изготовление
пассивных датчиков
физических величин
микроакселерометров,
микрогироскопов на
поверхностных
акустических волнах,
датчиков давления и
температуры, датчиков
деформации, крутящего
момента и
микроперемещений,
резонаторов
технологий --- --- технологий
микроаналитических систем 25 25 изготовления
элементов
микроаналитических
систем,
чувствительных к
газовым, химическим и
биологическим
компонентам внешней
среды,
предназначенных для
использования в
аппаратуре жилищно-
коммунального
хозяйства, в
медицинской и
биомедицинской
технике для
обнаружения
токсичных, горючих и
взрывчатых материалов
конструкций ---- --- --- --- конструкций
микроаналитических систем 78 20 40 18 микроаналитических
систем,
предназначенных для
аппаратуры жилищно-
коммунального
хозяйства,
медицинской и
биомедицинской
техники, разработка
датчиков и
аналитических систем
миниатюрных размеров
с высокой
чувствительностью к
сверхмалым
концентрациям
химических веществ
для осуществления
мониторинга
окружающей среды,
контроля качества
пищевых продуктов и
контроля утечек
опасных и вредных
веществ в
технологических
процессах
технологий микро- ------- ------ ------- технологий выпуска
оптоэлектромеханических 27 10,2 16,8 трехмерных оптических
систем и акустооптических
функциональных
элементов,
микрооптоэлектро-
механических систем
для коммутации и
модуляции оптического
излучения,
акустооптических
перестраиваемых
фильтров, двухмерных
управляемых матриц
микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей (2009
год)
конструкций -------- ------ ------- --- конструкций и
микрооптоэлектро- 70 21 31 18 комплектов
механических систем конструкторской
документации на
изготовление
микрооптоэлектро-
механических систем
коммутации и
модуляции оптического
излучения
технологий микросистем ------- ------- технологий
анализа магнитных полей 36 36 изготовления
микросистем анализа
магнитных полей на
основе анизотропного
и гигантского
магниторезистивного
эффектов,
квазимонолитных и
монолитных
гетеромагнитных
пленочных структур
(2008 год)
конструкций микросистем -------- ------- --- --- конструкций и
анализа магнитных полей 98,018 22,018 62 14 комплектов
конструкторской
документации на
магниточувствительные
микросистемы для
применения в
электронных системах
управления приводами,
в датчиках положения
и потребления,
бесконтактных
переключателях
технологий радиочастотных -------- ------- ------- в производстве
микроэлектромеханических 80,662 28,45 52,212 базовых технологий
систем изготовления
радиочастотных
микроэлектромеха-
нических систем и
компонентов,
включающих микрореле,
коммутаторы,
микропереключатели
(2009 год)
конструкций радиочастотных -------- ----- ------ ---- конструкций и
микроэлектромеханических 96 25 42 29 комплектов
систем конструкторской
документации на
изготовление
радиочастотных
микроэлектромеха-
нических систем и
компонентов,
позволяющих получить
резкое улучшение
массогабаритных
характеристик,
повышение
технологичности и
снижение стоимости
изделий
средств обеспечения ------ ------ средств контроля и
создания и производства 22,8 22,8 измерения параметров
изделий микросистемной и характеристик
техники изделий
микросистемотехники,
разработка комплектов
стандартов и
нормативных
документов по
безопасности и
экологии
технологий и конструкций ------- --- --- --- ------- технологий выпуска
микрооптоэлектро- 753,5 230 210 171 142,5 трехмерных оптических
механических систем для и акустооптических
оптической аппаратуры, функциональных
систем отображения элементов,
изображений, научных микрооптоэлектро-
исследований и специальной механических систем
техники для коммутации и
модуляции оптического
излучения (2012 год),
акустооптических
перестраиваемых
фильтров (2012 год),
двухмерных
управляемых матриц
микрозеркал
микропереключателей и
фазовращателей (2013
год), разработка
базовых технологий,
конструкций и
комплектов
конструкторской
документации на
изготовление
микрооптоэлектро-
механических систем
коммутации и
модуляции оптического
излучения (2015 год)
совершенствование методов ------ --- ----- ----- ------ ------ средств контроля и
и средств контроля, 617 100 175 95 142,5 104,5 измерения параметров
испытаний и аттестации и характеристик
изделий микросистемо- изделий
техники микросистемотехники,
разработка комплектов
стандартов и
нормативных
документов по
безопасности и
экологии
технологий и конструкций --- --- ----- ------ ------ перспективных
микроаналитических систем 618 240 169 104,5 104,5 технологий
для аппаратуры контроля и изготовления
обнаружения токсичных, элементов
горючих, взрывчатых и микроаналитических
наркотических веществ систем,
чувствительных к
газовым, химическим и
биологическим
компонентам внешней
среды,
предназначенных для
использования в
аппаратуре жилищно-
коммунального
хозяйства (2012 год,
2013 год, 2014 год)
Всего по направлению 3 5041,3 476,964 466,233 442,103 465 1050 986,75 627 527,25 -------- ------- ------- ------- --- ---- ------ --- ------ 3294,63 306,9 268,73 285 310 700 654,5 418 351,5
Направление 4. Микроэлектроника
развитие методологии ------- ----- ------ нормативно-
проектирования изделий 178,4 129,5 48,9 технической
микроэлектроники: документации по
разработка и освоение проектированию
современной технологии изделий
проектирования микроэлектроники,
универсальных создание отраслевой
микропроцессоров, базы данных с
процессоров обработки каталогами
сигналов, микро- библиотечных
контроллеров и "системы на элементов и
кристалле" на основе сложнофункциональных
каталогизированных блоков с
сложнофункциональных каталогизированными
блоков и библиотечных результатами
элементов, в том числе аттестации на
создание отраслевой базы физическом уровне,
данных и технологических разработка комплекта
файлов для нормативно-
автоматизированных систем технической и
проектирования, освоение и технологической
развитие технологии документации по
проектирования для взаимодействию
обеспечения центров
технологичности проектирования в
производства и стабильного сетевом режиме
выхода годных в целях
размещения заказов на
современной базе
контрактного производства
с технологическим уровнем
до 0,13 мкм
базовой технологии ------ ---- ------ технологической
производства фотошаблонов 22,7 14,7 8 документации и
с технологическим уровнем организационно-
до 0,13 мкм в целях распорядительной
обеспечения информационной документации по
защиты проектов изделий взаимодействию
микроэлектроники при центров
использовании контрактного проектирования и
производства центра изготовления
(отечественного и фотошаблонов
зарубежного)
серий изделий ------- ------- ------- документации в
микроэлектроники: 490,2 190,1 300,1 стандартах единой
универсальных системы
микропроцессоров для конструкторской,
встроенных применений, технологической и
универсальных производственной
микропроцессоров для документации,
серверов и рабочих изготовление опытных
станций, цифровых образцов изделий и
процессоров обработки организация серийного
сигналов, сверхбольших производства
интегральных схем,
программируемых
логических интегральных
схем, сверхбольших
интегральных схем
быстродействующей
динамической и статической
памяти, микро-контроллеров
со встроенной
энергонезависимой
электрически
программируемой памятью,
схем интерфейса
дискретного ввода/вывода,
схем аналогового
интерфейса,
цифроаналоговых и аналого-
цифровых преобразователей
на частотах выше 100 МГц с
разрядностью более 8 - 12
бит, схем приемо-
передатчиков шинных
интерфейсов, изделий
интеллектуальной силовой
микроэлектроники для
применения в аппаратуре
промышленного и бытового
назначения, встроенных
интегральных источников
питания
серийных технологий -------- -------- ------ --- документации в
изделий микроэлектроники: 1299 592,3 616,7 90 стандартах единой
цифроаналоговых и аналого- системы
цифровых преобразователей конструкторской,
на частотах выше 100 МГц с технологической и
разрядностью более 14 - 16 производственной
бит, микроэлектронных документации,
устройств различных типов, изготовление опытных
включая сенсоры с образцов изделий и
применением наноструктур и организация серийного
биосенсоров, сенсоров на производства
основе магнито-
электрических и
пьезоматериалов,
встроенных интегральных
антенных элементов для
диапазонов частот 5 ГГц,
10 - 12 ГГц, систем на
кристалле, в том числе в
гетероинтеграции сенсорных
и исполнительных элементов
методом беспроводной
сборки с применением
технологии матричных
жестких выводов
освоение производства ------- ----- ------ документации в
изделий микроэлектроники с 308,8 168,3 140,5 стандартах единой
технологическим уровнем системы
0,13 мкм конструкторской,
технологической
документации и ввод в
эксплуатацию
производственной
линии
технологии формирования ------ --- --- --- ------ документации в
многослойной разводки 587,3 102 240 99 146,3 стандартах единой
(7 - 8 уровней) системы
сверхбольших интегральных конструкторской,
схем на основе Al и Cu технологической и
производственной
документации,
ввод в эксплуатацию
производственной
линии
организация производства ------- ------- ------- ----- документации в
многокристальных 288,9 101 110,9 77 стандартах единой
микроэлектронных модулей системы
для мобильных применений с конструкторской,
использованием полимерных технологической и
и металлополимерных производственной
микроплат и носителей документации,
ввод в эксплуатацию
производственной
линии
технологических испытаний ----- -- ---- технологической и
изделий микроэлектроники, 133,8 67 66,8 производственной
гарантирующих их документации, ввод в
повышенную надежность в эксплуатацию
процессе долговременной специализированных
(более 100000 часов) участков
эксплуатации, на основе
использования типовых
оценочных схем и тестовых
кристаллов
методов анализа отказов ------ ----- ------ документации, включая
изделий микроэлектроники с 243,77 131,9 111,87 утвержденные
применением отраслевые методики,
ультраразрешающих методов ввод в эксплуатацию
(ультразвуковая модернизированных
гигагерцовая микроскопия, участков и
сканирование синхротронным лабораторий анализа
излучением, атомная и отказов
туннельная силовая
микроскопия, электронно- и
ионно-лучевое зондирование
и другие)
субмикронных технологий -------- --- ------ --- ------- сверхбольших
уровней 0,065 - 0,045 мкм 773,55 200 236,3 190 147,25 интегральных схем,
создание базовой
технологии
формирования
многослойной разводки
сверхбольших
интегральных схем
топологического
уровня 0,065 - 0,045
мкм (2015 год),
освоение и развитие
технологии
проектирования и
изготовления для
обеспечения
технологичности
производства и
стабильного выхода
годных изделий, а
также в целях
размещения заказов на
современной базе
контрактного
производства с
технологическим
уровнем до 0,045 мкм,
разработка комплекта
технологической
документации и
организационно-
распорядительной
документации по
взаимодействию
центров
технологических процессов ------- --- ------ ------- ------ сверхбольших
и структур для 894,45 245 245,7 223,25 180,5 интегральных схем
субмикронных технологий технологических
уровней 0,032 мкм уровней 65 - 45 нм,
организация опытного
производства и
исследование
технологических
уровней 0,032 мкм
(2015 год)
технологий и конструкций ------- ------ ----- --- ------- ------- конструкций
изделий интеллектуальной 928,84 110,7 261,8 212 197,25 147,09 перспективных изделий
силовой электроники для интеллектуальной
применения в аппаратуре силовой
бытового и промышленного микроэлектроники для
назначения, на транспорте, применения в
в топливно-энергетическом аппаратуре
комплексе и в специальных промышленного и
системах бытового назначения,
создание встроенных
интегральных
источников питания
(2013 - 2015 годы)
технологий сборки ------- --- ----- --- ------ ------ перспективной
сверхбольших интегральных 1072,36 200 224,2 123 275,5 249,66 технологии
схем в многовыводные многокристальных
корпуса, в том числе микроэлектронных
корпуса с матричным модулей для мобильных
расположением выводов, и применений с
технологий использованием
многокристальной сборки, полимерных и
включая создание "систем металлополимерных
в корпусе" микроплат и носителей
(2015 год)
Всего по направлению 4 11409,539 1096,636 1257,803 1494,39 1913,5 1741,1 1490,35 1329,005 1086,755 --------- -------- -------- ------- ------ ------- ------- -------- -------- 7222,07 701,5 777,17 805,2 1244,4 1120 963,3 886 724,5
Направление 5. Электронные материалы и структуры
производства новых -- -- -- диэлектрических
диэлектрических материалов 49 32 17 материалов на основе
на основе ромбоэдрической ромбоэдрической
модификации нитрида бора и модификации нитрида
подложек из бора и подложек из
поликристаллического поликристаллического
алмаза алмаза с повышенной
теплопроводностью и
электропроводностью
для создания нового
поколения
высокоэффективных и
надежных
сверхвысокочастотных
приборов
производства ------ ------ ----- производства
гетероэпитаксиальных 54,24 22,62 31,62 гетероэпитаксиальных
структур и структур структур и структур
гетеробиполярных гетеробиполярных
транзисторов на основе транзисторов на
нитридных соединений A3B5 основе нитридных
для мощных соединений A3B5 для
полупроводниковых приборов обеспечения
и сверхвысокочастотных разработок и
монолитных интегральных изготовления
схем сверхвысокочастотных
монолитных
интегральных схем и
мощных транзисторов
(2011 год)
технологии производства ------ ------ ---- технологии
метаморфных структур на 49,8 32 17,8 производства
основе GaAs и гетероструктур и
псевдоморфных структур на псевдоморфных
подложках InP для приборов структур на подложках
сверхвысокочастотной InP для перспективных
электроники диапазона 60 - полупроводниковых
90 ГГц приборов и
сверхвысокочастотных
монолитных
интегральных схем
диапазона 60 - 90 ГГц
(2009 год)
производства ------- ------ -- -- спинэлектронных
спинэлектронных магнитных 82 16 30 36 магнитных материалов
материалов, и микроволновых
радиопоглощающих и структур со спиновым
мелкодисперсных ферритовых управлением для
материалов для создания
сверхвысокочастотных перспективных
приборов микроволновых
сверхвысокочастотных
приборов повышенного
быстродействия и
низкого
энергопотребления
производства высокочистых ---- ---- ---- массового
химических материалов 47,3 31 16,3 производства
(аммиака, арсина, фосфина, высокочистых
тетрахлорида кремния) для химических материалов
обеспечения производства (аммиака, арсина,
полупроводниковых подложек фосфина, тетрахлорида
нитрида галлия, арсенида кремния) для выпуска
галлия, фосфида индия, полупроводниковых
кремния и подложек нитрида
гетероэпитаксиальных галлия, арсенида
структур на их основе галлия, фосфида
индия, кремния и
гетероэпитаксиальных
структур на их основе
(2009 год)
производства ----- -- ----- -- производства
поликристаллических 45,38 12 23,38 10 поликристаллических
алмазов и их пленок для алмазов и его пленок
теплопроводных конструкций для мощных
мощных выходных сверхвысокочастотных
транзисторов и приборов (2012 год)
сверхвысокочастотных
приборов
разработка технологии -- -- -- изготовления новых
изготовления новых 38 24 14 микроволокон на
микроволокон на основе основе двухмерных
двухмерных диэлектрических диэлектрических и
и металлодиэлектрических металлодиэлектри-
микро- и наноструктур, а ческих микро- и
также полупроводниковых наноструктур для
нитей с наноразмерами при новых классов
вытяжке стеклянного микроструктурных
капилляра, заполненного приборов,
жидкой фазой магниторезисторов,
полупроводника осцилляторов,
устройств
оптоэлектроники (2009
год)
выращивания слоев ------ --- ------ -- пленочной технологии
пьезокерамики на 39 3 18 18 пьезокерамических
кремниевых подложках для элементов,
формирования совместимой с
комплексированных комплементарной
устройств микросистемной металлооксидной
техники полупроводниковой
технологией для
разработки нового
класса активных
пьезокерамических
устройств,
интегрированных с
микросистемами (2011
год)
базовых технологий ------ ------ -- травления и
создания многослойных 38 24 14 изготовления
кремниевых структур с кремниевых трехмерных
использованием базовых элементов
"жертвенных" и "стопорных" микроэлектромеха-
диффузионных и нических систем с
диэлектрических слоев для использованием
производства силовых "жертвенных" и
приборов и элементов "стопорных" слоев для
микроэлектро-механических серийного
систем производства
элементов
микроэлектромеха-
нических систем (2009
год) кремниевых
структур с
использованием
силикатных стекол,
моно-,
поликристаллического
и пористого кремния и
диоксида кремния
технологий получения ----- ----- ---- получения алмазных
алмазных полупроводниковых 22 11 11 полупроводниковых
наноструктур и наноструктур и
наноразмерных органических наноразмерных
покрытий с широким органических
диапазоном функциональных покрытий, алмазных
свойств полупроводящих пленок
для
конкурентоспособных
высокотемпературных
и радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения
(2011 год)
технологии роста ------- ------- ------ изготовления
эпитаксиальных слоев 88,55 38 50,55 гетероструктур и
карбида кремния, структур эпитаксиальных
на основе нитридов, а структур на основе
также формирования нитридов для создания
изолирующих и радиационно стойких
коммутирующих слоев в сверхвысокочастотных
приборах экстремальной и силовых приборов
электроники нового поколения
(2009 год)
производства радиационно ------- -- ------- производства структур
стойких сверхбольших 90 35 55 "кремний на сапфире"
интегральных схем на диаметром до 150 мм с
ультратонких толщиной приборного
гетероэпитаксиальных слоя до 0,1 мкм и
структурах кремния на топологическими
сапфировой подложке для нормами до 0,18 мкм
производства электронной для производства
компонентной базы электронной
специального и двойного компонентной базы
назначения специального и
двойного назначения
(2009 год)
производства высокоомного ------- -- ------ производства
радиационно облученного 89,7 36 53,7 радиационно
кремния, слитков и пластин облученного кремния и
кремния диаметром до 150 пластин кремния до
мм для производства 150 мм для выпуска
силовых полупроводниковых мощных транзисторов и
приборов сильноточных
тиристоров нового
поколения (2009 год)
производства кремниевых ---- ---- ---- промышленное освоение
подложек и структур для 58,9 24 34,9 получения
силовых полупроводниковых высококачественных
приборов с глубокими подложек и структур
высоколегированными слоями для использования в
p- и n-типов проводимости производстве силовых
и скрытыми слоями полупроводниковых
носителей с повышенной приборов с глубокими
рекомбинацией высоколегированными
слоями и скрытыми
слоями носителей с
повышенной
рекомбинацией (2009
год)
производства электронного ------- ------ ---- производства пластин
кремния, кремниевых 162 48 114 кремния диаметром до
пластин диаметром 200 мм и
до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных
эпитаксиальных структур структур уровня 0,25 -
уровня технологии 0,18 мкм (2009 год)
0,25 - 0,18 мкм
конструктивно-технических ------ ----- ----- -- -- корпусирования
решений и перспективной 161 38 83 20 20 интегральных схем и
базовой технологии полупроводниковых
корпусирования приборов на основе
интегральных схем и использования
полупроводниковых приборов многослойных
на основе использования кремниевых структур
многослойных кремниевых со сквозными
структур со сквозными токопроводящими
токопроводящими каналами каналами,
обеспечивающей
сокращение состава
сборочных операций и
формирование
трехмерных структур
(2013 год)
производства ------- ------ --- -- -- технологии
гетероструктур SiGe для 143 13 90 20 20 производства
разработки сверхбольших гетероструктур SiGe
интегральных схем с для выпуска
топологическими нормами быстродействующих
0,25 - 0,18 мкм сверхбольших
интегральных схем с
топологическими
нормами 0,25 - 0,18
мкм (2011 год, 2013
год)
выращивания и обработки, в ------ ------ -- выращивания и
том числе 34 22 12 обработки
плазмохимической, новых пьезоэлектрических
пьезоэлектрических материалов
материалов для акустоэлектроники и
акустоэлектроники и акустооптики для
акустооптики обеспечения
производства широкой
номенклатуры
акустоэлектронных
устройств нового
поколения (2009 год)
производства соединений ------ ------ -- -- ---- массового
A3B5 и тройных структур 58 12 22 15 9 производства исходных
для: материалов и структур
производства сверхмощных для перспективных
лазерных диодов; приборов лазерной и
высокоэффективных оптоэлектронной
светодиодов белого, техники, в том числе:
зеленого, синего и производства
ультрафиолетового сверхмощных лазерных
диапазонов; диодов (2010 год);
фотоприемников среднего высокоэффективных
инфракрасного диапазона светодиодов белого,
зеленого, синего и
ультрафиолетового
диапазонов (2011
год);
фотоприемников
среднего
инфракрасного
диапазона (2013 год)
технологии получения ----- ----- ---- производства
гетероструктур с 30 22 8 принципиально новых
вертикальными оптическими материалов
резонаторами на основе полупроводниковой
квантовых ям и квантовых электроники на основе
точек для производства сложных композиций
вертикально излучающих для перспективных
лазеров для устройств приборов лазерной и
передачи информации и оптоэлектронной
матриц для оптоэлектронных техники (2009 год)
переключателей нового
поколения
производства современных ------ ------ --- производства
компонентов для 17 12 5 компонентов для
специализированных специализированных
фотоэлектронных приборов, электронно-лучевых
в том числе: (2010 год),
катодов и газо- электронно-оптических
поглотителей; и отклоняющих систем
электронно-оптических и (2010 год),
отклоняющих систем; стеклооболочек и
стеклооболочек и деталей деталей из
из электровакуумного электровакуумного
стекла различных марок стекла различных
марок (2011 год)
производства особо тонких ------- ------ -- производства особо
гетерированных 32 20 12 тонких гетерированных
нанопримесями нанопримесями
полупроводниковых структур полупроводниковых
для высокоэффективных структур для
фотокатодов, электронно- изготовления
оптических высокоэффективных
преобразователей и фотокатодов
фотоэлектронных электронно-оптических
умножителей, приемников преобразователей и
инфракрасного диапазона и фотоэлектронных
солнечных элементов с умножителей,
высокими значениями приемников
коэффициента полезного инфракрасного
действия диапазона, солнечных
элементов и других
приложений (2009 год)
технологии производства ------ ------ -- монокристаллов AlN
монокристаллов AlN для 24 12 12 для изготовления
изготовления изолирующих и изолирующих и
проводящих подложек для проводящих подложек
гетероструктур для создания
полупроводниковых
высокотемпературных и
мощных
сверхвысокочастотных
приборов нового
поколения (2011 год)
технологии производства ------ ------- ------ технологии вакуумно-
наноструктурированных 29,2 19,85 9,35 плотной спецстойкой
оксидов металлов (корунда керамики из
и т.п.) для производства нанокристаллических
вакуумно-плотной порошков и нитридов
нанокерамики, в том числе металлов для
с заданными оптическими промышленного
свойствами освоения спецстойких
приборов нового
поколения (2009 год),
в том числе
микрочипов,
сверхвысокочастотных
аттенюаторов, RLC-
матриц, а также особо
прочной электронной
компонентной базы
оптоэлектроники и
фотоники
технологии производства ------ ------ - производства
полимерных и гибридных 13 11 2 полимерных и
органо-неорганических композиционных
наноструктурированных материалов с
защитных материалов для использованием
электронных компонентов поверхностной и
нового поколения объемной модификации
прецизионных и полимеров
сверхвысоко-частотных наноструктуриро-
резисторов, терминаторов, ванными наполнителями
аттенюаторов и резисторно- для создания изделий
индукционно-емкостных с высокой
матриц, стойких к механической,
воздействию комплекса термической и
специальных внешних радиационной
факторов стойкостью при работе
в условиях длительной
эксплуатации и
воздействии комплекса
специальных внешних
факторов (2011 год)
перспективных -------- --- --- --- ------- ----- технологии
гетероструктурных и 910,25 150 179 206 204,25 171 производства
наноструктурированных гетероструктур,
материалов с структур и
экстремальными псевдоморфных
характеристиками для структур на подложках
перспективных электронных InP для перспективных
приборов и полупроводниковых
радиоэлектронной приборов и
аппаратуры специального сверхвысокочастотных
назначения монолитных
интегральных схем
диапазона 60 - 90 ГГц
(2012 год), создание
технологии получения
алмазных
полупроводниковых
наноструктур и
наноразмерных
органических покрытий
(2013 год), алмазных
полупроводящих пленок
для
конкурентоспособных
высокотемпературных и
радиационно стойких
устройств и приборов
двойного назначения,
создание технологии
изготовления
гетероструктур и
эпитаксиальных
структур на основе
нитридов (2015 год)
экологически чистых -------- --- --- ------- --- класса
материалов и методов их 855,75 290 200 175,75 190 конструкционных и
использования в технологических
производстве электронной материалов для
компонентной базы и уровней технологии
радиоаппаратуры, включая 0,065 - 0,032 мкм и
бессвинцовые композиции обеспечения высокого
для сборки процента выхода
годных изделий,
экологических
требований по
международным
стандартам (2012 год,
2015 год)
технологий получения -------- --- ----- ------- --- перспективных
ленточных материалов 889,75 270 235 194,75 190 технологий
(полимерные, производства
металлические, компонентов для
плакированные и другие) специализированных
для радиоэлектронной электронно-лучевых,
аппаратуры и сборочных электронно-оптических
операций электронной и отклоняющих систем,
компонентной базы стеклооболочек и
деталей из
электровакуумного
стекла различных
марок (2013 год),
создание технологии
производства
полимерных и
композиционных
материалов с
использованием
поверхностной и
объемной модификации
полимеров
наноструктурированным
и наполнителями (2015
год)
Всего по направлению 5 6345,799 621,754 658,169 365,251 717 1260 1035 862,125 826,5 -------- -------- ------- ------- --- ---- ---- ------- ----- 4150,82 407,85 431,6 177,62 478 840 690 574,75 551
Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
выпуска прецизионных ------ -- ------ расширенного ряда
температуростабильных 20 12 8 резонаторов с
высокочастотных повышенной
до 1,5 - 2 ГГц резонаторов кратковременной и
на поверхностно долговременной
акустических волнах до 1,5 стабильностью для
ГГц с полосой до 70 создания контрольной
процентов и длительностью аппаратуры и техники
сжатого сигнала до 2 - 5 связи двойного
нс назначения
и нелицензируемых ---- -- -- ---- конструкции
международных частотных 45 14 22 9 акустоэлектронных
диапазонах 860 МГц и 2,45 пассивных и активных
ГГц ряда радиочастотных меток-транспондеров
пассивных и активных для применения в
акустоэлектронных меток- логистических
транспондеров, в том числе приложениях на
работающих в реальной транспорте, в
помеховой обстановке, для торговле и
систем радиочастотной промышленности (2010
идентификации и систем год, 2011 год)
управления доступом
конструкции и промышленной ---- -- ---- проектирования и
технологии производства 19,5 11 8,5 базовых конструкций
пьезокерамических фильтров пьезоэлектрических
в корпусах для фильтров в
поверхностного монтажа малогабаритных
корпусах для
поверхностного
монтажа при
изготовлении техники
связи массового
применения (2009 год)
проектирования, базовой ----- ----- технологии
технологии производства и 23 23 акустоэлектронных
конструирования приборов для
акустоэлектронных перспективных систем
устройств нового поколения связи, измерительной
и фильтров промежуточной и навигационной
частоты с высокими аппаратуры нового
характеристиками для поколения -
современных систем связи, подвижных,
включая спутниковых,
высокоизбирательные тропосферных и
высокочастотные устройства радиорелейных линий
частотной селекции на связи, цифрового
поверхностных и интерактивного
приповерхностных волнах и телевидения,
волнах Гуляева-Блюштейна с радиоизмерительной
предельно низким уровнем аппаратуры,
вносимого затухания для радиолокационных
частотного диапазона до 5 станций, спутниковых
ГГц навигационных систем
(2008 год)
проектирования и базовой ------ ------ ------ производства
технологии производства 60,9 22 38,9 высокоинтегрированной
функциональных законченных электронной
устройств стабилизации, компонентной базы
селекции частоты и типа "система в
обработки сигналов типа корпусе" для вновь
"система в корпусе" разрабатываемых и
модернизируемых
сложных
радиоэлектронных
систем и комплексов
(2010 год)
конструкции и технологии -- -- -- -- технологии (2013 год)
изготовления 42 14 14 14 и базовой конструкции
высокочастотных микроминиатюрных
резонаторов и фильтров на высокодобротных
объемных акустических фильтров для
волнах для малогабаритной и
телекоммуникационных и носимой аппаратуры
навигационных систем навигации и связи
базовой конструкции -- -- поколения
фоточувствительных 23 23 оптоэлектронных
приборов с матричными приборов для
приемниками высокого обеспечения задач
разрешения для видимого и предотвращения аварий
ближнего инфракрасного и контроля
диапазона для аппаратуры
контроля изображений
технологии унифицированных ------ ------ ---- технологии нового
электронно-оптических 21,9 10 11,9 поколения приборов
преобразователей, контроля тепловых
микроканальных пластин, полей для задач
пироэлектрических матриц и теплоэнергетики,
камер на их основе с медицины, поисковой и
чувствительностью до 0,1 К контрольной
и широкого инфракрасного аппаратуры на
диапазона транспорте,
продуктопроводах и в
охранных системах
(2009 год)
технологии создания -- -- -- технологии (2008 год)
интегрированных гибридных 53 30 23 и конструкции новых
фотоэлектронных типов приборов,
высокочувствительных и сочетающих
высокоразрешающих приборов фотоэлектронные и
и усилителей для задач твердотельные
космического мониторинга и технологии, с целью
специальных систем получения
наблюдения, экстремально
достижимых
научной и метрологической характеристик для
аппаратуры задач контроля и
наблюдения в системах
двойного назначения
технологий мощных ------ ------ ------ технологии (2008 год)
полупроводниковых лазерных 64 30 34 и конструкций
диодов (непрерывного и принципиально новых
импульсного излучения), мощных диодных
специализированных лазеров,
лазерных полупроводниковых предназначенных для
диодов, фотодиодов и широкого применения в
лазерных волоконно- изделиях двойного
оптических модулей для назначения, медицины,
создания аппаратуры и полиграфического
систем нового поколения оборудования и
системах открытой
оптической связи
базовых технологий для ---- -- -- ---- комплекта основных
лазерных навигационных 37 10 20 7 оптоэлектронных
приборов, включая компонентов для
интегральный оптический лазерных гироскопов
модуль лазерного гироскопа широкого применения
на базе (2010 год), создание
сверхмалогабаритных комплекса технологий
кольцевых обработки и
полупроводниковых лазеров формирования
инфракрасного диапазона, структурных и
оптоэлектронные компоненты приборных элементов,
для широкого класса оборудования контроля
инерциальных лазерных и аттестации,
систем управления обеспечивающих новый
движением гражданских и уровень технико-
специальных средств экономических
транспорта показателей
производства
конструкций и технологий -- -- технологии
создания квантово- 15 15 твердотельных чип-
электронных приемо- лазеров для лазерных
передающих модулей для дальномеров,
малогабаритных лазерных твердотельных лазеров
дальномеров нового с пикосекундными
поколения на основе длительностями
твердотельных чип-лазеров импульсов для
с полупроводниковой установок по
накачкой, технологических прецизионной
лазерных установок обработке композитных
широкого спектрального материалов, для
диапазона создания элементов и
изделий
микромашиностроения и
в производстве
электронной
компонентной базы
нового поколения,
мощных лазеров для
применения в
машиностроении,
авиастроении,
автомобилестроении,
судостроении, в
составе промышленных
технологических
установок обработки и
сборки, систем
экологического
мониторинга
окружающей среды,
контроля выбросов
патогенных веществ,
контроля утечек в
продуктопроводах
(2008 год, 2009 год)
технологий формирования ------ ----- ------ получения
конструктивных узлов и 43 37 6 широкоапертурных
блоков для лазеров нового элементов на основе
поколения и технологии алюмоиттриевой
создания полного комплекта легированной керамики
электронной компонентной композитных составов
базы для производства для лазеров с диодной
лазерного устройства накачкой (2008 год),
определения наличия высокоэффективных
опасных, взрывчатых, преобразователей
отравляющих и частоты лазерного
наркотических веществ в излучения,
контролируемом организация
пространстве промышленного выпуска
оптических изделий и
лазерных элементов
широкой номенклатуры
технологий, базовой -- -- -- расширенной серии
конструкции и организация 35 17 18 низковольтных
производства катодолюминесцентных
интегрированных и других дисплеев с
катодолюминесцентных и широким диапазоном
других дисплеев двойного эргономических
назначения со встроенным характеристик и
микроэлектронным свойств по условиям
управлением применения для
информационных и
контрольных систем
базовых конструкций ------ ----- ------ принципиально новых
высокояркостных 29 16 13 светоизлучающих
светодиодов и индикаторов приборов с
основных цветов свечения минимальными
для систем подсветки в геометрическими
приборах нового поколения размерами, высокой
надежностью и
устойчивостью к
механическим и
климатическим
воздействиям,
обеспечивающих
энергосбережение за
счет замены ламп
накаливания в
системах подсветки
аппаратуры и
освещения
технологии и конструкции ------- ------ ----- -- технологии
оптоэлектронных приборов 59 10 37 12 производства нового
(оптроны, оптореле, поколения
светодиоды) в миниатюрных оптоэлектронной
корпусах для высокоэффективной и
поверхностного монтажа надежной электронной
компонентной базы для
промышленного
оборудования и систем
связи (2010 год, 2011
год)
схемотехнических решений и ------ -- ------ новых классов носимой
унифицированных базовых 33,5 16 17,5 и стационарной
конструкций и технологий аппаратуры, экранов
формирования твердотельных отображения
видеомодулей на информации
полупроводниковых коллективного
светоизлучающих структурах пользования
для носимой аппаратуры, повышенных емкости и
экранов индивидуального и формата (2009 год)
коллективного пользования
с бесшовной стыковкой
технологии изготовления ------ ------ ------ массового
высокоэффективных 37 20 17 производства
солнечных элементов на солнечных элементов
базе использования для индивидуального и
кремния, полученного по коллективного
"бесхлоридной" технологии использования в
и технологии "литого" труднодоступных
кремния прямоугольного районах, развития
сечения солнечной энергетики
в жилищно-
коммунальном
хозяйстве для
обеспечения задач
энергосбережения
(2009 год)
технологии и освоение -- -- -- массового
производства 19 12 7 производства нового
оптоэлектронных реле с класса
повышенными техническими оптоэлектронных
характеристиками для приборов для широкого
поверхностного монтажа применения в
радиоэлектронной
аппаратуре (2009 год)
разработка технологий ----- -- -- ---- технологии массового
получения новых классов 71,8 22 34 15,8 производства экранов
органических (полимерных) с предельно низкой
люминофоров, пленочных удельной стоимостью
транзисторов на основе для информационных и
"прозрачных" материалов, обучающих систем
полимерной пленочной (2010 год, 2011 год)
основы и технологий
изготовления
крупноформатных гибких и
особо плоских экранов, в
том числе на базе
высокоразрешающих
процессов струйной печати
и непрерывного процесса
изготовления типа "с
катушки на катушку"
конструкций и технологии ------- -- ------ ------ конструкции активно-
активных матриц и 100,5 30 8,5 62 матричных
драйверов плоских экранов органических
на основе аморфных, электролюминес-
поликристаллических и центных,
кристаллических кремниевых жидкокристаллических
интегральных структур на и катодолюмине-
различных подложках и сцентных дисплеев,
создание на их основе стойких к внешним
перспективных специальным и
видеомодулей, включая климатическим
органические воздействиям (2010
электролюминесцентные, год)
жидкокристаллические и
катодолюминесцентные,
создание базовой
технологии серийного
производства монолитных
модулей двойного
назначения
конструкции и технологии ------ ------ -- -- базовых конструкций
крупноформатных 46 10 20 16 полноцветных
полноцветных газоразрядных газоразрядных
видеомодулей видеомодулей
специального и
двойного назначения
для наборных экранов
коллективного
пользования (2010
год)
сверхпрецизионных ------ ------ ------ ------ расширенного ряда
резисторов и гибридных 42 16 12 14 сверхпрецизионных
интегральных схем резисторов, гибридных
цифроаналоговых и аналого- интегральных схем
цифровых преобразователей цифроаналоговых и
на их основе в аналого-цифровых
металлокерамических преобразователей с
корпусах для аппаратуры параметрами,
двойного назначения превышающими уровень
существующих
отечественных и
зарубежных изделий,
для аппаратуры связи,
диагностического
контроля,
медицинского
оборудования,
авиастроения,
станкостроения,
измерительной техники
(2010 год)
технологии особо -- -- -- -- расширенного ряда
стабильных и особо точных 48 20 20 8 сверхпрецизионных
резисторов широкого резисторов с
диапазона номиналов, повышенной удельной
прецизионных датчиков тока мощностью рассеяния,
для измерительной и высоковольтных,
контрольной аппаратуры и высокоомных
освоение их производства резисторов для
измерительной
техники, приборов
ночного видения и
аппаратуры контроля
(2013 год)
базовых конструкций ------- ---- ------ ----- -- ----- технологии и
резисторов и резистивных 100 7 13 16,5 30 33,5 конструкции
структур нового поколения резисторов с
для поверхностного повышенными
монтажа, в том числе значениями
резисторов с повышенными стабильности,
характеристиками, удельной мощности в
ультранизкоомных чип-исполнении на
резисторов, малогабаритных основе многослойных
подстроечных резисторов, монолитных структур
интегральных сборок серии (2010 год, 2013 год)
нелинейных
полупроводниковых
резисторов в многослойном
исполнении чип-конструкции
формирования ----- ------ ------ технологии
интегрированных 30,95 24 6,95 производства датчиков
резистивных структур с на резистивной основе
повышенными технико- с высокими
эксплуатационными техническими
характеристиками на основе характеристиками и
микроструктурированных надежностью (2009
материалов и методов год)
групповой сборки
технологии ------ ------ ------ автоматизированного
автоматизированного 39 20 19 производства чип- и
производства микрочип-резисторов
толстопленочных чип- и (в габаритах 0402,
микрочип-резисторов 0201 и менее) для
применения в массовой
аппаратуре (2009 год)
технологий и --- -- -- -- технологии
конструктивных решений 83 16 17 50 производства
изготовления танталовых конденсаторов с
оксидно-полупроводниковых качественно
и оксидно- улучшенными
электролитических характеристиками с
конденсаторов и чип- электродами из
конденсаторов и неблагородных
организация производства металлов при
конденсаторов с повышенным сохранении высокого
удельным зарядом, уровня надежности
сверхнизким значением (2010 год)
внутреннего сопротивления
и улучшенными
потребительскими
характеристиками
базовой технологии и ------ ------ ----- технологий
организация производства 18 13 5 конденсаторов и
конденсаторов с ионисторов на основе
органическим диэлектриком полимерных материалов
и повышенными удельными с повышенным удельным
характеристиками и зарядом и энергоемких
ионисторов с повышенным накопительных
током разряда конденсаторов с
повышенной удельной
энергией (2009 год)
базовых конструкций ------ ---- ------ ---- базовых конструкций
высоковольтных 62 15 26 21 нового поколения
(быстродействующих, выключателей для
мощных) вакуумных радиоэлектронной
выключателей нового аппаратуры с
поколения с предельными повышенными тактико-
характеристиками для техническими
радиотехнической характеристиками и
аппаратуры с высокими надежностью (2011
сроками службы год)
создания газонаполненных ------ ------ ------ изготовления
высоковольтных 33,5 16,5 17 коммутирующих
высокочастотных устройств для токовой
коммутирующих устройств коммутации цепей в
для токовой коммутации широком диапазоне
цепей с повышенными напряжений и токов
техническими для радиоэлектронных
характеристиками и электротехнических
систем (2009 год)
комплекта электронной ---- ---- выпуска устройств
компонентной базы для 17,5 17,5 грозозащиты в
создания модульного индивидуальном,
устройства грозозащиты промышленном и
зданий и сооружений с гражданском
обеспечением требований по строительстве,
международным стандартам строительстве
пожароопасных
объектов (2008 год)
конструкций и технологий -- -- - технологии
изготовления 37 31 6 формирования
малогабаритных высококачественных
переключателей с гальванических
повышенными сроками службы покрытий, технологии
для печатного монтажа прецизионного
формирования изделий
для
автоматизированных
систем изготовления
коммутационных
устройств широкого
назначения (2009 год)
разработка пленочных ------- ----- --- ----- ------ ------- исследование и
технологий изготовления 494,67 53,7 121 115 114,72 90,25 разработка технологий
высокоэкономичных получения новых
крупноформатных гибких и классов органических
особо плоских экранов светоизлучающих
диодов (ОСИД),
полимерной пленочной
основы и технологий
изготовления гибких
ОСИД-экранов, в том
числе на базе
высокоразрешающих
процессов струйной
печати, процессов
наноимпринта и
рулонной технологии
изготовления (2015
год)
конструкций и ------- -- ----- ------ ------ ------- формирования нового
технологических принципов 503,25 50 145 104,5 118,5 85,25 поколения
формирования оптоэлектронных
оптоэлектронных и комплексированных
квантовых структур и приборов,
приборов нового поколения обеспечивающих
создание "системы на
кристалле" с
оптическими входами-
выходами (2014 год,
2015 год)
технологий промышленного ------ --- ----- --- ------ перспективной
изготовления солнечных 530,7 170 165 114 81,7 технологии массового
высокоэффективных производства
элементов солнечных элементов
для индивидуального и
коллективного
использования (2015
год)
Всего по направлению 6 4478,414 688,198 611,262 510,324 352,5 749,5 660 520,83 385,8 -------- ------- ------- ------- ----- ----- --- ----- ----- 2937,67 456 365,35 336,9 235 500 440 347,22 257,2
Направление 7. Унифицированные электронные модули и базовые несущие конструкции
технологий создания рядов -------- ------- ------- ------- --- ---- ------ ----- ------ современной и
приемо-передающих 2729,15 90,1 113,6 87,7 420 691 471,7 440,8 414,25 перспективной
унифицированных отечественной
электронных модулей для электронной
аппаратуры связи, компонентной
радиолокации, элементной базы и
телекоммуникаций, бортовых последних достижений
радиотехнических средств в разработке
алгоритмов сжатия
видеоизображений
приемо-передающих
унифицированных
электронных модулей
аппаратуры связи,
телекоммуникаций,
цифрового
телевидения, бортовых
радиотехнических
средств, активных
фазированных антенных
решеток с
параметрами:
диапазон частот до
100 ГГц;
скорость передачи
информации до 100
Гбит/с;
создание базовых
технологий и
конструкций для
создания
унифицированных рядов
приемо-передающих
унифицированных
электронных модулей
аппаратуры волоконно-
оптических линий
связи когерентных,
высокоскоростных
каналов со
спектральным
уплотнением,
телекоммуникаций,
цифрового
телевидения,
обеспечивающих
импортозамещение в
этой области;
разработка новых
технологий
технологий создания нового -------- ------ ------- ------ --- --- ----- ------ ------- базовых технологий и
класса унифицированных 1971,1 61,1 104,9 56,4 310 540 471,2 198,55 228,95 современной
электронных модулей для отечественной
обработки аналоговых и твердотельной
цифровых сигналов на компонентной
основе устройств электронной базы
функциональной унифицированных
электроники, приборов электронных модулей
обработки сигналов нового поколения для
аналого-цифровых и обработки аналоговых
цифроаналоговых и цифровых сигналов
преобразователей, сенсоров РЛС и других
и преобразователей радиотехнических
систем в
высокочастотных, ПЧ и
сверхвысокочастотных
диапазонах, освоение
производства нового
класса
многофункциональных
радиоэлектронных
устройств, разработка
унифицированных
электронных модулей
преобразователей
физических и
химических величин
для измерения и
контроля широкой
номенклатуры
параметров
микромеханических
систем
технологий создания рядов ------- ------ ------ ------ --- --- ----- ------ ------- унифицированных
унифицированных 1080,4 32,5 42,2 45,55 190 313 162 138,3 156,85 электронных модулей
электронных модулей для для систем
систем телеметрии, телеметрии,
управления, навигации управления,
(угловых и линейных радиолокационных,
перемещений, ориентации, робототехнических,
стабилизации, телекоммуникационных
позиционирования, систем и навигации
наведения, (ориентации,
радиопеленгации, единого стабилизации,
времени) позиционирования,
наведения,
радиопеленгации,
единого времени),
позволяющих резко
снизить стоимость и
организовать
крупносерийное
производство
радиоэлектронных
средств широкого
применения
технологий создания рядов -------- ------ ------ ------ --- --- --- ------ ------- современной и
унифицированных 2012,89 40 53,5 42,04 360 658 296 286,9 276,45 перспективной
электронных модулей отечественной
процессоров, скоростного и электронной
сверхскоростного ввода- компонентной базы
вывода данных, шифрования унифицированных
и дешифрования данных, электронных модулей
интерфейсов обмена, систем широкой номенклатуры
сбора и хранения для применения в
информации, периферийных различных
устройств, систем информационных
идентификации и управления системах, в том числе
доступом, конверторов, унифицированных
информационно- электронных модулей
вычислительных систем шифрования и
дешифрования данных;
разработка базовых
технологий и
конструкций
унифицированных
электронных модулей
на поверхностных
акустических волнах
систем радиочастотной
и биометрической
идентификации, систем
идентификации
личности,
транспортных средств,
электронных
паспортов, логистики,
контроля доступа на
объекты повышенной
безопасности,
объектов атомной
энергетики.
В создаваемых
унифицированных
электронных модулях
будет обеспечена
скорость обмена и
передачи информации
до 30 Гб/с
технологий создания рядов ------- ------ ------ ------ --- --- ----- ------- ------ перспективных
унифицированных 1215,25 32,7 43,2 46,5 180 303 329,6 141,55 138,7 отечественных
электронных цифровых сверхбольших
модулей для перспективных интегральных схем
магистрально-модульных типа "система на
архитектур кристалле" базового
ряда электронных
модулей для создания
перспективных
магистрально-
модульных архитектур,
обеспечивающих
создание защищенных
средств
вычислительной
техники нового
поколения
(автоматизированные
рабочие места,
серверы, средства
высокоскоростных
линий волоконной
связи),
функционирующих с
использованием
современных
высокоскоростных
последовательных и
параллельных
системных интерфейсов
технологий создания ряда -------- ------ ------ ------ --- --- ----- ------- ------- современной и
унифицированных 1359,844 35,5 61,9 40,8 220 364 208,6 218,719 210,325 перспективной
электронных модулей для отечественной
контрольно-измерительной, электронной
метрологической и компонентной базы
поверочной аппаратуры, рядов унифицированных
аппаратуры тестового электронных модулей,
контроля, диагностики обеспечивающих
блоков радиоэлектронной возможность создания
аппаратуры, для по модульному
стандартных и встроенных принципу контрольно-
систем контроля и измерительной,
измерений метрологической и
поверочной
аппаратуры,
аппаратуры тестового
контроля и
диагностики на основе
базовых несущих
конструкций;
создание комплекта
сложнофункциональных
блоков, определяющих
ядро измерительных
приборов, систем и
комплексов,
разработка
законченных
функциональных
модулей,
предназначенных для
выполнения
процессорных и
интерфейсных функций
поверки и диагностики
сверхбольших
интегральных схем
типа "система на
кристалле" для систем
управления, а также
систем проектирования
и изготовления
модулей систем
управления и бортовых
электронно-
вычислительных машин,
систем обработки
информации и
вычислений
технологий создания нового -------- ---- ------ ------ --- --- ------ ------ ------- технологий создания
поколения унифицированных 1943,75 41 62 55 320 574 280,7 342,3 268,75 системообразующих
рядов средств унифицированных рядов
электропитания и средств (систем,
преобразователей источников, сервисных
электроэнергии для устройств) и
радиоэлектронных систем и преобразователей
аппаратуры гражданского и электроэнергии нового
двойного назначения поколения межвидового
и межведомственного
применения, в том
числе средств
электропитания с
высокой плотностью
упаковки элементов с
применением
бескорпусных изделий,
плоских моточных
изделий пленочной
технологии, новых
методов
экранирования, отвода
и рассеяния тепла,
основанных на
применении
наноразмерных
материалов с высокой
анизотропной
теплопроводностью.
Будут разработаны
базовые технологии
создания:
унифицированных рядов
источников
электропитания;
преобразователей
электрической
энергии;
источников и систем
бесперебойного
электропитания;
фильтров сетевых
модулей
автоматического
переключения каналов;
модулей защиты от
сетевых помех;
адаптеров
оптимизированной системы ------- -- ------ -- --- --- --- ------- ------ базовых несущих
базовых несущих 1955,1 28 54,5 57 350 612 295 287,85 270,75 конструкций,
конструкций первого, изготавливаемых на
второго и третьего уровней основе прогрессивных
для наземной, морской, технологий и
авиационной и космической обеспечивающих
радиоэлектронной техническую
аппаратуры специального и совместимость со
двойного назначения, всеми видами
предназначенной для современных объектов
жестких условий с использованием
эксплуатации, в том числе новых полимерных
работающей в материалов.
негерметизированном отсеке Применение
с использованием оптимизированных
прогрессивных технологий базовых несущих
конструкций позволит
сократить сроки
разработки
радиоэлектронной
аппаратуры в 1,2
раза, снизить
трудоемкость
изготовления базовых
несущих конструкций в
1,5 - 2 раза, на 25
процентов уменьшить
материалоемкость и
сократить затраты на
производство
радиоэлектронной
аппаратуры в 1,2 -
1,3 раза, обеспечить
эффективное
импортозамещение
технологий комплексно - -------- ----- ------ ------ --- --- ----- ------- ----- несущих конструкций с
интегрированных базовых 1566,73 33 45,3 41,38 190 320 269,2 341,05 326,8 функциями контроля, в
несущих конструкций с том числе контроля
функциями контроля, температуры,
диагностики, индикации влажности, задымления
функционирования в корпусах
радиоэлектронной
аппаратуры, уровня
вибрации, контроля
параметров составных
частей
радиоэлектронной
аппаратуры -
унифицированных
электронных модулей,
индикации рабочих
режимов и аварийных
сигналов для
идентификации
контролируемых
параметров,
разработка
герметичных и
перфорированных
базовых несущих
конструкций,
обеспечивающих
нормальный тепловой
режим
радиоэлектронной
аппаратуры и
выполняющих функции
измерения и
регулирования в
требуемом диапазоне
температуры и
влажности воздуха
внутри герметичных и
перфорированных
базовых несущих
конструкций. Это
позволит в
1,5 - 2 раза повысить
надежность
радиоэлектронной
аппаратуры
технологий создания -------- ----- ---- -- --- --- --- --- ------- массогабаритных
облегченных 801,05 20 22,2 24 140 240 124 114 116,85 характеристик
паяных базовых несущих бортовой аппаратуры
конструкций для на 30 процентов и
радиоэлектронной повышение прочности
аппаратуры авиационного и при внешних
космического базирования воздействиях в
на основе существующих и 1,5 - 2 раза
перспективных алюминиевых
сплавов повышенной
прочности, обеспечивающих
отвод тепла по элементам
конструкции
базовых несущих ------- -- ---- -- --- --- --- ------ ------- системной интеграции
конструкций с 637,75 14 20,4 24 120 180 96 93,1 90,25 и комплексирования
унифицированными средств и систем,
интерфейсными средствами повышение
для комплексирования конкурентоспособ-
бортовых и наземных систем ности не менее чем в
и комплексов различного 2 раза, обеспечение
назначения функционирования
аппаратуры в условиях
внешних жестких
воздействий
Всего по направлению 7 26020,849 649,773 963,649 815,127 4200 7157 4500,5 3944,673 3790,127 --------- ------- ------- ------- ---- ---- ------ -------- -------- 17273,014 427,9 623,7 520,37 2800 4795 3004 2603,119 2498,925
Направление 8. Типовые базовые технологические процессы
изготовления высокоплотных -------- -- ------ ------ --- --- ----- ------- ------- разработки
теплонагруженных и 1893,5 30 50 44 370 575 271,6 289,75 263,15 технологий:
сильноточных печатных плат производства печатных
плат 5-го и выше
классов точности,
включая платы со
встроенными
пассивными
элементами; создания
межслойных соединений
с переходными
сопротивлениями до 1
мОм для силовых цепей
электропитания;
формирования слоев
меди (в том числе с
толщиной до 200 - 400
мкм), серебра, никеля
с высокими
показателями
проводимости;
формирования финишных
покрытий для
бессвинцовой
технологии
производства изделий;
производства
многослойных печатных
плат под высокие
температуры пайки;
лазерных процессов
изготовления печатных
плат;
прямой металлизации
сквозных и глухих
отверстий
изготовления прецизионных -------- ------ ------ ------ --- --- ------ ------- ------- разработки
коммутационных плат на 1221,5 25 35 33,3 240 363 181,3 173,85 170,05 технологий:
основе керамики (в том изготовления
числе низкотемпературной), коммутационных плат
металла, углепластика и для жестких условий
других функциональных эксплуатации и
материалов широкого диапазона
частот;
получения
коммутационных плат с
температурным
коэффициентом
расширения,
соответствующим
тепловым
характеристикам
многовыводных
корпусов (в том числе
керамических)
современных приборов;
обеспечения предельно
минимального
газовыделения в
замкнутом
пространстве
герметичных модулей;
снижения
энергоемкости
технологических
процессов за счет
применения
прогрессивных
материалов и методов
обработки, в том
числе
низкотемпературной
керамики;
интеграции в
коммутационную плату
теплостоков и
низкоомных
проводников,
пассивных элементов;
прогрессивных методов
формообразования
элементов
коммутационных плат;
обеспечения
совмещенного монтажа
компонентов методами
пайки и сварки на
одной плате
сборки, монтажа ------- ------ ------ ------ --- ---- ------ ------- ------ разработки
электронных модулей, 2247,95 43 63 44,6 410 689 364,7 335,35 298,3 технологий:
многокристальных модулей и новых методов
микросборок на основе присоединения,
новой компонентной базы, сварки, пайки, в том
перспективных числе с применением
технологических и бессвинцовых припоев;
конструкционных материалов высокоточного
дозирования
материалов,
применяемых при
сборке (флюсы, припои
и припойные пасты,
клеи, лаки, компаунды
и т.п.);
новых методов сборки
и пайки корпусов типа
BGA, CSP, Flip-chip и
других на различные
коммутационные платы;
монтажа новой
электронной
компонентной базы, в
том числе
бескорпусных
кристаллов силовых
ключей на токовые
шины; сборки и
монтажа
низкопрофильных
магнитных
компонентов;
настройки и ремонта
сложных модулей, в
том числе демонтажа и
повторного монтажа
многовыводных
компонентов с
восстановлением
влагозащиты
создания межблочных -------- -- ---- ---- --- --- ------ ------- ----- разработки
соединений для коммутации 863,03 19 24 24 150 255 137,38 132,05 121,6 технологий:
сигналов в широком изготовления антенно-
диапазоне частот и фидерных устройств, в
мощностей том числе гибких
волноводов,
вращающихся
сочленений с
различными видами
охлаждения;
оптоволоконной
коммутации,
устойчивой к
воздействию жестких
условий эксплуатации
для различных условий
применения, в том
числе для систем
дистанционного
управления и
мониторинга;
изготовления
устройств коммутации
(разъемов,
переключателей и
т.п.) различного
назначения, в том
числе многовыводных,
герметичных, врубных,
сильноточных и других
средств и технологии -------- ------ ----- ------ --- --- ------ ------- ------ выхода годных
автоматизированного 1417,15 23 41 31,5 150 255 252,7 315,25 348,7 изделий, снижение
контроля коммутационных потерь на 15 - 30
плат, узлов, электронных процентов;
модулей и приборов обеспечение
специального и общего разработки:
применения на этапах неразрушающих методов
разработки и производства контроля качества
монтажных соединений
и многослойных
структур за счет
использования
различного излучения
и цифровой обработки
информации;
методов выявления
напряженных состояний
элементов конструкции
и потенциальных
неисправностей
изделий;
унифицированных
методов и средств
тестового и
функционального
контроля изделий
различного назначения
производства специальных -------- ------ ------ ------ --- ---- ------ ------ ------- специальных
технологических и 2196,17 36 53,15 48,97 400 658 356,9 334,4 308,75 конструкционных и
конструкционных материалов технологических
и базовой технологии материалов,
защиты электронных модулей обеспечивающих
от воздействия в жестких процессы бессвинцовой
условиях эксплуатации и комбинированной
пайки, изготовления
коммутационных плат,
разработка
влагозащитных
электроизоляционных
покрытий с
минимальным
газовыделением со
сроком эксплуатации
25 и более лет,
разработка
быстроотверждающихся,
эластичных, с низким
газовыделением в
вакууме клеев,
компаундов,
разработка материалов
и технологии их
применения для
формирования
теплостоков в
высокоплотной
аппаратуре,
разработка
высокоэффективных
ферритов для
планарных
трансформаторов
повышенной мощности,
обеспечение
разработки
технологий:
локальной защиты
чувствительных
компонентов, общей
защиты модулей
органическими
материалами, в том
числе
наноструктуриро-
ванными; вакуумно-
плотной герметизации
узлов и блоков со
свободным внутренним
объемом до 5 - 10 л
методами пайки и
сварки;
изготовления
вакуумно-плотных
корпусов
многокристальных
модулей и микросборок
под поверхностный
монтаж на платы;
формирования
покрытий,
обеспечивающих
длительную защиту от
дестабилизирующих
факторов внешней
среды, включая
ионизирующие
излучения,
нанесения локальных
покрытий с заданными
свойствами на
элементы конструкции
модулей
Всего по направлению 8 14822,36 267,186 414,441 340,193 2580 4227 2346,87 2380,845 2265,825 -------- ------- ------- ------- ----- ---- ------- -------- -------- 9839,3 176 266,15 226,37 1720 2795 1564,58 1580,65 1510,55
Направление 9. Развитие технологий создания радиоэлектронных систем и комплексов
создания систем и ------- ------ ------ ---- --- --- ----- --- ------- отечественного
оборудования автоматизации 1714,85 40 59 52 290 590 232,6 228 223,25 программно-
проектирования аппаратного
радиоэлектронных систем и обеспечения и средств
комплексов разработки для
автоматизированного
проектирования
радиоэлектронного
оборудования с
использованием
различных
технологических
процессов,
повышение качества и
сокращение сроков
разработки
радиоэлектронной
продукции,
создание технологий
обеспечения
информационной
безопасности
функционирования
информационно-
управляющих систем,
существенное
повышение уровней
защиты информации в
информационно-
управляющих системах,
создание базовых
универсальных
функциональных
модулей защиты
информации от
несанкционированного
доступа, вирусных
атак, средств
разведки и считывания
информации,
криптозащиты каналов
систем, реализация
полного
технологического
цикла проектирования,
испытаний и
производства
унифицированной
высокоэффективной,
импортозамещающей,
конкурентоспособной
аппаратуры
моделирования сложных -------- ---- ----- ------ --- ---- --- ------ ------- способов
информационно-управляющих 2026,45 49,8 80 53,1 350 705 286 256,5 246,05 моделирования:
систем, в том числе систем комбинированного
реального времени способа
моделирования,
позволяющего
существенным образом
повысить
быстродействие
вычислений при
сохранении точности
расчета выходных
показателей
эффективности;
способа операционно-
динамического
моделирования;
снижение сроков
разработки и
испытаний
радиоэлектронной
продукции;
повышение
достоверности
математического и
имитационного
моделирования
радиоэлектронных
систем и комплексов,
обеспечение
максимальной
сходимости
результатов с
результатами натурных
испытаний и
экспериментов
полунатурных и стендовых -------- ------ ----- ------ --- --- --- ------ ------ метрологически
испытаний сложных 1596,65 30 45,65 50 270 650 190 180,5 180,5 аттестованной
информационно-управляющих унифицированной
систем стендовой
испытательной базы
для проведения
научно-
исследовательских и
опытно-
конструкторских
работ; снижение
сроков разработки и
стоимости испытаний
радиоэлектронной
продукции;
существенное
повышение
достоверности
полунатурного
моделирования
радиоэлектронных
систем и комплексов,
обеспечение
максимальной
сходимости
результатов с
результатами натурных
испытаний
конструирования и ------- ----- ----- ----- --- --- --- ----- ------ технологий, элементов
производства, а также 1485,31 30 48,65 43,96 250 605 179 171 157,7 и конструкций для
аппаратно-программного создания парка
обеспечения измерительных систем
метрологических систем и приборов,
различного назначения для необходимых для
создания нового поколения разработки и
отечественного парка испытаний
измерительной аппаратуры радиотехнических
информационно-
управляющих систем,
систем связи и
телекоммуникаций
Всего по направлению 9 10264,052 225,436 371,883 305,583 1740 3824 1331,9 1254 1211,25 --------- ------- ------- ------- ---- ---- ------ ---- ------- 6823,26 149,8 233,3 199,06 1160 2550 887,6 836 807,5
Направление 10. Обеспечивающие работы
принципов и научно- ---- -- -- -- -- -- -- ---- ---- методической и
технической базы 87,6 6 6 7 10 18 14 13,3 13,3 научно-технической
обеспечения проектирования документации для
и производства электронной обеспечения
компонентной базы в функционирования
соответствии с систем проектирования
требованиями Всемирной и производства
торговой организации электронной
компонентной базы в
соответствии с
требованиями
Всемирной торговой
организации
функционирования системы ----- ---- -- -- -- -- -- ---- ---- совершенствование
испытаний электронной 120,6 13 20 13 19 18 11 13,3 13,3 существующих методов
компонентной базы, испытаний электронной
обеспечивающей поставку компонентной базы,
изделий с гарантированной разработка методов
надежностью для отбраковочных
комплектации систем испытаний
специального и двойного перспективной
назначения электронной
компонентной базы,
обеспечение поставки
изделий с
гарантированной
надежностью для
комплектации систем
специального
назначения (атомная
энергетика,
космические
программы, транспорт,
системы двойного
назначения)
совершенствование методов, ----- --- -- -- -- -- ---- ---- ----- систематизация
обеспечивающих качество и 93,05 7 12 9 11 18 10,4 13,3 12,35 методов расчетно-
надежность экспериментальной
сложнофункциональной оценки показателей
электронной компонентной надежности
базы на этапах опытно- электронной
конструкторских работ, компонентной базы,
освоения и производства разрешенной для
применения в
аппаратуре,
функционирующей в
специальных условиях
и с длительными
сроками активного
существования
основополагающих ----- -- ---- -- -- -- ---- ----- технологий
документов по обеспечению 84,65 7 9 10 18 15 13,3 12,35 обеспечения
жизненного цикла изделия жизненного цикла
на этапах проектирования, изделия при создании
производства, применения и широкой номенклатуры
утилизации электронной электронной
компонентной базы компонентной базы
Программы, в том числе ------ -- -- -- -- -- -- ---- ----- выполняемых
определение 120,65 13 20 15 19 18 10 13,3 12,35 комплексов научно-
технологического и исследовательских и
технического уровней опытно-
развития отечественной и конструкторских работ
импортной электронной по развитию
компонентной базы на электронной
основе их рубежных компонентной базы в
технико-экономических рамках Программы и
показателей, разработка определение
"маршрутных карт" развития перспективных
групп электронной направлений создания
компонентной базы новых классов
электронной
компонентной базы с
установлением системы
технико-экономических
и рубежных
технологических
показателей,
разработка
"маршрутных карт"
развития по
направлениям
электронной
компонентной базы
информационно- ------ -- ---- - -- -- -- ---- ----- экономической
аналитической 94,65 7 12 9 10 18 13 13,3 12,35 оптимизации
автоматизированной системы выполнения
по развитию электронной комплексных годовых
компонентной базы, мероприятий
охватывающей деятельность подпрограммы,
заказчика-координатора, создание системы
заказчика и организаций, действенного
участвующих в выполнении финансового и
комплекса программных технического контроля
мероприятий, с целью выполнения Программы
оптимизации состава
участников, финансовых
средств, перечисляемой
государству прибыли и
достижения заданных
технико-экономических
показателей
разрабатываемой
электронной компонентной
базы
развития российской ----- -- -- - - -- -- ---- ----- системно-
электронной компонентной 89,65 7 10 8 8 18 13 13,3 12,35 ориентированных
базы на основе анализа материалов по
динамики сегментов экономике,
мирового и отечественного технологиям
рынков радиоэлектронной проектирования и
продукции и действующей производству
производственно- электронной
технологической базы компонентной базы,
обобщение и анализ
мирового опыта для
выработки технически
и экономически
обоснованных решений
развития электронной
компонентной базы
результатов выполнения -- -- -- - - -- --- ---- ---- системы учета и
комплекса мероприятий 68 8 11 8 7 14 6,7 6,65 6,65 планирования развития
Программы на основе разработки,
создания отраслевой производства и
системы планирования и применения
учета развития разработки, электронной
производства и применения компонентной базы
электронной компонентной
базы по основным технико-
экономическим показателям
Всего по направлению 10 804,65 95,8 118 69 94 140 93,1 99,75 95 ------ ---- --- -- -- -- ---- ----- -- 758,85 68 100 69 94 140 93,1 99,75 95 Итого по разделу I 94901,655 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12706,209 11658,75 --------- ------- -------- -------- ----- -------- -------- -------- -------- 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5
| 2008 — 2015 | В том числе | Сроки реализации | Площадь объекта | |||||||
| годы — всего | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | (кв. м) | |
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)
1. <a id="p100242"></a>Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
техническое ----- --- ----- --- 2010 производственно-
перевооружение 696,5 315 191,5 190 технологического
производства комплекса по выпуску
сверхвысокочастотной твердотельных
техники федерального сверхвысокочастотных
государственного субмодулей мощностью
унитарного 100 тыс. штук в год
предприятия "Научно-
производственное
предприятие "Исток",
г. Фрязино,
Московская область
техническое ----- ----- ----- ----- --- 2011 производственной
перевооружение 580,5 110 170,5 90 210 технологической линии
федерального по выпуску
государственного сверхвысокочастотных
унитарного приборов и модулей на
предприятия "Научно- широкозонных
производственное полупроводниках
предприятие мощностью 360 тыс. штук
"Пульсар", г. Москва в год
техническое --- -- --- 2011 производству активных
перевооружение 140 50 90 элементов и
федерального <*> сверхвысокочастотных
государственного монолитных интегральных
унитарного схем с повышенной
предприятия "Научно- радиационной стойкостью
производственное с 15 до 35 тыс. штук в
предприятие "Салют", год <**>
г. Нижний Новгород
перевооружение ----- ---- --- 2011 производству новейших
федерального 140 90 50 образцов ламп бегущей
государственного <*> волны и других
унитарного сверхвысокочастотных
предприятия "Научно- приборов, в том числе в
производственное миллиметровом диапазоне
предприятие "Алмаз", <**>
г. Саратов
техническое ----- ---- --- 2011 производственной линии
перевооружение 200 65 135 по выпуску новых
федерального <*> сверхмощных
государственного сверхвысокочастотных
унитарного приборов с повышенным
предприятия "Научно- уровнем технических
производственное параметров, надежности
предприятие "Торий", и долговечности
г. Москва мощностью 88 штук в год
<**>
перевооружение --- -- -- 2011 производственной линии
федерального 60 30 30 для выпуска новых
государственного <*> изделий радиационно
унитарного стойкой электронной
предприятия компонентной базы,
"Новосибирский завод необходимой для
полупроводниковых организаций
приборов с ОКБ", Госкорпорации "Росатом"
г. Новосибирск и Роскосмоса <**>
перевооружение --- -- -- 2011 производственных
федерального 90 50 40 мощностей по выпуску
государственного <*> радиационно стойкой
унитарного электронной
предприятия "Научно- компонентной базы в
производственное количестве 80 - 100
предприятие "Восток", тыс. шт. в год для
г. Новосибирск комплектования
важнейших специальных
систем <**>
перевооружение ---- --- --- --- --- 2015 перевооружение завода
открытого 760 250 190 160 160 для выпуска
акционерного общества <*> сверхбольших
"НИИ молекулярной интегральных схем с
электроники и завод топологическими нормами
"Микрон", г. Москва, 0,18 мкм <**>
г. Зеленоград
перевооружение --- ---- ---- 2011 прецизионной оптической
федерального 120 24,6 95,4 и механической
государственного <*> обработки деталей для
унитарного лазерных излучателей,
предприятия "Научно- твердотельных лазеров и
исследовательский бескарданных лазерных
институт "Полюс" гироскопов нового
им. М.Ф. Стельмаха, поколения мощностью 442
г. Москва штуки в год <**>
перевооружение с --- ----- ---- 2015 <***> технологический
целью создания 210 157,5 52,5 комплекс малотоннажного
современного <*> производства
малотоннажного специальных
производства конструкционных
специальных материалов и сплавов
конструкционных для изделий СВЧ-
материалов и сплавов электроники (сплавы и
для изделий псевдосплавы меди,
полупроводниковой и молибдена, вольфрама,
электровакуумной специальные
СВЧ-электроники на термостойкие клеи,
федеральном компаунды, ферритовые
государственном материалы, припои на
унитарном предприятии основе олова, золота,
"Научно- индия) до 500 млн.
производственное рублей в год <**>
предприятие "Исток",
г. Фрязино,
Московская область
техническое ----- ----- в базовых несущих
перевооружение 150 150 конструкциях, в том
централизованного <*> числе
производства базовых импортозамещающих,
несущих конструкций предприятий
на федеральном приборостроения,
государственном машиностроения,
унитарном предприятии судостроения и других
"Производственное отраслей промышленности
объединение "Квант", <**>
г. Великий Новгород
перевооружение -- -- перевооружение
федерального 60 60 действующего
государственного <*> производства
унитарного электронной
предприятия "Научно- компонентной базы и
исследовательский микросистемотехники для
институт электронно- создания новых рядов
механических конкурентоспособных
приборов", г. Пенза изделий электронной
техники <**>
перевооружение ---- ---- перевооружение
федерального 30 30 действующих
государственного производственных
унитарного мощностей по выпуску
предприятия "Научно- сверхбольших
исследовательский интегральных схем и
институт электронной мощных
техники", г. Воронеж сверхвысокочастотных
транзисторов с объемом
выпуска сверхбольших
интегральных схем 50
тыс. штук в год, мощных
сверхвысокочастотных
транзисторов 10 тыс.
штук в год <**>
перевооружение --- --- производства
федерального 80 80 параметрических рядов
государственного <*> мембранных датчиков
унитарного мощностью 10 млн. штук
предприятия "Научно- в год и чувствительных
исследовательский элементов для
институт физических сканирующей зондовой
проблем им. Ф.В. микроскопии мощностью
Лукина", г. Москва 0,3 млн. штук в год
<**>
техническое ------ -- --- --- ----- 2013 перспективных
перевооружение 396,61 32 90 245 29,61 тонкостенных антенно-
производства <*> фидерных устройств и
перспективных волноводных трактов
тонкостенных антенно- сверхвысоко-частотного
фидерных устройств и диапазона, увеличение
волноводных трактов выпуска в 1,5 раза <**>
сверхвысокочастотного мощностью 44,76 тыс.
диапазона в открытом штук в год
акционерном обществе
"Рыбинский завод
приборостроения",
г. Рыбинск,
Ярославская область
перевооружение в --- -- -- 2014 аналитическое
целях создания 60 20 40 обеспечение
отраслевого <*> деятельности
информационно- организаций
аналитического центра радиоэлектронной
в открытом промышленности <**>
акционерном обществе
"Центральный научно-
исследовательский
институт экономики,
систем управления и
информации
"Электроника",
г. Москва
перевооружение и ------- ---- ------ 2013 эффективности,
реконструкция 831,93 730 101,93 надежности и
производства и <*> конкурентоспособности
лабораторной базы для отечественных
разработки и радиоэлектронных
производства модулей, изделий,
перспективных комплексов и систем
радиоэлектронных открытого акционерного
модулей, изделий в общества "Концерн
открытом акционерном радиостроения "Вега"
обществе "Концерн <**>
радиостроения "Вега",
г. Москва
перевооружение в --- --- --- 2014 <***> современных технологий
целях создания 270 100 170 проектирования
отраслевого радиоэлектронных
информационно- производств на базе
аналитического центра прогрессивных
по проектированию аппаратно-программных
радиоэлектронных средств
производств в автоматизированного
открытом акционерном проектирования, в
обществе основе которых лежит
"Мосэлектронпроект", информационное
г. Москва моделирование зданий
<**>
перевооружение для ------ ----- --- --- 2011 испытательного стенда
создания производства 148,66 23,66 55 70 для исследования
нового поколения <*> образцов техники
радиоэлектронных мощностью 800 штук в
модулей в открытом год <**>
акционерном обществе
"Научно-
производственное
предприятие "Рубин",
г. Пенза
перевооружение ----- ---- -- -- -- -- -- 2015 радиочастотной
производственно- 200 23 35 40 30 36 36 идентификации <**>
технологической, <*>
контрольно-
испытательной базы в
открытом акционерном
обществе "Инженерно-
маркетинговый центр
Концерна "Вега",
г. Москва
лабораторно- ----- ---- ---- ---- 2015 <***> высокотехнологичного
производственного 1600 540 530 530 лабораторно-
комплекса по выпуску <*> производственного
перспективных комплекса для выпуска
многофункциональных многофункциональных
электронных модулей в радиоэлектронных
открытом акционерном узлов, блоков и
обществе "Концерн приборов на основе СнК,
радиостроения "Вега", МИС, встраиваемых
г. Москва пассивных компонентов и
технологий
высокоплотного монтажа.
Обеспечение разработки
и выпуска конкуренто-
способных изделий,
комплексов и систем
следующего поколения на
основе перспективных
производственных
технологий, в том числе
модулей для обработки и
передачи сигналов
радиолокационных
навигационных и
посадочных систем,
антенных систем
дистанционного
зондирования Земли,
микропроцессорных
систем управления и
контроля гибридных
двигательных установок
<**>
техническое ---- --- --- --- --- 2015 для перспективных
перевооружение в 860 250 240 185 185 летательных аппаратов
целях создания <**>
специализированного
производства
гироскопов в открытом
акционерном обществе
"Ижевский
электромеханический
завод "Купол",
г. Ижевск, Удмуртская
Республика
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 унифицированных
реконструкция 610 190 180 120 120 твердотельных
специализированного <*> низкочастотных типовых
производства элементов замены для
унифицированных информационных средств
низкочастотных и модулей активных
типовых элементов фазированных антенных
замены и модулей решеток для локационных
активных фазированных систем различного
антенных решеток в применения,
открытом акционерном перспективных средств
обществе "Марийский связи и управления
машиностроительный воздушным движением
завод", г. Йошкар- <**>
Ола, Республика Марий
Эл
техническое ------ --- --- ------ 2013 производства и
перевооружение 349,91 70 190 89,91 внедрение современной
производства <*> технологии с
унифицированных соответствующим
электронных модулей переоснащением
межвидового высокопроизводительным
применения на оборудованием,
открытом акционерном увеличение объема
обществе "Федеральный ежегодного производства
научно- продукции с
производственный 2370 млн. рублей в 2007
центр "Нижегородский году до 5028 млн.
научно- рублей в 2015 году <**>
исследовательский
институт
радиотехники",
г. Нижний Новгород
перевооружение --- --- ------ --- ------ ------ 2015 производства, повышение
специализированного 485 120 138,81 120 53,095 53,095 качества и надежности
производства <*> твердотельных
твердотельных передающих и приемных
передающих и приемных систем, приемо-
систем, приемо- передающих модулей
передающих модулей активных фазированных
активных фазированных антенных решеток
антенных решеток в L-диапазона для
открытом акционерном перспективных средств
обществе "Научно- связи и управления
производственное воздушным движением
объединение <**>
"Правдинский
радиозавод",
г. Балахна,
Нижегородская область
перевооружение и ---- --- --- --- --- 2015 производства, повышение
реконструкция 615 180 165 135 135 качества и надежности
специализированного <*> твердотельных
производства передающих и приемных
твердотельных систем, приемо-
передающих и приемных передающих модулей
систем, приемо- активных фазированных
передающих модулей антенных решеток C- и
активных фазированных S-диапазонов волн для
антенных решеток в перспективных средств
открытом акционерном связи и управления
обществе "Научно- воздушным движением
производственное <**>
объединение
"Лианозовский
электромеханический
завод", г. Москва
перевооружение и --- --- --- --- --- 2015 унифицированных
реконструкция 400 120 100 90 90 твердотельных
специализированного высокочастотных типовых
производства элементов замены для
унифицированных локационных систем
высокочастотных различного применения,
типовых элементов перспективных средств
замены в открытом связи и управления
акционерном обществе воздушным движением,
завод "Красное увеличение объема
знамя", г. Рязань производства типовых
элементов замены на 50
процентов <**>
перевооружение и --- --- --- --- --- 2015 унифицированных
реконструкция 480 130 120 115 115 автоматизированных
специализированного <*> рабочих мест операторов
производства информационных и
унифицированных специального назначения
рабочих мест управляющих систем в
операторов 1,7 раза <**>
информационных систем
в открытом
акционерном обществе
"Уральское
производственное
предприятие "Вектор",
г. Екатеринбург
техническое ------ ------ ----- 2013 технологий с
перевооружение для 441,85 398,81 43,04 соответствующим
создания <*> переоснащением
регионального высокопроизводительным
контрактного оборудованием для
производства организации
унифицированных контрактного
электронных модулей в производства <**>
открытом акционерном
обществе "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж
лабораторной, ---- --- --- --- --- 2015 конкурентоспособной
технологической и 1030 320 280 215 215 продукции мирового
производственной базы <*> уровня, освоение
для обеспечения технологий двойного
разработки, назначения, увеличение
производства и объема выпуска изделий
испытаний нового до 2 - 2,5 млрд. рублей
поколения в год <**>
телекоммуникационных
систем и комплексов в
открытом акционерном
обществе "Концерн
"Созвездие",
г. Воронеж
Реконструкция и 194,6 194,6 2012 620 создание мощностей по техническое ----- ----- изготовлению перевооружение 97,3 97,3 спецтехники нового производственно- <*> поколения, технологической и обеспечивающей защиту лабораторно- специальной информации испытательной базы на в информационно- федеральном коммуникационных государственном системах <**>
унитарном предприятии
"Калужский
электромеханический
завод", г. Калуга
перевооружение --- --- --- 2012 выпуска продукции в 1,3
производства 285 55 230 - 1,5 раза, повышение
перспективных <*> качества и
коротковолновых конкурентоспособности
радиостанций в продукции <**>
открытом акционерном
обществе "Тамбовский
завод "Октябрь",
г. Тамбов
техническое --- -- -- -- -- 2015 производства и
перевооружение 175 45 40 45 45 внедрение современной
производства наземной <*> технологии с
аппаратуры подвижной соответствующим
связи в открытом переоснащением
акционерном обществе высокопроизводительного
"Тамбовский завод оборудования <**>
"Революционный труд",
г. Тамбов
перевооружение ------ --- --- ----- 2013 качества разработки
производственно- 286,54 100 140 46,54 мультисервисных сетей
технологической и <*> ведомственной и
лабораторно- профессиональной связи,
испытательной базы в ожидаемый экономический
открытом акционерном эффект 3 млрд. рублей
обществе "Воронежский <**>
научно-
исследовательский
институт "Вега",
г. Воронеж
перевооружение --- --- качества разработки
лабораторной и 110 110 перспективных
производственно- <*> программно-реализуемых
технологической базы сетей радиосвязи и
нового поколения серии унифицированных
узлов связи в электронных модулей для
открытом акционерном построения указанных
обществе "Тамбовский сетей <**>
научно-
исследовательский
институт радиотехники
"Эфир", г. Тамбов
перевооружение ----- ----- --- ------ ------ 2015 производственных
производства 457,7 162,5 180 62,16 53,04 мощностей для выпуска
открытого <*> перспективной
акционерного общества номенклатуры
"Российская резисторов, в том числе
электроника", чип-резисторов в
г. Москва объеме 1 млрд. рублей в
год <**>
перевооружение с --- --- <***> комплекс по серийному
целью создания 360 360 выпуску
промышленного <*> <*> сложнофункциональных
производства сверхвысокочастотных
сложнофункциональных комплексированных
сверхвысокочастотных устройств, электронных
комплексированных модулей и блоков
устройств, бортовой аппаратуры,
электронных модулей и включая синтезаторы
блоков бортовой частот, приемо-
аппаратуры на передающие моноблоки,
федеральном комплексированные
государственном приемно-усилительные,
унитарном предприятии приемно-
"Научно- преобразовательные и
производственное передающие устройства с
предприятие "Исток", объемом производства до
г. Фрязино, 750 комплектов блоков в
Московская область год <**>
перевооружение с ----- ---- -- 2010 производства
целью создания 136,5 76,5 60 в 1,5 раза <**>
производства новых <*> мощностью 4327 штук в
электровакуумных год
приборов в открытом
акционерном обществе
"Научно-
производственное
предприятие
"Контакт", г. Саратов
перевооружение и ------- ------ ------ ---- 2010 объема выпуска
реконструкция 150 50 50 50 продукции до 0,8 - 1,2
производства по <*> млрд. рублей в год,
выпуску увеличения ресурса
электровакуумных изделий, создания новых
приборов приборов <**> мощностью
сверхвысокочастотного 706 штук в год
диапазона и
специального
технологического
оборудования в
открытом акционерном
обществе
"Владыкинский
механический завод",
г. Москва
перевооружение для ------ ------ ------ 2013 производства с
создания сборочного 389,31 331,19 58,12 использованием
производства <*> микроминиатюрной
электронных модулей с элементной базы, в том
использованием числе микропроцессоров
новейшей электронной и матриц BGA <**>
базы на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Электромеханический
завод "Звезда",
г. Сергиев Посад,
Московская область
Реконструкция и 420 140 100 90 90 2012 - 2156 увеличение объема техническое --- --- --- -- -- 2015 выпуска продукции до перевооружение с 210 70 50 45 45 520 млн. рублей в год целью создания <*> <**>
контрактного
производства
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Калужский завод
телеграфной
аппаратуры",
г. Калуга
- Открытое акционерное общество «Таганрогский научно- исследовательский институт связи», г. Таганрог, Ростовская область
Техническое 302 80 70 76 76 2012 - 1560 внедрение современных перевооружение и --- -- -- -- -- 2015 технологий, создание реконструкция 151 40 35 38 38 комплекса для производства и <*> проведения контроля приборно- технологических измерительной базы параметров и испытаний. на федеральном Увеличение объема государственном выпуска продукции в 1,5 унитарном предприятии раза <**>
"Таганрогский научно-
исследовательский
институт связи",
г. Таганрог,
Ростовская область
перевооружение и ------ ----- ------ 2013 функционального ряда
реконструкция 140,12 77,5 62,62 массовых отечественных
производства <*> микроминиатюрных
испытательной базы пьезоэлектрических
нового поколения генераторов, фильтров,
пьезоэлектрических резонаторов.
генераторов, Увеличение объема
фильтров, резонаторов выпуска продукции до
в открытом 230 - 250 млн. рублей
акционерном обществе в год <**>
"Завод "Метеор",
г. Волжский,
Волгоградская область
техническое --- --- --- -- -- 2015 производственных
перевооружение 200 60 60 40 40 площадей выпуска
научно- <*> приемо-передающих
производственной и модулей на 2080,5
лабораторной базы в кв. м <**>
открытом акционерном
обществе "Научно-
производственное
объединение
"Радиоэлектроника"
имени В.И. Шимко",
г. Казань, Республика
Татарстан
- Открытое акционерное общество «Нижегородское научно- производственное объединение имени М.В. Фрунзе», г. Нижний Новгород
Техническое 400 120 120 80 80 2012 - 1927 организация контрактной перевооружение с --- --- --- -- -- 2015 сборки массовой целью создания 200 60 60 40 40 продукции, увеличение контрактного <*> объема производства производства контрактной продукции унифицированных в 1,8 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Нижегородское
научно-
производственное
объединение имени
М.В. Фрунзе",
г. Нижний
Новгород
перевооружение с ------- -- ------- 2009 сборки массовой
целью создания 150 60 90 продукции, увеличение
контрактного <*> объема производства
производства контрактной продукции в
унифицированных 2,5 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Омское
производственное
объединение
"Иртыш", г. Омск
перевооружение с --- ----- ----- ---- 2015 <***> комплекс по серийному
целью создания 150 45,12 67,38 37,5 выпуску многоканальных
промышленного <*> высоковольтных (ВВИП),
производства низковольтных (НВИП)
многоканальных сильноточных источников
высоковольтных и вторичного
низковольтных электропитания и
сильноточных модуляторов СВЧ
источников вторичного сигналов с высокой
электропитания и плотностью компоновки
модуляторов СВЧ электронных компонентов
сигналов с высокой для бортовой аппаратуры
плотностью компоновки с объемом производства
электронных до 500 комплектов
компонентов для блоков в год <**>
бортовой аппаратуры
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
производственное
предприятие "Исток",
г. Фрязино,
Московская область
Техническое 1000 380,52 280 169,74 169,74 2012 - 5990 обеспечение перевооружение с ---- ------ --- ------ ------ 2015 изготовления печатных целью создания 500 190,26 140 84,87 84,87 плат с новыми финишными контрактного <*> покрытиями до 20000 производства по кв. м в год; изготовлению печатных обеспечение плат выше 5-го класса изготовления точности и унифицированных унифицированных электронных модулей на электронных модулей печатных платах в на федеральном количестве до 400 тыс. государственном штук в год <**>
унитарном предприятии
"Пензенское
производственное
объединение
"Электроприбор",
г. Пенза
- Открытое акционерное общество «Федеральный научно- производственный центр „Нижегородский научно- исследовательский приборостроительный институт „Кварц“ имени А.П. Горшкова», г. Нижний Новгород
Техническое 594,16 280 74,16 120 120 2012 - 2731,3 внедрение современной перевооружение и ------- --- ----- --- --- 2015 технологии с реконструкция 297,08 140 37,08 60 60 соответствующим производства <*> переоснащением электронных высокопроизводительным сверхвысокочастотных оборудованием. модулей на Увеличение объема федеральном выпуска продукции государственном в 1,5 раза <**>
унитарном предприятии
"Нижегородский
научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород
Техническое 510 210 160 70 70 2012 - 1963,26 обеспечение разработки, перевооружение и --- --- --- -- -- 2015 производства и реконструкция 255 105 80 35 35 аттестации средств производства систем, <*> комплексов и систем комплексов и средств защиты информации. защиты информации на Увеличение объема федеральном выпуска продукции до государственном 0,8 - 1,2 млрд. рублей унитарном предприятии <**>
"Научно-
исследовательский
институт автоматики",
г. Москва
- Открытое акционерное общество «Всероссийский научно- исследовательский институт „Градиент“, г. Ростов-на-Дону»
Техническое 300 80 70 75 75 2012 - 909 обеспечение потребности перевооружение и --- -- -- ---- ---- 2015 организаций в базовых реконструкция 150 40 35 37,5 37,5 несущих конструкциях регионального <*> для всех видов производства базовых радиоэлектронной несущих конструкций аппаратуры. Увеличение (БНК) на федеральном объема выпуска государственном продукции в 2 раза <**>
унитарном предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт "Градиент",
г. Ростов-на-Дону
- Открытое акционерное общество «Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С. Семенихина», г. Москва
Реконструкция и 360 90 90 90 90 2012 - 1060 обеспечение разработки, техническое --- -- -- -- -- 2015 производства и перевооружение 180 45 45 45 45 аттестации комплексов производственно- <*> средств автоматизации технологической и информационно- лабораторно- управляющих систем. испытательной базы Увеличение объема для создания выпуска продукции до комплексов средств 0,52 млрд. рублей <**>
автоматизации
информационно-
управляющих систем на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Ордена Трудового
Красного Знамени
научно-
исследовательский
институт
автоматической
аппаратуры
им. академика
В.С. Семенихина",
г. Москва
Техническое 300 80 70 75 75 2012 - 5400 организация контрактной перевооружение с --- -- -- ---- ---- 2015 сборки массовой целью создания 150 40 35 37,5 37,5 продукции, увеличение контрактного <*> объема производства производства контрактной продукции в унифицированных 1,8 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Калугаприбор",
г. Калуга
перевооружение с --- -- -- ---- ---- 2015 сборки массовой
целью создания 150 40 35 37,5 37,5 продукции, увеличение
контрактного <*> объема производства
производства контрактной продукции
унифицированных в 1,7 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Ростовский-на-Дону
научно-
исследовательский
институт радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону
- Открытое акционерное общество «Ордена Трудового Красного Знамени научно- исследовательский институт автоматической аппаратуры им. академика В.С. Семенихина», г. Москва
Техническое 300 80 70 75 75 2012 - 1060 организация контрактной перевооружение с --- -- -- ---- ---- 2015 сборки массовой целью создания 150 40 35 37,5 37,5 продукции, увеличение контрактного <*> объема производства производства контрактной продукции в унифицированных 2,5 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Ордена Трудового
Красного Знамени
научно-
исследовательский
институт
автоматической
аппаратуры им.
академика
В.С. Семенихина",
г. Москва
перевооружение с --- -- -- -- -- 2015 сборки массовой
целью создания 150 35 45 35 35 продукции, увеличение
контрактного <*> объема производства
производства контрактной продукции в
унифицированных 2,5 раза <**>
электронных модулей в
открытом акционерном
обществе "Курский
завод "Маяк",
г. Курск
- Открытое акционерное общество «Научно- исследовательский институт „Полюс“ им. М.Ф. Стельмаха», г. Москва
Техническое 400 100 200 50 50 2012 - 2411 организация контрактной перевооружение с --- --- --- -- -- 2015 сборки массовой целью создания 200 50 100 25 25 продукции, увеличение контрактного <*> объема производства производства контрактной продукции унифицированных в 1,8 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
исследовательский
институт "Полюс"
им. М.Ф. Стельмаха",
г. Москва
Техническое 300 100 100 50 50 2012 - 1210 организация контрактной перевооружение с --- --- --- -- -- 2015 сборки массовой целью создания 150 50 50 25 25 продукции, увеличение контрактного <*> объема производства производства контрактной продукции унифицированных в 1,7 раза <**>
электронных модулей
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
исследовательский
институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург
перевооружение с ----- --- ----- 2013 производства в 1,5 раза
целью создания 112,1 60 52,1 <**>
мощностей по выпуску <*>
источников вторичного
электропитания в
открытом акционерном
обществе "Специальное
конструкторско-
технологическое бюро
по релейной технике",
г. Великий Новгород
Реконструкция и 400 100 140 80 80 2012 - 9586,6 увеличение объема техническое --- --- --- -- -- 2015 производства перевооружение 200 50 70 40 40 радиоэлектронных производства и <*> изделий на 170 млн. испытательной базы рублей <**>
широкополосных
сверхвысокочастотных
устройств на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Брянский
электромеханический
завод", г. Брянск
- Открытое акционерное общество «Конструкторское бюро по радиоконтролю систем управления, навигации и связи», г. Ростов-на-Дону
Техническое 100 100 2012 1035 увеличение объема перевооружение и --- --- выпуска продукции на реконструкция 50 50 100 млн. рублей, производственно- <*> освоение серийного испытательных производства изделий мощностей на "Орион-3М", "Орион- федеральном 3СМ", "Анализ", "Страж- государственном ПМ" и других <**>
унитарном предприятии
"Государственное
конструкторское бюро
аппаратно-программных
средств "Связь",
г. Ростов-на-Дону
перевооружение --- --- --- --- 2015 <***> выпуска продукции до
научно-технического и 400 120 190 90 1,6 млрд. рублей в год
производственного <*> в открытом акционерном
комплексов по выпуску обществе "Владыкинский
электровакуумных механический завод",
приборов снижение себестоимости
сверхвысокочастотного продукции <**>
диапазона в открытом
акционерном обществе
"Российская
электроника",
г. Москва
перевооружение и ------ ----- ----- 2009 выпуска продукции
реконструкция 169,8 100 69,8 в 2 раза <**>
регионального <*>
производства базовых
несущих конструкций
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
производственное
предприятие "Полет",
г. Нижний Новгород
перевооружение --- --- -- -- 2015 <***> конкурентоспособных
производственной и 240 190 25 25 высокотехнологичных
лабораторно- <*> электрических
испытательной базы соединителей нового
для выпуска нового поколения.
поколения Увеличение объемов
электрических производства
соединителей в соединителей
открытом акционерном общепромышленного
обществе "Карачевский назначения в
завод натуральном выражении
"Электродеталь", до 2000000 штук в год
г. Карачев, Брянская <**>
область
перевооружение ------ --- ------ 2013 производства изделий до
испытательного центра 186,83 100 86,83 1,9 млн. штук и 650
для обеспечения <*> млн. рублей <**>
комплекса работ по
корпусированию и
испытаниям сложно-
функциональных
интегральных схем в
открытом акционерном
обществе "Российский
научно-
исследовательский
институт "Электрон-
стандарт",
г. Санкт-Петербург
техническое --- --- --- --- 2015 <***> выпуска продукции на 2
перевооружение 350 110 120 120 млрд. рублей <**>
научно-технического <*>
комплекса по
разработке и
производству ВЧ и СВЧ
акустоэлектронных и
пьезокварцевых
устройств в открытом
акционерном обществе
"Омский научно-
исследовательский
институт
приборостроения",
г. Омск
техническое ----- ----- ----- ----- --- 2011 конкурентоспособных
перевооружение 403 110 88 95 110 изделий мирового
производственно- <*> уровня.
технологической и Разработка технологий
лабораторно- двойного назначения.
испытательной базы на Увеличение объема
федеральном производства в 1,5 раза
государственном <**>
унитарном предприятии
"Научно-
исследовательский
институт "Экран",
г. Самара
Реконструкция и 694,52 15,5 79,2 300 119,82 90 90 2010 - 1300 создание комплексов техническое ------ ---- ---- --- ------ -- -- 2015 конкуренто-способной перевооружение 349,91 10,4 39,6 150 59,91 45 45 аппаратуры специальной производственно- <*> радиосвязи и технологической и управления. лабораторной базы Увеличение объема для комплексов выпуска продукции специальной в 1,5 раза <**>
радиосвязи и
управления на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Омский научно-
исследовательский
институт
приборостроения",
г. Омск
перевооружение --- --- -- -- 2015 <***> перспективного
предприятия для 140 70 35 35 вакуумного оборудования
создания производства <*> <**>
перспективного
вакуумного
оборудования на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
исследовательский
институт вакуумной
техники им.
С.А. Векшинского",
г. Москва
- Открытое акционерное общество «Пензенское производственное объединение электронной вычислительной техники», г. Пенза
Техническое 557,08 200 127,08 115 115 2012 - 8488,4 увеличение объема перевооружение ------ --- ----- ---- ---- 2015 выпуска продукции до и реконструкция 278,54 100 63,54 57,5 57,5 421,5 млн. рублей <**> производственно- <*>
технологической и
лабораторно-
испытательной базы по
созданию
модернизированной
системы идентификации
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Пензенское
производственное
объединение
электронной
вычислительной
техники", г. Пенза
общество "Федеральный ------ --- ----- --- --- 2015 метрологической,
научно- 297,08 140 37,08 60 60 испытательной базы для
производственный <*> разработки и
центр "Нижегородский производства
научно- контрольно-
исследовательский измерительной
приборостроительный аппаратуры
институт "Кварц" миллиметрового
имени А.П. Горшкова", диапазона длин волн.
г. Нижний Новгород Увеличение объема
Техническое производства квантовых
перевооружение рубидиевых стандартов
и реконструкция частоты в 3 раза <**>
метрологической,
испытательной базы
и производства
оптических изделий
на федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Нижегородский
научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород
перевооружение и --- --- -- 2013 полосных измерительных
реконструкция 95 50 45 комплексов для
стендовой и <*> <****> измерения параметров
испытательной базы одиночных антенн и
сложных радио- линейных, плоских и
электронных систем и объемных решеток систем
комплексов в открытом навигации, посадки и
акционерном обществе радиолокации в ближней
"Производственное и дальней зонах (до
объединение "Азимут", 1000 м) и модернизация
г. Махачкала, существующей в
Республика Дагестан организации
испытательной базы для
проведения научно-
исследовательских и
опытно-конструкторских
работ <**>
перевооружение --- --- --- --- --- 2015 выпуска продукции
производственно- 285 105 60 60 60 до 3 - 3,5 млрд. рублей
технологической <*> в год <**>
и лабораторно-
испытательной базы в
открытом акционерном
обществе "Научно-
исследовательский
институт
полупроводниковых
приборов", г. Томск
Техническое 1014,14 640 374,14 2012 - 2087,41 увеличение объема перевооружение и ------- --- ------ 2013 производства монолитно- реконструкция 507,07 320 187,07 интегральных и производства <*> гибридно-монолитных сверхвысокочастотной приборов и электронных техники на компонентов (в том федеральном числе государственном импортозамещающих) унитарном предприятии до 250 тыс. штук в год, "Научно- электровакуумных и производственное вакуумнотвердотельных предприятие модулей (в том числе на "Салют", г. Нижний основе микроминиатюрных Новгород ламп бегущей волны) до
1 тыс. шт. в год,
унифицированных
приемопередающих
модулей (в диапазоне
частот 20 - 150 ГГц) до
1,5 тыс. штук в год
<**>
техническое --- --- --- 2013 выпуска продукции до
перевооружение для 112 60 52 761,5 млн. рублей в
выпуска <*> <****> год.
теплоотводящих Серийный выпуск
керамических подложек электронных
для твердотельных компонентов,
сверхвысокочастотных керамических подложек,
устройств и IGBT- керамических корпусов,
модулей в открытом обеспечивающих
акционерном обществе увеличение объемов
"Холдинговая компания производства в
"Новосибирский различных отраслях
электровакуумный промышленности,
завод - Союз", сверхвысокочастотной
г. Новосибирск техники и силовой
полупроводниковой
электроники <**>
перевооружение и ------ --- ----- --- 2014 производства с учетом
реконструкция 305,25 200 45,25 60 реализации новых
опытного приборного <*> технологий по
производства в изготовлению
открытом акционерном интегральных сборок,
обществе "Концерн датчиков на
"Океанприбор", пьезопленках и других
г. Санкт-Петербург <**>
техническое --- --- --- --- --- 2015 базовых технологий
перевооружение 416 100 120 98 98 производства
организации для <*> электронных средств
совершенствования вычислительной техники
судовой с целью
электротехнической импортозамещения и
продукции в повышения
Федеральном научно- конкурентоспособности;
производственном создание
центре открытом экспериментально-
акционерном обществе лабораторного комплекса
"Научно- для проведения контроля
производственное технологических
объединение "Марс", параметров и испытаний
г. Ульяновск <**>
техническое --- -- -- -- -- 2015 перевооружение
перевооружение 120 40 30 25 25 обеспечит:
опытно- <*> внедрение современных
экспериментального технологий производства
производства модулей модулей функциональной
функциональной микроэлектроники;
микроэлектроники в рост объема
открытом акционерном производства
обществе "Концерн функциональных модулей
"Гранит-Электрон", в 2 - 2,5 раза;
г. Санкт-Петербург расширение номенклатуры
без существенных затрат
на подготовку
производства;
промышленное освоение
технологий влагозащиты
и электроизоляции
модулей <**>
производственного ---- --- --- ----- ----- 2015 производству кремниевых
комплекса для 550 140 135 137,5 137,5 датчиков, многослойных
массового <*> плат, сборке и
производства корпусированию
компонентов инерциальных
инерциальных микромеханических
микромеханических изделий <**>
датчиков двойного
назначения в открытом
акционерном обществе
"Концерн "Центральный
научно-
исследовательский
институт
"Электроприбор",
г. Санкт-Петербург
инженерно- --- --- --- --- --- 2015 базовых технологий
испытательного 310 80 130 50 50 производства
корпуса в открытом <*> электронных модулей
акционерном обществе цифровой и
"Концерн "Гранит- цифроаналоговой
Электрон", г. Санкт- вычислительной техники;
Петербург обеспечение разработки
и производства базовых
унифицированных
электронных модулей.
Увеличение объема
поставок до 10000 штук
в год <**>
перевооружение --- -- -- ---- ---- 2015 оптической элементной
производственно- 230 40 35 77,5 77,5 базы перспективных
технологического <*> оптико-электронных
комплекса по созданию систем, обеспечивающей
оптико-электронной предельно возможные
компонентной базы в технические параметры
открытом акционерном систем, в том числе
обществе "Научно- комплексированных и
производственное многоспектральных
объединение оптических каналов <**>
"Государственный
институт прикладной
оптики", г. Казань,
Республика Татарстан
- Открытое акционерное общество «Государственный оптический институт имени С.И. Вавилова», г. Санкт-Петербург
Реконструкция 640 200 195 245 2013 - 2000 разработка, испытания, производственно- --- --- ---- ----- 2015 <***> опытные поставки и испытательного 320 100 97,5 122,5 серийное производство комплекса <*> новых видов оптико- федерального электронных систем, государственного обеспечивающих унитарного предельно возможные предприятия "Научно- технические параметры производственная изделий <**>
корпорация
"Государственный
оптический институт
имени С.И. Вавилова",
г. Санкт-Петербург
Реконструкция корпуса 700 180 160 180 180 2012 - 900 создание единого 2Ж для создания --- --- --- --- --- 2015 аналитического центра лабораторно- 350 90 80 90 90 по исследованиям и аналитического центра <*> сертификации важнейших инфракрасной фото- и материалов и оптоэлектроники на компонентов федеральном инфракрасной государственном фотоэлектроники <**>
унитарном предприятии
"НПО "Орион",
г. Москва
Техническое 3681 1280 261 930 1210 2012 - 8960 создание перевооружение ------ ---- ----- --- ---- 2015 производственно- производственно- 1840,5 640 130,5 465 605 технологического технологического <*> комплекса, который комплекса по созданию обеспечит промышленный оптоэлектронной выпуск изделий компонентной базы на компонентной базы 2-го федеральном и 3-го поколений и государственном оптико-электронных унитарном предприятии систем на их основе с "НПО "Орион", параметрами, г. Москва превышающими
современный, и
прогнозируемый мировой
уровень <**>
техническое --- -- -- ---- ---- 2015 проведения испытаний
перевооружение 210 35 30 72,5 72,5 опытных образцов
стендово- <*> источников
экспериментальной электроэнергии,
базы в открытом статических
акционерном обществе преобразователей и
"Научно- аппаратуры защиты и
исследовательский коммутации для проекта
институт авиационного "полностью
оборудования", электрический самолет"
г. Жуковский, <**>
Московская область
техническое --- --- --- --- 2015 <***> конкурентоспособных
перевооружение 260 82 65 113 изделий авиационной
производственной <*> техники,
базы, освоение соответствующих
инновационных современным и
технологий для перспективным
изготовления международным
радиоэлектронных стандартам <**>
изделий авиационной
техники с
использованием новых
уровней технологий в
открытом акционерном
обществе "Научно-
исследовательский
институт авиационного
оборудования",
г. Жуковский,
Московская область
техническое ------ --- ----- ---- ---- 2015 венных мощностей по
перевооружение 185,04 50 27,04 61,5 46,5 производству
экспериментально- <*> современной
технологической базы микроэлектронной
для производства аппаратуры <**>
микроэлектронных
изделий в открытом
акционерном обществе
"Казанское
приборостроительное
конструкторское
бюро", г. Казань,
Республика Татарстан
техническое ------ --- ----- -- -- 2015 конкурентоспособной
перевооружение цеха 111,06 50 21,06 30 10 продукции, обладающей
по производству <*> современными
первичных показателями по
преобразователей и надежности,
вторичной аппаратуры быстродействию и
в открытом массогабаритным
акционерном обществе характеристикам <**>
"Казанское
приборостроительное
конструкторское
бюро", г. Казань,
Республика Татарстан
техническое --- --- --- --- 2015 <***> широкой номенклатуры
перевооружение 229 75 77 77 статических преобразо-
производства <*> вателей напряжения
электронных систем авиационных
самолетного перспективных объектов
энергоснабжения в (проект "полностью
открытом акционерном электрический самолет",
обществе "Агрегатное истребитель 5-го
конструкторское бюро поколения, программа
"Якорь", г. Москва развития гражданской
авиационной техники)
<**>
техническое ---- --- ----- ----- 2015 <***> проводить работы с
перевооружение для 535 130 132,5 272,5 радиоэлектронной
создания электронного <*> аппаратурой в условиях
полигона по реального полета с
исследованиям, учетом информационного
отработке и взаимодействия с
сертификации наземными и самолетными
бортового системами обеспечения
авиационного воздушного движения в
радиоэлектронного реальных условиях
оборудования в естественных и
открытом акционерном промышленных помех <**>
обществе "Летно-
исследовательский
институт имени
М.М. Громова",
г. Жуковский,
Московская область
перевооружение с --- --- --- --- 2015 <***> производственного
целью создания 150 50 50 50 участка настройки
производственного <*> быстродействующих
участка настройки бортовых цифровых
быстродействующих устройств с тактовой
бортовых цифровых частотой более 500 МГЦ
устройств с тактовой <**>
частотой более 500
МГЦ в открытом
акционерном обществе
"Ставропольский
радиозавод "Сигнал",
г. Ставрополь
перевооружение с --- --- ---- ----- 2015 <***> испытательной базы для
целью создания 190 75 57,5 57,5 изготовления и
лабораторно- <*> испытаний
испытательной базы сверхширокополосных
для изготовления и СВЧ-устройств
испытаний сантиметрового
сверхширокополосных диапазона с перекрытием
СВЧ-устройств по частоте более 3
сантиметрового октав <**>
диапазона с
перекрытием по
частоте более 3 октав
в открытом
акционерном обществе
"Ставропольский
радиозавод "Сигнал",
г. Ставрополь
техническое ---- --- --- --- 2015 <***> производства
перевооружение 520 120 135 265 перспективных
производства <*> многопроцессорных
специализированных специализированных
цифровых цифровых вычислительных
вычислительных машин машин, построенных на
в открытом основе архитектуры
акционерном обществе единой коммутируемой
"Государственный вычислительной среды,
Рязанский приборный с использованием
завод", г. Рязань принципов Интегральной
Модульной Авионики
(ИМА) второго
поколения,
ориентированных на
обеспечение
принципиально нового
уровня надежности и
универсальности
комплекса аппаратуры
авионики <**>
техническое --- --- -- -- 2015 <***> производственных линий
перевооружение 148 80 34 34 с высокой степенью
участков монтажа <*> автоматизации
электронных систем и производства
электронно-оптических современной авиационной
модулей на радиоэлектронной и
федеральном оптико-электронной
государственном аппаратуры
унитарном предприятии для коммерческой и
"Санкт-Петербургское военной авиации <**>
опытно-
конструкторское бюро
"Электроавтоматика"
имени П.А. Ефимова",
г. Санкт-Петербург
перевооружение с --- --- ---- ---- 2015 <***> плоскопанельных
целью создания 129 50 16,5 62,5 телевизионных
производства цифровых <*> приемников и цифровых
плоскопанельных телевизионных приставок
телевизионных
приемников и цифровых
телевизионных
приставок в открытом
акционерном обществе
"Электросигнал",
г. Дербент,
Республика Дагестан
перевооружение --- --- -- -- 2015 производства
участка 160 70 45 45 сверхвысокочастотной
микроэлектроники в электронной
открытом акционерном компонентной базы на
обществе "Научно- основе перспективных
производственное технологий
предприятие низкотемпературной
"Радиосвязь", керамики <**>
г. Красноярск
2. <a id="p100360"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
перевооружение --- --- базового центра
федерального 50 50 системного
государственного <*> проектирования <**>
унитарного
предприятия "Научно-
производственное
предприятие
"Пульсар", г. Москва,
для создания базового
центра системного
проектирования
техническое ------- ------ центра системного
перевооружение 60 60 проектирования
открытого производительностью 40
акционерного общества аппаратно-программных
"Информационные комплексов в год <**>
телекоммуникационные
технологии",
г. Санкт-Петербург,
для создания базового
центра полного цикла
проектирования и
производства
аппаратно-программных
комплексов
перевооружение для --- --- проектирования,
создания базового 60 60 производства,
центра системного <*> испытаний, контроля,
проектирования тестирования и
микроэлектронных сертификации
модулей нового перспективных изделий,
поколения на основе включая климатические,
технологии "систем в механические,
модуле" двойного и надежностные и другие
специального специализированные
применения на испытания, а также
открытом акционерном сертификации
обществе "Научно- выпускаемых изделий по
исследовательский требованиям различных
институт "Вектор", категорий заказчиков и
г. Санкт-Петербург производств <**>
перевооружение -- -- центра системного
открытого 25 25 проектирования <**>
акционерного общества <*>
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт
радиотехники",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение --- -- --- 2011 центра системного
открытого 270 40 230 проектирования <**>
акционерного общества <*>
"НИИ молекулярной
электроники и завод
"Микрон", г. Москва,
для создания базового
центра проектирования
техническое ---- ---- центра системного
перевооружение 30 30 проектирования <**>
федерального <*>
государственного
унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский
институт автоматики",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение --- --- центра системного
федерального 70 70 проектирования <**>
государственного <*>
унитарного
предприятия "Научно-
производственное
предприятие "Восток",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение ----- ---- --- 2011 центра системного
открытого 100 40 60 проектирования <**>
акционерного общества <*>
"Концерн "Созвездие",
г. Воронеж, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение --- --- центра системного
открытого 100 100 проектирования площадью
акционерного общества <*> 998 кв. м <**>
"Концерн
радиостроения "Вега",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
техническое ----- ----- центра системного
перевооружение 60 60 проектирования площадью
федерального <*> 500 кв. м <**>
государственного
унитарного
предприятия
"Ростовский-на-Дону
научно-
исследовательский
институт радиосвязи",
г. Ростов-на-Дону,
для создания базового
центра проектирования
техническое -- -- центра системного
перевооружение 17 17 проектирования площадью
действующего <*> 500 кв. м <**>
предприятия
федеральное
государственное
унитарное предприятие
"Омский научно-
исследовательский
институт
приборостроения",
г. Омск
(развитие базового
центра системного
проектирования СБИС)
перевооружение --- --- центра системного
открытого 60 60 проектирования площадью
акционерного общества <*> 490 кв. м <**>
"Российский институт
радионавигации и
времени", г. Санкт-
Петербург, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение с --- --- проектирования сложно-
целью создания 116 116 функциональных
базового центра <*> комплексированных
проектирования СВЧ-устройств площадью
сложнофункциональных 300 кв. м <**>
комплексированных
СВЧ-устройств на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Научно-
производственное
предприятие "Исток",
г. Фрязино,
Московская область
техническое -- -- центра системного
перевооружение 80 80 проектирования площадью
открытого <****> <****> 800 кв. м <**>
акционерного общества
"Центральный научно-
исследовательский
институт "Циклон",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
272.1. Техническое 200 200 2011 648 создание базового перевооружение --- --- центра системного федерального 100 100 проектирования площадью государственного 648 кв. м <**> унитарного мощностью 360 тыс. штук
предприятия
"Государственный
завод "Пульсар",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
техническое ---- ---- центра системного
перевооружение 60 60 проектирования <**>
федерального <*>
государственного
унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский
институт "Аргон",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
техническое -- --- --- 2015 центра системного
перевооружение 15 7,5 7,5 проектирования площадью
федерального <*> 500 кв. м <**>
государственного
унитарного
предприятия "НПО
"Орион", г. Москва,
для создания базового
центра проектирования
техническое ----- ----- центра системного
перевооружение 60 60 проектирования площадью
федерального <*> 500 кв. м <**>
государственного
унитарного
предприятия
"Новосибирский завод
полупроводниковых
приборов с ОКБ",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра проектирования
техническое ------ ------ центра системного
перевооружение 80 80 проектирования площадью
федерального <*> 600 кв. м <**>
государственного
унитарного
предприятия "Научно-
исследовательский
институт
телевидения",
г. Санкт-Петербург,
для создания базового
центра проектирования
перевооружение --- --- центра системного
открытого 70 70 проектирования площадью
акционерного общества <*> 600 кв. м <**>
"Концерн
"Океанприбор",
г. Санкт-Петербург,
для создания базового
центра проектирования
техническое ---- ---- центра системного
перевооружение 72,7 72,7 проектирования <**>
федерального <*>
государственного
унитарного
предприятия
"Нижегородский
научно-
исследовательский
приборостроительный
институт "Кварц",
г. Нижний Новгород,
для создания базового
центра проектирования
перевооружение и --- --- центра системного
реконструкция 80 80 проектирования площадью
открытого <*> 650 кв. м <**>
акционерного общества
"Корпорация
"Тактическое ракетное
вооружение",
г. Королев,
Московская область,
для создания базового
центра системного
проектирования
перевооружение --- --- центра системного
федерального 120 120 проектирования площадью
государственного <*> 1134,5 кв. м <**>
унитарного мощностью 2000 штук
предприятия "Научно-
исследовательский
институт "Экран",
г. Самара, для
создания базового
центра проектирования
- Открытое акционерное общество «Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова», г. Санкт-Петербург
Создание базового 500 290 160 50 2012 - 2000 создание базового центра проектирования --- --- --- --- 2014 центра по на базе федерального 250 145 80 25 проектированию, государственного <*> <******> моделированию, унитарного изготовлению, предприятия "Научно- тестированию и производственная сертификации корпорация перспективных "Государственный оптических систем и оптический институт оптико-электронного имени С.И. Вавилова", оборудования <**>
г. Санкт-Петербург
техническое ---- --- --- ----- ----- 2015 надежности систем
перевооружение 1100 295 260 272,5 272,5 цифровой обработки,
открытого <*> систем твердотельных
акционерного общества передающих и приемных
"Концерн ПВО "Алмаз- систем, приемо-
Антей", г. Москва, передающих модулей
для создания базового активных фазированных
центра проектирования системных решеток
систем цифровой С-диапазона для
обработки, перспективных средств
твердотельных связи, управления
передающих и приемных воздушным движением и
систем, приемо- формирования сигналов
передающих модулей на кристалле для
радиолокационных
станций различного
применения <**>
техническое --- ------ --- ------ ------ 2015 центра проектирования
перевооружение для 250 96,19 60 46,905 46,905 сложных функциональных
создания базового <*> блоков и сверхбольших
центра проектирования интегральных схем типа
в открытом "система на кристалле"
акционерном обществе для нового поколения
"Концерн "Созвездие", аппаратуры и мобильных
г. Воронеж телекоммуникационных
систем;
создание
конкурентоспособных
изделий для нового
поколения мобильных
телекоммуникационных
систем гражданского и
двойного назначения
<**>
перевооружение для --- --- производства
создания базового 220 220 комплексных средств
центра системного <*> автоматизации для
проектирования управления
(дизайн-центра) автомобильным и
радиоэлектронных железнодорожным
модулей и узлов транспортом, объектами
стационарных и топливно-
мобильных средств энергетического
автоматизации в комплекса <**>
открытом акционерном
обществе "Научно-
производственное
предприятие "Рубин",
г. Пенза
центра системного --- -- --- 2011 изготовления
проектирования 100 45 55 разработанных
унифицированных <*> электронных модулей по
электронных модулей современным
на основе современной технологиям;
электронной повышение надежности и
компонентной базы в качества и ускорение
открытом акционерном разработки
обществе "Челябинский конкурентоспособных
радиозавод "Полет", изделий мирового
г. Челябинск уровня;
разработка технологий
двойного назначения
<**>
центра системного ----- ----- изготовления
проектирования 100 100 разработанных
унифицированных <*> электронных модулей по
электронных модулей современным
на основе современной технологиям;
электронной разработка технологий
компонентной базы в двойного назначения
открытом акционерном <**> мощностью 5
обществе модулей в год
"Рыбинский завод
приборостроения",
г. Рыбинск,
Ярославская область
перевооружение для --- --- проектирования,
создания базового 90 90 производства,
центра системного <*> испытаний, контроля,
проектирования тестирования и
микроэлектронных сертификации
модулей нового перспективных изделий,
поколения на основе включая климатические,
технологии "систем в механические,
модуле" двойного и надежностные и другие
специального специализированные
применения в открытом испытания, а также
акционерном обществе сертификации
"Калужский научно- выпускаемых изделий по
исследовательский требованиям различных
институт категорий заказчиков и
телемеханических производств <**>
устройств", г. Калуга
центра системного -- -- проектирования,
проектирования 30 30 производства,
микроэлектронных <****> <****> испытаний,
модулей нового контроля, тестирования
поколения на основе и сертификации
технологии "систем в перспективных изделий,
модуле" двойного и включая климатические,
специального механические,
применения в открытом надежностные и другие
акционерном обществе специализированные
"Московский научно- испытания, а также
исследовательский сертификации
институт связи", выпускаемых изделий по
г. Москва требованиям различных
категорий заказчиков и
производств <**>
центра системного ------ ----- --- ----- 2014 и объемов базового
проектирования по 158,78 70,7 50 38,08 центра системного
проектированию <*> проектирования за
радиоэлектронной счет использования
аппаратуры на базе передовых технологий
сверхбольших разработки
интегральных схем радиоэлектронных
"система на изделий.
кристалле" в открытом Ускорение процесса
акционерном обществе получения готовых
"Концерн проектов не менее чем в
радиостроения "Вега", 2 раза <**>
г. Москва
перевооружение для --- --- проектирования,
создания базового 105 105 производства
центра системного <*> высокоплотных
проектирования электронных узлов на
высокоплотных основе технологии
электронных узлов на многокристальных
основе технологии модулей как ключевой
многокристальных технологии достижения
модулей в открытом высоких технических
акционерном обществе характеристик
"Научно- разрабатываемых и
исследовательский производимых изделий.
институт "Кулон", Планируемый объем
г. Москва выпуска многокристаль-
ных модулей до 3,5 тыс.
штук в год <**>
центра системного ----- ---- ---- 2011 проектирования,
проектирования 105 45 60 производства
высокоплотных <*> высокоплотных
электронных узлов на электронных узлов на
основе технологии основе технологии
многокристальных многокристальных
модулей в открытом модулей как ключевой
акционерном обществе технологии
"Конструкторское бюро достижения высоких
"Луч", г. Рыбинск, технических
Ярославская характеристик
область разрабатываемых и
производимых изделий.
Планируемый объем
выпуска
многокристальных
модулей до 3,5 тыс.
штук <**>
перевооружение для --- ------ ------- 2015 <***> центра проектирования и
обеспечения 250 105,35 144,65 расширение возможностей
интеграции базовых <*> и объемов
центров системного разрабатываемой
проектирования в номенклатуры изделий за
сквозную счет тесной интеграции
корпоративную систему разнодисциплинарных
разработки базовых центров
радиоэлектронных системного
комплексов в открытом проектирования
акционерном обществе радиоэлектронных
"Концерн изделий, существенное
радиостроения "Вега", снижение времени и
г. Москва себестоимости
комплексных разработок
высокопроизводительных
СБИС, микропроцессорной
техники, матричных
корпусов, в том числе
для СБИС с большим
количеством выводов,
контроллеров
перспективных
периферийных
интерфейсов для
разработки на их базе
перспективных
сложнофункциональных
блоков,
радиоэлектронной
аппаратуры,
универсальных цифровых
устройств, комплексов,
систем и средств связи
двойного и гражданского
назначения <**>
перевооружение для --- -- -- --- --- 2014 центра разработки
создания базового 265 80 45 70 70 высокопроизводительной
центра проектирования <*> <****> микропроцессорной
универсальных техники двойного
микропроцессоров, назначения, оснащенного
систем на кристалле, современной технологией
цифровых приборов разработки многоядерных
обработки сигналов и систем на кристалле,
других цифровых матричных корпусов для
устройств, комплексов сверхбольших
и систем на базе интегральных схем с
современных большим количеством
лицензионных систем выводов, контроллеров
автоматизированного перспективных
проектирования и периферийных
технических средств интерфейсов для
открытого разработки на их базе
акционерного общества высокопроизводительных
"Институт электронных вычислительных систем
управляющих машин" широкого применения
им. И.С. Брука, <**>
г. Москва
перевооружение и ------ --- ------ --- --- 2015 проектирования и
реконструкция 417,81 140 117,81 80 80 отработки технологии
базового <*> производства
регионального научно- перспективных устройств
технологического микросистемотехники для
центра по комплектования
микросистемотехнике аппаратуры управления,
открытого средств
акционерного общества телекоммуникации и
"Омский научно- связи, высокоточного
исследовательский оружия,
институт робототехнических
приборостроения", комплексов, мониторинга
г. Омск окружающей среды,
зданий и сооружений,
систем трубопроводов,
водо- и газоснабжения,
цифровых и аналоговых
устройств средств
контроля, учета и
дистанционного
управления подачей
энергоресурсов.
Ожидаемый экономический
эффект составит 1500
млн. рублей <**>
техническое --- --- --- ---- ---- 2015 конкурентоспособных
перевооружение центра 245 60 80 52,5 52,5 изделий мирового уровня
системного <*> двойного назначения для
проектирования и комплексов аппаратуры
производства спутниковой связи <**>
радиоэлектронных
средств спутниковой
связи открытого
акционерного общества
"Научно-
производственный
центр "Вигстар",
г. Москва
Реконструкция и 1000,12 670 330,12 2012 - 3221,35 создание дизайн-центра техническое ------- --- ------ 2013 площадью 3221,35 кв. м перевооружение на 500,06 335 165,06 и увеличение выпуска федеральном <*> продукции на 500 млн. государственном рублей в год <**>
унитарном предприятии
"Научно-
производственное
предприятие "Алмаз",
г. Саратов, с целью
создания дизайн-
центра и производства
сверхвысокочастотных
и силовых устройств
перевооружение для ---- ---- конкурентоспособной
создания центра 45 45 технологии
проектирования <*> автоматизированного
перспективной проектирования
электронной кристаллов сверхбольших
компонентной базы на интегральных схем и
федеральном систем на кристалле с
государственном проектными нормами 0,18
унитарном предприятии - 0,13 мкм и степенью
"Научно- интеграции до 100 млн.
исследовательский вентилей на кристалле,
институт электронной что позволит обеспечить
техники", г. Воронеж ускоренную разработку
сложно-функциональных
блоков, сверхбольших
интегральных схем и
систем на кристалле,
соответствующих по
техническим
характеристикам
современным мировым
образцам <**>
центра системного --- -- --- -- -- 2015 современного центра
уровня проектирования 170 45 87 19 19 системного уровня
интеллектуальных <*> проектирования на
датчиков различного основе отечественной
назначения в открытом электронной
акционерном обществе компонентной базы:
"Концерн "Центральный микромеханических
научно- датчиков;
исследовательский датчиков акустического
институт давления;
"Электроприбор", датчиков угловых
г. Санкт-Петербург перемещений и других
<**>
центра проектирования --- -- ---- ---- 2015 центра проектирования
сложных 180 45 67,5 67,5 (дизайн-центра) сложных
функциональных блоков <*> функциональных блоков и
и сверхбольших сверхбольших
интегральных схем интегральных схем типа
типа "система на "система на кристалле"
кристалле" в открытом для обеспечения
акционерном обществе новейшей цифровой
"Концерн техникой
"Моринформсистема- приборостроительных
Агат", г. Москва организаций
судостроительной
отрасли <**>
перевооружение --- --- --- 2014 <***> центра проектирования
базового центра 150 100 50 площадью 600 кв. м <**>
проектирования и <*>
производства
специальных
многокристальных
микросистем и
микромодулей с
использованием
технологии 3D TSV в
открытом акционерном
обществе "Российская
электроника",
г. Москва
техническое --- --- --- 2015 <***> центра проектирования
перевооружение для 422 140 282 площадью 6000 кв. м
создания базового <**>
центра проектирования
составных частей,
компонентов и приемо-
передающих модулей
РЛС с АФАР в открытом
акционерном обществе
"Корпорация "Фазотрон
- Научно-
исследовательский
институт
радиостроения",
г. Москва
3. <a id="p100407"></a>Реконструкция и техническое перевооружение (включая приобретение программно-технических средств)
для создания межотраслевого центра проектирования, каталогизации и изготовления фотошаблонов
техническое ------- --- ------ ----- 2010 центра проектирования,
перевооружение 590,75 78 352,75 160 каталогизации и
открытого <*> изготовления
акционерного общества фотошаблонов с объемом
"Российская производства не менее
электроника", 1200 штук в год <**>
г. Москва (включая
приобретение
программно-
технических средств),
с целью создания
межотраслевого центра
проектирования,
каталогизации и
изготовления
фотошаблонов
Итого по Минпромторгу 70680,25 1618,71 1643,48 2125,3 5740 18466,52 15026,44 12807,68 13252,12 России -------- ------- ------- ------ ---- -------- ------- -------- -------- 37021,79 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7513,22 6403,84 6626,06
Государственная корпорация по атомной энергии «Росатом» (Госкорпорация «Росатом»)
1. <a id="p100411"></a>Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
перевооружение --- -- -- -- -- 2013 технологического
федерального 98 20 24 24 30 комплекса для
государственного <*> производства
унитарного сверхвысокочастотных
предприятия монолитных интегральных
федеральный научно- схем на широкозонных
производственный полупроводниковых
центр "Научно- материалах <**>
исследовательский
институт
измерительных систем
им. Ю.Е. Седакова",
г. Нижний
Новгород
перевооружение --- -- -- -- 2015 <***> перевооружение произ-
производства 80 30 25 25 водства сильноточных
сильноточных <*> электронных
электронных коммутирующих элементов
коммутирующих <**>
элементов на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт автоматики
им. Н.Л. Духова",
г. Москва
перевооружение для --- --- -- -- 2015 перевооружение
организации 107 51 47 9 производства
высокотехнологичного <*> металлокерамических
производства корпусов микросборок и
металлокерамических микросхем <**>
корпусов микросборок
и микросхем на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
федеральном научно-
производственном
центре
"Производственное
объединение "Старт"
имени М.В. Проценко",
г. Заречный,
Пензенская область
перевооружение --- -- -- 2015 <***> перевооружение участков
участков производства 65 25 40 производства
коммутирующих <*> коммутирующих элементов
элементов нового нового поколения с
поколения с лазерным лазерным поджигом <**>
поджигом на
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт автоматики
им. Н.Л. Духова",
г. Москва
перевооружение с --- --- --- --- --- 2015 производственно-
целью производства 200 50 50 50 50 технологического
радиационно стойких <*> участка изготовления
изделий изделий
микроэлектроники с микроэлектроники для
применением методов систем автоматики
нанотехнологий на специзделий <**>
федеральном
государственном
унитарном предприятии
"Всероссийский
научно-
исследовательский
институт автоматики
им. Н.Л. Духова",
г. Москва
перевооружение с --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
целью производства 175 67 52 56 технологического
быстродействующих <*> участка в
радиационно стойких межведомственном
монолитных центре по разработке
интегральных схем на и производству
федеральном радиационно стойкой
государственном электронной
унитарном предприятии компонентной базы <**>
федеральный научно-
производственный
центр "Научно-
исследовательский
институт
измерительных систем
им. Ю.Е. Седакова",
г. Нижний
Новгород
перевооружение с --- --- --- --- 2015 <***> производственно-
целью производства 268 102 79 87 технологического
радиационно стойких <*> участка в
изделий межведомственном центре
микросистемотехники по разработке и
на федеральном производству
государственном радиационно стойкой
унитарном предприятии электронной
федеральный научно- компонентной базы <**>
производственный
центр "Научно-
исследовательский
институт
измерительных систем
им. Ю.Е. Седакова",
г. Нижний
Новгород
перевооружение с ---- --- --- --- --- 2015 перевооружение
целью производства 890 116 150 362 262 технологических
радиационно стойких <*> участков по
изделий изготовлению
микроэлектроники на радиационно стойких
федеральном изделий
государственном микроэлектроники в РФЯЦ
унитарном предприятии ВНИИЭФ обеспечит
"Российский создание "чистых"
федеральный ядерный помещений с
центр - Всероссийский высокотехнологичным
научно- оборудованием, что
исследовательский позволит внедрить в
институт производство более 120
экспериментальной новых технологических
физики", г. Саров, процессов по
Нижегородская область изготовлению
принципиально новых
радиационно стойких
высокофункциональных
МЭМС и МСТ приборов
автоматики <**>
2. <a id="p100420"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
центра радиационно- --- -- -- -- 2011 центра <**>
стойкой электронной 100 40 34 26 мощностью 1 млн.
компонентной базы на <*> транзисторов в год
федеральном
государственном
унитарном предприятии
федеральный научно-
производственный
центр "Научно-
исследовательский
институт
измерительных систем
им. Ю.Е. Седакова",
г. Нижний
Новгород
перевооружение --- --- --- -- 2014 перевооружение дизайн-
дизайн-центра 120 50 60 10 центра радиационно
радиационно стойкой <*> стойкой электронной
электронной компонентной базы
компонентной базы на позволит обеспечить
федеральном разработку и
государственном автоматизированную
унитарном предприятии верификацию ПЛИС -
"Всероссийский прототипов
научно- разрабатываемых СБИС
исследовательский объемом до нескольких
институт автоматики десятков тысяч
им. Н.Л. Духова", логических элементов, а
г. Москва также верификацию в
составе аппаратуры
разработанных СБИС
объемом от нескольких
сотен тысяч до
нескольких миллионов
эквивалентных вентилей
<**>
перевооружение --- -- -- -- 2014 перевооружение дизайн-
дизайн-центра 60 10 40 10 центра позволит создать
радиационно стойкой <*> высокотехнологичный
электронной кластер по разработке
компонентной базы на принципиально новых
федеральном радиационно стойких
государственном электронных схем и СБИС
унитарном предприятии на основе современных
"Российский БМК, АЦ БМК, ПЛИС и ПЗУ
федеральный ядерный большой емкости, что
центр - Всероссийский позволит выполнять до
научно- 500 логических проектов
исследовательский в год:
институт а) радиационно-стойких
экспериментальной СБИС на основе
физики", г. Саров, полузаказных микросхем;
Нижегородская область б) сложно-функциональных
блоков для СБИС типа
"Система на кристалле";
в) микросхем для
технологий КМОП и КМОП-
КНД <**>
перевооружение --- -- -- -- -- 2015 перевооружение дизайн-
дизайн-центра 90 20 20 20 30 центра позволит создать
радиационно стойкой <*> сквозную систему
электронной автоматизированного
компонентной базы на проектирования модулей
федеральном типа "система в
государственном корпусе" (SIP-модулей)
унитарном предприятии с сокращением на 30%
"Российский продолжительности цикла
Федеральный Ядерный разработки, испытаний и
Центр - Всероссийский изготовления SIP-
научно- модулей, расширить
исследовательский номенклатуру
институт технической разрабатываемых
физики имени приборов с
академика использованием
Е.И. Забабахина", указанной технологии до
г. Снежинск, 12 наименований и
Челябинская моделировать тепловые и
область механические процессы,
происходящие в SIP-
модулях, с учетом
внешних воздействующих
факторов <**>
Итого по 4506 80 68 40 100 540 1200 1360 1118 Госкорпорации ---- -- -- -- --- --- ---- ---- ---- "Росатом" 2253 40 34 20 50 270 600 680 559
Федеральное космическое агентство (Роскосмос)
1. <a id="p100427"></a>Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
техническое --- --- ---- ---- 2015 <***> производство
перевооружение 160 55 52,5 52,5 многокристальных систем
открытого <*> в корпусе, микро- и
акционерного общества радиоэлектронных
"Российская модулей, в том числе на
корпорация ракетно- основе устройств
космического микросистемной техники;
приборостроения и оснащенное отраслевое
информационных автоматизированное
систем", г. Москва, хранилище производимых
в целях создания и приобретаемых
производства электронных компонентов
многокристальных со встроенной системой
систем в корпусе, мониторинга и
микро- и прогнозирования
радиоэлектронных состояния хранимой
модулей, в том числе продукции <**>
на основе устройств
микросистемной
техники
техническое --- --- -- -- 2015 <***> производства по
перевооружение 160 100 30 30 выпуску:
открытого <*> параметрического ряда
акционерного общества модулей
"Научно- сверхвысокочастотных
исследовательский устройств;
институт точных узлов и крупноблочных
приборов", г. Москва, радиоэлектронных
для создания функциональных модулей
производства модулей приемо-передающей
сверхвысокочастотных аппаратуры.
устройств для особо Реализация указанных
жестких условий мероприятий
эксплуатации обеспечивает:
сокращение сроков
изготовления изделий
радиолокационной
техники и техники связи
в 2 - 3 раза;
расширение номенклатуры
сверхвысокочастотных
изделий в 1,5 раза <**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> производственной линии
перевооружение 80 30 25 25 для выпуска облегченных
открытого <*> сверхвысокочастотных
акционерного общества волноводов;
"Информационные увеличение производства
спутниковые системы" сверхвысокочастотных
имени академика волноводов с низким
М.Ф. Решетнева", уровнем потерь и
г. Железногорск, улучшенными массовыми
Красноярский край, характеристиками;
с целью создания оснащение отраслевого
производственной автоматизированного
линии для хранилища для модулей
изготовления радиоэлектронных и
облегченных навигационных систем со
сверхвысокочастотных встроенной системой
волноводов мониторинга и
миллиметрового прогнозирования
диапазона состояния хранимой
продукции <**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> производства
перевооружение 100 40 30 30 электромеханических и
федерального <*> радиоэлектронных
государственного компонентов для
унитарного микромодульных средств
предприятия "Научно- автономного управления
производственное и контроля;
объединение увеличение производства
автоматики имени изделий бортовой и
академика промышленной
Н.А. Семихатова", радиоэлектроники на 35
г. Екатеринбург, для процентов и более;
создания производства оснащение отраслевого
электромеханических и автоматизированного
радиоэлектронных хранилища для
компонентов радиоэлектронных
микромодульных модулей со встроенной
средств автономного системой мониторинга и
управления и контроля прогнозирования
состояния хранимой
продукции <**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> лаборатории контроля
перевооружение 100 40 30 30 стойкости электронной
открытого <*> компонентной базы для
акционерного общества специальной
"Научно- радиоэлектронной
исследовательский аппаратуры в условиях
институт космического космического
приборостроения", пространства, что
г. Москва, для обеспечит внедрение
создания отраслевой технологических
лаборатории контроля процессов прямого (в
стойкости электронной том числе
компонентной базы неразрушающего)
радиоэлектронной контроля стойкости
аппаратуры к электронной
дестабилизирующим компонентной базы и
факторам космического экспериментально-
пространства аналитического прогноза
деградации
характеристик
электронной
компонентной базы и
радиоэлектронной
аппаратуры,
определение
характеристик стойкости
к условиям открытого
космического
пространства,
увеличение сроков
активного
функционирования
аппаратуры до 20 лет
<**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> производственных линий
перевооружение 100 40 30 30 для изготовления
открытого <*> встроенных модульных
акционерного общества пассивных
"Научно- радиоэлементов для
производственный систем бортовой и
центр "Полюс", промышленной
г. Томск, для радиоэлектроники и
технического вторичных источников
перевооружения питания с совмещенными
действующего линиями передачи данных
производства и электропитания,
расширение номенклатуры
и увеличение
производства встроенных
вторичных источников
питания с совмещенными
линиями передачи данных
и электропитания для
средств бортовой и
промышленной
электроники на 70
процентов и более <**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> производства матричных
перевооружение 100 40 30 30 оптико-электронных
федерального <*> модулей для работы в
государственного составе оптико-
унитарного электронных
предприятия "Научно- преобразователей
исследовательский высокого разрешения и
институт матричных
микроприборов - К", сверхвысокочастотных
г. Москва, для приборов для модулей
создания матричных фазированных антенных
оптико-электронных решеток, что позволит
модулей на основе расширить номенклатуру
кремниевых мембран и выпускаемой
гетеропереходов на мелкосерийной продукции
основе арсенида в 2 раза, увеличить
галлия и нитрида объем выпускаемых
галлия дискретных и модульных
элементов в 10 раз <**>
2. <a id="p100435"></a>Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
техническое --- --- --- 2013 центра системного
перевооружение 363 243 120 проектирования площадью
открытого <*> 570 кв. м <**>
акционерного общества
"Российская
корпорация ракетно-
космического
приборостроения и
информационных
систем", г. Москва,
для создания базового
центра проектирования
техническое --- --- --- -- --- --- 2012 центра
перевооружение для 461 60 60 18 80 243 автоматизированного
создания отраслевого <*> проектирования и
центра функциональной
автоматизированного поддержки процессов
проектирования в изготовления и
открытом акционерном эксплуатации
обществе "Научно- параметрических рядов
исследовательский сверхвысокочастотных
институт точных модулей унифицированных
приборов", г. Москва сверхвысокочастотных
трактов, базовых
несущих конструкций
активных фазированных
антенных решеток,
радиолокационных и
связных модульных
приборов площадью
500 кв. м <**>
техническое --- --- -- -- 2015 <***> проектирования
перевооружение для 140 50 45 45 унифицированных микро-
создания центра <*> электронных датчиков
проектирования площадью 380 кв. м для
унифицированных проектирования
микроэлектронных унифицированных
датчиков для работы в полупроводниковых
особо жестких микродатчиков и
условиях эксплуатации преобразователей
в открытом физических величин в
акционерном обществе системах управления,
"Научно- контроля и диагностики
исследовательский динамических объектов
институт физических <**>
измерений", г. Пенза
техническое --- -- -- 2014 <***> центра площадью 350 кв.
перевооружение для 70 40 30 м для системного
создания базового <*> проектирования с полным
центра системного циклом проектирования и
проектирования производства
интегральных параметрического ряда
микроэлектронных интегральных микро-
датчиков и электронных датчиков и
датчикопреобразующей нанодатчиков для
аппаратуры в открытом контрольной аппаратуры
акционерном обществе на основе
"Научно- специализированных
производственное электронных узлов по
объединение технологии "кремний на
измерительной изоляторе" для особо
техники", г. Королев, жестких условий
Московская область эксплуатации <**>
техническое --- --- -- 2014 <***> системного
перевооружение для 100 80 20 проектирования
создания центра <*> матричных
проектирования преобразователей и
матричных микроэлектронных
преобразователей и сигнальных процессоров
микроэлектронных высокоточных
сигнальных навигационных приборов
процессоров на бортового и
федеральном промышленного
государственном назначения с
унитарном предприятии использованием
"Научно- прецизионного
производственный высокотехнологичного
центр автоматики и оборудования для
приборостроения имени повышения качества
академика проектирования,
Н.А. Пилюгина", изготовления и
г. Москва надежности аппаратуры
систем управления,
уменьшения габаритно-
массовых характеристик
изделий, сокращение
стоимости аппаратуры
и т.д. <**>
техническое --- -- -- -- 2015 <***> центра сквозного
перевооружение для 74 40 17 17 системного
создания базового <*> проектирования и
центра системного функциональной
проектирования и поддержки в процессе
технического эксплуатации аппаратуры
перевооружения модульных средств связи
действующего и навигации для
производства в бортовых и промышленных
открытом акционерном систем площадью
обществе 300 кв. м <**>
"Информационные
спутниковые системы"
имени академика
М.Ф. Решетнева",
г. Железногорск,
Красноярский край
Итого по Роскосмосу 4008 120 120 28 160 972 1350 679 579 ---- --- --- -- --- --- ---- ----- ----- 2008 60 60 18 80 486 675 339,5 289,5
Министерство образования и науки Российской Федерации (Минобрнауки России)
Реконструкция и техническое перевооружение для создания базовых центров системного проектирования
перевооружение -- -- -- 2010 центра системного
государственного 54 24 30 проектирования площадью
образовательного <*> 515,1 кв. м <**>
учреждения высшего
профессионального
образования
"Московский
государственный
институт электронной
техники" (технический
университет),
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
техническое -- -- центра системного
перевооружение 25 25 проектирования площадью
государственного 500 кв. м
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования
"Московский
государственный
институт
радиотехники,
электроники и
автоматики"
(технический
университет),
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
перевооружение --- --- центра системного
федерального 100 100 проектирования площадью
государственного <*> 400 кв. м <**>
бюджетного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования
"Национальный
исследовательский
Томский
государственный
университет", г.
Томск, для создания
базового центра
проектирования
техническое --- --- <***> центра системного
перевооружение 100 100 проектирования площадью
федерального <*> 400 кв. м <**>
государственного
бюджетного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования
"Московский
государственный
технический
университет имени
Н.Э. Баумана",
г. Москва, для
создания базового
центра проектирования
техническое --- --- <***> центра системного
перевооружение 100 100 проектирования площадью
федерального <*> 400 кв. м <**>
государственного
автономного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Южный
федеральный
университет",
г. Ростов-на-Дону,
для создания базового
центра проектирования
техническое --- --- --- 2015 <***> центра системного
перевооружение 100 50 50 проектирования площадью
федерального <*> 400 кв. м <**>
государственного
бюджетного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования
"Новосибирский
национальный
исследовательский
государственный
университет",
г. Новосибирск, для
создания базового
центра проектирования
техническое --- ---- ---- 2015 <***> центра системного
перевооружение 115 57,5 57,5 проектирования площадью
федерального <*> 600 кв. м <**>
государственного
образовательного
учреждения высшего
профессионального
образования "Санкт-
Петербургский
государственный
университет",
г. Санкт-Петербург,
для создания базового
центра проектирования
перевооружение в <*****> 2014 <***> центра системного
целях создания проектирования площадью
базового центра 600 кв. м <**>
проектирования в
федеральном
государственном
автономном
образовательном
учреждении высшего
профессионального
образования
"Национальный
исследовательский
ядерный университет
"МИФИ", г. Москва
перевооружение в <*****> 2014 центра проектирования
целях создания площадью 600 кв. м <**>
базового центра
проектирования в
федеральном
государственном
автономном
образовательном
учреждении высшего
профессионального
образования
"Московский физико-
технический институт
(государственный
университет)",
г. Москва
Итого по Минобрнауки 1318 50 48 30 200 480 295 215 России ---- -- -- -- --- --- ----- ----- 594 25 24 30 100 200 107,5 107,5
Федеральная служба по техническому и экспортному контролю (ФСТЭК России)
Реконструкция и техническое перевооружение действующих радиоэлектронных производств
перевооружение --- ----- ------ 2012 производственных
федерального 100 33,38 66,62 мощностей по выпуску
государственного <*****> оптоволоконных
унитарного соединителей изделий
предприятия микромеханики <**>
"Производственное
объединение
"Октябрь",
г. Каменск-Уральский,
Свердловская область
Итого по ФСТЭК России 200 66,76 133,24 --- ----- ------ 100 33,38 66,62 Итого по разделу II 80712,25 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,76 18056,4 15141,6 15164,12 -------- ------- ------- ----- ------ ------- ------- -------- -------- 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 48988,22 87530,84 7582,06
<*> Размеры финансирования будут уточнены после утверждения в установленном порядке проектно-сметной документации.
<**> Конкретный состав оборудования и работ будет определен на этапе технико-экономического обоснования.
<***> Мощность объекта может быть уточнена на стадии разработки проекта.
<****> Объемы скорректированы и полностью возвращены в бюджет.
<*****> Вопрос бюджетного финансирования (в 2013 году — в объеме 400 млн. рублей, в 2014 году — в объеме 80 млн. рублей) будет рассмотрен в ходе исполнения Федерального закона «О федеральном бюджете на 2013 год и на плановый период 2014 и 2015 годов» при корректировке Программы в 2013 году.
<******> Объемы финансирования в 2013 году будут уточнены в ходе исполнения Федерального закона «О федеральном бюджете на 2013 год и на плановый период 2014 и 2015 годов» при корректировке Программы в 2013 году.
Примечания: 1. Срок получения предусмотренных настоящим приложением результатов работ соответствует году окончания их финансирования.
2. В числителе указывается общая стоимость работ, в знаменателе — размер финансирования за счет средств федерального бюджета.
Приложение № 3
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции постановления
Правительства Российской Федерации
от 22 апреля 2013 г. № 359)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
ОБЪЕМОВ ФИНАНСИРОВАНИЯ ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО
БЮДЖЕТА ПО ГОСУДАРСТВЕННЫМ ЗАКАЗЧИКАМ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ
ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ
И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
| 2008 — 2015 | В том числе | |||||||
| годы — всего | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год |
Всего по Программе 104663,296 5372,7 5772,01 54000 12963,38 25180 18619 16001,646 15354,56
Минпромторг 91115,91 4757,7 5157,21 4952,62 11940 21953,26 15538,5 13624,56 13192,06 России
Роскосмос 6064,5 290 320 168 430 1776 1473 824 783,5 Госкорпорация 5877,586 240 246,5 179,38 400 1124,12 1265 1293,586 1129
«Росатом»
Минобрнауки 1505,3 85 48,3 100 160 260 342,5 259,5 250 России
ФТЭК России 100 - - - 33,38 66,62 - - - Капитальные 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8988,22 7530,84 7582,06
вложения — всего
Минпромторг 37021,79 1267,7 1412,71 1695 2870 9233,26 7513,22 6403,84 6626,06 России
Роскосмос 2008 60 60 18 80 486 675 339,5 289,5 Госкорпорация 2253 40 34 20 50 270 600 680 559
«Росатом»
Минобрнауки 594 25 24 30 — 100 200 107,5 107,5 России
ФСТЭК России 100 - - - 33,38 66,62 - - - Научно- 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5
исследовательские и опытно- конструкторские работы — всего
Минпромторг 54094,12 3490 3744,5 3257,62 9070 12720 8025,28 7220,72 6566 России
Роскосмос 4056,5 230 260 150 350 1290 798 484,5 494 Госкорпорация 3624,59 200 212,5 159,38 350 854,12 665 613,586 570
«Росатом»
Минобрнауки 911,3 60 24,3 70 160 160 142,5 152 142,5 России
Приложение № 4
к федеральной целевой программе
«Развитие электронной компонентной
базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
(в редакции постановления
Правительства Российской Федерации
от 22 апреля 2013 г. № 359)
ОБЪЕМЫ ФИНАНСИРОВАНИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ «РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ
КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» НА 2008 — 2015 ГОДЫ
ЗА СЧЕТ СРЕДСТВ ФЕДЕРАЛЬНОГО БЮДЖЕТА
И ВНЕБЮДЖЕТНЫХ ИСТОЧНИКОВ
| 2008 — 2015 годы — всего | В том числе | |||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | |
Всего по Программе 175613,905 7903,837 8478,112 8267,417 20961,76 42829,41 32502,61 27847,889 26822,87
федеральный бюджет 104663,296 5372,7 5772,01 5400 12963,38 25180 18619 16001,646 15354,56 внебюджетные 70950,609 2531,137 2706,102 2867,417 7998,38 17649,41 13883,61 11846,243 11468,31
средства
Капитальные вложения — 80712,25 1868,71 1879,48 2223,3 6066,76 20311,76 18056,44 15141,68 15164,12 всего
федеральный бюджет 41976,79 1392,7 1530,71 1763 3033,38 10155,88 8988,22 7530,84 7582,06 внебюджетные 38735,46 476,01 348,77 460,3 3033,38 10155,88 9068,22 7610,84 7582,06
средства
Научно- 94901,655 6035,127 6598,632 6044,117 14895 22517,65 14446,17 12706,209 11658,75 исследовательские и опытно-конструкторские работы — всего
федеральный бюджет 62686,506 3980 4241,3 3637 9930 15024,12 9630,78 8470,806 7772,5 внебюджетные 32215,149 2055,127 2357,332 2407,117 4965 7493,53 4815,39 4235,403 3886,25".
средства
6. В приложении № 5 к указанной Программе:
а) в абзаце пятнадцатом цифры «179224,366» заменить цифрами «175613,905», цифры «106844,71» заменить цифрами «104663,296», цифры «72379,66» заменить цифрами «70950,609», цифры «64554,9» заменить цифрами «66746,5», цифры «131640» заменить цифрами «125754,3»;
б) в абзаце шестнадцатом цифры «203443,4» заменить цифрами «196247,7»;
в) в абзаце семнадцатом цифры «7,9» заменить цифрой «7»;
г) в абзаце восемнадцатом цифры «1,54» заменить цифрами «1,57»;
д) таблицы 1 - 3 изложить в следующей редакции:
Исходные данные,
принятые для расчета коммерческой и бюджетной эффективности
реализации федеральной целевой программы «Развитие
электронной компонентной базы и радиоэлектроники»
на 2008 — 2015 годы
| Показатели | 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | 2016 год | 2017 год | За расчетный период |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Условно-переменная часть текущих издержек производства (себестоимости) (процентов) | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | 62 | - |
| Годовой объем реализуемой продукции отрасли (объем продаж) | 58000 | 70000 | 90000 | 110000 | 170000 | 210000 | 240000 | 270000 | 340000 | 420000 | - |
| Инвестиции из всех источников финансирования - всего по Программе | 7903,837 8478,112 | 8267,417 | 20961,8 | 42829,41 | 32502,61 | 27847,889 | 26822,87 | - | - | ||
| в том числе: | |||||||||||
| средства федерального бюджета на научноисследовательские и опытноконструкторские работы | |||||||||||
| капитальные вложения и прочие нужды | 5372,7 | 5772,01 | 5400 | 12963,38 | 25180 | 18619 | 16001,65 | 15354,56 | - | - | 104663,296 |
| из них | |||||||||||
| капитальные вложения | 1392,7 | 1530,71 | 1763 | 3033,38 | 10155,88 | 8988,22 | 7530,84 | 7582,06 | - | - | 41976,79 |
| внебюджетные средства на научноисследовательские и опытноконструкторские работы и капитальные вложения (собственные, заемные и др.) | 2531,137 2706,102 | 2867,417 | 7998,38 | 17649,41 | 13883,61 | 11846,243 | 11468,31 | - | - | 70950,609 | |
| налогооблагаемая база налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленнопроизводственных фондов отрасли по остаточной стоимости) | 33000 | 34500 | 36000 | 38000 | 41000 | 46000 | 54000 | 60000 | 61000 | 62000 | - |
| Рентабельность реализованной продукции (процентов) | 10 | 10 | 12 | 14 | 16 | 18 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| Амортизационные отчисления (процентов себестоимости) | 3,5 | 3,8 | 4 | 4,5 | 5 | 5,5 | 6 | 6,5 | 7 | 7,5 | - |
| Материалы (процентов себестоимости) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | - |
| Фонд оплаты труда (процентов себестоимости) | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | - |
| Налог на имущество организаций (процентов) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | - |
| Налог на прибыль организаций (процентов) | 24 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | - |
| Налог на доходы физических лиц (процентов) | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | - |
| Страховые взносы (процентов) | 26 | 26 | 26 | 34 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 | - |
| Налог на добавленную стоимость (процентов) | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | - |
| Норма дисконта (средняя за расчетный период) (процентов) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0,1 |
Расчет коммерческой и бюджетной
эффективности реализации федеральной целевой
программы "Развитие электронной компонентной базы
и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы
(в ценах соответствующих лет, млн. рублей)
| Наименование показателей | Расчетный период | За расчетный | |||||||||
| 2008 год | 2009 год | 2010 год | 2011 год | 2012 год | 2013 год | 2014 год | 2015 год | 2016 год | 2017 год | период | |
| номер шага (m) | |||||||||||
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | ||
Операционная и инвестиционная деятельность (коммерческая эффективность)
Годовой объем 58000 70000 90000 110000 170000 210000 240000 270000 340000 420000 - реализованной продукции отрасли без налога на добавленную стоимость
Себестоимость годового 52727 63636 80357 96491 146552 177966 200000 225000 283333 350000 - объема реализованной продукции отрасли
Прибыль от реализации 5273 6364 9643 13509 23448 32034 40000 45000 56667 70000 - продукции
Налогооблагаемая база 33000 34500 36000 38000 41000 46000 54000 60000 61000 62000 - налога на имущество (среднегодовая стоимость основных промышленно- производственных фондов отрасли по остаточной стоимости)
Налог на имущество 660 690 720 760 820 920 1080 1200 1220 1240 - организаций
Налогооблагаемая прибыль 4587,3 5727,3 8967,9 12833,3 22744,8 31072,9 38800 43650 54966,7 67900 - Налог на прибыль 1100,9 1145,5 1793,6 2566,7 4549 6214,6 7760 8730 10993,3 13580 -
организаций
Чистая прибыль 3486,3 4581,8 7174,3 10266,7 18195,9 24858,3 31040 34920 43973,3 54320 - Амортизационные 1845,5 2418,2 3214,3 4342,1 7327,6 9788,1 12000 14625 19833,3 26250 -
отчисления в структуре себестоимости
Материальные затраты в 26363,6 31818,2 40178,6 48245,6 73275,9 88983,1 100000 112500 141666, 175000 - структуре себестоимости 7 Фонд оплаты труда в 13181,8 15909,1 20089,3 24122,8 36637,9 44491,5 50000 56250 70833,3 87500 -
структуре себестоимости
Налог на добавленную 4745,5 5727,3 7232,1 8684,2 13189,7 16016,9 18000 20250 25500 31500 — стоимость
Налог на доходы 1713,6 2068,2 2611,6 3136 4762,9 5783,9 6500 7312,5 9208,3 11375 — физических лиц
Страховые взносы 3427,3 4136,4 5223,2 8201,8 10991,4 13347,5 15000 16875 21250,3 26250 - Налоги, поступающие в 10546,4 12631,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2
бюджет и внебюджетные фонды (приток в бюджет)
Сальдо от операционной 5331,8 7000 10388,6 14608,8 25523,4 34646,4 43040 49545 63806,7 80570 — деятельности. Чистый доход организаций (чистая прибыль и амортизационные отчисления)
Коэффициент 1 0,909 0,826 0,751 0,683 0,621 0,564 0,513 0,467 0,424 — дисконтирования (норма дисконта Е = 0,1)
Сальдо от операционной 5331,8 6363,6 8585,6 10975,8 17432,9 21512,7 24295 25424,4 29766,3 34169,5 183857,6 деятельности с учетом дисконтирования. Чистый доход организаций с учетом дисконтирования
Величина инвестиций из 7903,8 8478,1 8267,4 20961,8 42829,4 32502,6 27847,9 26822,9 — - 175613,905 всех источников финансирования (оттоки)
Сальдо суммарного потока -2572,1 -1478,1 2121,2 -6353 -17306 2143,8 15192,1 22722,1 63806,7 80570 — от инвестиционной и операционной деятельности без дисконтирования
Величина инвестиций из 7903,8 7707,4 6832,6 15748,9 29253,1 20181,6 15719,4 13764,4 — - 117111,1 всех источников финансирования (оттоки) с учетом дисконтирования
Сальдо суммарного потока -2572,1 -1343,7 1753 -4773,1 -11820,2 1331,2 8575,6 11660 29766,3 34169,5 66746,5 от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Сальдо накопленного суммарного потока от инвестиционной и операционной деятельности с учетом дисконтирования (нарастающим итогом)
Чистый дисконтированный -2572,1 -3915,8 -2162,8 -6935,9 -18756,1 -17424,9 -8849,4 2810,7 32577 66746,5 — доход
Срок окупаемости 7 лет инвестиций (период возврата) (лет)
Индекс доходности — - - — - - — - - — 1,57 (рентабельность инвестиций)
Финансовая и операционная деятельность (бюджетная эффективность)
Средства федерального 5372,7 5772,01 5400 12963,4 25180 18619 16001,6 15354,6 — - 104663,3 бюджета на научно- исследовательские и опытно-конструкторские работы, капитальные вложения и прочие нужды (отток из бюджета)
Налоги, поступающие в 10546,4 12621,8 15787 20781,9 29764 36068,3 40580 45637,5 57178,3 70365 339330,2 бюджет и внебюджетные фонды
Налоги, поступающие в 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Отток бюджетных средств 5372,7 5772 5400 12963,4 25180 18619 16001,6 15354,6 - - - Отток бюджетных средств 5372,7 5247,3 4462,8 9739,6 17198,3 11560,9 9032,5 7879,3 - - 70493,41
с учетом дисконтирования
Сальдо суммарного потока 5173,7 6227,1 8584,3 5874,2 3130,9 10834,6 13873,8 15539,9 26674,1 29841,6 125754,3 от финансирования и операционной деятельности с учетом дисконтирования
Чистый дисконтированный 5173,7 11400,8 19985 25859,2 28990,1 39824,8 53698,6 69238,6 95912,7 125754,3 — доход государства или бюджетный эффект
Индекс доходности 2 2,2 2,9 1,6 1,2 1,9 2,5 2,9 — - 2,8 бюджетных средств
Налоги, поступающие в 10546,4 11474,4 13047,1 15613,8 20329,2 22395,6 22906,4 23419,3 26674,1 29841,6 196247,7 бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования
Удельный вес средств 0,68 0,68 0,65 0,62 0,59 0,57 0,58 0,57 — - 0,6 федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства)
Период возврата 1 год бюджетных средств (лет)
Уровень безубыточности 0,79 0,79 0,76 0,73 0,7 0,68 0,66 0,66 0,66 0,66 0,68
«Развитие электронной компонентной базы»
и радиоэлектроники» на 2008 — 2015 годы
| Наименование показателей | 2008 — 2017 годы |
|---|---|
| Всего инвестиций (в ценах соответствующих лет) | 175613,905 |
| в том числе: | |
| средства федерального бюджета | 104663,3 |
| внебюджетные средства | 70950,61 |
| Показатели коммерческой эффективности | |
| Чистый дисконтированный доход в 2017 году | 66746,5 |
| Срок окупаемости инвестиций по чистой прибыли организации (лет) | 7 лет |
| Индекс доходности (рентабельность) инвестиций по чистой прибыли | 1,57 |
| Уровень безубыточности | 0,68 |
| Показатели бюджетной эффективности | |
| Налоги, поступающие в бюджет и внебюджетные фонды с учетом дисконтирования | 196247,7 |
| Бюджетный эффект | 125754,3 |
| Индекс доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям | 2,8 |
| Удельный вес средств федерального бюджета в общем объеме финансирования (степень участия государства) | 0,6 |
| Срок окупаемости бюджетных ассигнований по налоговым поступлениям (лет) | 1 год». |
7. В разделе «Показатели бюджетной эффективности» приложения № 6 к указанной Программе:
а) абзацы десятый и одиннадцатый изложить в следующей редакции:
«налог на имущество организаций в размере, не превышающем 2,2 процента среднегодовой стоимости основных промышленно-производственных фондов по остаточной стоимости;»
налог на прибыль организаций в размере 20 процентов налогооблагаемой прибыли (прибыли от реализации за вычетом налога на имущество организаций);»;
б) абзацы тринадцатый и четырнадцатый изложить в следующей редакции:
«налог на доходы физических лиц в размере 13 процентов фонда оплаты труда;
»
страховые взносы в размере 30 процентов фонда оплаты труда;».