---
title: "Без названия"
status: действует
canonical: "https://bukva.ai/docs/bez-nazvaniya-5869"
---

## Без названия

# Документ 12730

> [!NOTE]
> ИСТОРИЯ ИЗМЕНЕНИЙ НОРМАТИВНО-ТЕХНИЧЕСКИХ АКТОВ

```mermaid
flowchart LR
  n0["ГОСТ Р 52081-2003"]:::rst
  click n0 "https://bukva.ai/docs/popravka-popravki-gost-30457-97" "ГОСТ Р 52081-2003. Государственный стандарт Российской Федерации. Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Термины и определения (принят Постановлением Госстандарта "
  n1["ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009"]:::doc
  n0 --> n1
classDef rst fill:#FFEBEB,stroke:#8B0000,color:#000;
classDef doc fill:#EBFFEB,stroke:#006400,color:#000;
classDef notEnt fill:#FFFFEB,stroke:#FF8C00,color:#000;
```


<div align="right">

<a id="p100001"></a>Утвержден и введен в действие<br>
Приказом Ростехрегулирования

</div>

<div align="center">

от 7 декабря 2009 г. N 586-ст

</div>


<a id="p100002"></a>**НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ**

<a id="p100003"></a>**КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ**

<a id="p100004"></a>**МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА**

<a id="p100005"></a>**ЧАСТЬ 1**

<a id="p100006"></a>**ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ**

<a id="p100007"></a>Non-destructive testing. Metal magnetic memory.
Part 1. Terms and definitions

<a id="p100008"></a>**ISO 24497-1:2007**
Non-destructive testing - Metal magnetic memory -
Part 1: Vocabulary
**(IDT)**

<a id="p100009"></a>**ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009**

<div align="right">

<a id="p100010"></a>Группа Т51

<a id="p100011"></a>**ОКС 77.040;**<br>
**ОКСТУ 0009**

<a id="p100012"></a>Дата введения

</div>

1 декабря 2010 года


## <a id="p100013"></a>Предисловие


<a id="p100014"></a>Цели и принципы стандартизации в Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002 г. N 184-ФЗ "О техническом регулировании", а правила применения национальных стандартов Российской Федерации - ГОСТ Р 1.0-2004 "Стандартизация в Российской Федерации. Основные положения".


## <a id="p100015"></a>Сведения о стандарте


1. <a id="p100016"></a>Подготовлен Автономной некоммерческой организацией "Научно-исследовательский центр контроля и диагностики технических систем" (АНО "НИЦ КД") на основе собственного аутентичного перевода стандарта, указанного в пункте 4.
2. <a id="p100017"></a>Внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика".
3. <a id="p100018"></a>Утвержден и введен в действие Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. N 586-ст.
4. <a id="p100019"></a>Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 24497-1:2007 "Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения" (ISO 24497-1:2007 "Non-destructive testing - Metal magnetic memory - Part 1: Vocabulary", IDT).
5. <a id="p100020"></a>Взамен ГОСТ Р 52081-2003.

<a id="p100021"></a>Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты", а текст изменений и поправок - в ежемесячно издаваемых информационных указателях "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ежемесячно издаваемом информационном указателе "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет.


## 1. <a id="p100022"></a>Область применения


<a id="p100023"></a>Настоящий стандарт устанавливает термины и определения для процедур в области неразрушающего контроля с использованием метода магнитной памяти металла.
<a id="p100024"></a>Термины, указанные в настоящем стандарте, являются обязательными для использования во всех типах документации и литературы в области неразрушающего контроля, при применении метода магнитной памяти металла, включенного в область действия работ по стандартизации, и/или использовании результатов этих работ.


## 2. <a id="p100025"></a>Термины и определения



#### <a id="p100026"></a>2.1 Магнитная память металла; МПМ: последействие,   en Metal magnetic

которое  проявляется  в виде остаточной намагниченности   memory
металла  изделий и сварных соединений, сформировавшейся
в  процессе  их  изготовления  и  охлаждения  в  слабом
магнитном  поле,  или  в  виде  необратимого  изменения
намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений
и повреждений от рабочих нагрузок.
<a id="p100027"></a>    Примечание.  Слабое  магнитное  поле - геомагнитное
поле Земли и другие внешние поля в области Рэлея.


#### <a id="p100028"></a>2.2 Собственное магнитное поле рассеяния изделия;   en Self-magnetic-

СМПР:    магнитное    поле    рассеяния,    возникающее   leakage field
на   поверхности   изделия  в  зонах  устойчивых  полос   of the components
скольжения    дислокаций    под    действием    рабочих
или  остаточных  напряжений  или  в  зонах максимальной
неоднородности структуры металла.
<a id="p100029"></a>    Примечание. СМПР характеризует МПМ.


#### <a id="p100030"></a>2.3 Метод  магнитной  памяти  металла; метод МПМ:   en Method

метод  неразрушающего  контроля,  основанный на анализе   of metal magnetic
распределения     СМПР     на    поверхности    изделий   memory
для  определения  зон концентрации напряжений, дефектов
и неоднородности структур металла и сварных соединений.

#### <a id="p100031"></a>2.4 Магнитодислокационный   гистерезис:   петля   en Magneto-

гистерезиса,    обусловленная    закреплением    стенок   dislocation
магнитных   доменов   (стенок   Блоха)   на  скоплениях   hysteresis
дислокаций в слабом магнитном поле.

#### <a id="p100032"></a>2.5 Критический  размер  локальных  зон нарушения   en Critical size

устойчивости    оболочки   изделия   I  :   минимальное   of the local
                                      кр                  zones
расстояние  между двумя ближайшими устойчивыми полосами   of instability
скольжения  дислокаций  в  слоях материала, возникающее   of the shell
в   момент   потери   устойчивости   оболочки   изделия   of a component
под действием нагрузок.
<a id="p100033"></a>    Примечание.     Критический     размер     оболочки
на   поверхности  изделия  характеризуется  расстоянием
между  двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР,
кратными типоразмеру оболочки.


#### <a id="p100034"></a>2.6 Напряженность  СМПР:  числовая характеристика   en SMLF intensity

напряженности  магнитного  поля  рассеяния,  измеренной
на  поверхности  изделия  по  методу  магнитной  памяти
металла.
<a id="p100035"></a>    2.7.   Градиент  СМПР:  отношение  модуля  разности   en SMLF gradient
напряженности  магнитного  поля  рассеяния,  измеренной
в двух точках контроля, к расстоянию между ними.
<a id="p100036"></a>    2.8.     Магнитный     показатель    деформационной   en Magnetic index
способности металла m: отношение максимального значения   of the deforma-
градиента СМПР к среднему значению.                       tion capability
                                                          of the metal

#### <a id="p100037"></a>2.9 Предельный магнитный показатель деформационной   en  Limiting

способности   металла   m  :   отношение  максимального   value m    of the
                         пр                                      lim
значения   градиента   СМПР,  соответствующего  пределу   magnetic index
прочности  металла, к среднему значению градиента СМПР,   of the metal
соответствующему пределу текучести металла.               deformation
                                                          capability

#### <a id="p100038"></a>2.10 Канал  измерений  СМПР:  напряженность СМПР,   en SMLF measure-

измеренная одним феррозондовым преобразователем.          ment channel
<a id="p100039"></a>    2.11.   Базовое  расстояние  между  двумя  каналами   en Base distance
измерений  СМПР  I :  расстояние  между  двумя каналами   between two SMLF
                  б                                       measurement
измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика.    channels
<a id="p100040"></a>    2.12.   Диаграмма   СМПР:  графическое  изображение   en SMLF diagram
распределения    СМПР    и    его    градиента    вдоль
контролируемого участка.

#### <a id="p100041"></a>2.13 Дискретность   записи  напряженности  СМПР:   en Discreteness

расстояние  между  двумя  соседними  точками  измерений   unit of the SMLF
напряженности магнитного поля рассеяния.                  intensity
                                                          recording
<a id="p100042"></a>    2.14.     Калибровка     аппаратуры,    применяемой   en Calibration
для   измерений  магнитной  памяти  металла:  настройка   of the equipment
датчиков    измерения    магнитного    поля   рассеяния   used to measure
с   использованием   эталонной  катушки  и  устройства,   the metal
чувствительного     к    изменению    пространственного   magnetic memory
положения,    с   использованием   эталонного   образца
для измерения длины.

#### <a id="p100043"></a>2.15 Установка режима работы аппаратуры по методу   en Setting

МПМ:  настройка  аппаратуры,  описанная  в  руководстве   of equipment
по эксплуатации, в соответствии с главным меню прибора.   operational mode
                                                          by the MMM method

#### <a id="p100044"></a>2.16 Помехи при измерениях по методу МПМ: наличие   en Interference

факторов, искажающих СМПР объекта контроля.               noise during
                                                          measurements
                                                          by the MMM method
<a id="p100045"></a>    Примечание.   Факторы,   искажающие   СМПР  объекта
контроля:
    -  <a id="p100046"></a>источники  сильного  и  неоднородного магнитного
поля вблизи объекта контроля;
    -   <a id="p100047"></a>наличие  постороннего  ферромагнитного  изделия
на объекте контроля или вблизи зоны контроля;
    -   <a id="p100048"></a>наличие   внешнего   магнитного   поля  и  поля
от электросварки на объекте контроля;
    -  <a id="p100049"></a>наличие  локальной искусственной намагниченности
металла.


## <a id="p100050"></a>Алфавитный указатель терминов на русском языке


<a id="p100051"></a>гистерезис магнитодислокационный                                       2.4
<a id="p100052"></a>градиент СМПР                                                          2.7
<a id="p100053"></a>диаграмма СМПР                                                         2.12
<a id="p100054"></a>дискретность записи напряженности СМПР                                 2.13
<a id="p100055"></a>калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти      2.14
металла
<a id="p100056"></a>канал измерений СМПР                                                   2.10
<a id="p100057"></a>метод магнитной памяти металла                                         2.3
<a id="p100058"></a>метод МПМ                                                              2.3
<a id="p100059"></a>**МПМ                                                                    2.3**
<a id="p100060"></a>напряженность СМПР                                                     2.6
<a id="p100061"></a>память металла магнитная                                               2.1
<a id="p100062"></a>показатель деформационной способности металла магнитный                2.8
<a id="p100063"></a>показатель деформационной способности металла магнитный предельный     2.9
<a id="p100064"></a>поле рассеяния изделия магнитное собственное                           2.2
<a id="p100065"></a>помехи при измерениях по методу МПМ                                    2.16
<a id="p100066"></a>размер локальных зон  нарушения устойчивости оболочки изделия          2.5
критический
<a id="p100067"></a>расстояние между двумя каналами измерений СМПР базовое                 2.11
<a id="p100068"></a>**СМПР                                                                   2.2**
<a id="p100069"></a>установка режима работы аппаратуры по методу МПМ                       2.15


## <a id="p100070"></a>Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке


<a id="p100071"></a>base distance between the two SMLF measurement channels                2.11
<a id="p100072"></a>calibration of the equipment used to measure the metal magnetic        2.14
memory
<a id="p100073"></a>critical size of the local zones of instability of the shell           2.5
of a component
<a id="p100074"></a>discreteness unit of the SMLF intensity recording                      2.13
<a id="p100075"></a>interference noise during measurements by the MMM method               2.16
<a id="p100076"></a>limiting value of the magnetic index of the metal deformation          2.9
capability
<a id="p100077"></a>magnetic index of the deformation capability of the metal              2.8
<a id="p100078"></a>magneto-dislocation hysteresis                                         2.4
<a id="p100079"></a>metal magnetic memory                                                  2.1
<a id="p100080"></a>method of metal magnetic memory                                        2.3
<a id="p100081"></a>self-magnetic-leakage field of the components                          2.2
<a id="p100082"></a>setting of equipment operational mode by the MMM method                2.15
<a id="p100083"></a>SMLF diagram                                                           2.12
<a id="p100084"></a>SMLF gradient                                                          2.7
<a id="p100085"></a>SMLF intensity                                                         2.6
<a id="p100086"></a>SMLF measurement channel                                               2.10



<a id="p100087"></a>

---
